Formulario di CIRCUITI ELETTRONICI ANALOGICI L-A

Dimensione: px
Iniziare la visualizzazioe della pagina:

Download "Formulario di CIRCUITI ELETTRONICI ANALOGICI L-A"

Transcript

1 Formulario di CIRCUITI ELETTRONICI ANALOGICI L-A Gennaio - Marzo 2009 Identità ed equazioni relative all elettronica analogica tratti dalle lezioni del corso di Circuiti Elettronici Analogici L-A alla facoltà di Ingegneria Elettronica dell Università di Bologna tenute dal professor A. Gnudi (raccolte da Francesco Conti)

2 CIRCUITI LINEARI Circuiti a parametri concentrati tempo-invarianti d D d t 0 d B d t 0 σ 0 fuori dai componenti σ + nei conduttori Equazione di Kirchhoff delle correnti I i = 0 i Equazione di Kirchhoff delle tensioni V i = 0 i Uscita di un circuito in stato zero S u (s) = S i (s)h(s) Ammettenza di un condensatore Y(s) = sc Impedenza di un induttore Z(s) = sl Equazione caratteristica di un bipolo autonomo a circuito aperto Y(s) = 0 1

3 Equazione caratteristica di un bipolo autonomo cortocircuitato Z(s) = 0 Partitore di tensione V u = V i Z 2 Z 1 + Z 2 Uscita in regime sinusoidale S u = S i H(jω) 2

4 DUE-PORTE Matrice delle impedenze Z = [ ] zi z r z f z o Prima forma canonica del 2-porte V = ZĪ Matrice delle ammettenze Ȳ = [ ] yi y r y f y o Seconda forma canonica del 2-porte Ī = Ȳ V Matrici di ammettenze e impedenze Ȳ = Z 1 = 1 det Z [ ] yi y r y f y o Due-porte a Pi greco Ȳ = [ ] YA + Y B Y B Y B Y B + Y C Definizione di guadagno di tensione A V (s) V u V i 3

5 Guadagno di tensione y f A V = y o + Y C Guadagno di tensione a carico aperto A Vca = y f y o Definizione di guadagno di corrente A I (s) I u I i Guadagno di corrente z f A I = z o + Z C Guadagno di corrente di cortocircuito A Icc = z f z o Definizione di impedenza d ingresso Z i (s) V i I i Impedenza d ingresso Z i = z i z rz f z o + Z C Impedenza d ingresso a carico aperto Z ica = z i 4

6 Definizione di ammettenza d ingresso Y i (s) I i V i Ammettenza d ingresso Y i = y i y ry f y o + Y C Ammettenza d ingresso in corto circuito Y icc = y i Definizione d impedenza d uscita Z u V u I u VG =0 Impedenza d uscita Z u = z o z rz f z i + Z G Definizione d ammettenza d uscita Y u I u V u VG =0 Impedenza d uscita Y u = y o y ry f y i + Y G Guadagno di tensione di due doppi bipoli in cascata A V = A V1 A V2 5

7 Potenze in un amplificatore P u P i > 1 Amplificatore di tensione H(s) = V u V G Amplificatore reale di tensione H(s) = A Vca Z ica Z ica + Z G Z C Z C + Z u Amplificatore ideale di tensione H(s) = A Vca Z u 0 Z ica + Amplificatore di corrente H(s) = I u I G Amplificatore reale di corrente H(s) = A Icc Y icc Y icc + Y G Y C Y C + Y u Amplificatore ideale di corrente H(s) = A Icc Y u 0 Y icc + 6

8 Amplificatore a transimpedenza H(s) = V u I G Amplificatore ideale a transimpedenza Z u 0 Y i + Amplificatore a transammettenza H(s) = I u V G Amplificatore ideale a transammettenza Y u 0 Z i + 7

9 DIODI A GIUNZIONE Equazione caratteristica di un diodo ideale ) I = I S (e V V T 1 Tensione termica di un diodo ideale V T = k BT q el Modello a soglia del diodo { I = 0, se V < V γ V = V γ, se I > 0 Raddrizzatore a semionda Limitatore di tensione Rivelatore di minimo (porta and ) 8

