La conduzione nei semiconduttori. Proprietà elettriche nei materiali. Concentrazioni di carica libera all equilibrio

Dimensione: px
Iniziare la visualizzazioe della pagina:

Download "La conduzione nei semiconduttori. Proprietà elettriche nei materiali. Concentrazioni di carica libera all equilibrio"

Transcript

1 La conduzione nei semiconduttori La conduzione nei semiconduttori Proprietà elettriche nei materiali Correnti nei semiconduttori Modello matematico 2 1

2 Obiettivi della lezione Acquisire gli strumenti per descrivere la densità degli stati Acquisire gli strumenti per descrivere la distribuzione in energia degli elettroni Calcolo della densità dei portatori liberi in un semiconduttore drogato Effetto del drogaggio sulla popolazione di portatori 3 Riferimenti bibliografici per la lezione Dispositivi per la microelettronica di Giovanni Ghione McGraw-Hill, 1998 capitolo 2 e 3 4 2

3 Densità degli stati disponibili e funzione di occupazione Calcolo delle concentrazioni di carica libera Legge dell azione di massa Semiconduttori drogati e condizione di neutralità Esercizi: concentrazione portatori liberi ed E F 6 3

4 Densità di portatori liberi 7 Densità di portatori liberi 8 4

5 Densità di portatori liberi 9 Densità di portatori liberi 10 5

6 Densità degli stati disponibili 11 Densità degli stati disponibili 12 6

7 Funzione di Fermi-Dirac 13 Funzione di occupazione 14 7

8 Funzione di Fermi-Dirac 15 8

9 Densità degli stati disponibili e funzione di occupazione Calcolo delle concentrazioni di carica libera Legge dell azione di massa Semiconduttori drogati e condizione di neutralità Esercizi: concentrazione portatori liberi ed E F 17 Densità di portatori liberi 18 9

10 Densità di portatori liberi 19 Statistica di Boltzmann 20 10

11 Statistica di Boltzmann 21 Statistica di Boltzmann 22 11

12 Densità di portatori liberi 23 Livello di Fermi intrinseco 24 12

13 Livello di Fermi intrinseco 25 13

14 Densità degli stati disponibili e funzione di occupazione Calcolo delle concentrazioni di carica libera Legge dell azione di massa Semiconduttori drogati e condizione di neutralità Esercizi: concentrazione portatori liberi ed E F 27 Legge dell azione di massa 28 14

15 Equazioni di Shockley 29 Equazioni di Shockley 30 15

16 Densità degli stati disponibili e funzione di occupazione Calcolo delle concentrazioni di carica libera Legge dell azione di massa Semiconduttori drogati e condizione di neutralità Esercizi: concentrazione portatori liberi ed E F 32 16

17 Neutralità elettrica 33 Neutralità elettrica 34 17

18 Neutralità elettrica 35 Carica libera 36 18

19 Carica libera 37 Carica libera 38 19

20 Livello di Fermi 39 Livello di Fermi 40 20

21 Livello di Fermi 41 Livello di Fermi 42 21

22 Densità degli stati disponibili e funzione di occupazione Calcolo delle concentrazioni di carica libera Legge dell azione di massa Semiconduttori drogati e condizione di neutralità Esercizi: concentrazione portatori liberi ed E F 44 22

23 Concentrazione portatori liberi ed E F : Si n 45 Soluzione 46 23

24 Soluzione 47 Soluzione 48 24

25 Concentrazione portatori liberi ed E F : Si p 49 Soluzione 50 25

26 Soluzione 51 Soluzione 52 26

27 Sommario della lezione Densità degli stati disponibili e funzione di occupazione Calcolo delle concentrazioni di carica libera Legge dell azione di massa Semiconduttori drogati e condizione di neutralità Esercizi: concentrazione portatori liberi ed E F 53 27

La conduzione nei semiconduttori Politecnico di Torino 1

La conduzione nei semiconduttori Politecnico di Torino 1 La conduzione nei semiconduttori 2006 Politecnico di Torino 1 La conduzione nei semiconduttori Concentrazioni di carica libera all equilibrio Correnti nei semiconduttori Modello matematico 3 2006 Politecnico

Dettagli

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi I dispositivi a giunzione I dispositivi a giunzione La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi Analisi di piccolo segnale Il transistore bipolare Modelli del transistore

Dettagli

Dispositivi Elettronici. Proprietà elettriche dei materiali

Dispositivi Elettronici. Proprietà elettriche dei materiali Dispositivi Elettronici Proprietà elettriche dei materiali Proprietà elettriche I materiali vengono classificati in: isolanti o dielettrici (quarzo o SiO 2, ceramiche, materiali polimerici) conduttori

Dettagli

Formazione delle bande di energia. Fisica Dispositivi Elettronici CdL Informatica A.A. 2003/4

Formazione delle bande di energia. Fisica Dispositivi Elettronici CdL Informatica A.A. 2003/4 Formazione delle bande di energia Calcolo formale: Equazione di Schröedinger L equazione di Schröedinger è una relazione matematica che descrive il comportamento ondulatorio di una particella (elettrone)

Dettagli

Ricavo della formula

Ricavo della formula Dispositivi e Circuiti Elettronici Ricavo della formula E F i E F = k B T ln N A n i Si consideri la relazione di Shockey: ( ) EFi E F p = n i exp k B T Si osservi anche che per x = il semiconduttore è

Dettagli

Il semiconduttore è irradiato con fotoni a λ=620 nm, che vengono assorbiti in un processo a due particelle (elettroni e fotoni).

