CIG Il concorrente deve aver fornito e installato almeno 5 impianti combinati di plasma e ALD termico in UE.

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1 Capitolato Tecnico Gara a procedura aperta per fornitura di un sistema di deposizione di strati atomici (ALD) capace di processi termici e plasma assistiti CIG Il concorrente deve aver fornito e installato almeno 5 impianti combinati di plasma e ALD termico in UE. Il concorrente deve fornire materiale fotografico di un impianto installato e una descrizione del sistema e delle utenze da esso richieste. Il concorrente deve avere uffici di assistenza tecnica con sede in UE. Il fornitore deve possedere laboratori di ricerca propri e personale di ricerca dedicato allo sviluppo di nuovi processi, con almeno 2 sistemi ALD riservati al processo di sviluppo. Il fornitore deve garantire che i processi sviluppati/forniti possono essere utilizzati con gli stessi sistemi per almeno ulteriori 3 anni. Il fornitore avrà la possibilità di effettuare un sopralluogo per valutare eventuali esigenze d installazione. Lo strumento deve essere trasportato in camera pulita attraverso un corridoio la cui altezza è di 220 cm. La porta di accesso del laboratorio è larga 190 cm e alta 200 cm Oggetto della gara è la fornitura di un sistema di deposizione di strati atomici (ALD) capace di processi termici e plasma assistiti. Il sistema sarà installato in una camera pulita classe ISO 7 secondo le norme ISO Le specifiche minime che devono essere soddisfatte per poter partecipare alla gara sono le seguenti: -Il sistema deve essere in grado di eseguire sia processi termici che al plasma senza alcuna modifica hardware. -Camera di processo: 2 porte aggiuntive per ellissometria; flangia addizionale laterale da 40mm che potrebbe essere utilizzata per analisi del gas residuo (RGA) o spettrometria di massa (QMS) Possibilità di riscaldamento elettrico della camera; Possibilità di aggiungere uno strumento per elissometria;

2 Camera interna che può essere rimossa facilmente per la pulizia; -Supporto del substrato (porta-campioni) : In Alluminio; Riscaldamento fino a 400 C con controllo della temperatura PID; - Computer di controllo: Controllo PLC veloce, con passo minimo 10ms e 1 ms di risoluzione; Controllo automatico delle perdite (leak check); Conessione tramite scheda LAN o porta USB; -Sistema di pompaggio: Pompa turbo molecolare (min.500 l/s) Pompa rotativa con trappola per olio o pompa a secco; -Camera di inserimento/trasferimento del campione (load lock): Braccio di trasporto lineare per il caricamento del campione; Misura del vuoto; Flangia esterna DN63CF adatta per il trasferimento di campioni da 2 pollici; Deve essere compatibile con il mecchanismo e la camera di trasferimento fornito della Kenosistec vedi disegni in allegato1; -Sistema remoto di plasma per ALD assistito da radicali: Plasma accoppiato induttivamente (ICT) con potenza maggiore o uguale a 300W; Valvola VAT ad alta velocità sotto alla sorgente ICP; -Sistema di erogazione del gas : Sei linee di erogazione gas con controllore a flusso di massa (MFC), due di loro con bypass e MFC a tenuta interna metallo-metallo, di cui: Una linea del gas MFC controllato senza by-pass per Ar (bolle); Una linea del gas MFC controllato senza by-pass per N2 o Ar (spurgo); Due linee di controllo gas MFC senza by-pass per i precursori gassosi (ad esempio O2 o N2); Due linee di gas MFC controllato con by-pass per i precursori gassosi (es. NH3 per nitruri o H2 per metalli); -Fornitura di precursori: Cabinet per minimo 6 precursori liquidi o solidi; Ogni precursore può essere utilizzato in modalità vapore e di bolle (bubbling mode) senza alcuna modifica hardware (selezionabile dal PC); Temperatura precursore C;

