Interruttori elettronici di potenza

Dimensione: px
Iniziare la visualizzazioe della pagina:

Download "Interruttori elettronici di potenza"

Transcript

1 Interruttori elettronici di potenza

2 Interruttori elettronici di potenza Power BJT: U 500 V, I 100 A, t 1µ s Smax Smax SW

3 Interruttori elettronici di potenza Power BJT: U 500 V, I 100 A, t 1µ s Smax Smax SW Applicazioni limitate (si preferiscono interruttori comandati in tensione)

4 Interruttori elettronici di potenza Power MOS: U 500 V, I 50A, t 100ns Smax Smax SW

5 Interruttori elettronici di potenza Power MOS: U 500 V, I 50A, t 100ns Smax Smax SW Applicazioni di potenza medio-piccola (< 1 kw)

6 Interruttori elettronici di potenza IGBT: U > 1kV, I > 1kA, t 1µ s Smax Smax SW

7 Interruttori elettronici di potenza IGBT: U > 1kV, I > 1kA, t 1µ s Smax Smax SW Attualmente usato per applicazioni di potenza medio-grande (< 200 kw)

8 U Interruttori elettronici di potenza IGBT: > 1kV, I > 1kA, t 1µ s S S SW max max Attualmente usato per applicazioni di potenza medio-grande (< 200 kw) In futuro usato anche per applicazioni di potenza grande (MW)

9 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche statiche Conduzione: S on

10 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche statiche Conduzione: S on + u S - i S

11 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche statiche Conduzione: S on + u S - U i S S on 1 3 V + U S on --

12 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche statiche Conduzione: S on + u S - U i S S on 1 3 V + U S on -- P on > 0

13 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche statiche Interdizione: S off + u S - i S

14 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche statiche Interdizione: S off + u S - i S IS off na ma I S off

15 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche statiche Interdizione: S off + u S - i S IS off na ma I S off P off 0

16 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche dinamiche

17 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche dinamiche Commutazione in accensione: on

18 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche dinamiche Commutazione in accensione: on + u S - i S Durante la commutazione, l interruttore elettronico è un generatore di corrente a rampa crescente

19 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche dinamiche Commutazione in accensione: on i S I S on + u S - i S t SW on t

20 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche dinamiche Commutazione in accensione: on i S I S on + u S - U S off e I Son i S U S off t SW on u S U S on t sono imposti dal circuito esterno t

21 Soff i S t SW on u S Interruttori elettronici I S on U S on t t Commutazione in accensione: Energia dissipata in ogni commutazione W = u i dt SW on = t SWon U 0 S off S S 2 I S on t SW on

22 Soff i S u S Interruttori elettronici I S on t Commutazione in accensione: Energia dissipata in ogni commutazione t SW on U S on t P = f W SW on S SW on

23 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche dinamiche

24 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche dinamiche Commutazione in spegnimento: off

25 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche dinamiche Commutazione in spegnimento: off + u S - i S Durante la commutazione, l interruttore elettronico è un generatore di corrente a rampa decrescente

26 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche dinamiche Commutazione in spegnimento: off I S on i S + u S - i S t SW off t

27 Interruttori elettronici di potenza Caratteristiche dinamiche Commutazione in spegnimento: I S on i S off + u S - U S off e I Son i S t SW off u S U S on U S off t sono imposti dal circuito esterno t

28 I S on u S Son SWoff i S Interruttori elettronici U S off t t Commutazione in spegnimento: Energia dissipata in ogni commutazione W = u i dt SW off = t SWoff U 0 S off 2 S S I S on t SW off

29 I S on u S Son SWoff i S Interruttori elettronici U S off t t Commutazione in spegnimento: Energia dissipata in ogni commutazione P = f W SW off S SW off

30 Interruttori elettronici Le perdite di commutazione sono circa proporzionali ad I Son, U Soff ed f S Le perdite di conduzione sono circa proporzionali ad I Son (ed indipendenti da f S ) Le perdite di interdizione sono trascurabili

31 Interruttori elettronici Perdite complessive: P = P + P + P + P d on off SW on SW off

32 Interruttori elettronici Perdite complessive: P = P + P + P + P d on off SW on SW off P d P on P SW f S

33 Interruttore ideale

34 Interruttore ideale Dal punto di vista dell analisi dei circuiti a commutazione, le nonidealità degli interruttori elettronici sono scarsamente influenti

35 Interruttore ideale Dal punto di vista dell analisi dei circuiti a commutazione, le nonidealità degli interruttori elettronici sono scarsamente influenti I tempi di commutazione degli interruttori sono infatti molto più piccoli dei tempi con cui evolvono le grandezze del circuito

36 Interruttore ideale Dal punto di vista dell analisi dei circuiti a commutazione, le nonidealità degli interruttori elettronici sono scarsamente influenti I tempi di commutazione degli interruttori sono infatti molto più piccoli dei tempi con cui evolvono le grandezze del circuito Le cadute di tensione in conduzione sono solitamente trascurabili rispetto alle tensioni in gioco nel circuito

37 Interruttore ideale Dal punto di vista dell analisi dei circuiti a commutazione, le nonidealità degli interruttori elettronici sono scarsamente influenti I circuiti vengono dunque analizzati, in prima approssimazione, assumendo interruttori ideali

38 Interruttore ideale Dal punto di vista dell analisi dei circuiti a commutazione, le nonidealità degli interruttori elettronici sono scarsamente influenti I circuiti vengono dunque analizzati, in prima approssimazione, assumendo interruttori ideali Gli effetti delle nonidealità (in particolare le perdite) vengono valutati in seconda approssimazione

39 Interruttore elettronico ideale Caratteristiche statiche

40 - S Interruttore elettronico ideale Caratteristiche statiche i S Conduzione: S on u S = 0

41 - S + - S Interruttore elettronico ideale Caratteristiche statiche i S i S Conduzione: S on u S = 0 Interdizione: S off i S = 0

42 - S + - S Interruttore elettronico ideale Caratteristiche statiche i S i S Conduzione: S on u S = 0 P on = u S i S = 0 Interdizione: S off i S = 0 P off = u S i S = 0 In ambo i modi di funzionamento l interruttore non dissipa potenza

43 Interruttore elettronico ideale Caratteristiche dinamiche

44 Interruttore elettronico ideale Caratteristiche dinamiche Commutazione in accensione: + u S - i S

45 Interruttore elettronico ideale Caratteristiche dinamiche Commutazione in accensione: + i S i S I Son u S - t SW = on 0 t

46 Interruttore elettronico ideale Caratteristiche dinamiche Commutazione in accensione: + u S - i S t SW on t SW = on 0 WSW = us is dt on 0 i S I Son = 0 t

47 Interruttore elettronico ideale Caratteristiche dinamiche Commutazione in spegnimento: + u S - i S

48 Interruttore elettronico ideale Caratteristiche dinamiche Commutazione in spegnimento: + i S I Son i S u S - t SW = off 0 t

49 Interruttore elettronico ideale Caratteristiche dinamiche Commutazione in spegnimento: + u S - i S I Son t SW off WSW = us is dt off 0 i S t SW = off 0 = 0 t

50 Interruttori elettronici ideali Caduta di tensione in conduzione nulla Corrente in interdizione nulla Tempi di commutazione nulli Nessuna potenza dissipata

51 1.2 Famiglie di interruttori

52 Interruttore ideale Simbolo e caratteristica statica i comando chiuso + v - i aperto v

53 Diodo ideale Simbolo e caratteristica statica i + v - i v

54 Interruttore ideale a conduzione inversa Simbolo e caratteristica statica i comando chiuso aperto + v - chiuso + aperto v i

55 Interruttore ideale a blocco inverso Simbolo e caratteristica statica i comando chiuso + v - i chiuso + aperto aperto v

56 1.3 - Interruttori reali a semiconduttore

57 Interruttori reali a semiconduttore dispositivi attivi di commutazione a semiconduttore, usati come interruttori, si discostano dal comportamento dell interruttore ideale per molti aspetti diversi. erdite di conduzione erdite di dispersione erdite di commutazione

58 Interruttori reali a semiconduttore n commutazione: tensione e la corrente non passano istantaneamente da zero al massimo o viceversa, ma impiegano tempi finiti ( tempi di commutazione ). a potenza media dissipata nelle commutazioni non è di solito trascurabile. Essa costituisce il principale fattore che limita la frequenza di operazione degli interruttori reali

59 Interruttori reali a semiconduttore dispositivi a semiconduttore più usati in Elettronica di potenza Diodi di potenza e Diodi Schottky, MOSFET di potenza, Transistori Bipolari (soprattutto Darlington), IGBT, SCR, GTO, TRIAC. Differenza principali: velocità di commutazione Massime tensioni, correnti e potenze dissipabili OSFET piccole potenze ed elevate frequenze CR, GTO alte potenze e basse frequenze

60 1.4 - Caratteristiche statiche dei dispositivi reali

61 Resistenza e resistenza differenziale Resistenza e resistenza differenziale di un diodo + i v - i atan (R) atan (r) P R= v i r= dv di v

62 Resistenza e resistenza differenziale Caratteristiche lineari di resistenze ohmiche i R=r R'=r' R"=r" v R= v i = r= dv =costante di

63 Caratteristiche statiche dei dispositivi reali Caratteristiche di BJT per diversi valori della corrente di base I B i atan (R) atan (r) P I B1 I B2 I B3 I B4 v

64 Caratteristiche statiche dei dispositivi reali Caratteristiche di MOSFET per diversi valori della tensione Gate/Source V GS i atan (R) atan (r) P V GS1 V GS2 V GS3 V GS4 V GS5 0 0 v

65 1.5 - Commutazioni dei dispositivi reali

66 Commutazioni dei dispositivi reali Circuito di prova con carico resistivo R L + E - comando Dispositivo reale a semiconduttore A C i + v -

67 Commutazioni dei dispositivi reali Commutazioni con carico resistivo v i V on v i I L E t t swon t swoff p = v i W on p = v i W off p W cond p p max=e I L/4 OFF ON OFF t

68 Commutazioni dei dispositivi reali Stati e percorsi di commutazione con carico resistivo i I L =E/R L ON t swon t swoff OFF V ON E v

69 Commutazioni e perdite dei dispositivi reali Circuito di prova con carico induttivo D Diodo ideale L I L i + E - comando S A C + v - + E - L Dispositivo reale a semiconduttore