Il semiconduttore è irradiato con fotoni a λ=620 nm, che vengono assorbiti in un processo a due particelle (elettroni e fotoni). Fotogenerazione -1 Si consideri un semiconduttore con banda di valenza (BV) e banda di conduzione (BC) date da E v =-A k 2 E c =E g +B k 2 Con A =10-19 ev m 2, B=5, Eg=1 ev. Il semiconduttore è irradiato

Dettagli

Elettronica II La giunzione p-n: calcolo del potenziale di giunzione p. 2

Elettronica II La giunzione p-n: calcolo del potenziale di giunzione p. 2 Elettronica II La giunzione pn: calcolo del potenziale di giunzione Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema email: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/

Dettagli

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. Punto di funzionamento a riposo

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. Punto di funzionamento a riposo I dispositivi a giunzione I dispositivi a giunzione La giunzione pn in equilibrio termodinamico La caratteristica statica Effetti capacitivi Analisi di piccolo segnale Il transistore bipolare Modelli del

Dettagli

Proprietà Elettroniche del Silicio

Proprietà Elettroniche del Silicio Proprietà Elettroniche del Silicio Il Silicio (Si) è un materiale semiconduttore. Il silicio puro ha una resistività elettrica relativamente elevata a temperature ambiente (RT). In un semiconduttore vi

Dettagli

4πε. h m. Eq. di Schrödinger per un atomo di idrogeno:

4πε. h m. Eq. di Schrödinger per un atomo di idrogeno: Eq. di Schrödinger per un atomo di idrogeno: h m e 1 ψ 4πε r 0 ( r) = Eψ ( r) Questa equazione è esattamente risolubile ed il risultato sono degli orbitali di energia definita E n = m e 1 α 1 1 e mc n

Dettagli

Memorie a semiconduttore e tecnologia

Memorie a semiconduttore e tecnologia Memorie a semiconduttore e tecnologia Memorie a semiconduttore e tecnologia Architettura di una memoria Memorie non volatili Memorie a scrittura e lettura Tecnologia dei semiconduttori Processi di base

Dettagli

Temperatura ed Energia Cinetica (1)

Temperatura ed Energia Cinetica (1) Temperatura ed Energia Cinetica (1) La temperatura di un corpo è legata alla energia cinetica media dei suoi componenti. Per un gas perfetto si ha: Ek = ½ me vm2 ; Ek = 3/2 kt ; k = costante di Boltzmann

Dettagli

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche. Esercitazione Proprietà di trasporto nei semiconduttori

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche. Esercitazione Proprietà di trasporto nei semiconduttori Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Esercitazione Proprietà di trasporto nei semiconduttori Esercizio 1: testo Si consideri un campione di Si uniformemente drogato tipo n con una concentrazione N D =

Dettagli

DISPOSITIVI ELETTRONICI

DISPOSITIVI ELETTRONICI DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA ELETTRONICA E INFORMATICA Corso di laurea magistrale in Ingegneria elettronica Anno accademico 205/206 - anno DISPOSITIVI ELETTRONICI ING-INF/0-9 CFU - semestre Docente

Dettagli

XIV Indice ISBN

XIV Indice ISBN Indice 1 Struttura della materia.................................... 1 1.1 Stati di aggregazione.................................... 1 1.2 Struttura atomistica.................................... 2 1.2.1

Dettagli

bande di energia in un conduttore La banda di energia più alta è parzialmente vuota! livello di Fermi Overlap di bande di energia in un conduttore

bande di energia in un conduttore La banda di energia più alta è parzialmente vuota! livello di Fermi Overlap di bande di energia in un conduttore g(e) va a zero sia al bordo inferiore che a quello superiore della banda bande di energia in un conduttore La banda di energia più alta è parzialmente vuota! livello di Fermi Overlap di bande di energia

Dettagli

I PORTATORI e la CORRENTE nei DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI. Fondamenti di Elettronica

I PORTATORI e la CORRENTE nei DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI. Fondamenti di Elettronica I PORTATORI e la CORRENTE nei DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI 1 Come si può variare la concentrazione di n e/o di p? NON aggiungendo elettroni dall esterno perché il cristallo si caricherebbe ed assumerebbe

Dettagli

Il transistore MOSFET. Il sistema MOS. Il sistema MOS in inversione Il transistore nmos nmos: caratteristiche statiche. I quattro transistori MOS

Il transistore MOSFET. Il sistema MOS. Il sistema MOS in inversione Il transistore nmos nmos: caratteristiche statiche. I quattro transistori MOS Il transistore MOSFET Il transistore MOSFET Il sistema MOS Il sistema MOS in inversione Il transistore nmos nmos: caratteristiche statiche I quattro transistori MOS 2 2005 Politecnico di Torino 1 Obiettivi

Dettagli

Figura 3.1: Semiconduttori.

