ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 3 - A - 3:

ELETTRONICA II. Caratteristiche I C,V CE. Transistori in commutazione - 2 I C. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino

ELETTRONICA II Caratteristiche I C,V CE Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino I C zona attiva Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 2 - A - 2: Transistori BJT in commutazione zona di

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n. 29- F - 6: Sistemi di acquisizione

ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n. 29- F - 6: Sistemi di acquisizione Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo F.b - 6 n. 1-14/11/97

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 2 - A - 2:

ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 2 - A - 2: Transistori BJT in commutazione Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo A - 8 n.

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte E: Circuiti misti analogici e digitali Lezione n E - 1:

ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte E: Circuiti misti analogici e digitali Lezione n. 19 - E - 1: Comparatori di soglia Comparatori con isteresi Circuiti misti analogici

MOSFET o semplicemente MOS

MOSFET o semplicemente MOS Sono dei transistor e come tali si possono usare come dispositivi amplificatori e come interruttori (switch), proprio come i BJT. Rispetto ai BJT hanno però i seguenti vantaggi:

Elettronica I Porte logiche CMOS

Elettronica I Porte logiche CMOS Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/ liberali Elettronica

Elettronica dei Sistemi Digitali Le porte logiche CMOS

Elettronica dei Sistemi Digitali Le porte logiche CMOS Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/

Porte logiche in tecnologia CMOS

Porte logiche in tecnologia CMOS Transistore MOS = sovrapposizione di strati di materiale con proprietà elettriche diverse tra loro (conduttore, isolante, semiconduttore) organizzati in strutture particolari.

Questa parte tratta le problematiche del pilotaggio low-side di carichi di potenza: Pilotaggio low-side con MOS. Pilotaggio low-side con BJT

Interruttori allo stato solido 1 Questa parte tratta le problematiche del pilotaggio low-side di carichi di potenza: con MOS con BJT Velocità di commutazione MOS Velocità di commutazione BJT 2 2003 Politecnico

Stadi Amplificatori di Base

Stadi Amplificatori di Base Biagio Provinzano Marzo 2005 Ipotesi di lavoro: i) Transistor npn acceso ed in zona attiva v BE 1 0.7V e v C >v B ii) Consideriamo un classico schema di polarizzazione con quattro

Logica cablata (wired logic)

Logica cablata (wired logic) Cosa succede quando si collegano in parallelo le uscite di più porte appartenenti alla stessa famiglia logica? Si realizza una ulteriore funzione logica tra le uscite Le porte

Pilotaggio high-side

Interruttori allo stato solido Introduzione Il pilotaggio high-side è più difficile da realizzare del low-side in quanto nel secondo un capo dell interruttore è a massa Non sempre è possibile il pilotaggio

Elettronica Inverter con transistore MOS; tecnologia CMOS e porte logiche combinatorie CMOS

Elettronica Inverter con transistore MOS; tecnologia CMOS e porte logiche combinatorie CMOS Valentino Liberali Dipartimento di Fisica Università degli Studi di Milano valentino.liberali@unimi.it Elettronica

COMPONENTI ELETTRONICI DI POTENZA

COMPONENTI ELETTRONICI DI POTENZA 1. Classificazione 2. Diodo 3. Tiristore 4. GTO 5. BJT 6. MOSFET 7. IGBT 8. MCT Angelo Tani Azionamenti Elettrici 1 Componenti elettronici di potenza: classificazione

3.1 Verifica qualitativa del funzionamento di un FET

Esercitazione n. 3 Circuiti con Transistori Rilevamento delle curve caratteristiche Questa esercitazione prevede il rilevamento di caratteristiche V(I) o V2(V1). In entrambi i casi conviene eseguire la

POLITECNICO DI MILANO

POLITECNICO DI MILANO www.polimi.it ELETTRONICA per ingegneria BIOMEDICA prof. Alberto TOSI Sommario Transistore MOSFET Struttura Equazioni caratteristiche Curve caratteristiche Funzionamento come amplificatore

A.S. 2014/15 CLASSE 4 BEE MATERIA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA

A.S. 2014/15 CLASSE 4 BEE MATERIA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA UNITA DI APPRENDIMENTO 1: RETI ELETTRICHE IN DC E AC Essere capace di applicare i metodi di analisi e di risoluzione riferiti alle grandezze

I.I.S.S. G. CIGNA MONDOVI

I.I.S.S. G. CIGNA MONDOVI PROGRAMMAZIONE INDIVIDUALE ANNO SCOLASTICO 2016-2017 CLASSE QUARTA A TRIENNIO TECNICO-ELETTRICO MATERIA ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA DOCENTE BONGIOVANNI DARIO MATTEO LIBRI DI

Informazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento. caratteristiche e tipologie di moduli. Circuiti con operazionali reazionati

Elettronica per telecomunicazioni 1 Contenuto dell unità A Informazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento caratteristiche e tipologie di moduli Circuiti con operazionali reazionati

Amplificatori elementari con carico attivo MOSFET E connesso a diodo

Amplificatori elementari con carico attio MOSFET E connesso a diodo i ( ) = K g = µ C W L I V t m n OX G. Martines MOSFET DE connesso a diodo GS = 0, il transistore può funzionare in regione di triodo

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n F - 3: Convertitori A/D

ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n. 26 - F - 3: Convertitori A/D Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo F a - 6 n. 1-14/11/97 Rete

L'INDUZIONE ELETTROSTATICA E IL COMANDO DI TENSIONE DEL GATE DEL MOSFET

STRUTTURA COSTRUTTIVA DEL MOSFET (Adattamento da http://users.unimi.it/metis/metis-3mkb/courseware/fet/indice%20mosfet.htm ) Il transistor MOS si presenta costruito fisicamente come nella figura accanto.

Indice. Cap. 1 Il progetto dei sistemi elettronici pag. 1

Indice Cap. 1 Il progetto dei sistemi elettronici pag. 1 1.1 Oggetto dello studio 1 1.2 Concezione, progetto e produzione del sistema elettronico 5 1.3 Il circuito di interfaccia di ingresso 13 1.4 Il

Esercitazione n 2: Circuiti di polarizzazione (2/2)

Esercitazione n 2: Circuiti di polarizzazione (2/2) 1) Per il circuito di in Fig. 1 dimensionare R in modo tale che la corrente di collettore di Q 1 sia 5 ma. Siano noti: V CC = 15 V; β = 150; Q1 = Q2

Tecnologie per l'elettronica digitale. Parametri Componenti elettronici Porte a diodi RTL, TTL CMOS

Tecnologie per l'elettronica digitale Parametri Componenti elettronici Porte a diodi RTL, TTL CMOS Codifica digitale dell informazione Superare l effetto del rumore Non eliminabile dai circuiti analogici

4 STRUTTURE CMOS. 4.1 I componenti CMOS

4.1 4 STRUTTURE CMOS 4.1 I componenti CMOS Un componente MOS (Metal-Oxide-Silicon) transistor è realizzato sovrapponendo vari strati di materiale conduttore, isolante, semiconduttore su un cristallo di

Lezione A0 Elettronica per l informatica Indice della lezione A0 Elettronica per l informatica Ruolo di questo corso Obiettivi di questo corso

Lezione A0 : sistema di acquisizione dati ichiami su condizionamento di segnale Indice della lezione A0 : sistema di acquisizione dati ichiami su condizionamento di segnale 3 4 uolo di questo corso Obiettivi

Dispositivi unipolari Il contatto metallo-semiconduttore Il transistor JFET Il transistor MESFET Il diodo MOS Il transistor MOSFET

Dispositivi unipolari Il contatto metallo-semiconduttore Il transistor JFET Il transistor MESFET Il diodo MOS Il transistor MOSFET 1 Contatti metallo semiconduttore (1) La deposizione di uno strato metallico