70 Commutazioni dei dispositivi reali Circuito di prova con carico di tipo induttivo con generatore ideale di corrente + E D Diodo ideale comando - S Dispositivo reale a semiconduttore A C i I L + v - Generatore ideale di corrente

71 Commutazioni dei dispositivi reali Commutazioni con carico di tipo induttivo v i V on v t ri t fv t rv t fi i I L E t t swon t swoff p = v i W on p = v i W off p max=e I L p W cond p OFF ON OFF t

72 Commutazioni dei dispositivi reali Stati e percorsi di commutazione con carico di tipo induttivo i I L =E/R L ON t swon t swoff OFF V ON E v

73 1.6 - SOA

74 Commutazioni e perdite dei dispositivi reali Stati e percorsi di commutazione con carico resistivo con curve a potenza costante i I L =E/R L ON 1300 W 1020 t swon t swoff 340 DC W 180 OFF Coordinate lineari V ON E v

75 Commutazioni e perdite dei dispositivi reali Stati e percorsi di commutazione con carico di tipo induttivo e curve a potenza costante i I L =E/R L ON t swon 1300 W t swoff DC 70 W OFF Coordinate lineari V ON E v

76 i SOA Stati e percorsi di commutazione con carico resistivo e curve a potenza costante I L =E/R L ON 1300 W DC Coordinate logaritmiche OFF E 70 W v

77 SOA Stati e percorsi di commutazione con carico di tipo induttivo e curve a potenza costante i Imax I L =E/R L ON 1300 W 100µs 70 W 1ms Coordinate logaritmiche T =25 C C o o T J =150 C MAX. R thjc =1.67 K/W SINGLE PULSE OFF E 10ms 100ms DC Vmax v

78 SOA imiti dei dispositivi a semiconduttore: otenza dissipata ensioni e correnti istantanee massime Breakdown secondario appresentazione sul piano v-i dei limiti: Area di Operazione Sicura ndicata in inglese con SOA, Safe Operating Area

79 i Imax SOA Fig Stati e percorsi di commutazione carico induttivo - SOA con Breakdown Secondario DC 1 µ s I L =E/R L ON 50 µs 0.1ms Thermal limitation 0.5ms 1ms Second Breakdown 2ms o T C=25 C SINGLE PULSE OFF Vmax 5ms DC E v

80 1.7 - SNUBBER copi: - ridurre le perdite nel dispositivo - limitare le velocità di variazione delle tensioni e/o correnti

81 Snubber RC-Diodo Circuito di prova con carico di tipo induttivo con snubber di spegnimento (turn-off) RC-Diodo Carico di tipo induttivo + E comando - S Dispositivo reale a semiconduttore A C i + v - Snubber di spegnimento RC-Diodo

82 v i p = v i p OFF Snubber RC-Diodo Commutazioni con carico di tipo induttivo con snubber di spegnimento RC-Diodo t swon V on v t ri t fv t rv W on p = v i W cond ON t fi t swoff i W off p I L p max OFF potenza dissipata e dv/dt allo spegnimento ridotte ma aumento della corrente all accensione E t t

83 i Snubber RC-Diodo Commutazioni con carico di tipo induttivo con snubber di spegnimento RC-Diodo I L =E/R L ON t swon t swoff OFF V ON E v

84 i Snubber RC-Diodo Commutazioni con carico di tipo induttivo con snubber di spegnimento RC-Diodo Imax I L =E/R L ON 1300 W 100µs 70 W 1ms OFF E 10ms 100ms DC Vmax v

85 Snubber RC-Diodo e RL-Diodo Commutazioni con carico di tipo induttivo con snubber di spegnimento RC-Diodo e di accensione RL- Diodo che limita la velocità di crescita della corrente del dispositivo all accensione. + E - Carico di tipo induttivo comando S Dispositivo reale a semiconduttore A C i + v - Snubber di accensione LR-Diodo Snubber di spegnimento RC-Diodo

86 i Snubber RC-Diodo e RL-Diodo Commutazioni con carico di tipo induttivo con snubber di spegnimento RC-Diodo e di accensione RL-Diodo v E t fv V on v t rv i I L t t ri t fi t swon t swoff p = v i W on p = v i W off p W cond p p max OFF ON OFF t

87 Snubber RC-Diodo e RL-Diodo Commutazioni con carico di tipo induttivo con snubber di spegnimento RC-Diodo e di accensione RL-Diodo i I L =E/R L ON t swon V ON t swoff OFF E v

88 Snubber RC-Diodo e RL-Diodo Commutazioni con carico di tipo induttivo con snubber di spegnimento RC-Diodo e di accensione RL-Diodo i Imax I L =E/R L ON 1300 W 100µs 70 W 1ms OFF E 10ms 100ms DC Vmax v

89 Snubber antaggi: iduzione delle dissipazioni er evitare stati pericolosi durante le commutazioni. vantaggi: ichiedono notevoli complicazioni circuitali che comportano aggravi di costi e, in molti casi, riduzioni di affidabilità. endenza attuale: vitarne l impiego, anche perchè si sono avuti notevoli miglioramenti nelle prestazioni (soprattutto la velocità) dei dispositivi.

90 1.8 - Smaltimento del calore, Resistenze ed Impedenze termiche

91 Smaltimento del calore Dispositivo di potenza montato su dissipatore

92 Smaltimento del calore Trasmissione del calore nei dispositivi di potenza 2- Saldatura e strato di dilatazione Contatto CS P DM 1- Giunzione J 3- Parte metallica C dell'involucro (Cu, Al,...) 4- Dissipatore S

93 Smaltimento del calore er ogni passaggio si ha un salto di temperatura che, in prima approssimazione, si può considerare proporzionale al flusso di calore trasmesso. l fattore di proporzionalità salto di temperatura/flusso di calore è detto resistenza termica. a quantità di calore è misurata in calorie o anche, essendo una energia, in Joule (1Cal=4185J).Il flusso di calore è misurato in Cal/s oppure in Joule/secondo, cioè in Watt. La resistenza termica si misura quindi in o C s/cal oppure in o C/W.

94 Smaltimento del calore Rete elettrica equivalente della trasmissione del calore - valori medi Potenza media dissipata P DAV Giunzione J 1 TJ R Involucro C Dissipatore S Ambiente A thjc TC R thcs T S R thsa TA T = T + P ( R + R + R ) J A thjc thcs thsa

95 Smaltimento del calore Risposta termica transitoria ad un gradino di potenza dissipata P DM 0 t p t T Jlim T A T Jmax T J t

96 Capacità termiche a variazione di temperatura del materiale assorbe una certa quantità di calore. i ha cioè una certa Capacità termica del materiale, la cui azione può essere rappresentata aggiungendo al circuito equivalente elettrico di delle capacità equivalenti C th, n ogni nodo, i valori di tali capacità dipendono dal volume di materiale, e quindi dalla sua massa, a cui il nodo corrisponde, e dal valore del calore specifico del materiale stesso.

97 Capacità termiche Rete elettrica equivalente transitoria della trasmissione del calore - valori massimi Potenza massima dissipata Giunzione J TJ 1 R thjc Involucro C Dissipatore S Ambiente A TC R T S thcs R thsa T A P DM C th1 C th2 C th3 C th4 TJmax = TA + PDM Zth( tp) Z th impedenza termica transitoria

98 Capacità termiche Rete elettrica equivalente transitoria riferita all involucro - valori massimi Giunzione J 1 Involucro C Dissipatore S Ambiente A Potenza massima dissipata TJ R thjc TC R T S thcs R thsa T A P DM C th1c C th2c C th4 C th3= C thc

99 Smaltimento del calore Risposta termica ad una serie periodica di impulsi di potenza dissipata P DM 0 t p t r P Dmedia t T Jlim T Jmax T C T J T Jmedia t

100 Smaltimento del calore Andamento tipico di impedenze termiche Z thjc per diversi valori del duty-cycle d Valori normalizzati alla resistenza termica R thjc Z thjc /R thjc d= d = t - durata dell' impulso (secondi) p

101 1.4 - Diodi di potenza e diodi Schottky

102 Diodi di potenza iodi di potenza al silicio a giunzione pn alori tipici di V KN V, alori di resistenze tali da mantenere le cadute alla corrente nominale a V. orrenti nominali da pochi A fino a A. orrente inversa di fuga I R molto piccola rispetto alla corrente nominale I FN I FN /I R maggiore di ).

103 Diodi di potenza e la tensione inversa supera un valore limite BV KA (tensione di Breakdown ), si ha la scarica a valanga e la corrente inversa aumenta bruscamente. valori di BV KA variano molto da un dispositivo all altro e possono andare da poche decine di Volt fino a 2000 V. lcuni diodi (a valanga controllata ) sono costruiti in modo da poter sopportare, entro dati limiti di corrente, tensione e di durata, le condizioni di breakdown.

104 Diodi di potenza Simbolo e caratteristica statica Anodo A + v - i Catodo K i Resistenza ohmica BV KA I R V KN v Breakdown a valanga

105 Diodi di potenza Schottky aduta in conduzione diretta ridotta rispetto ai diodi a giunzione pn. V KN è tipicamente di V perdite di conduzione molto ridotte. empi di commutazione molto ridotti rispetto ai corrispondenti diodi al silicio di potenza a giunzione pn. er contro, la massima tensione inversa di breakdown BV KA è minore. limiti massimi reperibili non superano 200 V.

106 Diodi di potenza: Commutazioni Circuito di prova per le forme d onda e per i tempi di commutazione + V R i K A Diodo in prova - v + I L - Diodo ideale i T

107 i Diodi di potenza: Commutazioni Commutazioni di F /dt I L di R /dt Q rr =I rr t rr /2 I R I R I rr t t Rf t ri t rd 0.25 I rr v t rr V Fp V on V R V R t t Fr t Fd S = t rd t ri V rr

108 Diodi di potenza: Specifiche er un diodo di potenza, come per gli altri dispositivi, il costruttore specifica tre tipi di dati: limiti massimi assoluti ( absolute maximum ratings ) valori che non devono essere superati per non danneggiare il componente. caratteristiche ( characteristics ) che comprendono sia valori minimi e/o massimi, in ben precise condizioni di funzionamento e di temperatura, che si garantisce non vengano superati, sia valori tipici. curve tipiche ( typical performance curves ) che mostrano l influenza delle variazioni delle condizioni di funzionamento sui vari parametri del dispositivo.