10 Rivelatore di massimo (porta or ) Rivelatore di inviluppo 9

11 TRANSISTORI BIPOLARI Transistore bipolare npn secondo il modello di Ebers-Moll I B = I ( ) S e V BE V T 1 + I S β F β R I C = I ( ) ( S e V BC V T 1 + I S β R I E = I S β F ( e V BE V T 1 ) + I S ( I E = I C + I B ( ) e V BC V T 1 e V BE V T e V BE V T ) e V BC V T ) e V BC V T Regione diretta del transistore npn V CE > 0 Caratteristiche d ingresso e di uscita del BJT npn in regione diretta 10

12 Transistore bipolare npn secondo il modello di Ebers-Moll in regione normale I C = I S e V BE V T I B = I C β F I E = β F + 1 I C β F Transistore bipolare npn secondo il modello a soglia OFF I B = I C = 0 se V BE < V γ ON V BE = V γ { se I B > 0 ON RN I C = β F I B se V CE > V CEsat SAT V CE = V CEsat se I C < β F I B Transistore bipolare pnp secondo il modello di Ebers-Moll I B = I ( ) S e V EB V T 1 + I S β F β R I C = I ( ) ( S e V CB V T 1 + I S β R I E = I S β F ( e V EB V T 1 ) + I S ( I E = I C + I B ( ) e V CB V T 1 e V EB V T e V EB V T ) e V CB V T ) e V CB V T Regione diretta del transistore pnp V EC > 0 11

13 Transistore bipolare pnp secondo il modello di Ebers-Moll in regione normale I C = I S e V EB V T I B = I C β F I E = β F + 1 I C β F Transistore bipolare pnp secondo il modello a soglia OFF I B = I C = 0 se V EB < V γ ON V EB = V γ { se I B > 0 ON RN I C = β F I B se V EC > V ECsat SAT V EC = V ECsat se I C < β F I B Effetto Early in regione normale ( I C = β F I B 1 + V ) CE V A Transistore bipolare npn con effetti reattivi Q BE = τ B I C V BE Q BC = Q 0 1 V BC ψ B Coefficiente h FE h FE = I C I B 12

14 Specchio di corrente di tipo pozzo I 1 = I β F 1 + V CE3 V A I 1 I 2 se l effetto Early è trascurabile 13

15 REGIME DI PICCOLI SEGNALI Punto di riposo e piccoli segnali V i (t) = V i0 + v i (t) V u (t) = V u0 + v u (t) Resistore lineare (equivalente a piccoli segnali) i = Gv Condensatore lineare (equivalente a piccoli segnali) i = C dv dt Induttore lineare (equivalente a piccoli segnali) v = L di dt Generatore di tensione costante (equivalente a piccoli segnali) v = 0 Generatore di corrente costante (equivalente a piccoli segnali) i = 0 14

16 Diodo ideale (equivalente a piccoli segnali) i = gv g= 0, in inversa I0 VT, in diretta Diodo reale (equivalente a piccoli segnali) i = gv g= CD = 0, in inversa I0 VT, in diretta C0 V 1 Ψ 0 B τ I 0, VT, in inversa in diretta Transistore bipolare (equivalente a piccoli segnali) IC0 VT VT βf 1 + gm = rbe = VCE0 VA IC0 rce = VA + VCE0 IC0 Transistore bipolare senza effetti reattivi (equivalente a piccoli segnali) VCE0 β0 = βf 1 + VA rbe = rce = β0 VT IC0 VA + VCE0 IC0 15

17 Transistore bipolare con effetti reattivi (equivalente a piccoli segnali) r BE = g m = I C0 V T ) V T β F (1 + V CE0 V A I C0 r CE = V A + V CE0 I C0 C BE = τ B g m C BC = C BC0 1 V BC0 Ψ BC 16

18 STADI AMPLIFICATORI ELEMENTARI Stadio a emettitore comune (con l effetto Early) R i = r BE A v = β 0 (r CE Z C ) r BE Y C A i = β 0 Y C + g CE R u = r CE Stadio a emettitore comune (senza l effetto Early) R i = r BE A v = β 0Z C r BE A i = β 0 R u = Stadio a collettore comune (con l effetto Early) R i = r BE A v = β 0 (r CE Z C ) r BE Y C A i = β 0 Y C + g CE R u = r CE 17