RELAZIONE DI TELECOMUNICAZIONI ITIS Vobarno Titolo: I Transistor

RLAZION DI TLCOMUNICAZIONI ITIS Vobarno Titolo: I Transistor Nome: Samuele Sandrini 4AT 05/10/14 Un transistor a giunzione bipolare (BJT Bipolar Junction Transistor) è formato da tre zone di semiconduttore

ITIS H. HERTZ A.S. 2009/2010 Classe IV Corso Serale - Progetto Sirio Programmazione preventiva del Corso di ELETTRONICA

ITIS H. HERTZ A.S. 2009/2010 Classe IV Corso Serale - Progetto Sirio Programmazione preventiva del Corso di ELETTRONICA OBIETTIVI FORMATIVI GENERALI DELLA DISCIPLINA L allievo deve essere in grado di:

Indice generale. Prefazione. Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1. Capitolo 2. Analisi in frequenza e reti STC 39

Indice generale Prefazione xi Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1 1.1. Bipoli lineari 1 1.1.1. Bipoli lineari passivi 2 1.1.2. Bipoli lineari attivi 5 1.2. Metodi di risoluzione delle reti 6

IL MOSFET.

IL MOSFET Il MOSFET è certamente il più comune transistor a effetto di campo sia nei circuiti digitali che in quelli analogici. Il MOSFET è composto da un substrato di materiale semiconduttore di tipo

Programma (Svolto) Anno Scolastico 2014/15

I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E S T A T A L E G u g l i e l m o M a r c o n i V e r o n a Programma (Svolto) Anno Scolastico 2014/15 Materia Classe Tpe Quarta Ae Modulo 1: I semiconduttori

I.P.S.I.A. Di BOCCHIGLIERO Multivibratori astabili ---- Materia: Elettronica. prof. Ing. Zumpano Luigi. Catalano, Iacoi e Serafini

I.P.S.I.A. Di BOHIGLIERO a.s. 2010/2011 classe III Materia: Elettronica Multivibratori astabili alunni atalano, Iacoi e Serafini prof. Ing. Zumpano Luigi Generalità Si definiscono multivibratori quei dispositivi

ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n PONTEDERA (PI) ANNO SCOLASTICO 2005/2006 CORSO SPERIMENTALE LICEO TECNICO

ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n. 2-56025 PONTEDERA (PI) 0587 53566/55390 - Fax: 0587 57411 - : iti@marconipontedera.it - Sito WEB: www.marconipontedera.it ANNO SCOLASTICO

ESPERIMENTAZIONI DI FISICA 3. Traccia delle lezioni di Elettronica digitale M. De Vincenzi A.A:

ESPERIMENTZIONI DI FISIC 3 Traccia delle lezioni di Elettronica digitale M. De Vincenzi.: 22-23 Contenuto. Sistemi elettrici a 2 livelli 2. lgebra di oole Definizione Sistemi funzionali completi Leggi

{ v c 0 =A B. v c. t =B

Circuiti RLC v c t=ae t / B con τ=rc e { v c0=ab v c t =B Diodo La corrente che attraversa un diodo quando questo è attivo è i=i s e v /nv T n ha un valore tra e. Dipende dalla struttura fisica del diodo.

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. Punto di funzionamento a riposo

I dispositivi a giunzione I dispositivi a giunzione La giunzione pn in equilibrio termodinamico La caratteristica statica Effetti capacitivi Analisi di piccolo segnale Il transistore bipolare Modelli del

I transistor mosfet e jfet

Capitolo 7 I transistor mosfet e jfet 7.1 Struttura del transistor mosfet La sigla mosfet è un acronimo per Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (transistor ad effetto di campo di tipo metallo-ossido-semiconduttore).

