Elettronica per le telecomunicazioni
|
|
- Nicolina Aureliana Franceschi
- 6 anni fa
- Visualizzazioni
Transcript
1 POLITECNICO DI TORINO Elettronica per le telecomunicazioni Formulario Anno Accademico 2009/2010
2 Filtri Filtri del secondo ordine In generale la funzione di trasferimento è: H(s) = a 2 s 2 + a 1 s + a 0 s 2 + ω 0 Q s + ω2 0 Si individuano le diverse risposte (passa alto, passa basso, passa banda) a seconda degli a i :. a 2 = a 1 = 0 e a 0 0: passa basso;. a 1 = a 0 = 0 e a 2 0: passa alto;. a 2 = a 0 = 0 e a 1 0: passa banda. Formula per Q: Q = 1 2ξ É presente il picco di sovraelongazione se: Per il filtro passa banda: Q > = 1 2. i punti a 3dB dal picco individuano le frequenze: [ f L = f Q 2 1 ] [ f H = f Q 4Q ] 2Q. formula alternativa per Q: Celle a guadagno finito Cella Sallen-Key H(s) = V out V in = Q = f 0 BW = f 0 f H f L Y 1 Y 3 Y 4 (Y 1 + Y 2 + Y 3 ) + (Y 1 Y 3 ) 2
3 Parametro Espressione ω 0 1 mnrc 1 f 0 2π mnrc mn Q m + 1 Parametro Espressione ω 0 1 mnrc 1 f 0 2π mnrc mn Q n + 1 Tabella 1: parametri filtro passa basso (sinistra) e filtro passa alto (destra) Cella KRC H(s) = V out V in = Amplificazione in banda: κ Y 1 Y 3 Y 4 (Y 1 + Y 2 + Y 3 ) + (1 κ) (Y 2 Y 3 ) + (Y 1 Y 3 ) κ = 1 + R B R A Parametro Espressione ω 0 1 mnrc 1 f 0 2π mnrc mn Q m (1 κ) (mn) Tabella 2: parametri per filtro passa basso Celle a guadagno infinito H(s) = V out Y 1 Y 3 = V in Y 5 (Y 1 + Y 2 + Y 3 + Y 4 ) + (Y 2 Y 3 ) Circuito passa banda: f 0 = 1 2π C 2 C 3 R 5 (R 1 //R 4 ) Q = C2 C 3 R 5 (R 1 //R 4 ) (C 2 + C 3 ) (R 1 //R 4 ) 3
4 Filtri a variabili di stato I parametri f 0 e Q valgono: V HP s 2 R 2 C = [ 2 V in s 2 R 2 C 2 + s 3RC f 0 = 1 2πRC Celle biquadratiche R 1 R 1 + R 2 ] + 1 Q = 1 ( R ) 2 R 1 V BP = R 2 sr 4 R 5 C 2 /R 2 V in R 1 s 2 R 4 R 5 C 1 C 2 + sr 4 R 5 C 2 /R I parametri f 0 e Q valgono: f 0 = Filtri a capacità commutate 1 2π R 4 R 5 C 1 C 2 Q = R 2 C 1 R 4 R 5 C 2 = In zona triodo: [ ω n I DS = µ n C ox (V GS V TH )V DS V 2 ] DS L n 2 In zona lineare: si può approssimare: I DS = µ n C ox ω n L n (V GS V TH )V DS R on di valore pari a: R on = 1 ω µ n C n ox L n (V GS V TH ) 4
5 Pass Transistor R on C V in V out V in V DD V TH Trasmission Gate R on Pmos Nmos C V in V out Vin V Tp V Tn Errore di piedistallo C G0 V in C DB C L V out Per il pass transistor: Per il trasmission gate: C G0 V out = V DD C L + C DB + C Go V out = V DD C n G0 C n G0 + Cp G0 + C L V DD C p G0 CG0 n + Cp G0 + C L 5
6 Errore di feedtrought C Go V in C DB C L V out C DS Circuito integratore: V out = C DS C DS + C L V in C V in C 1 + V out H(z) = V out = C 1 V in C z 1 1 z 1 posto z = e j2πf/f ck: H(f) = 1 πf/f ck ( ) e j2πf/fck jf/f 0 sin πf f ck Il grafico seguente riporta le caratteristiche dell integratore ideale e dell integratore realizzato con le capacità commutate: 6
7 Figura 1: grafici caratteristiche 7
8 Applicazioni di transistori bipolari Modello di Ebers-Moll α R I R α F I F I E I C I F I B I R ( ) V BE V I F = I E0 e T 1 ( ) V BC V I R = I C0 e T 1 I C = α F I F I R In regione attiva diretta: I E = α R I R I F V BC < 0 V T = 26mV V BE = 0.6V ( ) ( ) I C = α F I E0 e V BE V T I E = I E0 e V BE V T Poichè α F 1 = I E I C. Modelli di piccolo segnale Modello ibrido π B r µ C r π g m V BE r 0 E r π = β 0 V T I C r µ 0 g m = I C V T r 0 = V A I C L uguaglianza è valida solo a temperatura ambiente pari a 300 K 8
9 Modello a parametri h B C h ie h fe I B h oe E h ie = V T I B h fe = β 0 r 0 = I C V A Il termine β 0 rappresenta il guadagno di corrente. Amplificatore ad emettitore comune V AL R 2 R C C L V in + C B R 1 I 2 I 1 I b V BE I C R E I E V CE R L C E V out In zona lineare: Si precisa che: In generale: VE V V out = V AL R C I S e T V out = (R L//R C ) h fe V in h ie + Z E (1 + h fe ) Z E = R E //C E { I 0 (x) [ n=1 ]} I n (x) I 0 (x) cos(n ω it) Indicando il parallelo fra L C, R C, C C dell amplificatore accordabile con Z RLC : Z RLC (ω 0 ) Z RLC (κω 0 ) = Q κ 1 κ 9