109 Diodi di potenza: Limiti Massimi er un diodo di potenza, un esempio di specificazione dei limiti massimi assoluti può essere: Absolute maximum ratings, T C =25 C (unless otherwise specified) Peak repetitive reverse voltage V RRM 1000 V Working peak reverse voltage V RWM 1000 V DC blocking voltage V R 1000 V Average rectified forward current I F(AV) 30 A (T C =117 C)

110 Diodi di potenza: Limiti Massimi Repetitive peak surge current I FSM 60 A (square wave, 20 khz) Nonrepetitive peak surge current I FNRSM 300 A (halfwaave, 1 phase, 60 hz) Maximum power dissipation P D 125 W Avalanche energy E AVL 20 mj Operating and storage temperature T STG, T J -65 to +125 C

111 Diodi di potenza: Caratteristiche alori indicativi: t rr at I F =30 A, di F /dt =100 A/µs Typ 150 ns t ri at I F =30 A, di F /dt =100 A/µs Typ 90 ns t rd at I F =30 A, di F /dt =100 A/µs Typ 45 ns sempio di specificazione: caratteristiche garantite V F at I F =30 A, T C =25 C Max 1.8 V V F at I F =30 A, T C =150 C Max 1.6 V I R at V R =800 V, T C =25 C Max 500 µa I R at V R =800 V, T C =150 C Max 1 ma t rr at I F =1 A, di F /dt =100 A/µs Max 110 ns R θjc Max 1.2 C /W

112 CAMPI DI APPLICAZIONE DEI DISPOSITIVI DI POTENZA

113 SETTORI DI APPLICAZIONE ELETTRONICA DI POTENZA 1000 Portata in corrente [A] Controllo motori Telecom Automotive 100 UPS Robotica Lamp. ballast 1000 Trazione elettrica Monitor Tensione di Breakdown [V] 10000

114 SETTORI DI APPLICAZIONI ELETTRONICA DI POTENZA 10M Traz. elettr. Potenza [V*A] 100K 1K Auto motive UPS 1K Contr. motori Moni tor Telecom Lamp. ballast 100K 10M 1G Frequenza [Hz]

115 PROCESSO DI FABBRICAZIONE BIPOLARI DI POTENZA TECNOLOGIA PLANARE

116 Substrato N + X ~ 600 µm N N + + ρ ~ 10 mω cm

117 Bassa Tensione ~ 100 V Crescita epitassiale strati N e N - N - N X ~ 15 µm N - ρ ~ 5 Ω cm Alta Tensione ~ 1000 V N + X ~ 80 µm N - ρ ~ 80 Ω cm

118 Ossidazione iniziale SiO 2 N - N X ossido ~ 1 µm N +

119 Fotolitografia Photoresist N - N Mascheratura e attacco N +

120 Formazione anello di bordo P N - N N + impianto ionico P (boro o alluminio) diffusione in ambiente ossidante

121 Formazione base P P + N - P fototecnica base N impianto ionico P + N + x j ~ 10 µm C s ~ at/cm 3

122 Formazione emettitore P P + N - N++ ++ fototecnica emettitore N impianto ionico N ++ N + x j ~ 5 µm C s ~ at/cm 3

123 Contatti e metallizzazione AlSi P P + N - N++ ++ N X metal ~ 3 µm N +

124 Riduzione spessore e metallizzazione retro P P + N - N++ ++ N X ~ 400 µm N + metal TiNiAu

125 1.5 - Transistori Bipolari (connessione Darlington)

126 Transistori Bipolari (BJT) di potenza Simboli Collettore C Collettore C B Base E Emettitore B Base E Emettitore BJT npn BJT pnp

127 Transistori Bipolari npn di potenza in connessione Darlington Simbolo Collettore C B Base T 1 D 2 D 1 T 2 E Emettitore

128 BJT di potenza: Caratteristiche statiche Caratteristiche statiche (I C, V CE ) param. I B I C Saturazione Breakdown secondario Breakdown primario I B crescente I B I B <0 Regione attiva I =0 B 0 0 I CEO BV SUS BV CEO BV CBO V CE

129 BJT di potenza: Caratteristiche statiche Caratteristiche statiche (I C, V CE ) param. I B Diagramma espanso nella zona di saturazione Saturazione "forte" ("hard") I C Quasi - saturazione Breakdown secondario I B crescente 1/R D I B Regione attiva 0 0 I CEO V CE

130 BJT di potenza: Caratteristiche statiche Guadagno di corrente β=i C /I B in zona attiva I C atan( I C / I B ) I B β ~ = I C /I B I C

131 BJT di potenza: Commutazioni Circuito di prova per le forme d onda e per i tempi di commutazione Diodo ideale I L + E - + v BB - R B B C E

132 BJT di potenza: Commutazioni Commutazioni I B on i B V BE on v BE i B v BE t ri t fv t don t swon t swoff t fi t sat t rv I B off VBE off t v CE E v CE I L i C V CE sat i C t

133 BJT di potenza: Limiti Massimi Assoluti er un BJT di potenza, un esempio di specificazione dei limiti massimi assoluti può essere: Absolute maximum ratings (T C =25 C) Collector-emitter voltage V CEO 450 V Collector-emitter voltage (V BE =-2.5 V) V CEX 700 V Emitter-base voltage V EBO 7 V Collector current I C 30 A Collector current (t p 5ms) I CM 60 A Base current I B 8 A Base current (t p 5ms) I BM 30 A

134 BJT di potenza: Limiti Massimi Assoluti Power dissipation P tot 150 W Junction temperature T j -65,+150 W Insulation voltage (t=1 mn) V ins 2500 V RMS Screw torque (mounting terminals) 15 kg cm Junction-case thermal resistance R th (j-c) 0.83 C/W

135 BJT di potenza: Caratteristiche er un BJT di potenza, un esempio di specificazione delle caratteristiche garantite e tipiche può essere: FF CHARACTERISTICS BV CEO j =25 C, I B =0 A, I C =0.2 A, L=25 mh Min 450 V BV EBO j =25 C, I C =0 A, I E =100 ma Min 7 V Max 30 V CEX j =25 C, V CE = V CEX, V BE =-2.5 V Max 0.4 ma CEX j =125 C, V CE = V CEX, V BE =-2.5 V Max 4 ma

136 BJT di potenza: Caratteristiche CER j =25 C, V CE = V CEX, R BE =5 Ω Max 1 ma CER j =125 C, V CE = V CEX, R BE =5 Ω Max 8 ma EBO j =25 C, I C = 0 A, V BE =-5 V Max 2 ma N CHARACTERISTICS CE sat j =25 C, I C =20 A, I B =4 A, pulsed t p <300µs d<2% Max CE sat j =25 C, I C =30 A, I B =8 A, pulsed t p <300µs d<2% Max BE sat j =25 C, I C =20 A, I B =4 A, pulsed t p <300µs d<2% Max 1.5 V 3.5 V 1.6 V

137 BJT di potenza: Caratteristiche YNAMIC CHARACTERISTICS f j =25 C, f=1 MHz, I C =1 A, V CE =10 V Typ 5 MHz 22b j =25 C, f=1 MHz, V CE =10 V Typ 500 pf WITCHING CHARACTERISTICS - Switching times on resistive load on j =25 C, V CC =150 V, I C =20 A, I B1 =- I B2 =4 A Typ 0.55 µs Max 1 µs t j =25 C, V CC =150 V, I C =20 A, I B1 =- I B2 =4 A Typ 1.5 µs Max 3 µs

138 BJT di potenza: Caratteristiche t j =25 C, V CC =150 V, I C =20 A, I B1 =- I B2 =4 A Typ 0.3 µs Max 0.8 µs - Switching times on inductive load t j =25 C, V CC =300 V, V BB =-5 V, I C =20 A, I Bend =4 A, L B =1.5µΗ Typ 3.5 µs t j =100 C, V CC =300 V, V BB =-5 V, I C =20 A, I Bend =4 A, L B =1.5µΗ Max 5 µs t j =25 C, V CC =300 V, V BB =-5 V, I C =20 A, I Bend =4 A, L B =1.5µΗ Typ 0.08 µs t j =100 C, V CC =300 V, V BB =-5 V, I C =20 A, I Bend =4 A, L B =1.5µΗ Max 0.4 µs

139 1.6 - MOSFET di potenza

140 Struttura del PMOS ido di Gate Polysilicio Metal Dielettric N - P P + N ++ N +

141 W L N - + P P + N ++

142 Struttura 3D del PMOS N - P P + N ++ N +

143 Simulazione 2D di una cella PMOS 1µm at/cm

144 MOSFET di potenza Simboli Drain D Drain D G Gate S Source G Gate S Source MOSFET a canale n MOSFET a canale p

145 MOSFET di potenza Simboli col diodo integrale messo in evidenza Drain D Drain D G Gate S Source G Gate S Source MOSFET a canale n MOSFET a canale p

146 MOSFET di potenza: Caratteristiche statiche Caratteristiche statiche (I D, V DS ) param. V GS I D Regione ohmica Regione attiva V crescente GS V GS interdizione < V GS th V GS 0 0 I DSS BV DSS V DS

147 MOSFET di potenza: Caratteristiche statiche Caratteristica di trasferimento (I D, V SG ) in regione attiva I D effettiva linearizzata I DSS 0 0 V GS th V GS

148 MOSFET di potenza: Applicazioni aratteristiche dei MOSFET di potenza, usati come interruttori a conduzione inversa: ilotaggio molto semplice; ntrinsecamente più veloci degli altri dispositivi di potenza ma un pò più costosi e più sensibili alle sovratensioni. adute in conduzione maggiori, specie con dispositivi per alte tensioni. imiti di correnti e tensioni a pochi Ampere fino a 100 A a poche decine di Volt fino a circa 1500 V.

149 MOSFET di potenza: Commutazioni Circuito di prova per le forme d onda e per i tempi di commutazione Diodo ideale I L + E - + v GG - R G G D S

150 MOSFET di potenza: Commutazioni Capacità Equivalenti C GD Drain D Gate G C GS C DS S Source MOSFET a canale n

151 MOSFET di potenza: Commutazioni Commutazioni v GG v GS (I ) L v GS th v GS i G v GG v GS t don i G t t ri t fv t swon t swoff t rv t fi v DS E t doff v DS i D I L i D V DS on i D t

152 MOSFET di potenza: Specifiche nche per i MOSFET di potenza si specificano tre tipi di dati: limiti massimi assoluti (absolute maximum ratings), caratteristiche (characteristics), curve tipiche (typical performance curves) (si vedano le definizioni date trattando dei diodi di potenza).