Figura 3.1: Semiconduttori. Capitolo 3 Semiconduttori Con il termine semiconduttori si indicano alcuni elementi delle colonne III, IV e V della tavola periodica, caratterizzati da una resistività elettrica ρ intermedia tra quella

Dettagli

Elettronica II La giunzione p-n: calcolo della relazione tensione-corrente p. 2

Elettronica II La giunzione p-n: calcolo della relazione tensione-corrente p. 2 Elettronica II La giunzione p-n: calcolo della relazione tensione-corrente Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it

Dettagli

Corso di Laurea Specialistica in Ingegneria delle Telecomunicazioni. Esame di Fisica giugno 2004

Corso di Laurea Specialistica in Ingegneria delle Telecomunicazioni. Esame di Fisica giugno 2004 Compito A ) Ricavare e discutere (eventualmente con esempi) la disuguaglianza di Clausius. 2) Un onda elettromagnetica che si propaga nel vuoto ha lunghezza d onda di mm e campo elettrico di ampiezza pari

Dettagli

Conduttori Semiconduttori Isolanti cm 3. Diamante = = 0.14

Conduttori Semiconduttori Isolanti cm 3. Diamante = = 0.14 30 48 IIB Zn IIIA IVA VA VIA 5 6 7 8 B C N O Boro Carbonio Azoto Ossigeno 13 14 15 16 Alluminio Silicio Fosforo Zolfo 31 32 33 34 Zinco Gallio Germanio Arsenico Selenio Cd Al Si P S Ga Ge As Se 49 50 51

Dettagli

il diodo a giunzione transistori ad effetto di campo (FETs) il transistore bipolare (BJT)

il diodo a giunzione transistori ad effetto di campo (FETs) il transistore bipolare (BJT) Contenuti del corso Parte I: Introduzione e concetti fondamentali richiami di teoria dei circuiti la simulazione circuitale con SPICE elementi di Elettronica dello stato solido Parte II: Dispositivi Elettronici

Dettagli

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi I dispositivi a giunzione I dispositivi a giunzione La giunzione pn in equilibrio termodinamico La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi Il transistore bipolare Modelli

Dettagli

TECNOLOGIA DEL RAME: CONVERSIONE DELLE METALLINA

TECNOLOGIA DEL RAME: CONVERSIONE DELLE METALLINA TCNOLOGIA DL RAM: CONVRSION DLL MTALLINA Processi chimici di conversione: 2Cu 2 S + 3O 2 2Cu 2 O + 2SO 2 H = -766 kj Cu 2 S + 2Cu 2 O 6Cu + 2SO 2 H = 117 kj Rame grezzo (98% di purezza), presenti residui

Dettagli

Giunzione pn. Giunzione pn

Giunzione pn. Giunzione pn Giunzione pn Giunzione pn Una giunzione pn viene realizzata creando all interno di un cristallo semiconduttore una regione drogata di tipo p e una di tipo n Alle estremità delle regioni p ed n vengono

Dettagli

Introduzione al corso di Fisica dei Semiconduttori

Introduzione al corso di Fisica dei Semiconduttori Introduzione al corso di Fisica dei Semiconduttori Mara Bruzzi 8 settembre 016 1 a lezione : dualismo onda-corpuscolo a.l ipotesi di Planck e il corpo nero b.effetto Fotoelettrico c. Primi modelli atomici

Dettagli

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche. Trasporto nei semiconduttori

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche. Trasporto nei semiconduttori Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Trasporto nei semiconduttori Trasporto di carica I portatori liberi nel materiale vengono accelerati dalla presenza di un campo elettrico E La presenza di cariche

Dettagli

Trasporto in Semiconduttori e Metalli - Esercizi con soluzioni

Trasporto in Semiconduttori e Metalli - Esercizi con soluzioni Trasporto in Semiconduttori e Metalli - Esercizi con soluzioni Fisica della Materia Condensata Dipartimento di Matematica e Fisica Università degli Studi Roma Tre A.A. 2016/2017 Trasporto in Semiconduttori

Dettagli

T08: Dispositivi elettronici (3.3.1)

T08: Dispositivi elettronici (3.3.1) T08: Dispositivi elettronici (3.3.1) Sommario Richiami sui semiconduttori conduttori, isolanti e semiconduttori bande di energia droganti nei semiconduttori corrente di deriva e diffusione Funzionamento