19 Stadio a collettore comune (con l effetto Early) Z i = r BE + (β 0 + 1) (r CE Z C ) A v = (β 0 + 1) (r CE Z C ) r BE + (β 0 + 1) (r CE Z C ) r CE A i = (β 0 + 1) r CE + Z C Y u = g CE + β r BE + Z G Stadio a collettore comune (senza l effetto Early) Z i = r BE + (β 0 + 1)Z C (β 0 + 1)Z C A v = r BE + (β 0 + 1)Z C A i = (β 0 + 1) Y u = β r BE + Z G Stadio a base comune (con l effetto Early solo per la r CE ) R i = r BE β A v = β 0Z C r BE A i = β 0 β ( ) g BE Z u = Z G r BE +r CE 1 + β 0 g BE + Y G 18

20 Stadio a emettitore comune generalizzato (senza l effetto Early) Zi = rbe + (β0 + 1)ZE Av = β0 ZC rbe + (β0 + 1)ZE Ai = β0 Ru = Stadio a collettore comune generalizzato (senza l effetto Early) Zi = rbe + (β0 + 1)ZC Av = (β0 + 1)ZC rbe + (β0 + 1)ZC Ai = (β0 + 1) Yu = β0 + 1 rbe + ZG Stadio a base comune generalizzato (con l effetto Early solo per la rce ) Zi = rbe + ZB β0 + 1 Av = β 0 ZC rbe + ZB Ai = β0 β0 + 1 Zu = ZG k (rbe +ZB )+rce 1 + β0 gs = gs gs + YG 1 rbe + ZB 19

21 AMPLIFICATORI DIFFERENZIALI Tensione d ingresso di modo comune e tensione d ingresso differenziale vc = v+ + v 2 vd = v+ v Guadagno di modo comune e guadagno differenziale vu vc vd =0 vu, vd vc =0 Ac = A+ + A, Ad = A+ A 2 Amplificatore differenziale ideale Ac 0 Ad, 0 Common mode rejection ratio (CMRR) CMRR = Ad Ac Coppia differenziale IC1 = I0 βf 1 βf e VVdT IC2 = I0 1 βf βf e VVTd Ad = Ac = β0 RC 2rBE β0 RC rbe + 2(β0 + 1)RE CMRR = 1 RE + (β0 + 1) 2 rbe 20

22 AMPLIFICATORI OPERAZIONALI Amplificatore operazionale ideale I + = I = 0 V u = f(v d ) Se A d0 = 0, V d = 0, V u = +V um, V u = V um, se V u < V um (alto guadagno) se V d > 0 (saturazione positiva) se V d < 0 (saturazione negativa) Amplificatore non invertente A v (s) = 1 + Z 2 Z 1 21

23 Amplificatore a retroazione unitaria o separatore ideale A v = 1 R i = R u = 0 Amplificatore invertente A v (s) = Z 2 Z 1 Derivatore A v (s) = src Integratore A v (s) = 1 src Sommatore V u = R R 1 V 1 R R 2 V 2 22

24 Cella universale A v1 (s) = A v2 (s) = s R2 R K C s 2 R 2 C 2 + s R2 R Q C + 1 R R K C s 2 R 2 C 2 + s R2 R Q C + 1 Amplificatore differenziale a 3 opamp per strumentazione A d = R ( R ) 3 R 1 R 4 23

Microelettronica Indice generale

Microelettronica Indice generale Microelettronica Indice generale Prefazione Rigraziamenti dell Editore Guida alla lettura Parte I Elettronica dello stato solido e dispositivi XV XVII XVIII Capitolo 1 Introduzione all elettronica 1 1.1

Dettagli

Modello di Ebers-Moll del transistore bipolare a giunzione

Modello di Ebers-Moll del transistore bipolare a giunzione D Modello di Ebers-Moll del transistore bipolare a giunzione Un transistore bipolare è un dispositivo non lineare che può essere modellato facendo ricorso alle caratteristiche non lineari dei diodi. Il

Dettagli

Indice generale. Prefazione. Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1. Capitolo 2. Analisi in frequenza e reti STC 39

Indice generale. Prefazione. Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1. Capitolo 2. Analisi in frequenza e reti STC 39 Indice generale Prefazione xi Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1 1.1. Bipoli lineari 1 1.1.1. Bipoli lineari passivi 2 1.1.2. Bipoli lineari attivi 5 1.2. Metodi di risoluzione delle reti 6