10 Moltiplicatori Moltiplicatore ad un quadrante V CC R C V out V x I E V y R E Moltiplicatori a due quadranti V CC R C R C V out T 1 T 2 V x I E1 I E2 V y R E I E 10
11 PLL Per il V CO: Funzione di trasferimento: Si definisce errore di fase: V ddc = κ d (θ i θ o ) H(s) = θ o(s) θ i (s) = ω = κ o V c κ d κ o F(s) s + κ d κ o F(s) θ e (s) = θ i (s) θ o (s) Funzione di trasferimento dell errore di fase: H θe (s) = s s + κ d κ o F(s) Si noti che: H θe (s) = 1 H(s) Filtri Cortocircuito: F(s) = 1 = H(s) = κ d κ o s + κ d κ o PLL del primo ordine; 1 Filtro RC: F(s) = src + 1 PLL del secondo ordine. = H(s) = κ d κ o s 2 RC + s + (κ d κ o ) 11
12 VCO VCO con transistori bipolari V AL R E I E T 4 V c Vb C 1 V c1 T 2 T 3 T 1 R V out T = 2 (V s 2 V s1 ) C R E V AL V c V BE I termini V s2 e V s1 sono le tensioni di soglia del comparatore con isteresi. VCO con tecnologia CMOS V AL V c I 2 I I R 2 C R 1 I 1 FLIP FLOP É la tensione del transistore pnp. 12
13 Convertitori e Sample & Hold In questa sezione si elencano gli errori dei convertitori e dei Sample & Hold e la notazione utilizzata nel corso. Convertitori In generale gli errori di un si dividono in:. errori statici;. errori dinamici. Gli errori statici sono:. di offset;. di guadagno;. di non linearità assoluta o integrale (INL);. di non lineartià differenziale (DNL). Gli errori dinamici sono:. tempo di assetto (setting time) T s ;. glitch. Sample & Hold Gli errori introdotti dai Sample & Hold sono:. setting time T s ;. jitter di apertura dell interruttore;. correnti di perdita;. errore di feedtrought. Questa notazione non va confusa con il tempo di campionamento (sampling time) che presenta lo stesso simbolo. 13
14 Appendice A Tavole dei Filtri Nelle pagine successive sono riportati i grafici delle risposte in frequenza e le tabelle dei valori normalizzati per le seguenti tipologie di filtri:. filtro di Bessel;. filtro di Butterworth;. filtro di Chebyshev (ondulazione in banda 1dB);. filtro di Chebyshev (ondulazione in banda 0.5dB). 14
15 Figura A.1: risposte in frequenza e tabella dei valori normalizzati per il filtro di Bessel 15
16 Figura A.2: risposte in frequenza e tabella dei valori normalizzati per il filtro di Butterworth 16
17 Figura A.3: risposte in frequenza e tabella dei valori normalizzati per il filtro di Chebyshev (ondulazione in banda 1dB) 17
18 Figura A.4: risposte in frequenza e tabella dei valori normalizzati per il filtro di Chebyshev (ondulazione in banda 0.5dB) 18
19 Appendice B Valori serie commerciali Nella pagina seguente si riportano i valori standard delle serie commerciali:. E6;. E12;. E24;. E96. 19
20 20
21 Appendice C Funzioni di Bessel Nella pagina successiva si riportano:. la tabella delle ampiezze relative delle funzioni di Bessel modificate di prima specie;. il grafico dell ampiezza delle varie componenti;. il grafico dell ampiezza relativa. 21
22 Figura C.1: funzioni di Bessel 22
Elettronica per le telecomunicazioni
POLITECNICO DI TORINO Elettronica per le telecomunicazioni Formulario Anno Accademico 2009/200 Filtri Filtri del primo ordine Passa basso R 2 C 2 R H(s) = R 2 H(0) = R 2 R sr 2 C 2 R f p = φ = 0 90 2πR
DettagliElettronica per le telecomunicazioni
Elettronica per le telecomunicazioni Anno Accademico 2009/2010 Fiandrino Claudio 5 maggio 2010 II Indice 1 Filtri 1 1.1 Nozioni base........................... 1 1.1.1 Definizioni.........................
DettagliELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n. 29- F - 6: Sistemi di acquisizione
ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n. 29- F - 6: Sistemi di acquisizione Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo F.b - 6 n. 1-14/11/97
DettagliInformazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento. caratteristiche e tipologie di moduli. Circuiti con operazionali reazionati
Elettronica per telecomunicazioni 1 Contenuto dell unità A Informazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento caratteristiche e tipologie di moduli Circuiti con operazionali reazionati
DettagliIndice. I Dispositivi a semiconduttore 1. Prefazione. Prologo. Breve storia dell elettronica
Indice Prefazione Prologo. Breve storia dell elettronica XI XIII I Dispositivi a semiconduttore 1 1 Semiconduttori 3 1.1 Forze, campi ed energia 3 1.2 Conduzione nei metalli 6 1.3 Semiconduttori intrinseci
DettagliIl TRANSISTOR. Il primo transistor della storia
Il TRANSISTOR Il primo transistor della storia Inventori del Transistor Il Transistor Bipolare a Giunzione (BJT) è stato inventato nei laboratori BELL nel 1948, da tre fisici: John Bardeen Walter Brattain,
DettagliIntroduzione ai filtri Filtri di Butterworth Filtri di Chebishev
Introduzione ai filtri Filtri di Butterworth Filtri di Chebishev Filtri passivi 1 Filtri passivi 2 1 Filtri passivi 3 Filtri passivi 4 2 Filtri passivi 5 Filtri passivi 6 3 Filtri passivi 7 Filtri passivi
DettagliAppunti di ELETTRONICA Amplificatore operazionale (amp. Op oppure A. O.) - +
Appunti di ELETTRONICA Amplificatore operazionale (amp. Op oppure A. O.) - + µa741 Cos'è l'amplificazione: Amplificare un segnale significa aumentarne il livello e di conseguenza la potenza. Il fattore
DettagliLezione A3 - DDC
Elettronica per le telecomunicazioni Unità A: Amplificatori, oscillatori, mixer Lezione A.3 Punto di funzionamento, guadagno e banda distorsioni, rumore, 1 Contenuto dell unità A Lezione A3 Informazioni
DettagliMicroelettronica Indice generale
Microelettronica Indice generale Prefazione Rigraziamenti dell Editore Guida alla lettura Parte I Elettronica dello stato solido e dispositivi XV XVII XVIII Capitolo 1 Introduzione all elettronica 1 1.1
DettagliTransistori MOS. Ing. Ivan Blunno 21 aprile 2005
Transistori MOS Ing. Ivan Blunno 1 aprile 005 1 Introduzione In questa dispensa verranno presentati i transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) di tipo N e P dal punto di vista del loro funzionamento
DettagliPROGETTO DI UN FILTRO PASSA BASSO
orso di elettronica per telecomunicazioni - esercitazione POGETTO DI UN FILTO PASSA BASSO Docente del corso: prof. Giovanni Busatto Galletti iccardo Matr. 65 relazione elettronica per telecomunicazioni
DettagliIndice generale. Elettronica dello stato solido e dispositivi. Capitolo 1 Introduzione all elettronica 1
Prefazione Autori e Curatori Rigraziamenti dell Editore Guida alla lettura Parte I Elettronica dello stato solido e dispositivi XII XV XVI XVII Capitolo 1 Introduzione all elettronica 1 1.1 Breve storia
DettagliElettronica I Porte logiche CMOS
Elettronica I Porte logiche CMOS Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/ liberali Elettronica
DettagliElettronica dei Sistemi Digitali Le porte logiche CMOS
Elettronica dei Sistemi Digitali Le porte logiche CMOS Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/
DettagliAmplificatori Differenziali
Amplificatori Differenziali nei simboli non si esplicitano gli alimentatori DC, cioè Normalmente i circuiti che realizzano l amplificatore differenziale e operazionale non contengono un nodo elettricamente
DettagliFILTRI ANALOGICI L6/1
FILTRI ANALOGICI Scopo di un filtro analogico è l eliminazione di parte del contenuto armonico di un segnale, lasciandone inalterata la porzione restante. In funzione dell intervallo di frequenze del segnale
DettagliInterruttori Digitali
Interruttori Digitali Ing. Ivan Blunno 21 aprile 2005 1 Introduzione In questa dispensa verranno presentati gli interruttori digitali. In particolar modo si parlerà delle possibili realizzazioni mediante
DettagliElettronica Inverter con transistore MOS; tecnologia CMOS e porte logiche combinatorie CMOS
Elettronica Inverter con transistore MOS; tecnologia CMOS e porte logiche combinatorie CMOS Valentino Liberali Dipartimento di Fisica Università degli Studi di Milano valentino.liberali@unimi.it Elettronica
DettagliIn elettronica un filtro elettronico è un sistema o dispositivo che realizza
Filtri V.Russo Cos è un Filtro? In elettronica un filtro elettronico è un sistema o dispositivo che realizza delle funzioni di trasformazione o elaborazione (processing) di segnali posti al suo ingresso.
DettagliELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 3 - A - 3:
ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 3 - A - 3: Transistori MOS in commutazione Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo A - 8 n.