Dettagli

Dispositivi elettronici

Dispositivi elettronici Dispositivi elettronici Sommario Richiami sui semiconduttori conduttori, isolanti e semiconduttori bande di energia droganti nei semiconduttori corrente di deriva e diffusione Funzionamento della giunzione

Dettagli

Cavità. Mezzo attivo Radiazione laser. Pompaggio. Lab. Micro-OptoElettronica CdL Fisica A.A. 2006/7

Cavità. Mezzo attivo Radiazione laser. Pompaggio. Lab. Micro-OptoElettronica CdL Fisica A.A. 2006/7 Diodo Laser Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation: LASER Dispositivo basato sul fenomeno dell emissione stimolata, i cui componenti sono fondamentalmente tre: 1. Mezzo attivo 2. Sistema

Dettagli

Materiali dell elettronica allo stato solido

Materiali dell elettronica allo stato solido Materiali dell elettronica allo stato solido I materiali elettronici si suddividono in 3 categorie: Isolanti Resistenza () > 10 5 -cm Semiconduttori 10-3 < < 10 5 -cm Conduttori < 10-3 -cm I semiconduttori

Dettagli

MATERIALI SEMICONDUTTORI

MATERIALI SEMICONDUTTORI Aldo Di Carlo Paolo Lugli Appunti di Optoelettronica VOLUME SECONDO MATERIALI SEMICONDUTTORI Copyright MMIII ARACNE editrice S.r.l. www.aracneeditrice.it info@aracneeditrice.it via Raffaele Garofalo, 133

Dettagli

Il diodo è un componente elettronico passivo non lineare a due terminali, la cui funzione ideale è quella di permettere il flusso di corrente elettrica in una direzione e di bloccarla nell'altra, la qual

Dettagli

Semiconduttore. Livelli energetici nei solidi

Semiconduttore. Livelli energetici nei solidi Page 1 of 5 Semiconduttore Da Wikipedia, l'enciclopedia libera. I semiconduttori sono materiali che hanno una resistività (o anche una conducibilità) intermedia tra i conduttori e gli isolanti. Essi sono

Dettagli

Figura 2.1: Semiconduttori.

Figura 2.1: Semiconduttori. Capitolo 2 Semiconduttori 2.1 Semiconduttori Con il termine semiconduttori si indicano alcuni elementi delle colonne III, IV e V della tavola periodica, caratterizzati da una resistività elettrica ρ intermedia

Dettagli

CONDUCIBILITÀ IONICA

CONDUCIBILITÀ IONICA CONDUCIBILITÀ IONICA Movimento di ioni nel reticolo cristallino ionico: trasporto di carica (conduzione ionica). Vacanze del reticolo. Assenza di campo elettrico movimento casuale delle vacanze: non c

Dettagli

Elettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 4: Statistica di portatori

Elettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 4: Statistica di portatori Elettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 4: Statistica di portatori Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it 2 Outline Struttura a bande: Si Ge GaAs Concentrazione

Dettagli

Semiconduttori. Bande di energia. Un cristallo è formato da atomi disposti in modo da costituire una struttura periodica regolare

Semiconduttori. Bande di energia. Un cristallo è formato da atomi disposti in modo da costituire una struttura periodica regolare Semiconduttori Bande di energia Un cristallo è formato da atomi disposti in modo da costituire una struttura periodica regolare Quando gli atomi formano un cristallo, il moto degli elettroni dello strato

Dettagli

Esercizio U1.1 - Energia media

Esercizio U1.1 - Energia media Esercizio U1.1 - Energia media Si calcoli l energia media degli elettroni in banda di conduzione, per un semiconduttore a 300 K tale che E C E F = 0, 11 ev. Si dimostri che, per un semiconduttore non degenere,

Dettagli

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche. Il sistema MOS

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche. Il sistema MOS Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Il sistema MOS l ossido è SiO 2 l ossido è molto sottile ( 40 Å) il metallo è sostituito con silicio policristallino drograto n + (poly) Dispositivi e Tecnologie Elettroniche

Dettagli

Facoltà di Anno Accademico 2018/19 Registro lezioni del docente COLOMBO LUCIANO

Facoltà di Anno Accademico 2018/19 Registro lezioni del docente COLOMBO LUCIANO Attività didattica Facoltà di Anno Accademico 2018/19 Registro lezioni del docente COLOMBO LUCIANO FISICA DEI SEMICONDUTTORI [IN/0027] Partizionamento: Periodo di svolgimento: Docente titolare del corso:

Dettagli

Semiconduttori intrinseci

Semiconduttori intrinseci Semiconduttori intrinseci Rappresentazione bidimensionale di un cristallo di silicio a 0 K Rappresentazione bidimensionale di un cristallo di silicio a temperatura ambiente (300 K) In equilibrio termodinamico,