Dettagli

Retta di carico (1) La retta dipende solo da entità esterne al diodo. Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici 1

Retta di carico (1) La retta dipende solo da entità esterne al diodo. Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici 1 Retta di carico (1) La retta dipende solo da entità esterne al diodo. Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Retta di carico (2) Dipende solo da entità esterne al transistor. Corso

Dettagli

Indice generale. Elettronica dello stato solido e dispositivi. Capitolo 1 Introduzione all elettronica 1

Indice generale. Elettronica dello stato solido e dispositivi. Capitolo 1 Introduzione all elettronica 1 Prefazione Autori e Curatori Rigraziamenti dell Editore Guida alla lettura Parte I Elettronica dello stato solido e dispositivi XII XV XVI XVII Capitolo 1 Introduzione all elettronica 1 1.1 Breve storia

Dettagli

Il TRANSISTOR. Il primo transistor della storia

Il TRANSISTOR. Il primo transistor della storia Il TRANSISTOR Il primo transistor della storia Inventori del Transistor Il Transistor Bipolare a Giunzione (BJT) è stato inventato nei laboratori BELL nel 1948, da tre fisici: John Bardeen Walter Brattain,

Dettagli

Il diodo come raddrizzatore (1)

Il diodo come raddrizzatore (1) Il diodo come raddrizzatore () 220 V rms 50 Hz Come trasformare una tensione alternata in una continua? Il diodo come raddrizzatore (2) 0 Vγ La rettificazione a semionda Il diodo come raddrizzatore (3)

Dettagli

ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n PONTEDERA (PI) ANNO SCOLASTICO 2005/2006 CORSO SPERIMENTALE LICEO TECNICO

ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE G. MARCONI Via Milano n PONTEDERA (PI) ANNO SCOLASTICO 2005/2006 CORSO SPERIMENTALE LICEO TECNICO ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n. 2-56025 PONTEDERA (PI) 0587 53566/55390 - Fax: 0587 57411 - : iti@marconipontedera.it - Sito WEB: www.marconipontedera.it ANNO SCOLASTICO

Dettagli

Classe IV specializzazione elettronica. Elettrotecnica ed elettronica

Classe IV specializzazione elettronica. Elettrotecnica ed elettronica Macro unità n 1 Classe IV specializzazione elettronica Elettrotecnica ed elettronica Reti elettriche, segnali e diodi Leggi fondamentali: legge di Ohm, principi di Kirchhoff, teorema della sovrapposizione

Dettagli

Informazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento. caratteristiche e tipologie di moduli. Circuiti con operazionali reazionati

Informazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento. caratteristiche e tipologie di moduli. Circuiti con operazionali reazionati Elettronica per telecomunicazioni 1 Contenuto dell unità A Informazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento caratteristiche e tipologie di moduli Circuiti con operazionali reazionati

Dettagli

APPUNTI del CORSO di TEORIA dei CIRCUITI 2 Oscillatore di Colpitts

APPUNTI del CORSO di TEORIA dei CIRCUITI 2 Oscillatore di Colpitts Università degli Studi di Trieste Facoltà di Ingegneria Laurea in Ingegneria dell Informazione a.a. 2004/2005 APPUNTI del CORSO di TEORIA dei CIRCUITI 2 Oscillatore di Colpitts docente: Stefano Pastore

Dettagli

ITIS H. HERTZ A.S. 2009/2010 Classe IV Corso Serale - Progetto Sirio Programmazione preventiva del Corso di ELETTRONICA

ITIS H. HERTZ A.S. 2009/2010 Classe IV Corso Serale - Progetto Sirio Programmazione preventiva del Corso di ELETTRONICA ITIS H. HERTZ A.S. 2009/2010 Classe IV Corso Serale - Progetto Sirio Programmazione preventiva del Corso di ELETTRONICA OBIETTIVI FORMATIVI GENERALI DELLA DISCIPLINA L allievo deve essere in grado di:

Dettagli

ISTITUTO ISTRUZIONE SUPERIORE "L. EINAUDI" ALBA ANNO SCOLASTICO 2016/2017

ISTITUTO ISTRUZIONE SUPERIORE L. EINAUDI ALBA ANNO SCOLASTICO 2016/2017 ISTITUTO ISTRUZIONE SUPERIORE "L. EINAUDI" ALBA ANNO SCOLASTICO 2016/2017 CLASSE 4 I Disciplina: Elettrotecnica ed Elettronica PROGETTAZIONE DIDATTICA ANNUALE Elaborata dai docenti: Linguanti Vincenzo,

Dettagli

Piano di lavoro preventivo

Piano di lavoro preventivo I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E S T A T A L E G u g l i e l m o M a r c o n i V e r o n a Piano di lavoro preventivo Anno Scolastico 2015/16 1 Materia Classe Docenti Materiali didattici

Dettagli

Corso di Laurea Triennale in Ingegneria Industriale Curriculum Elettronico e Biomedico

Corso di Laurea Triennale in Ingegneria Industriale Curriculum Elettronico e Biomedico Insegnamento Livello e corso di studio Settore scientifico disciplinare (SSD) Elettronica Corso di Laurea Triennale in Ingegneria Industriale Curriculum Elettronico e Biomedico ING-INF/01 Anno di corso

Dettagli

Amplificatori Differenziali

Amplificatori Differenziali Amplificatori Differenziali nei simboli non si esplicitano gli alimentatori DC, cioè Normalmente i circuiti che realizzano l amplificatore differenziale e operazionale non contengono un nodo elettricamente

Dettagli

Lezione A3 - DDC

Lezione A3 - DDC Elettronica per le telecomunicazioni Unità A: Amplificatori, oscillatori, mixer Lezione A.3 Punto di funzionamento, guadagno e banda distorsioni, rumore, 1 Contenuto dell unità A Lezione A3 Informazioni

Dettagli

Impedenze ed Ammettenze 1/5

Impedenze ed Ammettenze 1/5 Impedenze ed Ammettenze 1/5 V=Z I. Rappresentazione alternativa I=Y V Z ed Y sono numeri complessi Bipolo di impedenza Z = R+ j X Resistenza Reattanza Conduttanza 1 Y = = G+ jb Z Suscettanza Lezione 2

Dettagli

Indice. 0.1 Prefazione... ix

Indice. 0.1 Prefazione... ix Indice 0.1 Prefazione............................ ix 1 METODI GENERALI DI ANALISI 3 1.1 Gradi di libertà, vincoli e metodo della matrice sparsa... 3 1.1.1 Esempio sul metodo della matrice sparsa.......

Dettagli

I.P.S.I.A. di BOCCHIGLIERO

I.P.S.I.A. di BOCCHIGLIERO I.P.S.I.A. di BOCCHIGLIERO a.s. 2012/2013 classe IV Materia: Elettronica Telecomunicazioni ed Applicazioni Amplificatore operazionale ideale Alunne: Pedace Giusy Santoro Ida Rizzuti Filomena prof. Ing.

Dettagli

(Link al materiale in formato html)

(Link al materiale in formato html) Materiale didattico realizzato dal Prof. Giancarlo Fionda insegnante di elettronica. Di seguito è mostrato l'elenco degli argomenti trattati (indice delle dispense): (Link al materiale in formato html)

Dettagli

Piano di lavoro preventivo

Piano di lavoro preventivo I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E S T A T A L E G u g l i e l m o M a r c o n i V e r o n a 1 Piano di lavoro preventivo Anno Scolastico 2015/16 Materia Classe Docenti Materiali didattici

Dettagli

Le caratteristiche del BJT

Le caratteristiche del BJT LE CARATTERISTICHE DEL BJT 1 Montaggi fondamentali 1 Montaggio ad emettitore comune 1 Montaggio a collettore comune 3 Montaggio a base comune 4 Caratteristiche ad emettitore comune 4 Caratteristiche di

Dettagli

Indice. I Dispositivi a semiconduttore 1. Prefazione. Prologo. Breve storia dell elettronica

Indice. I Dispositivi a semiconduttore 1. Prefazione. Prologo. Breve storia dell elettronica Indice Prefazione Prologo. Breve storia dell elettronica XI XIII I Dispositivi a semiconduttore 1 1 Semiconduttori 3 1.1 Forze, campi ed energia 3 1.2 Conduzione nei metalli 6 1.3 Semiconduttori intrinseci