DettagliStadi Amplificatori di Base
Stadi Amplificatori di Base Biagio Provinzano Marzo 2005 Ipotesi di lavoro: i) Transistor npn acceso ed in zona attiva v BE 1 0.7V e v C >v B ii) Consideriamo un classico schema di polarizzazione con quattro
DettagliFILTRI ED AMPLIFICATORI ACCORDATI. Classificazione in termini di funzione di trasferimento
FILTRI ED AMPLIFICATORI ACCORDATI Classificazione in termini di funzione di trasferimento Specifiche per un filtro passa basso (LP) Fattore di selettività ω / ω s p Esempio di Funzione di Trasferimento
DettagliBanda passante di un amplificatore
Banda passante di un amplificatore Amplificatore ideale da 40 db con cella RC passa basso e passa alto. La cella passa basso determina la fequenza di taglio superiore fh, mentre la cella passa alto determina
DettagliInformazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento. caratteristiche e tipologie di moduli. Circuiti con operazionali reazionati
Elettronica per telecomunicazioni 1 Contenuto dell unità A Informazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento caratteristiche e tipologie di moduli Circuiti con operazionali reazionati
DettagliIndice generale. Prefazione. Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1. Capitolo 2. Analisi in frequenza e reti STC 39
Indice generale Prefazione xi Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1 1.1. Bipoli lineari 1 1.1.1. Bipoli lineari passivi 2 1.1.2. Bipoli lineari attivi 5 1.2. Metodi di risoluzione delle reti 6
DettagliEsercitazione 3. Biagio Provinzano Aprile Esercizio 1. I BJT npn hanno la stessa area e la stessa corrente di saturazione, consideriamo
Esercitazione 3 Biagio Provinzano Aprile 005 Esercizio I BJT npn hanno la stessa area e la stessa corrente di saturazione, consideriamo V A, β = 00, V BE = 0.7V in zona attiva ed infine Cπ = C µ =0pF.
DettagliEsercizio 1.3 Il percorso con maggiore tempo di propagazione è quello del segnale A
Copyright 006 he McGraw-Hill Companies srl SOLUZIONI DI ESERCIZI - Elettronica Digitale III ed. Capitolo Esercizio. V OH 5 V, V OL 0.5 V; NM H V OH - V IH V; NM L V IH - V IL.5 V. Esercizio.3 Il percorso
DettagliELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n F - 3: Convertitori A/D
ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n. 26 - F - 3: Convertitori A/D Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo F a - 6 n. 1-14/11/97 Rete
DettagliELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte E: Circuiti misti analogici e digitali Lezione n E - 1:
ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte E: Circuiti misti analogici e digitali Lezione n. 19 - E - 1: Comparatori di soglia Comparatori con isteresi Circuiti misti analogici
DettagliIndice. Cap. 1 Il progetto dei sistemi elettronici pag. 1
Indice Cap. 1 Il progetto dei sistemi elettronici pag. 1 1.1 Oggetto dello studio 1 1.2 Concezione, progetto e produzione del sistema elettronico 5 1.3 Il circuito di interfaccia di ingresso 13 1.4 Il
Dettagli14 Giugno 2006 Prova scritta di Circuiti Integrati Analogici (tempo a disposizione 90 min)
14 Giugno 2006 M3 M4 M2 M1 R Nel circuito in figura determinare: 1) trascurando l effetto di modulazione della lunghezza di canale, il legame tra la corrente che scorre nella resistenza R e i parametri
DettagliPage 1. Elettronica delle telecomunicazioni. f i. f r. f o. f u f u = (N/M) f u ETLCE - B5 08/03/ DDC 1
Modulo Politecnico di Torino Facoltà dell Informazione Elettronica delle telecomunicazioni Anelli ad aggancio di fase (PLL) B5- Sintetizzatori, DDS, 4046» sintetizzatori a interi» sintetizzatori frazionari»
DettagliPOLITECNICO DI MILANO
POLITECNICO DI MILANO www.polimi.it ELETTRONICA per ingegneria BIOMEDICA prof. Alberto TOSI Sommario Caratteristiche degli OpAmp OpAmp ideali e Retroazione Offset di tensione e di corrente Alimentazione
DettagliD SISTEMI DI ELABORAZIONE DIGITALE DEI SEGNALI
Ingegneria dell Informazione Modulo SISTEMI ELETTRONICI D SISTEMI DI ELABORAZIONE DIGITALE DEI SEGNALI 10-Jan-02-1 1 Obiettivi del gruppo di lezioni D Analisi Sistemistica di soluzioni analogiche/digitali»
Dettagli= A v1 A v2 R o1 + R i2 A v A v1 A v2. se R i2 R o1
Amplificatori a due stadi STADIO 1 STADIO 2 R s R o1 R o2 v s + _ vi1 R i1 + A v1 v i1 _ v i2 R i2 + Av2vi2 _ vo2 RL A v v o2 v i1 = A v1 A v2 R i2 R o1 + R i2 A v A v1 A v2 se R i2 R o1 A.Nigro Laboratorio
DettagliProgettazione di filtri attivi passa-basso e passa-alto di ordine superiore
Progettazione di filtri attivi passabasso e passaalto di ordine superiore Collegando un numero opportuno di filtri del e del ordine è possibile ottenere filtri di ordine superiore, caratterizzati da una
DettagliModello di Ebers-Moll del transistore bipolare a giunzione