153 MOSFET di potenza: Limiti Massimi er un MOSFET di potenza, un esempio di specificazione dei limiti massimi assoluti può essere: Absolute maximum ratings Continuous Drain Current (V GS =10 V, T C =25 C) I D 16 A Continuous Drain Current (V GS =10 V, T C =100 C) I D 10 A Pulsed Drain Current (repetitive rating) (1) I DM 64 A

154 MOSFET di potenza: Limiti Massimi Power Dissipation (T C =25 C) P D W Linear Derating Factor DF 2.2 W / C Gate to Source Voltage V GS ± 20 V Single Pulse Avalanche Energy(2)E AS 1000 mj Avalanche Current (1) I AR 16 A Repetitive Avalanche Energy (1) E AR 28 mj Peak Diode Recovery dv/dt (3) dv/dt 3.0 V/ns Operating Junction and Storage Temperature Range T J, T STG -55/+150 C Soldering Temperature (for 10 s, 1.6 mm from case) 300 C Mounting Torque (6-32 or M3 screw) 1.1 Nm

155 MOSFET di potenza: Caratteristiche er un MOSFET di potenza, un esempio di specificazione delle caratteristiche garantite e tipiche può essere: Thermal resistance R θjc Junction to Case Max 0.45 C /W R θcs Case to Sink, Flat, Greased Surface Typ 0.24 C /W R θja Junction to Ambient Max 40 C /W Electrical T C =25 C (unless otherwise specified) V DSS GS =0V, I D =250 µa Min. 600 V

156 MOSFET di potenza: Caratteristiche BV DSS / Τ T J =25 C,I D =1 ma Typ 0.83 V/ C R V GS =10 V, I D =9.6 A (4) Max 0.40 Ω V V DS =V GS, I D =250 µa Min/Max 2/4 V g fs (Forward V DS =50 V,I D =9.6 A (4) Min 13 S I V DS =600 V, V GS =0 V Max 100 µa I V DS =480 V, V GS =0 V, T J =125 C Max 500 µa I GSS Gate to Source Forward V GS =20 V Max 100 na I GSS Gate to Source Reverse V GS = -20 V Max -100 na

157 MOSFET di potenza: Caratteristiche Q I D =16 A, V DS =360 V, V GS =10 V Max 210 nc Q as above Max 26 nc Q as above Max 110 nc t E=300 V, I D =16 A, R G =4.5 Ω, R D =18 Ω Typ 19 ns t as above Typ 54 ns t as above Typ 110 ns t as above Typ 56 ns L D Typ 5 nh L S Typ 13 nh

158 MOSFET di potenza: Caratteristiche C V GS =0 V, V DS =25 V, f=1 MHz Typ 3900 pf C as above Typ 440 pf C as above Typ 98 pf Source-Drain (Body Diode) Ratings and Characteristics I S Continuous Source Current Max 16 A I SM Pulsed Source Current Max 64 A V SD Diode Forward V GS =0 V, I S =16 A, T J =25 C Max 1.8 V

159 MOSFET di potenza: Caratteristiche t rr Reverse Recovery I S =16 A, T J =25 C, di/dt=100 A/µs Max 920 ns Typ 610 ns Q rr Reverse Recovery as above Max 9.9 µc Typ 6.6 µc t on Forward Turn-On Time: intrinsic turn-on time is negligible, turn on is dominated by L S +L D

160 1.7 - IGBT

161 Struttura PMOS S G D P + G N - N + S D

162 Struttura IGBT D S G P + G N - N + P ++ S D

163 lusso dei portatori E G stato ON V G > V T V CE > 0 C G N - P ++ E C

164 C I CE I C β PNP = = I B I C I mos I B I mos G I CE = I C + I mos I C E

165 C I CE I C β PNP = = I B I C I mos I B I mos G I CE = I C + I mos I C I CE = I mos (1+β PNP ) E

166 L IGBT é un dispositivo a conduzione mista Le caratteristiche di uscita sono determinate dal guadagno del PNP (bassa resistenza di uscita alle alte tensioni) Le caratteristiche di ingresso sono analoghe a quelle dei MOS di potenza (pilotaggio in tensione)

167 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Simboli Collettore C Collettore C G Gate E Emettitore G Gate E Emettitore Simboli alternativi di IGBT a canale n

168 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Struttura interna equivalente Collettore C MOSFET Canale n BJT pnp Gate G BJT npn E Emettitore

169 IGBT Caratteristiche statiche (I C, V CE ) param. V GE I C V crescente GE V GE interdizione < V GE th V GE BV CER 0 0 I CES BV CES V CE

170 IGBT Caratteristica di trasferimento (I D, V SG ) in regione attiva I C effettiva linearizzata 0 0 I CES V GE th V GE

171 IGBT Circuito di prova per le forme d onda e per i tempi di commutazione Diodo ideale I L + E - + v GG - R G G C E

172 IGBT Commutazioni v GG +V GG M v GE (I ) L v GE th v GE i G v GG v GE -V GG m t t don i G t ri t fv t swoff t swon t rv t fi v CE E i C t doff v CE I L i C I C tail i C V CE on t

173 IGBT: Specifiche nche per gli IGBT si specificano tre tipi di dati: limiti massimi assoluti (absolute maximum ratings), caratteristiche (characteristics), curve tipiche (typical performance curves) (si vedano le definizioni date trattando dei diodi di potenza).

174 Absolute maximum ratings Collector-emitter voltage (gate shorted) (V GE =0 V, T J =25 C to 150 C ) V CES 1000 V Collector-gate voltage (R GE =1 MΩ, T J =25 C to 150 C ) V CGR 1000 V Gate-emitter voltage (collector shorted) continuous (V CE =0 V) V GES ±20 V Gate-emitter voltage (collector shorted) transient (V CE =0 V) V GES ±30 V IGBT: Limiti Massimi er un IGBT con diodo in antiparallelo contenuto nello stesso involucro, un esempio di specificazione dei limiti massimi assoluti può essere:

175 IGBT: Limiti Massimi er un IGBT con diodo in antiparallelo contenuto nello stesso involucro, un esempio di specificazione dei limiti massimi assoluti può essere: Absolute maximum ratings Collector-emitter voltage (gate shorted) (V GE =0 V, T J =25 C to 150 C ) V CES 1000 V Collector-gate voltage (R GE =1 MΩ, T J =25 C to 150 C ) V CGR 1000 V Gate-emitter voltage (collector shorted) continuous (V CE =0 V) V GES ±20 V Gate-emitter voltage (collector shorted) transient (V CE =0 V) V GES ±30 V

176 IGBT: Limiti Massimi Continuous Drain Current (V GS =10 V, T C =25 C) I D 16 A Continuous Drain Current (V GS =10 V, T C =100 C)I D 10 A Pulsed Drain Current (repetitive rating) (1) I DM 64 A

177 1.8 - SCR

178 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Simboli Anodo A Anodo A Gate G K Catodo Gate G K Catodo Simboli alternativi dell'scr

179 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Schema interno equivalente derivato dalla struttura a quattro strati pnpn Anodo A Anodo A Anodo A Gate G p n p Gate BJT npn G n p p n p BJT pnp Gate G BJT pnp BJT npn n K Catodo n K Catodo K Catodo

180 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Caratteristiche statiche (I A, V AK ) param. I G I A I G >0 I H I G1 I G2 I G =0 BV RO 0 0 BV FO V AK

181 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Circuito di prova per illustrare l innesco ed il comportamento bistabile + R L I A E - A I G + v GK - G K

182 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Punti di equilibrio con I G = 0 Con I G = 0 vi sono due punti (P 1 e P 3 ) di equilibrio stabile ed uno (P 2 )di equilibrio instabile I A E/R L P1 Equilibrio instabile Equilibrio stabile I G >0 I H I G1 I G2 P 2 I G =0 BV RO 0 0 P 3 E BV FO V AK

183 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Condizione di interdizione P 3 (I G = 0) Il punto P 3 corrisponde alla INTERDIZIONE (alta tensione V AK e piccola corrente I A ) I A E/R L I G >0 Interdizione (equilibrio stabile) I H I G1 I G2 I G =0 BV RO 0 0 P 3 E BV FO V AK

184 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Innesco (con I G = I G1 > 0) Per causare l INNESCO dell SCR si manda in gate una adeguata corrente I G > 0 (ad es. I G1 ) I A E/R L P1 Innesco (equilibrio stabile con I G =I G1>0) I G >0 I H I G1 I G2 I G =0 BV RO 0 0 E BV FO V AK

185 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Innesco (con I G = I G1 > 0) In tali condizioni, l unico punto di equilibrio possibile è P 1 I A E/R L P1 Innesco (equilibrio stabile con I G =I G1>0) I G >0 I H I G1 I G2 I G =0 BV RO 0 0 E BV FO V AK

186 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Condizione di conduzione P 1 (I G = 0) L SCR rimane in CONDUZIONE, in P 1 (alta corrente I A e piccola tensione V AK ) anche quando si torna a I G = 0 I A E/R L P1 Conduzione (equilibrio stabile con I G= 0) I H I G >0 I G1 I G2 I G =0 BV RO 0 0 E BV FO V AK

187 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Schema interno equivalente di principio corrispondente alla struttura distribuita dell SCR Anodo A BJT pnp R n R n Gate G R p R p BJT npn K Catodo

188 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Circuito di prova per le forme d onda e per i tempi di commutazione Diodo ideale L d + v AA - I L A I A I G + v GK - G K

189 SCR (Silicon Controlled Rectifier) Commutazioni i A, i G di F /dt i A di R /dt i G i A i G I L i A Q rr =I rr t rr / I rr t don t Fr t ps t Rf t ri t rd I rr t v AK v AA, v AA t rr v AA dv F /dt v AK V on V F v AK v AA v AK t v AA V R v AK V rr V R v AK t off

190 1.9 - GTO

191 GTO (Gate Turn Off thyristor) Simbolo Anodo A Gate G K Catodo

192 GTO (Gate Turn Off thyristor) Caratteristiche statiche (I A, V AK ) param. I G I A I G >0 I G3 <0 I G1 I G2 I G =0 BV RO I H 0 0 BV FO V AK

193 GTO (Gate Turn Off thyristor) Punti di equilibrio con I G = 0 Come per l SCR, con I G = 0 vi sono due punti (P 1 e P 3 ) di equilibrio stabile ed uno (P 2 )di equilibrio instabile I A E/R L P 1 I G >0 I G1 I G2 I G =0 I G3 <0 Equilibrio stabile Equilibrio instabile I H BV RO 0 0 P 2 P3 E BV FO V AK