Dettagli

LE ORIGINI DELLA TEORIA QUANTISTICA

LE ORIGINI DELLA TEORIA QUANTISTICA LE ORIGINI DELLA TEORIA QUANTISTICA LEZIONE N.5a SEMICONDUTTORI - DIODO L. Palumbo - Fisica Moderna - 2017-18 1 TEORIA DELLE BANDE NEI CRISTALLI In un cristallo gli atomi sono disposti regolarmente occupando

Dettagli

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi I dispositivi a giunzione I dispositivi a giunzione La giunzione pn in equilibrio termodinamico La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi Analisi di piccolo segnale Il

Dettagli

Drogaggio dei semiconduttori

Drogaggio dei semiconduttori Drogaggio dei semiconduttori Tutti i cristalli presentano un certo numero di difetti, che possono essere puntuali (localizzati) o estesi. In figura, i principali difetti puntuali. Il drogaggio è l introduzione

Dettagli

Prof.ssa Silvia Martini. L.S. Francesco D Assisi

Prof.ssa Silvia Martini. L.S. Francesco D Assisi Prof.ssa Silvia Martini L.S. Francesco D Assisi Modello atomico Bande di energia in un cristallo Le sostanze solide possono essere suddivise in tre categorie: isolanti, conduttori e semiconduttori. I livelli

Dettagli

Gli amplificatori a transistore. L uso del MOSFET come amplificatore. L amplificatore a Source comune. Altre configurazioni

Gli amplificatori a transistore. L uso del MOSFET come amplificatore. L amplificatore a Source comune. Altre configurazioni Gli amplificatori a transistore Gli amplificatori a transistore L amplificatore a Source comune Altre configurazioni L amplificatore a transistore bipolare 2 2006 Politecnico di Torino 1 Obiettivi dell

Dettagli

Capitolo 1 Prima legge 1

Capitolo 1 Prima legge 1 Indice Capitolo 1 Prima legge 1 1.1 Sistema e ambiente 1 1.2 Scambi di energia 2 1.3 Energia di un sistema 3 1.4 Energia come funzione di stato 5 1.5 Lavoro 5 1.6 Sistema chiuso 7 1.7 Notazione 7 1.8 Proprietà

Dettagli

Elettronica dello Stato Solido Lezione 12: Concentrazione di. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano

Elettronica dello Stato Solido Lezione 12: Concentrazione di. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano lettronica dello Stato Solido Lezione 1: Concentrazione di portatori all equilibrio Daniele Ielmini DI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it Outline Introduzione Concentrazione di portatori nei

Dettagli

ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA (C.I.) Modulo di Elettronica. Lezione 6. a.a

ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA (C.I.) Modulo di Elettronica. Lezione 6. a.a 32586 ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA (C.I.) Modulo di Elettronica Lezione 6 a.a. 20102011 Diodo + Il diodo è un bipolo, passivo, nonlineare la cui funzione ideale è quella di permettere il flusso di corrente

Dettagli

Laboratorio II, modulo

Laboratorio II, modulo Laboratorio II, modulo 2 2016-2017 Transistor (cfr. http://studenti.fisica.unifi.it/~carla/appunti/2008-9/cap.4.pdf http://ume.gatech.edu/mechatronics_course/transistor_f04.ppt) Storia del Transistor Inventati

Dettagli

I Materiali. Isolanti, Conduttori, Semiconduttori. giovedì 26 febbraio Corso di Elettronica 1

I Materiali. Isolanti, Conduttori, Semiconduttori. giovedì 26 febbraio Corso di Elettronica 1 I Materiali Isolanti, Conduttori, Semiconduttori Corso di Elettronica 1 Di cosa si parlerà Classificazione dei materiali Drogaggio Giunzione PN Polarizzazione diretta Polarizzazione inversa Corso di Elettronica

Dettagli

Il BJT Bipolar Junction Transistor: comportamento statico

Il BJT Bipolar Junction Transistor: comportamento statico Dispositivi Elettronici La il transistore giunzione bipolare PN (BJ) Il BJ Bipolar Junction ransistor: comportamento statico E costituito da due giunzioni PN polarizzate in modo diretto od inverso: Interdizione:

Dettagli

Sommario. Come funziona il Diodo? Giunzione PN a circuito aperto Giunzione PN: polarizzazione diretta Giunzione PN: polarizzazione inversa

Sommario. Come funziona il Diodo? Giunzione PN a circuito aperto Giunzione PN: polarizzazione diretta Giunzione PN: polarizzazione inversa l Diodo Sommario Cos è il Diodo? Concetti di base sulla fisica dei Semiconduttori Silicio ntrinseco Corrente di Deriva e Corrente di Diffusione Silicio Drogato P o N Giunzione PN Come funziona il Diodo?