Laboratorio di Elettronica T Esperienza 5 PSPICE

Laboratorio di Elettronica T Esperienza 5 PSPICE Postazione N Cognome Nome Matricola 1) Misura della resistenza La corrente nel circuito che dovrete analizzare nel seguito verrà misurata indirettamente

Circuiti con diodi e resistenze: Analisi e Progetto

Circuiti con diodi e resistenze: Analisi e Progetto Esercizio 1: Calcolare e descrivere graficamente la caratteristica di trasferimento del seguente circuito: 1 D 3 110 KΩ 5 KΩ 35 KΩ V z3 5 V Svolgimento

Elettronica I Il transistore bipolare a giunzione

Elettronica I Il transistore biolare a giunzione Valentino Liberali Diartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it htt://www.dti.unimi.it/ liberali

Lo schema a blocchi del circuito integrato Timer 555 è il seguente:

Il timer 555 è un circuito integrato progettato allo scopo di fornire impulsi di durata prestabilita. In pratica il timer 555 è un temporizzatore. Lo schema a blocchi del circuito integrato Timer 555 è

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n F - 4: Circuiti per convertitori A/D

ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n. 27 - F - 4: Circuiti per convertitori A/D Sistemi di conversione A/D e D/A - 3 Caratteristica I/O

il diodo a giunzione transistori ad effetto di campo (FETs) il transistore bipolare (BJT)

Contenuti del corso Parte I: Introduzione e concetti fondamentali richiami di teoria dei circuiti la simulazione circuitale con SPICE elementi di Elettronica dello stato solido Parte II: ispositivi Elettronici

Elettronica Digitale. 1. Sistema binario 2. Rappresentazione di numeri 3. Algebra Booleana 4. Assiomi A. Booleana 5. Porte Logiche OR AND NOT

Elettronica Digitale. Sistema binario 2. Rappresentazione di numeri 3. Algebra Booleana 4. Assiomi A. Booleana 5. Porte Logiche OR AND NOT Paragrafi del Millman Cap. 6 6.- 6.4 M. De Vincenzi AA 9- Sistema

PROVA SCRITTA DI CIRCUITI ELETTRONICI ELEMENTARI (D.M. 270/04) 27/01/2017 [A] PROVA SCRITTA DI FONDAMENTI DI ELETTRONICA (D.M

PROVA SCRITTA DI CIRCUITI ELETTRONICI ELEMENTARI (D.M. 270/04) 27/01/2017 [A] PROVA SCRITTA DI FONDAMENTI DI ELETTRONICA (D.M. 270/04) 27/01/2017 [B] ESERCIZIO 1 [A] [B] DATI: β = 100; k = 4 ma/v 2 ; VTH

CLASSIFICAZIONI E SCELTA DEI TRANSISTOR

CLASSIFICAZIONI E SCELTA DEI TRANSISTOR La grande varietà dei campi applicativi, la continua evoluzione tecnologica e la concorenza commerciale hanno portato ad un numero impressionante di tipi di diodi

TRANSISTOR DI POTENZA

TRANSISTOR DI POTENZA I transistor di potenza sono principalmente utilizzati nel controllo dei motori, in campo automobilistico, negli alimentatori, negli stadi finali degli amplificatori (audio, RF, ).

J e:gi UNZI ONEBASEEMETTI TORE J c:gi UNZI ONEBASECOLLETTORE IL TRANSISTOR AD EFFETTO DI CAMPO A GIUNZIONE, j FET (Shockley, 1951) E un componente che ha una sola giunzione p n. Geometria didattica

Progettazione Analogica e Blocchi Base

Progettazione Analogica e Blocchi Base Lucidi del Corso di Circuiti Integrati Università di Cagliari Dipartimento di Ingegneria Elettrica ed Elettronica Laboratorio di Elettronica (EOLAB) Blocchi base

Elettronica per le telecomunicazioni

POLITECNICO DI TORINO Elettronica per le telecomunicazioni Formulario Anno Accademico 2009/2010 Filtri Filtri del secondo ordine In generale la funzione di trasferimento è: H(s) = a 2 s 2 + a 1 s + a 0

Circuiti statici, dinamici e circuiti sequenziali. Esercizio A 15/07/2007

ircuiti statici, dinamici e circuiti sequenziali. Esercizio A 15/07/007 Il circuito di figura è statico o dinamico? Illustrare la funzione del transistore TR Il transistor TR ha il compito di mantenere