D Modello di Ebers-Moll del transistore bipolare a giunzione Un transistore bipolare è un dispositivo non lineare che può essere modellato facendo ricorso alle caratteristiche non lineari dei diodi. Il
DettagliStruttura del condensatore MOS
Struttura del condensatore MOS Primo elettrodo - Gate: realizzato con materiali a bassa resistività come metallo o silicio policristallino Secondo elettrodo - Substrato o Body: semiconduttore di tipo n
DettagliCircuiti a transistor
Appendice B Circuiti a transistor B.1 Amplificatore con transistor bjt Il circuito in fig. B.1 è un esempio di amplificatore a più stadi. Si utilizza una coppia differenziale di ingresso (T 1, T 2 ) con
DettagliAmplificatori Differenziali
Amplificatori Differenziali nei simboli non si esplicitano gli alimentatori DC, cioè Normalmente i circuiti che realizzano l amplificatore differenziale e operazionale non contengono un nodo elettricamente
DettagliGli amplificatori a transistore. L uso del MOSFET come amplificatore. L amplificatore a Source comune. Altre configurazioni
Gli amplificatori a transistore Gli amplificatori a transistore L amplificatore a Source comune Altre configurazioni L amplificatore a transistore bipolare 2 2006 Politecnico di Torino 1 Obiettivi dell
DettagliELETTRONICA APPLICATA E MISURE
Ingegneria dell Informazione ELETTRONICA APPLICATA E MISURE Dante DEL CORSO De3 ESERCIZI PARTI B e D» Esempi di esercizi da scritti di esame AA 2015-16 01/12/2015-1 ElapDe2-2014 DDC Page 1 2014 DDC 1 De3:
DettagliSommario. Presentazione xv Prefazione xvii L autore xx
Sommario Presentazione xv Prefazione xvii L autore xx CAPITOLO 1 Introduzione alla progettazione elettronica 1.1 Introduzione 1 1.2 Breve storia dell elettronica 1 1.3 Sistemi elettronici 3 Sensori 3 Attuatori
DettagliElenco risposte ambigue del Test TFA A034 (Elettronica) del 23/07/2012
Elenco risposte ambigue del Test TFA A034 (Elettronica) del 23/07/2012 Da un confronto con diversi colleghi riteniamo che le domande proposte per il TEST A034 del TFA siano TUTTE esatte ad eccezione delle
DettagliSoluzione: prof. Stefano Mirandola PRIMA PARTE. 1) 2) Schema a blocchi e progetto circuitale della catena di condizionamento.
ITEC - ELETTRONICA ED ELETTROTECNICA Sessione ordinaria 206 ARTICOLAZIONE ELETTRONICA Tema di: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA Soluzione: prof. Stefano Mirandola PRIMA PARTE ) 2) Schema a blocchi e progetto
DettagliELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n F - 5: Circuiti di Sample-Hold
ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n. 28 - F - 5: Circuiti di Sample-Hold Riferimenti al testo Millman-Grabel: Cap. 16: Signal conditioning
DettagliAmplificatori elementari con carico attivo MOSFET E connesso a diodo
Amplificatori elementari con carico attio MOSFET E connesso a diodo i ( ) = K g = µ C W L I V t m n OX G. Martines MOSFET DE connesso a diodo GS = 0, il transistore può funzionare in regione di triodo
DettagliGli amplificatori a transistore. L uso del MOSFET come amplificatore. L amplificatore a Source comune. Altre configurazioni
Gli amplificatori a transistore Gli amplificatori a transistore L uso del MOSFET come amplificatore L amplificatore a Source comune L amplificatore a transistore bipolare 2 2006 Politecnico di Torino 1
DettagliDEE POLITECNICO DI BARI LABORATORIO DI ELETTRONICA APPLICATA ESERCITAZIONE 2
POLITECNICO DI BARI DEE DIPARTIMENTO ELETTROTECNICA ELETTRONICA Via E. Orabona, 4 70125 Bari (BA) Tel. 080/5460266 - Telefax 080/5460410 LABORATORIO DI ELETTRONICA APPLICATA Circuito di autopolarizzazione
DettagliIl tema proposto può essere risolto seguendo due ipotesi:
Per la trattazione delle tecniche TDM, PM e Trasmissione dati si rimanda alle schede 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47 e 48 del libro Le Telecomunicazioni del Prof. F. Dell Aquila. Il tema proposto può essere
DettagliPOLITECNICO DI MILANO
POLITECNICO DI MILANO www.polimi.it ELETTRONICA per ingegneria BIOMEDICA prof. Alberto TOSI Sommario Transistore MOSFET Struttura Equazioni caratteristiche Curve caratteristiche Funzionamento come amplificatore
DettagliLSS ADC DAC. Piero Vicini A.A
LSS 2016-17 ADC DAC Piero Vicini A.A. 2016-2017 Conversione Digitale-Analogica La conversione digitale-analogica (DAC, Digital to Analog Conversion) permette di costruire una tensione V (o una corrente
DettagliMisure su linee di trasmissione
Appendice A A-1 A-2 APPENDICE A. Misure su linee di trasmissione 1) Misurare, in trasmissione o in riflessione, la lunghezza elettrica TL della linea. 2) Dal valore di TL e dalla lunghezza geometrica calcolare
DettagliISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n PONTEDERA (PI) ANNO SCOLASTICO 2005/2006 CORSO SPERIMENTALE LICEO TECNICO
ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n. 2-56025 PONTEDERA (PI) 0587 53566/55390 - Fax: 0587 57411 - : iti@marconipontedera.it - Sito WEB: www.marconipontedera.it ANNO SCOLASTICO
DettagliElettronica I - Laboratorio Didattico - BREVE INTRODUZIONE AGLI STRUMENTI DEL BANCO DI MISURA
Elettronica I - Laboratorio Didattico - BREVE INTRODUZIONE AGLI STRUMENTI DEL BANCO DI MISURA Generatore di Funzioni T T i - TG2000 Generatore di Funzioni T T i - TG2000 Genera i segnali di tensione Uscita
DettagliCross section and top view
The nmos Transistor Polysilicon Aluminum nmosfet VBS 0 and VBD 0 VB = 0 Cross section and top view Polysilicon gate Source n + L W Drain n + Bulk p+ L Top view Gate-bulk overlap t ox Gate oxide n + L n
DettagliCoppia differenziale MOS con carico passivo
Coppia differenziale MOS con carico passivo tensione differenziale v ID =v G1 v G2 e di modo comune v CM = v G1+v G2 2 G. Martines 1 Coppia differenziale MOS con carico passivo Funzionamento con segnale
DettagliPiano di lavoro preventivo
I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E S T A T A L E G u g l i e l m o M a r c o n i V e r o n a Piano di lavoro preventivo Anno Scolastico 2015/16 1 Materia Classe Docenti Materiali didattici
DettagliL amplificatore operazionale
L amplificatore operazionale terminali di input terminale di output Alimentazioni: massa nodo comune L amplificatore operazionale ideale Applichiamo 2 tensioni agli input 1 e 2 L amplificatore è sensibile
DettagliElettronica I - Laboratorio Didattico - BREVE INTRODUZIONE AGLI STRUMENTI DEL BANCO DI MISURA
Elettronica I - Laboratorio Didattico - BREVE INTRODUZIONE AGLI STRUMENTI DEL BANCO DI MISURA Generatore di Funzioni Tektronix CFG280 Generatore di Funzioni Tektronix CFG280 Genera i segnali di tensione
DettagliConvertitori Elettronici di Potenza
Convertitori Elettronici di Potenza Generatore Blocco di Potenza (commutazione) Carico/Rete V 1, f 1 V 2, f 2 Blocco di Controllo Schema di principio di un convertitore di potenza Classificazione dei Convertitori
DettagliIl campo di cattura deve coprire le possibili frequenze di portante, quindi da 50 a 55 MHz.
Prova scritta del 10/07/01 ver A tempo: 2 ore Esercizio 1) Un segnale modulato in ampiezza è formato da una portante con frequenza compresa tra 50 e 55 MHz, con segnale modulante che occupa la banda tra
DettagliCross section and top view
The nmos Transistor Polysilicon Aluminum nmosfet VBS 0 and VBD 0 VB = 0 Cross section and top view Polysilicon gate Source n + L W Drain n + Bulk p+ L Top view Gate-bulk overlap t ox Gate oxide n + L n
DettagliIl MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Il MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). a figura 1 mostra la sezione di una porzione di fetta di silicio in corrispondenza di un dispositio MOSFET a canale n. In condizioni di funzionamento
DettagliConvertitori Analogico-Digitali o ADC. Generalità
Convertitori Analogico-Digitali o ADC ipi di convertitori Flash Ad approssimazioni successive Subranging Integratori a singola/doppia rampa, multislope Sigma delta Caratterizzazione degli ADC 1 Generalità
DettagliDispositivi e Tecnologie Elettroniche. Il transistore MOS
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Il transistore MOS Il transistore MOS La struttura MOS a due terminali vista può venire utilizzata per costruire un condensatore integrato È la struttura base del
DettagliProgetto di filtri numerici IIR da filtri analogici
Filtri selettivi 1. Butterworth: monotono nella banda passante e nella banda oscura 2. Chebyshev: oscillazione uniforme nella banda passante e monotona nella banda oscura 3. Ellittico: oscillazione uniforme
DettagliMotori Motore passo-passo Stadio di potenza PWM Sincrono Stadio di potenza del motore passopasso. Blocchi funzionali. Set point e generatore PWM
RC1 Blocchi funzionai Motori a corrente continua Generatori Circuiti per il controllo dei motori in CC Motori a corrente alternata Circuiti per il controllo dei motori in CA Motori passo-passo Circuiti
DettagliDispositivi elettronici Esperienze di laboratorio
Dispositivi elettronici Esperienze di laboratorio Universitá degli Studi di L Aquila Massimo Lucresi Luigi Pilolli Mariano Spadaccini maggio 2002 Esperienza n. 1 Analisi della risposta in frequenza di
DettagliUNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI SIENA
UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI SIENA Facoltà di Ingegneria Esercitazioni di Elettronica II Tommaso Addabbo - Valerio Vignoli Ultima revisione: 13 novembre 2008 Copyright c 2007 TOMMASO ADDABBO - VALERIO VIGNOLI.