194 GTO (Gate Turn Off thyristor) Condizione di conduzione P 1 (I G = 0) Se il GTO è in CONDUZIONE, nel punto di equilibrio stabile P 1 con I G = 0... I A E/R L P1 Conduzione (equilibrio stabile con I G= 0) I G >0 I G1 I G2 I G =0 I G3 <0 I H BV RO 0 0 E BV FO V AK

195 GTO (Gate Turn Off thyristor) Spegnimento mediante comando I G = I G3 <0 portando I G ad un valore negativo I G = I G3 <0, l unico punto possibile di funzionamento è P 4 (interdizione) I A E/R L I G >0 I G1 I G2 I G =0 I G3 <0 Interdizione (equilibrio stabile) I H BV RO 0 0 P 4 E BV FO V AK

196 GTO (Gate Turn Off thyristor) Condizione di interdizione P 3 (I G = 0) Quando si torna ad I G = 0, il GTO rimane INTERDETTO nel punto di equilibrio stabile P 3 I A E/R L I G >0 I G1 I G2 I G =0 I G3 <0 Interdizione (equilibrio stabile) I H BV RO 0 0 P 3 E BV FO V AK

197 GTO (Gate Turn Off thyristor) Schema interno equivalente di principio corrispondente alla struttura distribuita del GTO Anodo A Gate G BJT pnp R p R p R p BJT npn K Catodo

198 GTO (Gate Turn Off thyristor) Circuito di prova per le forme d onda e per i tempi di commutazione Snubber di accensione L s + E - + V GGP - + V - GGN I L I G + v GK - G A K I A C s Snubber di spegnimento

199 GTO (Gate Turn Off thyristor) Commutazioni i G I GM I GBP v GK i G v GK v GGN v GGN v GK t t don t swon i G t tail v AK E t sat t fi t GKbrk v AK i A I L i A v AK V AKon dv AK dt i A tail i A t

200 TRIAC

201 TRIAC (Triode AC thyristor) Simbolo Gate Terminale 1 MT 2 G MT 1 Terminale 2

202 TRIAC (Triode AC thyristor) Caratteristiche statiche (I MT2, V MT2MT1 ) param. I G I MT2 I G =0 I G > I GT1+ I G < I GT1- I G =0 BV O I H1 0 0 I H3 BV O V MT2MT1 I G =0 I G < I GT3- I G > I GT3+ I G =0

203 TRIAC (Triode AC thyristor) Circuito di applicazione tipica in Corrente Alternata con carico Induttivo-Resistivo Carico L L R L I MT2 + v AC - I G + v GMT1 - G MT2 MT1 C S R SN C SN + V MT2MT1 - Snubber

204 TRIAC (Triode AC thyristor) Andamenti tipici di corrente e tensione con carico Induttivo-Resistivo in CA v AC α i MT2 t i MT2 v AC v AC v MT2MT1 commutazione di spegnimento t oscillazione di sovratensione dv/dt v MT2MT1 v AC

205 TRIAC (Triode AC thyristor) Commutazione allo spegnimento -di/dt i MT2 V on v MT2MT1 t -dv/dt v MT2MT1

Interruttori elettronici di potenza

Interruttori elettronici di potenza nterruttori elettronici di potenza 1 1 nterruttori elettronici di potenza Caratteristiche statiche Conduzione: S on 1 2 nterruttori elettronici di potenza Caratteristiche statiche Conduzione: S on + u

Dettagli

CAPITOLO 11 TIRISTORI

CAPITOLO 11 TIRISTORI 211 CAPITOLO 11 TIRISTORI I tiristori costituiscono una famiglia di dispositivi a semiconduttore comprendente numerosi componenti, caratterizzati da una struttura a quattro zone pnpn e da un funzionamento

Dettagli

TRANSISTOR DI POTENZA

TRANSISTOR DI POTENZA TRANSISTOR DI POTENZA Caratteristiche essenziali: - bassa resistenza R on - elevata frequenza di commutazione - elevata impedenza di ingresso - stabilità termica (bassa resistenza termica) - funzionamento

Dettagli

1.4 - Diodi di potenza

1.4 - Diodi di potenza .4 - Diodi di potenza e diodi Schottky Diodi di potenza Diodi di potenza al silicio a giunzione pn Valori tipici di V KN 0.7.2 V, Valori di resistenze tali da mantenere le cadute alla corrente nominale

Dettagli

COMPONENTI ELETTRONICI DI POTENZA

COMPONENTI ELETTRONICI DI POTENZA COMPONENTI ELETTRONICI DI POTENZA 1. Classificazione 2. Diodo 3. Tiristore 4. GTO 5. BJT 6. MOSFET 7. IGBT 8. MCT Angelo Tani Azionamenti Elettrici 1 Componenti elettronici di potenza: classificazione

Dettagli

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 2 - A - 2:

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 2 - A - 2: ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 2 - A - 2: Transistori BJT in commutazione Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo A - 8 n.

Dettagli

Dispositivi a semiconduttore a 4 strati

Dispositivi a semiconduttore a 4 strati Dispositivi a semiconduttore a 4 strati 1 Dispositivi a semiconduttore a 4 strati Corso di Elettronica Industriale Laurea Magistrale Ingegneria Elettronica Prof Lorenzo Capineri 1 Dispositivi a semiconduttore

Dettagli

Consumo di Potenza nell inverter CMOS. Courtesy of Massimo Barbaro

Consumo di Potenza nell inverter CMOS. Courtesy of Massimo Barbaro Consumo di Potenza nell inverter CMOS Potenza dissipata Le componenti del consumo di potenza sono 3: Potenza statica: è quella dissipata quando l inverter ha ingresso costante, in condizioni di stabilità

Dettagli

Convertitori Elettronici di Potenza

Convertitori Elettronici di Potenza Convertitori Elettronici di Potenza Generatore Blocco di Potenza (commutazione) Carico/Rete V 1, f 1 V 2, f 2 Blocco di Controllo Schema di principio di un convertitore di potenza Classificazione dei Convertitori

Dettagli

Il transistore bipolare

Il transistore bipolare Il transistore bipolare Il transistore è un componente base dell elettronica. Il suo nome significa transfer resistor (resistore di trasferimento). In questi appunti parliamo del BJT (bipolar junction

Dettagli

Elettronica I Potenza dissipata dalle porte logiche CMOS

Elettronica I Potenza dissipata dalle porte logiche CMOS Elettronica I Potenza dissipata dalle porte logiche MOS Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 rema e-mail: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/

Dettagli

REGOLATORE PWM. Rev.1 del 24/02/2012

REGOLATORE PWM. Rev.1 del 24/02/2012 Generalità REGOAORE PWM Rev.1 del 24/02/2012 Propongo questo semplice circuito per il controllo di un dispositivo di potenza mediante la modulazione PWM (Pulse Width Modulation) di una tensione continua.

Dettagli

Programmazione modulare (A.S. 2015/2016)

Programmazione modulare (A.S. 2015/2016) Programmazione modulare (A.S. 2015/2016) Indirizzo: ELETTROTECNICA Prof. SCIARRA MAURIZIO Prof. SAPORITO ETTORE (lab.) Disciplina: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA Classe: 4Aes Ore settimanali previste: 5

Dettagli

DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 26 Gennaio 2015

DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 26 Gennaio 2015 DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 26 Gennaio 2015 ESERCIZIO 1 (DE,DTE) Un transistore bipolare n + pn con N Abase = N Dcollettore = 10 16 cm 3, µ n = 0.09 m 2 /Vs, µ p = 0.035 m 2 /Vs, τ n = τ p = 10 6 s, S=1

Dettagli

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso Prof. Pierluigi Civera Esercitazioni e laboratorio: Ing. Claudio Sansoe. Politecnico di Torino

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso Prof. Pierluigi Civera Esercitazioni e laboratorio: Ing. Claudio Sansoe. Politecnico di Torino ELETTRONICA II Lezioni: Prof. Dante Del Corso Prof. Pierluigi Civera Esercitazioni e laboratorio: Ing. Claudio Sansoe Politecnico di Torino Lezioni Gruppo B rev 7 Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo

Dettagli

di ELETTRONICA di POTENZA Componenti Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. Robbins Elettronica di potenza HOEPLI

di ELETTRONICA di POTENZA Componenti Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. Robbins Elettronica di potenza HOEPLI ELEMENTI di ELETTRONICA di POTENZA Componenti Panoramica sui dispositivi semiconduttori di potenza 1. Introduzione 2. Diodi 3. Tiristori 4. Caratteristiche desiderabili negli switch controllati 5. Transistor

Dettagli

CAPITOLO 4 IL TRANSISTOR BIPOLARE (BJT)

CAPITOLO 4 IL TRANSISTOR BIPOLARE (BJT) 65 CAPITOLO 4 IL TRANSISTOR BIPOLARE (BJT) Affrontiamo adesso il secondo dispositivo attivo a semiconduttore, il transistor bipolare a giunzione, o BJT (in inglese, bipolar junction transistor), storicamente

Dettagli

Tensioni variabili nel tempo e Oscilloscopio

Tensioni variabili nel tempo e Oscilloscopio ensioni variabili nel tempo e Oscilloscopio RIASSUNO: ensioni variabili e periodiche Ampiezza, valor medio, ed RMS Generatori di forme d onda ensioni sinusoidali Potenza : valore medio e valore efficace

Dettagli

Soppressori di Tensioni Transitorie (TVS) per la Protezione dell'elettronica Automobilistica

Soppressori di Tensioni Transitorie (TVS) per la Protezione dell'elettronica Automobilistica Soppressori di Tensioni Transitorie (TVS) per la Protezione dell'elettronica Automobilistica By Soo Man (Sweetman) Kim, Senior Application Manager Kim, Senior Application Manager Una sfida di grande impatto

Dettagli

Trasmettitore TX-4M10HA/V

Trasmettitore TX-4M10HA/V Trasmettitore TX-4M1HA/V TX-4M1HA/V Modulo trasmettitore con antenna integrata per applicazioni con modulazione ON-OFF di una portante RF con dati digitali. Pin-out Connessioni Pin 1 TX Dati Ingresso dati

Dettagli

I convertitori statici di energia sono dispositivi elettronici. controllato di energia elettrica da una sorgente ad un carico.