Il MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

Il MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). a figura 1 mostra la sezione di una porzione di fetta di silicio in corrispondenza di un dispositio MOSFET a canale n. In condizioni di funzionamento

CAPITOLO 7 DISPOSITIVI INTEGRATI ANALOGICI

139 CAPTOLO 7 DSPOSTV NTEGRAT ANALOGC Negli amplificatori la necessità di ottenere elevate impedenze ed elevati guadagni impone spesso l utilizzo di resistenze di valore molto alto; inoltre l accoppiamento

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte E: Circuiti misti analogici e digitali Lezione n. 23 - E - 5:

ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte E: Circuiti misti analogici e digitali Lezione n. 23 - E - 5: Oscillatori a quarzo Astabili e multivibratori Elettronica II - Dante Del

Piano di lavoro preventivo

I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E S T A T A L E G u g l i e l m o M a r c o n i V e r o n a Piano di lavoro preventivo Anno Scolastico 2015/16 1 Materia Classe Docenti Materiali didattici

Sistemi elettronici di conversione

Sistemi elettronici di conversione (conversione ac-dc, ac-ac, dc-dc, dc-ac) C. Petrarca Cenni su alcuni componenti elementari Diodo, tiristore, contattore statico, transistore Interruttore ideale interruttore

Curva caratteristica del transistor

Curva caratteristica del transistor 1 AMPLIFICATORI Si dice amplificatore un circuito in grado di aumentare l'ampiezza del segnale di ingresso. Un buon amplificatore deve essere lineare, nel senso che

SISTEMI ELETTRONICI. Sistemi Elettronici. Ingegneria dell Informazione. A - INTRODUZIONE A.1 - Scomposizione funzionale. Lezione 1.

Ingegneria dell Informazione SISTEMI ELETTRONICI A - INTRODUZIONE A.1 - Scomposizione funzionale obiettivi organizzazione e struttura del modulo livelli di descrizione 020422-1 SisElnTA1-2002 DDC Lezione

LABORATORIO DI ELETTRONICA OGGETTO: RILIEVO DELLE CURVE CARATTERISTICHE DI USCITA DI UN TRANSISTOR JFET A CANALE N SCHEMA

ALUNNO: Fratto Claudio CLASSE: IV B Informatico ESERCITAZIONE N : 6 LABORATORIO DI ELETTRONICA OGGETTO: RILIEVO DELLE CURVE CARATTERISTICHE DI USCITA DI UN TRANSISTOR JFET A CANALE N SCHEMA 1 STRUMENTI

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso Prof. Pierluigi Civera Esercitazioni e laboratorio: Ing. Claudio Sansoe. Politecnico di Torino

ELETTRONICA II Lezioni: Prof. Dante Del Corso Prof. Pierluigi Civera Esercitazioni e laboratorio: Ing. Claudio Sansoe Politecnico di Torino Lezioni Gruppo B rev 7 Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n F - 5: Circuiti di Sample-Hold

ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte F: Conversione A/D e D/A Lezione n. 28 - F - 5: Circuiti di Sample-Hold Riferimenti al testo Millman-Grabel: Cap. 16: Signal conditioning

Gli amplificatori a transistore. L uso del MOSFET come amplificatore. L amplificatore a Source comune. Altre configurazioni

Gli amplificatori a transistore Gli amplificatori a transistore L amplificatore a Source comune Altre configurazioni L amplificatore a transistore bipolare 2 2006 Politecnico di Torino 1 Obiettivi dell

Coppia differenziale MOS con carico passivo

Coppia differenziale MOS con carico passivo tensione differenziale v ID =v G1 v G2 e di modo comune v CM = v G1+v G2 2 G. Martines 1 Coppia differenziale MOS con carico passivo Funzionamento con segnale

A.S. 2015/16 CLASSE 3 AEE MATERIA: ELETTRONICA/ELETTROTECNICA UNITA DI APPRENDIMENTO 1: SICUREZZA ELETTRICA

A.S. 2015/16 CLASSE 3 AEE MATERIA: ELETTRONICA/ELETTROTECNICA UNITA DI APPRENDIMENTO 1: SICUREZZA ELETTRICA Essere consapevole dei rischi e dei pericoli legati all utilizzo della corrente elettrica. Valutazione