DettagliAmplificazione DL 3155M14 DL 3155E14. Circuiti Amplificatori a Transistor AMPLIFICAZIONE. Blocchi funzionali. Argomenti teorici.
Amplificazione Amplificazione lineare di corrente, tensione e potenza Amplificatori BJT: configurazioni EC, CC e BC Stabilità termica di un amplificatore lineare Linea di carico statica e dinamica Pre-amplificatori
DettagliITIS H. HERTZ A.S. 2009/2010 Classe IV Corso Serale - Progetto Sirio Programmazione preventiva del Corso di ELETTRONICA
ITIS H. HERTZ A.S. 2009/2010 Classe IV Corso Serale - Progetto Sirio Programmazione preventiva del Corso di ELETTRONICA OBIETTIVI FORMATIVI GENERALI DELLA DISCIPLINA L allievo deve essere in grado di:
DettagliFONDAMENTI DI ELETTRONICA - 2 a prova 4 febbraio 2003
Ù FONDAMENTI DI ELETTRONICA - 2 a prova 4 febbraio 2003 Esercizio 1 1) Si consideri il circuito riportato in figura. Si supponga che l amplificatore operazionale sia ideale (A, Z in, Z out =0).Si determini
DettagliMisure con l oscilloscopio (e non) su circuiti con amplificatori operazionali
Misure con l oscilloscopio (e non) su circuiti con amplificatori operazionali Edgardo Smerieri Laura Faè PLS - AIF - Corso Estivo di Fisica Genova 2009 Amplificatore operazionale perché? Moltiplicazione
DettagliElettronica I Risposta in frequenza e guadagno in decibel
Elettronica I isposta in frequenza e guadagno in decibel Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema email: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/
DettagliELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso Prof. Pierluigi Civera Esercitazioni e laboratorio: Ing. Claudio Sansoe. Politecnico di Torino
ELETTRONICA II Lezioni: Prof. Dante Del Corso Prof. Pierluigi Civera Esercitazioni e laboratorio: Ing. Claudio Sansoe Politecnico di Torino Lezioni Gruppo B rev 7 Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo
DettagliDispositivi e Tecnologie Elettroniche. Stadi Amplificatori MOSFET
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Stadi Amplificatori MOSFET Esercizio 1: si consideri il seguente circuito per la polarizzazione del MOSFET: VDD=15 V R2=560K RD=2.2 K G R1=180K D B VTn=1.5V Βn=20mA/V^2
DettagliMOSFET o semplicemente MOS
MOSFET o semplicemente MOS Sono dei transistor e come tali si possono usare come dispositivi amplificatori e come interruttori (switch), proprio come i BJT. Rispetto ai BJT hanno però i seguenti vantaggi:
DettagliAmplificatori operazionali
Amplificatori operazionali Parte 3 www.die.ing.unibo.it/pers/mastri/didattica.htm (versione del 6--) Integratore Dato che l ingresso invertente è virtualmente a massa si ha vi ( t) ir ( t) R Inoltre i
DettagliT10 CONVERTITORI A/D E D/A
T10 CONVERTITORI A/D E D/A T10.1 Esplicitare i seguenti acronimi riguardanti i convertitori A/D e D/A: ADC.. DAC.. LSB.. SAR... S&H.. T10.2 Quanto vale l intervallo di quantizzazione in un ADC a 8 bit
DettagliCircuiti a microonde attivi in regime di grandi segnali
Circuiti a microonde attivi in regime di grandi segnali In un circuito a microonde che comprende elementi attivi (transistor) pilotati con livelli di potenza non sono trascurabili, si genera distorsione
DettagliIndice. 0.1 Prefazione... ix
Indice 0.1 Prefazione............................ ix 1 METODI GENERALI DI ANALISI 3 1.1 Gradi di libertà, vincoli e metodo della matrice sparsa... 3 1.1.1 Esempio sul metodo della matrice sparsa.......
DettagliSommario CAPITOLO 1 CAPITOLO 2. iii. Le grandezze elettriche... 1. I componenti circuitali... 29
Sommario CAPITOLO 1 Le grandezze elettriche............................... 1 1-1 Progetto proposto Regolatore di flusso............................ 2 1-2 I primordi delle scienze elettriche.................................