I convertitori statici di energia sono dispositivi elettronici. controllato di energia elettrica da una sorgente ad un carico. I convertitori statici di energia sono dispositivi elettronici che permettono il trasferimento controllato di energia elettrica da una sorgente ad un carico. Esempi di impiego alimentatori in c.c. o in

Dettagli

Programmazione modulare

Programmazione modulare Programmazione modulare Indirizzo: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA Disciplina: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA Docenti: Erbaggio Maria Pia e Iannì Gaetano Classe: IV A e settimanali previste: 6 Prerequisiti

Dettagli

DISPOSITIVI DI POTENZA A SEMICONDUTTORE

DISPOSITIVI DI POTENZA A SEMICONDUTTORE Ferruccio Frisina DISPOSITIVI DI POTENZA A SEMICONDUTTORE Contributi di: A. Magrì M. Saggio L. Fragapane M. Melito C. Ronsisvalle A. Alessandria G. Belverde Ferruccio Frisina, Dispositivi di potenza a

Dettagli

Fondamenti di macchine elettriche Corso SSIS 2006/07

Fondamenti di macchine elettriche Corso SSIS 2006/07 9.13 Caratteristica meccanica del motore asincrono trifase Essa è un grafico cartesiano che rappresenta l andamento della coppia C sviluppata dal motore in funzione della sua velocità n. La coppia è legata

Dettagli

CALCOLO ELETTRICO DELLE LINEE ELETTRICHE

CALCOLO ELETTRICO DELLE LINEE ELETTRICHE CALCOLO ELETTRICO DELLE LINEE ELETTRICHE Appunti a cura dell Ing. Stefano Usai Tutore del corso di ELETTROTECNICA per meccanici e chimici A. A. 2001/ 2002 e 2002/2003 Calcolo elettrico delle linee elettriche

Dettagli

Serie 40 - Mini relè per circuito stampato ed a innesto 8-10 - 16 A. Caratteristiche 40.31 40.51 40.52

Serie 40 - Mini relè per circuito stampato ed a innesto 8-10 - 16 A. Caratteristiche 40.31 40.51 40.52 Serie 40 - Mini relè per circuito stampato ed a innesto 8-10 - 16 A Caratteristiche 40.31 40.51 40.52 Relè con 1 o 2 contatti 40.31-1 contatto 10 A (passo 3.5 mm) 40.51-1 contatto 10 A (passo 5 mm) 40.52-2

Dettagli

Equation Chapter 4 Section 1Capitolo IV. Transistori ad effetto di campo

Equation Chapter 4 Section 1Capitolo IV. Transistori ad effetto di campo Equation Chapter 4 Section 1Capitolo IV Transistori ad effetto di campo In questo capitolo si tratteranno i transistori ad effetto di campo (FET). Come nel caso dei BJT la tensione tra due terminali del

Dettagli

REATTANZE INDUTTIVE DI LINEA Filtri elettrici di potenza per l automazione industriale

REATTANZE INDUTTIVE DI LINEA Filtri elettrici di potenza per l automazione industriale INDUCTIVE COMPONENTS Tensione di rete Corrente di linea Tensione di rete Corrente di linea REATTANZE INDUTTIVE DI LINEA Filtri elettrici di potenza per l automazione industriale Reattanze induttive per

Dettagli

Famiglie logiche. Abbiamo visto come, diversi anni fa, venivano realizzate in concreto le funzioni

Famiglie logiche. Abbiamo visto come, diversi anni fa, venivano realizzate in concreto le funzioni Famiglie logiche I parametri delle famiglie logiche Livelli di tensione TTL Le correnti di source e di sink Velocità di una famiglia logica Vcc Il consumo Fan-in La densità di integrazione I parametri

Dettagli

MODELLO MEDIO AD AMPI SEGNALI DI UN CONVERTITORE PWM REALE

MODELLO MEDIO AD AMPI SEGNALI DI UN CONVERTITORE PWM REALE MODELLO MEDIO AD AMPI SEGNALI DI UN CONVERTITORE PWM REALE Il modello medio di un convertitore PWM è necessario per capirne il comportamento dinamico e progettare un appropriato loop di controllo. MODELLO

Dettagli

Elementi di elettronica per Sensori

Elementi di elettronica per Sensori Elementi di elettronica per Sensori Molti sensori sono dispositivi passivi che condizionano i circuiti nei quali sono inseriti inserendo una dipendenza funzionale delle grandezze elettriche (I, V, f, φ)

Dettagli

Elettronica degli azionamenti

Elettronica degli azionamenti Elettronica degli azionamenti INDICE Elettronica degli azionamenti VALVOLE DI POTENZA GENERALITA VALVOLA NON COMANDATA: DIODO VALVOLE COMANDATE a) VALVOLA COMANDATA IN CHIUSURA O ACCENSIONE: TIRISTORE

Dettagli

Basetta per misure su amplificatori

Basetta per misure su amplificatori Basetta per misure su amplificatori Per le misure viene utilizzata una basetta a circuito stampato premontata, che contiene due circuiti (amplificatore invertente e noninvertente). Una serie di interruttori

Dettagli

TRASMETTITORE TX-FM-MID/EN

TRASMETTITORE TX-FM-MID/EN TRASMETTITORE TX-FM-MID/EN Il TX-FM-MID/EN è un modulo trasmettitore di dati digitali con modulazione FSK. PIN-OUT 10 1 CONNESSIONI Pin 1 TX Dati Ingresso dati con resistenza di ingresso di 50 kω minimi.

Dettagli

Amplificatori di potenza

Amplificatori di potenza Amplificatori di potenza Gli amplificatori di potenza sono quegli amplificatori che trasferiscono al carico una potenza rilevante; orientativamente da alcuni decimi di Watt in su. Di solito essi sono costituiti

Dettagli

Sistemi Elettrici }BT }AT

Sistemi Elettrici }BT }AT Sistemi Elettrici DEFINIZIONE (CEI 11-1) Si definisce SISTEMA ELETTRICO la parte di impianto elettrico costituita dai componenti elettrici aventi una determinata TENSIONE NOMINALE (d esercizio). Un sistema

Dettagli

TRASDUTTORI di TEMPERATURA

TRASDUTTORI di TEMPERATURA TASDUTTOI di TEMPEATUA Sono dispositivi in grado di trasformare la variazione di una temperatura nella variazione di un altra grandezza fisica (tensione, corrente,ecc.) I più utilizzati sono: Termoresistenze

Dettagli

Elaborato di Elettronica Digitale C.d.L. in Ingegneria Elettronica Anno accademico 02/ 03

Elaborato di Elettronica Digitale C.d.L. in Ingegneria Elettronica Anno accademico 02/ 03 Elaborato di Elettronica Digitale C.d.L. in Ingegneria Elettronica Anno accademico 0/ 03 Alfredo Caferra 58/463 OGGETTO DELL ELABORATO Per una SRAM con celle di memoria NMOS a 4 transistori con bit lines

Dettagli

Fig. 1. Cella SRAM a 4 transistori.

Fig. 1. Cella SRAM a 4 transistori. NOTE SULLE MEMORIE. Dimensionamento della cella SRAM 4T La Fig. 1 mostra lo schema di una memoria SRAM a 4 transistori (4T). L elemento di memoria è realizzato con una coppia di invertitori NMOS con carico

Dettagli

Stadio di uscita o finale

Stadio di uscita o finale Stadio di uscita o finale È l'ultimo stadio di una cascata di stadi amplificatori e costituisce l'interfaccia con il carico quindi è generalmente un buffer con funzione di adattamento di impedenza. Considerato

Dettagli

Corso di Componenti e Impianti Termotecnici LE RETI DI DISTRIBUZIONE PERDITE DI CARICO LOCALIZZATE

Corso di Componenti e Impianti Termotecnici LE RETI DI DISTRIBUZIONE PERDITE DI CARICO LOCALIZZATE LE RETI DI DISTRIBUZIONE PERDITE DI CARICO LOCALIZZATE 1 PERDITE DI CARICO LOCALIZZATE Sono le perdite di carico (o di pressione) che un fluido, in moto attraverso un condotto, subisce a causa delle resistenze

Dettagli

Circuito di pilotaggio ON OFF con operazionale

Circuito di pilotaggio ON OFF con operazionale PREMESSA Circuito di pilotaggio ON OFF con operazionale A cura del Prof. Marco Chirizzi www.marcochirizzi.it Si supponga di dovere progettare un circuito di pilotaggio ON OFF in grado di mantenere un fluido

Dettagli

Multitensione Multifunzione. Multitensione Monofunzione

Multitensione Multifunzione. Multitensione Monofunzione Serie 80 - Temporizzatore modulare 16 A Caratteristiche Temporizzatori multifunzione e monofunzione - Multifunzione & multitensione 80.11 - Ritardo all'inserzione, multitensione Larghezza 17.5 mm Sei scale

Dettagli

PROVA SCRITTA DI ELETTRONICA Prof. Luca Salvini 4Ae Nome 22/10/2011

PROVA SCRITTA DI ELETTRONICA Prof. Luca Salvini 4Ae Nome 22/10/2011 4Ae 22/10/2011 Saper rappresentare un segnale periodico nel dominio del tempo e della frequenza 1. Disegna, all'interno dei riquadri sottostanti, il grafico dei segnali indicati nel dominio del tempo (a

Dettagli

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI ROMA TOR VERGATA

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI ROMA TOR VERGATA UNIVRSITÀ DGLI STUDI DI ROMA TOR VRGATA FAOLTÀ DI SINZ MATMATIH FISIH NATURALI orso di laurea in FISIA - orso di laurea in SINZ DI MATRIALI LAORATORIO 3: omplementi di teoria alle esperienze Modelli semplificati

Dettagli

Gli attuatori. Breve rassegna di alcuni modelli o dispositivi di attuatori nel processo di controllo

Gli attuatori. Breve rassegna di alcuni modelli o dispositivi di attuatori nel processo di controllo Gli attuatori Breve rassegna di alcuni modelli o dispositivi di attuatori nel processo di controllo ATTUATORI Definizione: in una catena di controllo automatico l attuatore è il dispositivo che riceve

Dettagli

Azionamenti elettronici PWM

Azionamenti elettronici PWM Capitolo 5 Azionamenti elettronici PWM 5.1 Azionamenti elettronici di potenza I motori in corrente continua vengono tipicamente utilizzati per imporre al carico dei cicli di lavoro, nei quali può essere