Lezione A3 - DDC

Elettronica per le telecomunicazioni Unità A: Amplificatori, oscillatori, mixer Lezione A.3 Punto di funzionamento, guadagno e banda distorsioni, rumore, 1 Contenuto dell unità A Lezione A3 Informazioni

Elaborato di Elettronica Digitale C.d.L. in Ingegneria Elettronica Anno accademico 02/ 03

Elaborato di Elettronica Digitale C.d.L. in Ingegneria Elettronica Anno accademico 0/ 03 Alfredo Caferra 58/463 OGGETTO DELL ELABORATO Per una SRAM con celle di memoria NMOS a 4 transistori con bit lines

Il TRANSISTOR. Il primo transistor della storia

Il TRANSISTOR Il primo transistor della storia Inventori del Transistor Il Transistor Bipolare a Giunzione (BJT) è stato inventato nei laboratori BELL nel 1948, da tre fisici: John Bardeen Walter Brattain,

Elettronica digitale. Elettronica digitale. Corso di Architetture degli Elaboratori

Elettronica digitale Elettronica digitale Corso di Architetture degli Elaboratori Elettroni di valenza 1 Elettroni di valenza Gli elettroni nello strato esterno di un atomo sono detti elettroni di valenza.

Elettronica I - Laboratorio Didattico - BREVE INTRODUZIONE AGLI STRUMENTI DEL BANCO DI MISURA

Elettronica I - Laboratorio Didattico - BREVE INTRODUZIONE AGLI STRUMENTI DEL BANCO DI MISURA Generatore di Funzioni T T i - TG2000 Generatore di Funzioni T T i - TG2000 Genera i segnali di tensione Uscita

I.P.S.I.A. Di BOCCHIGLIERO Caratteristiche Statiche a emettitore comune ---- Materia: Tecnica professionale. Flotta Saverio - Pugliesi Bruno

I.P.S.I.A. Di BOCCHIGLIERO a.s. 21/211 -classe II- Materia: Tecnica professionale ---- Caratteristiche Statiche a emettitore comune ---- alunni Flotta Saverio - Pugliesi Bruno prof. Ing. Zumpano Luigi

Gli amplificatori a transistore. L uso del MOSFET come amplificatore. L amplificatore a Source comune. Altre configurazioni

Gli amplificatori a transistore Gli amplificatori a transistore L uso del MOSFET come amplificatore L amplificatore a Source comune L amplificatore a transistore bipolare 2 2006 Politecnico di Torino 1

Laboratorio Didattico Integrato Elettronica - Circuiti LADEC. Guida alle esercitazioni per il corso di. Microelettronica. V. Carboni, C.

Laboratorio Didattico Integrato Elettronica - Circuiti LADEC Guida alle esercitazioni per il corso di Microelettronica V. Carboni, C. Turchetti A.A. 997/98 Dipartimento di Elettronica ed Automatica Laboratorio

Tipi di amplificatori e loro parametri

Amplificatori e doppi bipoli Amplificatori e doppi bipoli Introduzione e richiami Simulatore PSPICE Amplificatori Operazionali e reazione negativa Amplificatori AC e differenziali Amplificatori Operazionali

I dispositivi elettronici. Dispense del corso ELETTRONICA L

I dispositivi elettronici Dispense del corso ELETTRONICA L Sommario I semiconduttori La giunzione pn Il transistor MOS Cenni sul principio di funzionamento Modellizzazione Fenomeni reattivi parassiti Top-down

Page 1. Sistemi Elettronici SISTEMI ELETTRONICI. SisElnTA DDC 1. Ingegneria dell Informazione. Lezione 1. Docenti

SISTEMI ELETTRONICI A - INTRODUZIONE A.1 - Scomposizione funzionale obiettivi organizzazione e struttura del modulo livelli di descrizione Ingegneria dell Informazione Lezione 1 Docenti Vincenzo Pozzolo