Dettagli

ELETTRONICA CdS Ingegneria Biomedica

ELETTRONICA CdS Ingegneria Biomedica ELEONICA CdS Ingegneria Biomedica LEZIONE A.03 Circuiti a diodi: configurazioni, analisi, dimensionamento addrizzatori a semplice e doppia semionda addrizzatori a filtro (L, C e LC) Moltiplicatori di tensione

Dettagli

Appunti di Elettronica per Fisici

Appunti di Elettronica per Fisici Università degli Studi di Firenze Dipartimento di Fisica Marcello Carlà Appunti di Elettronica per Fisici A.A. 2010-2011 Copyright c 2005-2010 Marcello Carlà Ogni riproduzione completa o parziale di questo

Dettagli

Sommario CAPITOLO 1 CAPITOLO 2. iii. Le grandezze elettriche... 1. I componenti circuitali... 29

Sommario CAPITOLO 1 CAPITOLO 2. iii. Le grandezze elettriche... 1. I componenti circuitali... 29 Sommario CAPITOLO 1 Le grandezze elettriche............................... 1 1-1 Progetto proposto Regolatore di flusso............................ 2 1-2 I primordi delle scienze elettriche.................................

Dettagli

Effetti della reazione sui parametri

Effetti della reazione sui parametri Effetti della reazione sui parametri Analizziamo come la reazione interviene sui parametri dello amplificatore complessivo, se questo è realizzato con un Amplificatore Operazionale reazionato. A d R 1

Dettagli

CAP.4 TRANSISTOR BIPOLARE (BJT): AMPLIFICATORE E INTERRUTTORE

CAP.4 TRANSISTOR BIPOLARE (BJT): AMPLIFICATORE E INTERRUTTORE CAP.4 TRANSISTOR BIPOLARE (BJT): AMPLIFICATORE E INTERRUTTORE 1. Transistore bipolare a giunzione (BJT). 2. Retta di carico e punto di lavoro 3. Modelli DC a largo segnale. 4. Circuiti di polarizzazione.

Dettagli

Campi Elettromagnetici e Circuiti I Reti biporta

Campi Elettromagnetici e Circuiti I Reti biporta Facoltà di ngegneria Università degli studi di Pavia Corso di Laurea Triennale in ngegneria Elettronica e nformatica Campi Elettromagnetici e Circuiti Reti biporta Campi Elettromagnetici e Circuiti a.a.

Dettagli

Transistor a giunzione bipolare

Transistor a giunzione bipolare Page 1 of 7 Transistor a giunzione bipolare Da Wikipedia, l'enciclopedia libera. In elettronica, il transistor a giunzione bipolare, anche chiamato con l'acronimo BJT, abbreviazione del termine inglese

Dettagli

Amplificatori operazionali

Amplificatori operazionali Amplificatori operazionali Parte 3 www.die.ing.unibo.it/pers/mastri/didattica.htm (versione del 6--) Integratore Dato che l ingresso invertente è virtualmente a massa si ha vi ( t) ir ( t) R Inoltre i

Dettagli

università DEGLI STUDI DI NAPOLI FEDERICO II

università DEGLI STUDI DI NAPOLI FEDERICO II università DEGLI STUDI DI NAPOLI FEDERICO II Facoltà di Ingegneria Registro delle Lezioni dell insegnamento di: Introduzione ai Circuiti Corso di Laurea in Ingegneria dell'automazione Corso di Laurea in

Dettagli

Ministero dell istruzione, dell università e della ricerca Istituto d Istruzione Superiore Severi-Correnti

Ministero dell istruzione, dell università e della ricerca Istituto d Istruzione Superiore Severi-Correnti Ministero dell istruzione, dell università e della ricerca Istituto d Istruzione Superiore Severi-Correnti IIS Severi-Correnti 02-318112/1 via Alcuino 4-20149 Milano 02-33100578 codice fiscale 97504620150

Dettagli

Programma finale della 2 A a.s SISTEMI TECNOLOGIA APPLICATA

Programma finale della 2 A a.s SISTEMI TECNOLOGIA APPLICATA Programma finale della 2 A a.s. 2014-2015 SISTEMI TECNOLOGIA APPLICATA LIBRI DI TESTO: Sistemi Tecnologia Applicata AUTORE: Sergio Sammarone EDITORE: Zanichelli L'ELETTRICITA': -una forma di energia -cenni