Dettagli

I motori elettrici più diffusi

I motori elettrici più diffusi I motori elettrici più diffusi Corrente continua Trifase ad induzione Altri Motori: Monofase Rotore avvolto (Collettore) Sincroni AC Servomotori Passo Passo Motore in Corrente Continua Gli avvolgimenti

Dettagli

SERIE 80 Temporizzatore modulare 16 A. Multitensione Multifunzione

SERIE 80 Temporizzatore modulare 16 A. Multitensione Multifunzione SERIE Temporizzatore modulare 16 A SERIE Temporizzatori multifunzione e monofunzione.01.11.01 - Multifunzione & multitensione.11 - Ritardo all'inserzione, multitensione Larghezza 17.5 mm Sei scale tempi

Dettagli

Comprendere il funzionamento dei convertitori V/f Saper effettuare misure di collaudo

Comprendere il funzionamento dei convertitori V/f Saper effettuare misure di collaudo SCH 33 Voltmetro a 3 digit Obiettivi Comprendere il funzionamento dei convertitori V/f Saper effettuare misure di collaudo IC1 = CA 3162 A/D converter for 3-Digit Display IC2 = CA 3161 BCD to seven segment

Dettagli

Come visto precedentemente l equazione integro differenziale rappresentativa dell equilibrio elettrico di un circuito RLC è la seguente: 1 = (1)

Come visto precedentemente l equazione integro differenziale rappresentativa dell equilibrio elettrico di un circuito RLC è la seguente: 1 = (1) Transitori Analisi nel dominio del tempo Ricordiamo che si definisce transitorio il periodo di tempo che intercorre nel passaggio, di un sistema, da uno stato energetico ad un altro, non è comunque sempre

Dettagli

Servomotori Brushless Linearmech

Servomotori Brushless Linearmech I martinetti meccanici con vite a sfere possono essere motorizzati con i Servomotori Brushless di produzione Lineamech. Per questa gamma di servomotori, denominata serie BM, Linearmech ha deciso di utilizzare

Dettagli

Integrazione degli impianti fotovoltaici nella rete elettrica

Integrazione degli impianti fotovoltaici nella rete elettrica Integrazione degli impianti fotovoltaici nella rete elettrica G. Simioli Torna al programma Indice degli argomenti Considerazioni introduttive Quadro normativo - Norma CEI 11-20 Isola indesiderata - Prove

Dettagli

Sensori magnetici di prossimità a scomparsa Serie CST-CSV

Sensori magnetici di prossimità a scomparsa Serie CST-CSV Sensori magnetici di prossimità a scomparsa Serie - - Reed - Effetto di Hall S E R I E I finecorsa magnetici a scomparsa / sono sensori di prossimità che hanno la funzione di rilevare la posizione del

Dettagli

Elettronica Analogica con Applicazioni

Elettronica Analogica con Applicazioni Elettronica Analogica con Applicazioni Docente: Alessandro Trifiletti CFU: 6 E mail: alessandro.trifiletti@diet.uniroma1.it 1) Presentazione del corso, cenni sulle problematiche di progetto a RF, problematiche

Dettagli

IL RISPARMIO ENERGETICO E GLI AZIONAMENTI A VELOCITA VARIABILE L utilizzo dell inverter negli impianti frigoriferi.

IL RISPARMIO ENERGETICO E GLI AZIONAMENTI A VELOCITA VARIABILE L utilizzo dell inverter negli impianti frigoriferi. IL RISPARMIO ENERGETICO E GLI AZIONAMENTI A VELOCITA VARIABILE L utilizzo dell inverter negli impianti frigoriferi. Negli ultimi anni, il concetto di risparmio energetico sta diventando di fondamentale

Dettagli

Correnti e circuiti a corrente continua. La corrente elettrica

Correnti e circuiti a corrente continua. La corrente elettrica Correnti e circuiti a corrente continua La corrente elettrica Corrente elettrica: carica che fluisce attraverso la sezione di un conduttore in una unità di tempo Q t Q lim t 0 t ntensità di corrente media

Dettagli

Laboratorio di Fisica VI

Laboratorio di Fisica VI Laboratorio di Fisica VI 1 Circuiti con transistor: strutture base Relazione Gruppo... 1.1 Avvertenza Quest esercitazione si propone di dare un idea delle caratteristiche basilari del transistor. La maggior

Dettagli

Regole della mano destra.

Regole della mano destra. Regole della mano destra. Macchina in continua con una spira e collettore. Macchina in continua con due spire e collettore. Macchina in continua: schematizzazione di indotto. Macchina in continua. Schematizzazione

Dettagli

Grandezze elettriche. Prof. Mario Angelo GIORDANO. PDF created with pdffactory trial version www.pdffactory.com

Grandezze elettriche. Prof. Mario Angelo GIORDANO. PDF created with pdffactory trial version www.pdffactory.com Grandezze elettriche Prof. Mario Angelo GIORDANO Intensità della corrente elettrica La corrente elettrica che fluisce lungo un mezzo conduttore è costituita da cariche elettriche; a seconda del tipo di

Dettagli

Definizione di circuito, delle grandezze circuitali e classificazione dei bipoli

Definizione di circuito, delle grandezze circuitali e classificazione dei bipoli Definizione di circuito, delle grandezze circuitali e classificazione dei bipoli Definizione di circuito elettrico Da un punto di vista fisico un circuito si presenta come una connessione di elementi o

Dettagli

INTEGRATORE E DERIVATORE REALI

INTEGRATORE E DERIVATORE REALI INTEGRATORE E DERIVATORE REALI -Schemi elettrici: Integratore reale : C1 R2 vi (t) R1 vu (t) Derivatore reale : R2 vi (t) R1 C1 vu (t) Elenco componenti utilizzati : - 1 resistenza da 3,3kΩ - 1 resistenza

Dettagli

Corso di Elettronica di Potenza (12 CFU) ed Elettronica Industriale (6 CFU) Convertitori c.c.-c.c. 2/83

Corso di Elettronica di Potenza (12 CFU) ed Elettronica Industriale (6 CFU) Convertitori c.c.-c.c. 2/83 I convertitori c.c.-c.c. monodirezionali sono impiegati per produrre in uscita un livello di tensione diverso da quello previsto per la sorgente. Verranno presi in considerazione due tipi di convertitori

Dettagli

ELETTRONICA. L amplificatore Operazionale

ELETTRONICA. L amplificatore Operazionale ELETTRONICA L amplificatore Operazionale Amplificatore operazionale Un amplificatore operazionale è un amplificatore differenziale, accoppiato in continua e ad elevato guadagno (teoricamente infinito).

Dettagli

SENSORI E TRASDUTTORI

SENSORI E TRASDUTTORI SENSORI E TRASDUTTORI Il controllo di processo moderno utilizza tecnologie sempre più sofisticate, per minimizzare i costi e contenere le dimensioni dei dispositivi utilizzati. Qualsiasi controllo di processo

Dettagli

I.T.I.S. M. FARADAY - Programmazione modulare

I.T.I.S. M. FARADAY - Programmazione modulare I.T.I.S. M. FARADAY - Programmazione modulare A.S. 2015/2016 Indirizzo: ELETTROTECNICA Disciplina: ELETTROTECNICA E ELETTRONICA Classe: 5Aes Ore settimanali previste: 5 (2) INSEGNANTI: SCIARRA MAURIZIO

Dettagli

Generatore radiologico

Generatore radiologico Generatore radiologico Radiazioni artificiali alimentazione: corrente elettrica www.med.unipg.it/ac/rad/ www.etsrm.it oscar fiorucci. laurea.tecn.radiol@ospedale.perugia.it Impianto radiologico trasformatore

Dettagli

FUNZIONAMENTO DI UN BJT

FUNZIONAMENTO DI UN BJT IL TRANSISTOR BJT Il transistor inventato nel 1947, dai ricercatori Bardeen e Brattain, è il componente simbolo dell elettronica. Ideato in un primo momento, come sostituto delle valvole a vuoto per amplificare

Dettagli

Comportamento in frequenza degli amplificatori

Comportamento in frequenza degli amplificatori Comportamento in degli amplificatori Il guadagno e tutte le grandezze che caratterizzano un amplificatore sono funzione della (cioè AA(f ), in in (f ), out out (f ), etc.). Questo perché con il crescere

Dettagli

1. Introduzione. 2. Simulazioni elettromagnetiche per la misura del SAR

1. Introduzione. 2. Simulazioni elettromagnetiche per la misura del SAR Relazione Tecnica Analisi simulative e misure con termocamera relative al confronto tra l utilizzo di un telefono smartphone in assenza e in presenza di dispositivo distanziatore EWAD Annamaria Cucinotta

Dettagli

CONVERTITORI DIGITALE/ANALOGICO (DAC)

CONVERTITORI DIGITALE/ANALOGICO (DAC) CONVERTITORI DIGITALE/ANALOGICO (DAC) Un convertitore digitale/analogico (DAC: digital to analog converter) è un circuito che fornisce in uscita una grandezza analogica proporzionale alla parola di n bit

Dettagli

Programma svolto. Anno Scolastico 2015/16. Tecnologie e Progettazione di Sistemi Elettrici ed Elettronici

Programma svolto. Anno Scolastico 2015/16. Tecnologie e Progettazione di Sistemi Elettrici ed Elettronici I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E S T A T A L E G u g l i e l m o M a r c o n i V e r o n a Programma svolto Anno Scolastico 2015/16 A.s.: 2015-16 Docenti: Natali G. Gualtieri Tecnologie

Dettagli

CABINE ELETTRICHE DI TRASFORMAZIONE

CABINE ELETTRICHE DI TRASFORMAZIONE Cabtrasf_parte_prima 1 di 8 CABINE ELETTRICHE DI TRASFORMAZIONE parte prima Una cabina elettrica è il complesso di conduttori, apparecchiature e macchine atto a eseguire almeno una delle seguenti funzioni:

Dettagli

Corso di DISPOSITIVI E SISTEMI PER LE COMUNICAZIONI IN FIBRA OTTICA

Corso di DISPOSITIVI E SISTEMI PER LE COMUNICAZIONI IN FIBRA OTTICA Università Mediterranea di Reggio Calabria - Facoltà di Ingegneria Corso di DISPOSITIVI E SISTEMI PER LE COMUNICAZIONI IN FIBRA OTTICA Prof. Ing. Riccardo Carotenuto Anno Accademico 2007/2008-1- SOMMARIO

Dettagli

Elettronica delle Telecomunicazioni Esercizi cap 2: Circuiti con Ampl. Oper. 2.1 Analisi di amplificatore AC con Amplificatore Operazionale reale

Elettronica delle Telecomunicazioni Esercizi cap 2: Circuiti con Ampl. Oper. 2.1 Analisi di amplificatore AC con Amplificatore Operazionale reale 2. Analisi di amplificatore AC con Amplificatore Operazionale reale Un amplificatore è realizzato con un LM74, con Ad = 00 db, polo di Ad a 0 Hz. La controreazione determina un guadagno ideale pari a 00.