Dettagli

Laboratorio II, modulo

Laboratorio II, modulo Laboratorio II, modulo 2 2015-2016 Transistor (cfr. http://studenti.fisica.unifi.it/~carla/appunti/2008-9/cap.4.pdf http://ume.gatech.edu/mechatronics_course/transistor_f04.ppt) Storia del Transistor Inventati

Dettagli

Verifica dei Concetti 18.1

Verifica dei Concetti 18.1 Verifica dei Concetti 18.1 Domanda: Se un materiale metallico viene raffreddato a partire dalla sua temperatura di fusione con velocità estremamente rapida, si formerà un solido non cristallino (un vetro

Dettagli

Fondamenti di Elettronica, Sez.2

Fondamenti di Elettronica, Sez.2 Fondamenti di Elettronica, Sez.2 Alessandra Flammini alessandra.flammini@unibs.it Ufficio 24 Dip. Ingegneria dell Informazione 030-3715627 Lunedì 16:30-18:30 Fondamenti di elettronica, A. Flammini, AA2017-2018

Dettagli

Testo di riferimento: Millman-Grabel MICROELECTRONICS McGraw Hill Cap. 1: 1,2,3,4 Cap. 2: 1,2,3,4,6,7,8,(9,10). Cap. 3: 1,2,4,5,6,8,9,10.

Testo di riferimento: Millman-Grabel MICROELECTRONICS McGraw Hill Cap. 1: 1,2,3,4 Cap. 2: 1,2,3,4,6,7,8,(9,10). Cap. 3: 1,2,4,5,6,8,9,10. Esperimentazioni di Fisica 3 AA 20122013 Semiconduttori Conduzione nei semiconduttori Semiconduttori intrinseci ed estrinseci (drogati) La giunzione pn Il diodo a semiconduttore Semplici circuiti con diodi

Dettagli

Laboratorio di Elettronica Dispositivi elettronici e circuiti Proprieta' e fenomenologia dei semiconduttori. Dispositivi a semiconduttore: * diodo a giunzione * transistor bjt * transistor jfet e mosfet

Dettagli

Semiconduttori. Cu 6 x m -1 Si 5 x m -1

Semiconduttori. Cu 6 x m -1 Si 5 x m -1 Semiconduttori Semiconduttori intrinseci cristalli ideali che non contengono nessuna impurezza o difetto reticolare. Non ci sono portatori di carica a bassa T (0 K). Se la temperatura aumenta si generano

Dettagli

I metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni.

I metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni. I metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni. PLS 2016/17 Prof. Daniela Cavalcoli Dip di Fisica e Astronomia Università di Bologna Daniela.Cavalcoli@unibo.it outline I solidi

Dettagli

La conducibilità elettrica del semiconduttore

La conducibilità elettrica del semiconduttore Viene presentata una classificazione dei materiali allo stato solido in riferimento alla conducibilità elettrica, che ne misura la attitudine a condurre corrente elettrica. Sulla base di questa classificazione

Dettagli

Corso di Elettronica Industriale (CdL in Ingegneria Meccatronica, sede di Mantova) Semiconduttori intrinseci e drogati

Corso di Elettronica Industriale (CdL in Ingegneria Meccatronica, sede di Mantova) Semiconduttori intrinseci e drogati Corso di Elettronica Industriale (CdL in Ingegneria Meccatronica, sede di Mantova) Isolanti, conduttori e semiconduttori In un solido si può avere conduzione di carica elettrica (quindi passaggio di corrente)

Dettagli

Indice. 1. Fisica dei semiconduttori La giunzione pn...49

Indice. 1. Fisica dei semiconduttori La giunzione pn...49 i Indice 1. Fisica dei semiconduttori...1 1.1 La carica elettrica...1 1.2 Tensione...2 1.3 Corrente...5 1.4 Legge di Ohm...6 1.5 Isolanti e conduttori...12 1.6 Semiconduttori...15 1.7 Elettroni nei semiconduttori...18

Dettagli

DIFFUSIONE ALLO STATO SOLIDO

DIFFUSIONE ALLO STATO SOLIDO DIFFUSIONE ALLO STATO SOLIDO I a legge di Fick: relazione più semplice tra causa ed effetto. L effetto è proporzionale alla causa che lo ha generato; matematicamente: C A J = D z La costante di proporzionalità

Dettagli

I metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni.

I metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni. I metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni. PLS 2018/19 Prof. Beatrice Fraboni Dip di Fisica e Astronomia Università di Bologna beatrice.fraboni@unibo.it outline I solidi cristallini

Dettagli

1 a esperienza Diodo e Temperatura

1 a esperienza Diodo e Temperatura 1 a esperienza Diodo e Temperatura ovvero come il funzionamento di un diodo dipende dalla temperatura.smerieri & L.Faè Scuola stiva AIF - PLS 2-6 Settembre 2008 - Genova Circuito standard per una misura

Dettagli

Conformazione polimeri

Conformazione polimeri Conformazione polimeri Random coil ½ 0fθ= l n ½ φ imperturbato r 2 1/ 2 0 = l n 1/ 2 Volume segmenti del polimero ½ = α ½ 0 α dipende dal solvente e dalla temperatura 1/ 2 1/ 2 1 cosθ

Dettagli

REGISTRO DELLE LEZIONI a

REGISTRO DELLE LEZIONI a UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI GENOVA Dipartimento di Chimica e Chimica Industriale Corso di laurea magistrale in Scienze Chimiche REGISTRO DELLE LEZIONI a dell' INSEGNAMENTO Nome: Chimica Fisica dei Materiali

Dettagli

Fondamenti di Elettronica, Sez.2

Fondamenti di Elettronica, Sez.2 Fondamenti di Elettronica, Sez.2 Alessandra Flammini alessandra.flammini@unibs.it Ufficio 24 Dip. Ingegneria dell Informazione 030-3715627 Martedì 16:30-18:30 Fondamenti di elettronica, A. Flammini, AA2018-2019

Dettagli

DIFETTI PUNTUALI INTRINSECI

DIFETTI PUNTUALI INTRINSECI DIFETTI PUNTUALI INTRINSECI Calcolo della concentrazione di difetti di equilibrio con la termodinamica statistica: La creazione di un difetto richiede energia ( H f ) ma comporta un grande aumento degli

Dettagli

Materiale Energy Gap

Materiale Energy Gap Semiconduttori Materiale diamante silicio germanio Energy Gap 5,3 ev 1,1 ev 0,7 ev 21 Semiconduttori Quando un elettrone, portatore di carica negativa, è promosso da banda di valenza a banda di conduzione,

Dettagli

Luogo (Aula) Luogo (Aula) Data Martedì Data Martedì Generalità sul meccanismo di diffusione.

Luogo (Aula) Luogo (Aula) Data Martedì Data Martedì Generalità sul meccanismo di diffusione. Luogo (Aula) 5-7 1 Luogo (Aula) 5-7 2 Data Martedì 26.02.02 Data Martedì 26.02.02 Introduzione al corso. Programma e bibliografia. Segregazione delle impurezze. Generalità sul meccanismo di diffusione.

Dettagli

slides per cortesia di Prof. B. Bertucci

slides per cortesia di Prof. B. Bertucci slides per cortesia di Prof. B. Bertucci Giunzione p-n in equilibrio: Densità di portatori maggiori maggioritari/ minoritari dai due lati della giunzione (lontano dalla zona di contatto): Nella zona di

Dettagli

Scritto Appello IV, Materia Condensata. AA 2017/2018

Scritto Appello IV, Materia Condensata. AA 2017/2018 Scritto Appello IV, Materia Condensata AA 017/018 17/07/018 1 Esercizio 1 Un metallo monovalente cristallizza nella struttura cubica a corpo centrato La densità degli elettroni del metallo è n el = 65

Dettagli

Trasporto dei portatori

Trasporto dei portatori Trasporto dei portatori all equilibrio termico gli elettroni in banda di conduzione (le lacune in banda di valenza) si muovono per agitazione termica 3 energia termica = (k costante di Boltzmann) 2 kt

Dettagli

Moto degli elettroni T ~ 0 0 K E F. exp 1 kt 1.7 2/ 3

Moto degli elettroni T ~ 0 0 K E F. exp 1 kt 1.7 2/ 3 Moto degli elettroni Necessaria la meccanica quantistica Potenziale medio in cui si muovono gli elettroni + principio di esclusione di Pauli Energia di Fermi E F : energie elettroni tra E min ed E F (E

Dettagli

Giunzione pn. (versione del ) Bande di energia

Giunzione pn.  (versione del ) Bande di energia Giunzione pn www.die.ing.unibo.it/pers/mastri/didattica.htm (versione del 10-5-2012) Bande di energia Un cristallo è formato da atomi disposti in modo da costituire una struttura periodica regolare Quando

Dettagli

Elettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 3: Teoria a bande e statistica di portatori

Elettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 3: Teoria a bande e statistica di portatori Elettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 3: Teoria a bande e statistica di portatori Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it D. Ielmini Elettronica dello Stato

Dettagli

Elettronica I Introduzione ai semiconduttori

Elettronica I Introduzione ai semiconduttori Elettronica I Introduzione ai semiconduttori Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/ liberali

Dettagli

Componentistica elettronica: cenni

Componentistica elettronica: cenni ERSONE 15.3.01 Componentistica elettronica: cenni Componenti e caratterizzazione del loro comportamento La tecnologia dei componenti a vuoto La tecnologia dei componenti a semiconduttori l comportamento

Dettagli

La giunzione MeSC: tipologie

La giunzione MeSC: tipologie La giunzione MeSC: tipologie Il comportamento della giunzione può essere ohnico o raddrizzante dipendentemente dalla differenza tra il lavoro di estrazione del Metallo e del SC usati: SC-N, E WM > E WS