Dettagli

Amplificatori Differenziali

Amplificatori Differenziali Amplificatori Differenziali nei simboli non si esplicitano gli alimentatori DC, cioè Normalmente i circuiti che realizzano l amplificatore differenziale e operazionale non contengono un nodo elettricamente

Dettagli

AMPLIFICATORI INVERTENTI A SINGOLO TRANSISTORE

AMPLIFICATORI INVERTENTI A SINGOLO TRANSISTORE configurazione CE: AMPLIFICATORI INVERTENTI A SINGOLO TRANSISTORE configurazione CS: G. Martines 1 ANALISI IN CONTINUA Circuito di polarizzazione a quattro resistenze. NOTE: I parametri del modello a piccolo

Dettagli

PROGRAMMA ELETTROTECNICA ING. MECCANICA (9 CFU)

PROGRAMMA ELETTROTECNICA ING. MECCANICA (9 CFU) PROGRAMMA ELETTROTECNICA ING. MECCANICA (9 CFU) ANALISI DELLE RETI ELETTRICHE ELEMENTI INTRODUTTIVI: 1. Teoria dei circuiti a costanti concentrate 2. Grandezze elettriche 3. Leggi di Kirchhoff 4. Bipoli

Dettagli

Appunti di ELETTRONICA Amplificatore operazionale (amp. Op oppure A. O.) - +

Appunti di ELETTRONICA Amplificatore operazionale (amp. Op oppure A. O.) - + Appunti di ELETTRONICA Amplificatore operazionale (amp. Op oppure A. O.) - + µa741 Cos'è l'amplificazione: Amplificare un segnale significa aumentarne il livello e di conseguenza la potenza. Il fattore

Dettagli

Tipi di amplificatori e loro parametri

Tipi di amplificatori e loro parametri Amplificatori e doppi bipoli Amplificatori e doppi bipoli Introduzione e richiami Simulatore PSPICE Amplificatori Operazionali e reazione negativa Amplificatori AC e differenziali Amplificatori Operazionali

Dettagli

Università degli Studi di Enna Kore

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura Anno Accademico 2015 2016 A.A. Settore Scientifico Disciplinare CFU Insegnamento Ore di aula Mutuazione 2015/16 ING-INF/01 9 Elettronica 78 Si Classe Corso di studi

Dettagli

PROGRAMMA DISCIPLINARE SVOLTO a. s / 2016 DOCENTE STRADA COSIMO. CLASSE _3EB_ DISCIPLINA ELETTROTECNICA_ed_ELETTRONICA

PROGRAMMA DISCIPLINARE SVOLTO a. s / 2016 DOCENTE STRADA COSIMO. CLASSE _3EB_ DISCIPLINA ELETTROTECNICA_ed_ELETTRONICA PROGRAMMA DISCIPLINARE SVOLTO a. s. 2015 / 2016 DOCENTE STRADA COSIMO CLASSE _3EB_ DISCIPLINA ELETTROTECNICA_ed_ELETTRONICA MACROARGOMENTI che sono stati trattate nel corso del corrente anno scolastico

Dettagli

Indice. VERIFICA Test Problemi svolti Problemi da svolgere 48. non solo teoria

Indice. VERIFICA Test Problemi svolti Problemi da svolgere 48. non solo teoria 0040.indice.fm Page 9 Monday, January 16, 2012 2:38 PM unità di apprendimento 11 I diodi e le loro applicazioni Sezione 11A Diodi e loro applicazioni 1 Premessa 20 2 Il diodo raddrizzatore 20 Diodo ideale

Dettagli

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura Anno Accademico

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura Anno Accademico Facoltà di Ingegneria ed Architettura Anno Accademico 2016 2017 A.A. Settore Scientifico Disciplinare CFU Insegnamento Ore di aula Mutuazione 2016/17 ING-INF/01 9 Elettronica 30 SI Classe Corso di studi

Dettagli

L amplificatore operazionale

L amplificatore operazionale L amplificatore operazionale terminali di input terminale di output Alimentazioni: massa nodo comune L amplificatore operazionale ideale Applichiamo 2 tensioni agli input 1 e 2 L amplificatore è sensibile

