Vishay Diodes Group. ICT Days. Semiconduttori di potenza. Vishay Semiconductor Italiana S.P.A.
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- Giulia Riva
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1 Vishay Diodes Group ICT Days Semiconduttori di potenza Vishay Semiconductor Italiana S.P.A. Claudio Damilano Market Development Sr.Manager Diodes Group
2 Sommario Cos è l elettronica di potenza Sorgenti e Domanda di energia Rete elettrica + Convertitori Elettronici = Smart Grid La produzione dei dispositivi a semiconduttore (in breve) La Vishay Semiconductor Italiana S.P.A. Progetti di Ricerca e Collaborazioni universitarie attivi Un esempio di attività del Marketing Tecnico 2
3 Elettronica di Potenza
4 Elettronica di Potenza
5 Desktop Power Supply ( 300 ~ 500W)
6 Domanda di energia
7 CO 2 emessa per produrre energia
8 Capacità WW produzione energia
9 La rete elettrica in origine
10 La rete elettrica con produzione rinnovabile centralizzata
11 La rete elettrica con produzione rinnovabile centralizzata
12 Rete elettrica adattata all produzione local di energia SITUAZIONE ATTUALE
13 Rete elettrica adattata all produzione local di energia SITUAZIONE ATTUALE MOLTI PASSAGGI DI CONVERSIONE AC/DC/AC INUTILI (PV to LED lighting, PV to PHEV charging station) TROPPE RICONVERSIONI = TROPPA ENERGIA PERSA
14 Nuovo Concetto di Smart Grid
15 Produzione di dispositivi a semiconduttore RAW MATERIAL PROCESSING SILICON FOUNDRY & SLICING FRONT END PROCESSING WAFER FAB SOLDERING, BONDING, MOLDING ASSEMBLY SITE 15
16 Produzione di dispositivi a semiconduttore RAW MATERIAL PROCESSING SILICON FOUNDRY & SLICING FRONT END PROCESSING WAFER FAB SOLDERING, BONDING, MOLDING ASSEMBLY SITE 16
17 VSI Borgaro Site 17
18 VSI Borgaro Site Wafer FABs Module Lines Schottky Dies Ultrafast Dies Diode Modules IGBT & Mosfet Modules 18
19 VSI Borgaro Site Wafer FABs Module Lines Schottky Dies Ultrafast Dies Diode Modules IGBT & Mosfet Modules 19
20 VSI Borgaro Site Wafer FABs Module Lines Schottky Dies Ultrafast Dies Diode Modules IGBT & Mosfet Modules 20
21 VSI Borgaro Site : Fab8 e 8A 2 Wafer Fabs class 1000 class 100 wafer dimension inch Die production Schottky, Fred, Hexfred 21
22 Fab8 e 8A: Products Schottky HexFred RAW Silicon Wafer Processed Silicon Wafer 22
23 VSI Borgaro Site: Modules Line New Modules Assy Line New Modules Assy Line 23
24 Module Line: Products MOSFET / IGBT / DIODE Power Modules 24
25 Progetti di Ricerca & Sviluppo Attivi SILICON ORIENTED (PRINCIPALI) Diodo Ultrafast Gen V Diodo rapido supersoft per IGBT Aumento dell efficienza e semplificazione di progetto per il cliente Nuova Piattaforma Trench IGBT PT & FieldStop Nuovi transistor ad alta tensione (600V) Conversione dell energia efficiente ed economica Migliore utilizzo dell area del wafer 700 Voltage across diode during switching FFP08H60 IKB10N60 8ETHgolden V Gen4 wf
26 Progetti di Ricerca & Sviluppo Attivi PACKAGE ORIENTED (PRINCIPALI) Moduli con connessione Pressfit Semplificazione dei processi di assemblaggio cliente (inserimento a pressione) Miglioramento ambientale (no saldature) Processo di sinterizzazione delle die Eliminazione totale e definitiva del Piombo (anche in deroga ROHS) Miglioramento dell affidabilità di un fattore 10 x 26
27 Collaborazioni universitarie attive Nel corso dell ultimo anno si sono realizzate mediamente circa 6 collaborazioni con Università(Dottorandi, Ricercatori, Stage) tipicamente nelle seguenti aree: Ricerca e Sviluppo & Technical Mktg Produzione: Controllo di Processo e Rilascio Nuovi Prodotti Aree di supporto alla produzione Per l anno 2013 sono previste in budget le seguenti collaborazioni: 4 Dottorati 4 Borse per assegni di ricerca Stage da definire nel corso dell anno per progetti attivi Aree principali di provenienza dei neolaureati in azienda: Ingegneria delle Nanotecnologie (Processi) Ingegneria Fisica (Processi) Ingegneria Elettronica (Device e Applicazioni) Ingegneria dei Materiali (Processi) Università di Fisica (Processi) 27
28 Key Customers 28
29 Diodes Power Supply Solution DEMO
30 COMPETITON Diodes Power Supply Solution
31 VISHAY Diodes Power Supply Solution
32 Efficiency Confronto di Efficienza 83.00% MEANWELL RSP Vac 82.50% 82.00% 81.50% 81.00% 80.50% ORG_110 TND_LVB_3L6_ % OUTPUT POWER (W)
33 Efficiency Diodes Power Supply Solution BRIDGE PFC OUTPUT ORIGINAL GBJ2510 C3D06060A ESAD VISHAY LVB2506 8S2TH06I-M V30L60C 83.00% MEANWELL RSP Vac 82.50% 82.00% 81.50% 81.00% 80.50% ORG_110 TND_LVB_3L6_ % OUTPUT POWER (W)
34 Efficiency Diodes Power Supply Solution BRIDGE PFC OUTPUT ORIGINAL GBJ2510 C3D06060A ESAD VISHAY LVB2506 8S2TH06I-M V30L60C 83.00% MEANWELL RSP Vac 82.50% 82.00% 81.50% 81.00% 80.50% ORG_110 TND_LVB_3L6_ % OUTPUT POWER (W)
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