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2 Latch di tipo D sincronizzato Flip-flop di tipo D crea un piccolo ritardo del segnale di clock latch di tipo D R = S = 1 ha come stato coerente con ambo gli output 0 Quando R e S tornano a 0 il latch passa in modo non deterministico allo stato 0 o allo stato 1 (a meno che uno non prevalga per un istante sull'altro) Il latch D evita questa ambiguita`: D = 1 e clock = 1 allora si ha lo stato 1, D = 0 e clock = 1 allora stato 0 Un latch e`azionato dal livello )level triggered) Un flip-flop e`azionato dal fronte (edge triggered) La lunghezza dell'inpulso di clock non e`importante 5 6 Flip-flop di tipo D Flip-Flop L'invertitore crea un piccolo ritardo alla propagazione del segnale a verso b Il latch D verra`attivato ad un ritardo fisso dopo il fronte di salita del clock (per l'attraversamento dell'and) (a) latch di tipo D attivato con livello 1 del clock (b) latch di tipo D attivato con livello 0 del clock (c) flip-flop di tipo D attivato sul fronte di salita del clock (d) flip-flop di tipo D attivato sul fronte di discesa del clock 7 8

3 Registri Registri con buffer (non) invertente Segnali di clock, preset, clear raggruppati insieme per formare un registro Invertitore come amplificatore del segnale di clock Il buffer (non) invertente si comporta come un filo quando il control e alto L'output enable permette di (dis)connettere il registro dal bus di output [Tanenbaum, Structured Computer Organization, Third Edition, pagine , sez e 4.1.2] 9 10 memoria 4 x 3 8 linee di input: output enable flip-flop di tipo D 3 per i dati di input 2 per l'indirizzo 3 per i bit di controllo: CS per Chip Select and-or RD per distingure tra read e write OE per abilitare l'output 3 per output + multiplexer buffer non invertenti: dispositivi tri-state 11 12

4 Circuito multiplexer: + andor con abilitazione dell'output flip-flop di tipo D buffer non invertenti multiplexer Chip di memoria Tipi di memoria: RAM n linee di indirizzo corrispondono a 2 n righe di flip-flop n linee di output corrispondono a n colonne di flip-flop I segnali possono essere attivi quando il livello e` basso o alto (specificato nel chip) Matrici n x n (b): selezione della colonna e della riga 15 RAM: random access memory SRAM: RAM statiche (flip-flop tipo D), estremamente veloci, utilizzate per realizzare le cache DRAM: RAM dinamiche (transistor con condensatore), vanno rinfrescati, offrono grandi capacita`ma piu`lente DRAM FPM (Fast Page Memory): organizzate in matrici DRAM EDO (Extended Data Output): con semplice pipeline per l'output SDRAM (Synchronous DRAM): usata inizialmente su cache e memorie centrali, dati e indirizzi controllati dallo stesso clock (133 MHz per le SDR, Single Data Rate) SDRAM-DDR (Double Data Rate): leggono sia nel fronte di salita che in quello di discesa (333/400 MHz), comparse inizialmente sulle schede video 16

5 Tipi di memoria: ROM ROM: Read-Only Memory, utilizzati per dati che non devono essere modificati PROM (Programmable ROM) EPROM (Erasable PROM): memoria cancellabile medialte esposizione alla luce ultravioletta EEPROM (Electrically Erasable PROM): memoria cancellabile per mezzo di impulsi elettrici (ma molto piu` lente) FLASH (EEPROM cancellabile a blocchi) 17

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