DettagliSimulazione elettronica analogica con Spice. Progetto finale: Alimentatori Lineari e Switching
STAGE&ESTIVI&RESIDENZIALI&2017 Simulazione elettronica analogica con Spice Progetto finale: Alimentatori Lineari e Switching Alessio Passaquieti - 1 Caratteristiche generali del simulatore: I programmi
DettagliGeneratori di segnale. Generatore sinusoidale BF. Generatori di funzione. Generatori sinusoidali a RF. Generatori a battimenti. Oscillatori a quarzo
Generatori di segnale Generatori di funzione Generatori sinusoidali a RF Generatori a battimenti Oscillatori a quarzo Generatori di segnale sintetizzati Generatori per sintesi indiretta 2 2006 Politecnico
DettagliAppunti di Elettronica per Fisici
Università degli Studi di Firenze Dipartimento di Fisica Marcello Carlà Appunti di Elettronica per Fisici A.A. 2010-2011 Copyright c 2005-2010 Marcello Carlà Ogni riproduzione completa o parziale di questo
DettagliISTITUTO ISTRUZIONE SUPERIORE "L. EINAUDI" ALBA ANNO SCOLASTICO 2016/2017
ISTITUTO ISTRUZIONE SUPERIORE "L. EINAUDI" ALBA ANNO SCOLASTICO 2016/2017 CLASSE 4 I Disciplina: Elettrotecnica ed Elettronica PROGETTAZIONE DIDATTICA ANNUALE Elaborata dai docenti: Linguanti Vincenzo,
DettagliCAPITOLO 7 DISPOSITIVI INTEGRATI ANALOGICI
139 CAPTOLO 7 DSPOSTV NTEGRAT ANALOGC Negli amplificatori la necessità di ottenere elevate impedenze ed elevati guadagni impone spesso l utilizzo di resistenze di valore molto alto; inoltre l accoppiamento
DettagliIl diodo come raddrizzatore (1)
Il diodo come raddrizzatore () 220 V rms 50 Hz Come trasformare una tensione alternata in una continua? Il diodo come raddrizzatore (2) 0 Vγ La rettificazione a semionda Il diodo come raddrizzatore (3)
DettagliLa configurazione di base per comprendere il funzionamento del transistor bipolare è quella detta emettitore in comune:
Transistor (cenni) Il transistor è un componente elettronico detto quadripolo attivo, che abbisogna cioè di alimentazione esterna per entrare in funzione. Si devono distinguere intanto le due familie logiche
Dettagliconvertitore D/A convertitore A/D
n bit linee digitali N =2 n livelli range o dinamica tensione analogica d'ingresso IN IN convertitore D/A convertitore A/D OUT 1 filo linea analogica la tensione v out è quantizzata OUT n bit o N livelli
DettagliElettronica per le telecomunicazioni 30/10/2004
Elettronica per le telecomunicazioni 3/1/24 Elettronica per le telecomunicazioni Conversione nalogico/igitale e igitale/nalogico C.2 - Convertitori / classificazione errori, trutture base Esempi di circuiti
DettagliCoppia differenziale con BJT e carico passivo
oppia ifferenziale con BJ e carico passivo tensione ifferenziale e i moo comune: v v v B1 B v M v + v B1 B risposta al segnale i moo comune G. Martines 1 oppia ifferenziale con BJ e carico passivo Saturazione
Dettagli. Nota: le tensioni dono riferite all'ingresso ed all'uscita dello stesso circuito. G. Martines 1
Invertitore logico (NOT) La caratteristica di trasferimento in tensione (VTC) Per un ingresso logico 0, cioè v I V IL l'uscita logica è 1, cioè v O V OH ; per ingresso 1 cioè v I V IH uscita 0, cioè v
DettagliQuesta parte tratta le problematiche del pilotaggio low-side di carichi di potenza: Pilotaggio low-side con MOS. Pilotaggio low-side con BJT
Interruttori allo stato solido 1 Questa parte tratta le problematiche del pilotaggio low-side di carichi di potenza: con MOS con BJT Velocità di commutazione MOS Velocità di commutazione BJT 2 2003 Politecnico
DettagliCONVERSIONE ANALOGICO-DIGITALE E DIGITALE-ANALOGICA
CONVERSIONE ANALOGICO-DIGITALE E DIGITALE-ANALOGICA Università di Palermo Elettronica digitale II Giuseppe Caruso 1 ELABORAZIONE ANALOGICA O DIGITALE DEI SEGNALI Elaborazione analogica Trasduttore d ingresso
DettagliElaborazione analogica dei segnali
Capitolo 3 Elaborazione analogica dei segnali In questi appunti si è già visto più volte come una rete può essere descritta da un opportuno sistema di equazioni. Risolvendo le equazioni si ottiene la descrizione
DettagliElaborazione numerica dei segnali
POLITECNICO DI TORINO Elaborazione numerica dei segnali Progetto di un filtro FIR Fiandrino Claudio Matricola: 138436 18 giugno 21 Relazione sul progetto di un filtro FIR Descrizione del progetto L obbiettivo
DettagliAmplificatore logaritmico
Elettronica delle Telecomunicazioni Esercitazione 2 mplificatore logaritmico ev 1 981208 GV, S ev 2 990617 DDC Specifiche di progetto Progettare un amplificatore con funzione di trasferimento logaritmica
Dettagli