3 Linee precursore riscaldate fino a 220 C + / - 0,5 C; Dimensione dei fornitori di precursori >=200 ml ciascuno; -Processi garantiti con ricette, specificando l uniformità, la purezza (contaminazione di carbonio/ossigeno), temperatura di crescita, ripetibilità: Al203; HfN,HfO2; Pt; Ru; SiN con meno del 5% di ossigeno nel bulk; SiO2; TiN,TiO2; ZnO; Il sistema deve avere una modalità di deposizione per le strutture ad alto aspect/ratio. Il fornitore dovrà garantire supporto per processi ALD per tutta la durata di vita del sistema acquistato senza oneri/costi. Consegna, installazione, Garanzia,, formazione e servizi : Consegna Lo strumento dovrà essere consegnato entro 24 settimane dalla data di stipula del contratto. Installazione Il sistema dovrà essere installato entro 7 giorni naturali e consecutivi dalla data di consegna. Condizioni di garanzia: Durata non inferiore a mesi ventiquattro (24) dalla data dell esito positivo del collaudo, con intervento in loco garantito in 2 giorni lavorativi dalla comunicazione di difettosità. Assistenza Tecnica: Il fornitore è obbligato a fornire assistenza tecnica per qualsiasi intervento di manutenzione non coperto da garanzia. Il fornitore del sistema deve garantire ricambi disponibili a magazzino in UE per minimo 10 anni I pezzi di ricambio devono essere spediti entro 24 ore dopo che l ordine della Fondazione è stato ricevuto. Servizio di assistenza in massimo 2 giorni lavorativi dal ricevimento della richiesta. Formazione : A completa cura ed onere del fornitore, dovrà essere tenuto un corso di formazione, per 3 persone, all uso dello strumento, di durata complessiva non inferiore a 2 gg. presso la sede dell Istituto Italiano di Tecnologia. Il corso dovrà tenersi entro 30 gg naturali e consecutivi dalla data dell esito positivo del collaudo Le modalità di svolgimento del corso saranno definite successivamente all installazione.

4 ATTRIBUZIONE DEL PUNTEGGIO RELATIVO ALLE CARATTERISTICHE TECNICHE E QUALITATIVE Sulla base dei dati forniti a ciascun Partecipante, sarà attribuito un punteggio massimo di 6, secondo i criteri ed i punteggi elencati nella tabella sottostante: Elementi di valutazione Criterio Punteggio massimo attribuibile Camera Campioni Fabbricata da blocco unico di alluminio, senza saldature all interno della camera. 10 Punti Sistema di erogazione del gas Ricetta di processo Sorgente Plasma Camera loadlock Presenza di una valvola veloce controllata a pressione prima della pompa turbomolecolare Presenza di valvole ALD a risposta rapida (>10ms) per controllare il dosaggio e l erogazione dei precursori SiN ALD a temperatura inferiore a 350, con meno del 5% di contaminazione di O2 nel strato Progettazione della camera al fine di assicurare un trasporto efficiente e uniforme dei radicali (4punti per l uniformità, al partecipante che avrà offerto il miglior valore) sul substrato con perdite minime di ricombinazione, ICP elicoidale (3 punti), nessun componente capacitivo (3 punti) Fabbricata da blocco unico in alluminio 100 mm extra flange on the loadlock Finestra sul lato superiore 10 punti Tempi di consegna Tempo più breve di consegna dopo il ricevimento dell ordine 2 punti

5 Servizio Servizio gratuito hotline, disponibile 24/24, 7/7 3 punti Servizio di assistenza in loco in meno di 2 giorni lavorativi dalla dalla comunicazione di difettosità Servizio di assistenza sui processi di deposizione (nuove ricette di processo, supporto su problemi di processo). Il fornitore dovrà dichiarare in quale modalità il servizio verrà fornito. ATTRIBUZIONE DEL PUNTEGGIO RELATIVO AL PREZZO Sulla base del prezzo a corpo della fornitura indicato nell offerta contenuta nella busta C, al partecipante che avrà offerto il prezzo a corpo più basso, saranno attribuiti 35 punti, mentre agli altri partecipanti sarà attribuito un punteggio, proporzionalmente inferiore, secondo la seguente formula: Prezzo a corpo più basso Punteggio concorrente n = 35 x Prezzo a corpo n