Il fan-out dinamico, o in alternata, o in AC, è il principale fattore limite in molti casi reali proprio perché impone una limitazione della velocità

Il fan-out dinamico, o in alternata, o in AC, è il principale fattore limite in molti casi reali proprio perché impone una limitazione della velocità di trasferimento dati. Esempio: Si supponga che ai

Amplificatori a FET. Amplificatore a source comune (C.S.) Vdd. Rd R1. C2 out C Rg in. out

Amplificatori a FET Per realizzare un amplificatore a FET, il dispositivo va polarizzato regione attiva (cioè nella regione a corrente costante, detta anche zona di saturazione della corrente). Le reti

Amplificatore logaritmico

Elettronica delle Telecomunicazioni Esercitazione 2 mplificatore logaritmico ev 1 981208 GV, S ev 2 990617 DDC Specifiche di progetto Progettare un amplificatore con funzione di trasferimento logaritmica

Memorie a semiconduttore e tecnologia

Memorie a semiconduttore e tecnologia Memorie a semiconduttore e tecnologia Architettura di una memoria Memorie non volatili Memorie a scrittura e lettura Tecnologia dei semiconduttori Processi di base

Prova scritta del 14 Luglio 2009 (secondo appello)

A.A. 2008-2009 - Corso di Teoria dei Circuiti Digitali Docente: Prof. Simone Buso Prova scritta del 4 Luglio 2009 (secondo appello) Cognome e nome: Matricola: Risolvere i seguenti problemi, indicando le

OSCILLATORE A PONTE DI WIEN

Istituto Professionale di Stato per l Industria e l Artigianato MOETTO Via Apollonio n BESCIA OSCILLATOE A PONTE DI WIEN Gruppo di lavoro : UDELLI ELIO VASSALINI GIUSEPPE Classe 5AI TIEE corso per Tecnici

Regolatori di tensione dissipativi. Regolatori LDO. Schema elettrico. Stabilità LDO Politecnico di Torino 1

Regolatori di tensione dissipativi 1 Schema elettrico Stabilità LDO 2 2003 Politecnico di Torino 1 Schema elettrico 3 Efficienza La tensione di headroom crea dei problemi: Alta potenza dissipata (necessita

v DS v GS 0 BV DSS 0 V GS(th) Fig.1 a) Caratteristica i D -v DS ; b)caratteristica i D -v GS

1.1 Caratteristica Tensione-Corrente di un MOSFET Il Mosfet è un dispositivo a tre terminali dove il terminale di ingresso (la gate) controlla il flusso di corrente tra i due terminali di uscita (Drain,

Elettronica per telecomunicazioni

Elettronica per telecomunicazioni 1 Cosa c è nell unità corso Elettronica per telecomunicazioni 0: presentazione (questa lezione) A: amplificatori, filtri, oscillatori, mixer B: circuiti ad aggancio di

Soluzione di circuiti RC ed RL del primo ordine

Principi di ingegneria elettrica Lezione 11 a parte 2 Soluzione di circuiti RC ed RL del primo ordine Metodo sistematico Costante di tempo Rappresentazione del transitorio Metodo sistematico per ricavare

Esperimentazioni di Fisica 3. Appunti sugli. Amplificatori Differenziali. M De Vincenzi

Esperimentazioni di Fisica 3 Appunti sugli. Amplificatori Differenziali M De Vincenzi 1 Introduzione L amplificatore differenziale è un componente elettronico che (idealmente) amplifica la differenza di

Equation Chapter 4 Section 1Capitolo IV. Transistori ad effetto di campo

Equation Chapter 4 Section 1Capitolo IV Transistori ad effetto di campo In questo capitolo si tratteranno i transistori ad effetto di campo (FET). Come nel caso dei BJT la tensione tra due terminali del