Dettagli

Le basi della tecnologia moderna: la FISICA dei SEMICONDUTTORI

Le basi della tecnologia moderna: la FISICA dei SEMICONDUTTORI Le basi della tecnologia moderna: la FISICA dei SEMICONDUTTORI Federico Grasselli Dipartimento di Fisica Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia Principi quantistici della materia La fisica classica

Dettagli

Esercizio U3.1 - Tensione di soglia del MOSFET a canale n

Esercizio U3.1 - Tensione di soglia del MOSFET a canale n Esercizio U3. - Tensione di soglia del MOSFET a canale n Si ricavi dettagliatamente l espressione per la tensione di soglia di un MOSFET ad arricchimento a canale p e successivamente la si calcoli nel

Dettagli

Appunti del Corso di Applicazioni di Elettromagnetismo. Tullio Bressani e Elena Botta Dipartimento di Fisica Sperimentale

Appunti del Corso di Applicazioni di Elettromagnetismo. Tullio Bressani e Elena Botta Dipartimento di Fisica Sperimentale Appunti del Corso di Applicazioni di Elettromagnetismo Tullio Bressani e Elena Botta Dipartimento di Fisica Sperimentale Anno Accademico 2007 2008 Indice 1 La formula di Planck per lo spettro di corpo

Dettagli

Programma Svolto Anno Scolastico 2018/19

Programma Svolto Anno Scolastico 2018/19 I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E G u g l i e l m o M a r c o n i V e r o n a Programma Svolto Anno Scolastico 2018/19 Materia Classe Docenti Materiali didattici Tecnologie e progettazioni

Dettagli

Generazione, ricombinazione e diffusione dei portatori di carica

Generazione, ricombinazione e diffusione dei portatori di carica La giunzione P-N In questa unità verrà descritto il funzionamento della giunzione P-N con un livello di trattazione prevalentemente teorico. Tutti i fenomeni fisici che stanno alla base del funzionamento

Dettagli

3) Determinare il campo elettrico per x = 50 µm (trascurare l'ampiezza

3) Determinare il campo elettrico per x = 50 µm (trascurare l'ampiezza DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 8 Gennaio 2016 ESERCIZIO 1 (DE,DTE) Un diodo pn è caratterizzato da: S = 1 mm 2, N A = 10 16 cm 3, N D = 10 16 cm 3, µ n = 0.1 m 2 /Vs, µ p = 0.04 m 2 /Vs, τ n = 10 5 S (nella

Dettagli

Appunti di Elettromagnetismo

Appunti di Elettromagnetismo Marco Panareo Appunti di Elettromagnetismo Università del Salento, Dipartimento di Matematica e Fisica ii iii INTRODUZIONE Questa raccolta di appunti originati dalle lezioni di Fisica tenute in vari anni

Dettagli

Proprietà dei semiconduttori (1)

Proprietà dei semiconduttori (1) Giunzione p-n Proprietà dei semiconduttori (1) I II II IV V VI VII VIII 1 H He 2 Li Be B C N O F Ne 3 Na Mg l Si P S Cl r 4 K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge s Se Br Kr 5 Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh

Dettagli

IL FATTORE DI BOLTZMANN ATTRAVERSO ESPERIMENTI E SIMULAZIONI

IL FATTORE DI BOLTZMANN ATTRAVERSO ESPERIMENTI E SIMULAZIONI University of Palermo Physics Education Research Group IL FATTORE DI BOLTZMANN ATTRAVERSO ESPERIMENTI E SIMULAZIONI Onofrio R. Battaglia,, R. M. Sperandeo Mineo GRIAF (Gruppo di Ricerca sull Insegnamento/Apprendimento

Dettagli

Elettronica dello Stato Solido Lezione 9: Moto di un elettrone in. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano

Elettronica dello Stato Solido Lezione 9: Moto di un elettrone in. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano Elettronica dello Stato Solido Lezione 9: Moto di un elettrone in un cristallo Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it Outline Modello di moto semiclassico Massa efficace Approssimazione

Dettagli

Diodo a semicondu-ore

Diodo a semicondu-ore Laboratorio di Segnali e Sistemi - Capitolo 2 - Diodo a semicondu-ore Claudio Luci last update : 070117 Claudio Luci Laboratorio di Segnali e Sistemi Capitolo 2 1 I semicondu-ori ele-roni e lacune il drogaggio

Dettagli

Scritto Appello III, Materia Condensata. AA 2017/2018

Scritto Appello III, Materia Condensata. AA 2017/2018 Scritto Appello III, Materia Condensata. AA 2017/2018 21/06/2018 1 Esercizio 1 Sia un A un solido monoatomico che cristallizza in una struttura cubica a facce centrate con lato del cubo a e velocità del

Dettagli