Dettagli

Collegamento a terra degli impianti elettrici

Collegamento a terra degli impianti elettrici Collegamento a terra degli impianti elettrici E noto che il passaggio di corrente nel corpo umano provoca dei danni che possono essere irreversibili se il contatto dura troppo a lungo. Studi medici approfonditi

Dettagli

Generatore di Forza Elettromotrice

Generatore di Forza Elettromotrice CIRCUITI ELETTRICI Corrente Elettrica 1. La corrente elettrica è un flusso ordinato di carica elettrica. 2. L intensità di corrente elettrica (i) è definita come la quantità di carica che attraversa una

Dettagli

LA GIUNZIONE PN. Sulla base delle proprietà elettriche i materiali si classificano in: conduttori semiconduttori isolanti

LA GIUNZIONE PN. Sulla base delle proprietà elettriche i materiali si classificano in: conduttori semiconduttori isolanti LA GIUNZIONE PN Sulla base delle proprietà chimiche e della teoria di Bohr sulla struttura dell atomo (nucleo costituito da protoni e orbitali via via più esterni in cui si distribuiscono gli elettroni),

Dettagli

Sensori, Segnali e Rumore Prof. Sergio Cova A B + - V AB. Metalli a contatto V A Φ Φ B = Φ B (T) dφ A dt V AB = V AB (T) V B = Φ B.

Sensori, Segnali e Rumore Prof. Sergio Cova A B + - V AB. Metalli a contatto V A Φ Φ B = Φ B (T) dφ A dt V AB = V AB (T) V B = Φ B. ermocoppie Differenza di potenziale di contatto tra metalli B - Livelli energetici: V B Metalli separati Metalli a contatto V Φ B Φ Φ B Φ B B B Ma le funzioni lavoro Φ dipendono dalla temperatura: VB =

Dettagli

Protezione da sovratensioni per illuminazioni a LED

Protezione da sovratensioni per illuminazioni a LED Protezione da sovratensioni per illuminazioni a LED Vantaggi di corpi illuminanti a LED elevata durata quasi indipendenti dalla temperatura elevata luminosità nessun ritardo nell accensione http://www.google.de/imgres?q=led

Dettagli

Istituto di formazione professionale Don Bosco

Istituto di formazione professionale Don Bosco Istituto di formazione professionale Don Bosco Settore elettrico ELETTROTECNICA Eserciziario A.S. 204 205 CIRCUITI ELETTRICI, CAMPI ELETTRICI E MAGNETICI e MACCHINE ELETTRICHE Fabio PANOZZO 4 Capitolo

Dettagli

CAPITOLO 10 ALIMENTATORI

CAPITOLO 10 ALIMENTATORI 194 CAPITOLO 10 ALIMENTATORI Per funzionare, la maggior parte dei dispositivi e dei circuiti elettronici richiede un alimentazione in tensione continua, singola o duale. Le tensioni richieste sono normalmente

Dettagli

ITI M. FARADAY Programmazione modulare

ITI M. FARADAY Programmazione modulare ITI M. FARADAY Programmazione modulare A.S. 2015/16 Indirizzo: ELETTROTECNICA ed ELETTRONICA Disciplina: ELETTROTECNICA ed ELETTRONICA Classe: V A elettrotecnica settimanali previste: 6 INSEGNANTI: ERBAGGIO

Dettagli

Scelta e verifica dei motori elettrici per gli azionamenti di un mezzo di trazione leggera

Scelta e verifica dei motori elettrici per gli azionamenti di un mezzo di trazione leggera Scelta e verifica dei motori elettrici per gli azionamenti di un mezzo di trazione leggera Si consideri un convoglio ferroviario per la trazione leggera costituito da un unità di trazione, la quale è formata

Dettagli

Misure Elettroniche, Sensori e Trasduttori 1

Misure Elettroniche, Sensori e Trasduttori 1 Università degli Studi di Genova Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica (CL) Misure Elettroniche, Sensori e Trasduttori Docente: Prof. Giacomo Mario Bisio Esempi di domande d esame. Struttura e principi

Dettagli

CORRENTE ELETTRICA. La grandezza fisica che descrive la corrente elettrica è l intensità di corrente.

CORRENTE ELETTRICA. La grandezza fisica che descrive la corrente elettrica è l intensità di corrente. CORRENTE ELETTRICA Si definisce CORRENTE ELETTRICA un moto ordinato di cariche elettriche. Il moto ordinato è distinto dal moto termico, che è invece disordinato, ed è sovrapposto a questo. Il moto ordinato

Dettagli

INVERTER DI STRINGA POWER ONE AURORA: Dimensionamento del generatore fotovoltaico con Aurora Designer

INVERTER DI STRINGA POWER ONE AURORA: Dimensionamento del generatore fotovoltaico con Aurora Designer INVERTER DI STRINGA POWER ONE AURORA: Dimensionamento del generatore fotovoltaico con Aurora Designer INDICE Cap. 1 Il configuratore Aurora Designer 1 Cap. 2 Ottimizzazione del dimensionamento del generatore

Dettagli

a b c Figura 1 Generatori ideali di tensione

a b c Figura 1 Generatori ideali di tensione Generatori di tensione e di corrente 1. La tensione ideale e generatori di corrente Un generatore ideale è quel dispositivo (bipolo) che fornisce una quantità di energia praticamente infinita (generatore

Dettagli

Componenti elettronici. Condensatori

Componenti elettronici. Condensatori Componenti elettronici Condensatori Condensatori DIELETTRICO La proprietà fondamentale del condensatore, di accogliere e di conservare cariche elettriche, prende il nome di capacità. d S C = Q V Q è la

Dettagli

Appendice Circuiti con amplificatori operazionali

Appendice Circuiti con amplificatori operazionali Appendice Circuiti con amplificatori operazionali - Appendice Circuiti con amplificatori operazionali - L amplificatore operazionale Il componente ideale L amplificatore operazionale è un dispositivo che

Dettagli

PANNELLI SOLARI TERMICI PANNELLI SOLARI FOTOVOLTAICI

PANNELLI SOLARI TERMICI PANNELLI SOLARI FOTOVOLTAICI PANNELLI SOLARI I pannelli solari utilizzano l'energia solare per trasformarla in energia utile e calore per le attività dell'uomo. PANNELLI SOLARI FOTOVOLTAICI PANNELLI SOLARI TERMICI PANNELLI SOLARI

Dettagli

Ambiente di apprendimento

Ambiente di apprendimento ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA MAIO LINO, PALUMBO GAETANO 3EET Settembre novembre Saper risolvere un circuito elettrico in corrente continua, e saperne valutare i risultati. Saper applicare i teoremi dell

Dettagli

TECNOLOGIA DELLE RESISTENZE

TECNOLOGIA DELLE RESISTENZE I RESISTORI (Resistenze) TECNOLOGIA DELLE RESISTENZE Si definiscono i Resistori (o Resistenze) i componenti di un circuito che presentano fra i loro terminali una resistenza elettrica. Le Resistenze servono

Dettagli

MISURATORE DIGITALE MODELLO M890G

MISURATORE DIGITALE MODELLO M890G MISURATORE DIGITALE MODELLO M890G MANUALE D ISTRUZIONE I II INTRODUZIONE Il misuratore digitale M890G può essere usato per misurare tensioni e corrente DC, tensioni e corrente AC, resistenza, capacità,

Dettagli

Si classifica come una grandezza intensiva

Si classifica come una grandezza intensiva CAP 13: MISURE DI TEMPERATURA La temperatura È osservata attraverso gli effetti che provoca nelle sostanze e negli oggetti Si classifica come una grandezza intensiva Può essere considerata una stima del

Dettagli

CONTROLLO IN TENSIONE DI LED

CONTROLLO IN TENSIONE DI LED Applicazioni Ver. 1.1 INTRODUZIONE CONTROLLO IN TENSIONE DI LED In questo documento vengono fornite delle informazioni circa la possibilità di pilotare diodi led tramite una sorgente in tensione. La trattazione

Dettagli

LEZIONE DI ELETTRONICA per la classe 5 TIM/TSE

LEZIONE DI ELETTRONICA per la classe 5 TIM/TSE LEZIONE DI ELETTRONICA per la classe 5 TIM/TSE MODULO : Analisi dei circuiti lineari in regime sinusoidale PREMESSA L analisi dei sistemi elettrici lineari, in regime sinusoidale, consente di determinare

Dettagli

Istituto d Istruzione Secondaria Superiore M.BARTOLO. A cura del Prof S. Giannitto

Istituto d Istruzione Secondaria Superiore M.BARTOLO. A cura del Prof S. Giannitto Istituto d Istruzione Secondaria Superiore M.BATOLO PACHINO (S) APPUNTI DI SISTEMI AUTOMATICI 3 ANNO MODELLIZZAZIONE A cura del Prof S. Giannitto MODELLI MATEMATICI di SISTEMI ELEMENTAI LINEAI, L, C ivediamo

Dettagli

CORSO SULLA TECNOLOGIA DEL SOLARE FOTOVOLTAICO. Bergamo, anno accademico 2013/2014

CORSO SULLA TECNOLOGIA DEL SOLARE FOTOVOLTAICO. Bergamo, anno accademico 2013/2014 LA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA Bergamo, anno accademico 2013/2014 1 La fonte di energia: il sole 2 La fonte di energia: il sole Potenza emessa dal sole: 175.000.000.000.000.000 W (175 miliardi di megawatt).

Dettagli

1 NO 1 NO 1 NO Corrente nominale/max corrente istantanea A

1 NO 1 NO 1 NO Corrente nominale/max corrente istantanea A Serie - Rilevatore di movimento e di presenza 10 A SERIE Caratteristiche.41.51.61 Rilevatore di movimento e di presenza Ampia area di copertura fino a 120m 2 Due aree di rilevamento (tipo.51): zona presenza

Dettagli