CENNI SU ALCUNI DISPOSITIVI ELETTRONICI A STATO SOLIDO

1 CENNI SU ALCUNI DISPOSITIVI ELETTRONICI A STATO SOLIDO Il diodo come raddrizzatore Un semiconduttore contenente una giunzione p-n, come elemento di un circuito elettronico si chiama diodo e viene indicato

I.P.S.I.A. Di BOCCHIGLIERO Oscillatori ad alta frequenza ---- Materia: Elettronica. prof. Ing. Zumpano Luigi

I.P.S.I.A. Di BOHIGLIERO a.s. 2010/2011 classe III Materia: Elettronica Oscillatori ad alta frequenza alunni : hindamo Michelangelo Bossio Salvatore prof. Ing. Zumpano Luigi IPSIA Bocchigliero Elettronica

Elettronica I - Laboratorio Didattico - BREVE INTRODUZIONE AGLI STRUMENTI DEL BANCO DI MISURA

Elettronica I - Laboratorio Didattico - BREVE INTRODUZIONE AGLI STRUMENTI DEL BANCO DI MISURA Generatore di Funzioni Tektronix CFG280 Generatore di Funzioni Tektronix CFG280 Genera i segnali di tensione

SCHEMA DEL CIRCUITO. La tabella riassume la modalità di segnalazione del circuito.

POGETTO E EFCA DEL FUNZONAMENTO D UN CCUTO D SEGNALAZONE DELLO STATO D CACA DELLA BATTEA D UNA AUTOMOBLE EALZZATO CON L TANSSTO BCB SCHEMA DEL CCUTO + A La tabella riassume la modalità di gnalazione del

Istituto d Istruzione Superiore Statale Cigna - Garelli - Baruffi Sede: IPSIA "F. Garelli" Via Bona n Mondovì (CN) tel.

Istituto d Istruzione Superiore Statale Cigna - Garelli - Baruffi Sede: IPSIA "F. Garelli" Via Bona n 4 12084 Mondovì (CN) tel. 0174/42611 A. s. 2015 / 16 Corso: MANUTENZIONE ASSISTENZA TECNICA Materia:

Corso di ELETTRONICA INDUSTRIALE INVERTITORI MONOFASE A TENSIONE IMPRESSA

1 Corso di LTTRONICA INDUSTRIAL INVRTITORI MONOFAS A TNSION IMPRSSA 0. 2 Principi di funzionamento di invertitori monofase a tensione impressa 0. 3 Principi di funzionamento di invertitori monofase a tensione

Benvenuti alla BEHRINGER! Vi ringraziamo della fiducia nei prodotti BEHRINGER che ci avete dimostrato acquistando l ULTRA-DI DI20. Sul palcoscenico e

Istruzioni per l uso Versione 1.0 novembre 2002 www.behringer.com ITALIANO Benvenuti alla BEHRINGER! Vi ringraziamo della fiducia nei prodotti BEHRINGER che ci avete dimostrato acquistando l ULTRA-DI DI20.

Il problema del carico

Il problema del carico Si consideri un circuito composto (per il momento) da sole resistenze e generatori di tensione. Si immagini di collegare tra due punti A e B del circuito una resistenza c che chiameremo

Elettronica per l'informatica 21/10/03

Unità D: Gestione della potenza D.1 D.2 D.3 Alimentatori a commutazione D.4 Pilotaggio di carichi D.5 Gestione della potenza 1 2 componentistica e tecnologie riferimenti di tensione, regolatori e filtri

SISTEMI ELETTRONICI. Ingegneria dell Informazione. Modulo. Page 1. D - Versione IVREA - AA D2 - Interfacciamento elettrico e famiglie logiche

Ingegneria dell Informazione Modulo SISTEMI ELETTRONICI D - Versione IVREA - AA 2003-04 D2 - Interfacciamento elettrico e famiglie logiche - stadi di uscita - famiglie logiche 7-Jan-04-1 Page 1 Obiettivi

Componenti a Semiconduttore

Componenti a Semiconduttore I principali componenti elettronici si basano su semiconduttori (silicio o germani) che hanno subito il trattamento del drogaggio. In tal caso si parla di semiconduttori di