Dettagli

Introduzione e richiami Simulatore PSPICE Tipi di amplificatori e loro parametri. Amplificatori Operazionali e reazione negativa

Introduzione e richiami Simulatore PSPICE Tipi di amplificatori e loro parametri. Amplificatori Operazionali e reazione negativa Amplificatori e doppi bipoli Amplificatori e doppi bipoli ntroduzione e richiami Simulatore PSPCE Tipi di amplificatori e loro parametri Amplificatori AC e differenziali Amplificatori Operazionali reali

Dettagli

A.S. 2014/15 CLASSE 4 BEE MATERIA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA

A.S. 2014/15 CLASSE 4 BEE MATERIA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA A.S. 2014/15 CLASSE 4 BEE MATERIA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA UNITA DI APPRENDIMENTO 1: RETI ELETTRICHE IN DC E AC Essere capace di applicare i metodi di analisi e di risoluzione riferiti alle grandezze

Dettagli

Elettronica I Il transistore bipolare a giunzione

Elettronica I Il transistore bipolare a giunzione Elettronica I Il transistore biolare a giunzione Valentino Liberali Diartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it htt://www.dti.unimi.it/ liberali

Dettagli

Prova scritta Fondamenti di Elettronica B / BC 26 Gennaio 2011 COGNOME: NOME: CORSO DI LAUREA: INGEGNERIA

Prova scritta Fondamenti di Elettronica B / BC 26 Gennaio 2011 COGNOME: NOME: CORSO DI LAUREA: INGEGNERIA Prova scritta Fondamenti di Elettronica B / BC 26 Gennaio 2011 A COGNOME: NOME: CORSO DI LAUREA: INGEGNERIA MATRICOLA: Negli esercizi, ove necessario e salvo indicazioni contrarie, si consideri che i circuiti

Dettagli

Transitori nelle reti ad una costante di tempo. Lezione 6 1

Transitori nelle reti ad una costante di tempo. Lezione 6 1 Transitori nelle reti ad una costante di tempo Lezione 6 1 Circuito con amplificatore Calcolare v(t) vt () = v(0 ), t< 0 [ ] t τ vt () = v(0 ) V e + V, t> 0 + Continuità della tensione sul condensatore

Dettagli

L Amplificazione. Dispense del corso ELETTRONICA L Luca De Marchi

L Amplificazione. Dispense del corso ELETTRONICA L Luca De Marchi L Amplificazione Dispense del corso ELETTRONICA L Luca De Marchi Gli Obiettivi Il concetto di amplificazione I piccoli segnali L amplificatore operazionale L amplificatore di potenza L amplificatore per

Dettagli

I TRANSISTOR I TRANSISTORI

I TRANSISTOR I TRANSISTORI I TRANSISTORI Il transistor è un componente fondamentale dell elettronica (più del diodo, in quanto è un componente attivo cioè un amplificatore di corrente). Anche se non è più molto usato come componente

Dettagli

Indice. 1. Fisica dei semiconduttori La giunzione pn...49

Indice. 1. Fisica dei semiconduttori La giunzione pn...49 i Indice 1. Fisica dei semiconduttori...1 1.1 La carica elettrica...1 1.2 Tensione...2 1.3 Corrente...5 1.4 Legge di Ohm...6 1.5 Isolanti e conduttori...12 1.6 Semiconduttori...15 1.7 Elettroni nei semiconduttori...18

Dettagli

Elettronica Analogica. Luxx Luca Carabetta

Elettronica Analogica. Luxx Luca Carabetta Elettronica Analogica Luxx Luca Carabetta Transistor BJT Un transistor è un componente elettronico, di modelli di transistor ve ne sono a migliaia, noi studieremo il più comune, il BJT. BJT sta per Bipolar

Dettagli

Testi di riferimento

Testi di riferimento Testidiriferimento [1] Biorci G.: Fondamenti di elettrotecnica: circuiti. UTET, Torino, (1984) [2] Desoer A.C., Kuh E.S.: Fondamenti di teoria dei circuiti. Franco Angeli, Milano (1999) [3] Chua L. O.,

Dettagli

Amplificatori Differenziali

Amplificatori Differenziali Amplificatori Differenziali nei simboli non si esplicitano gli alimentatori DC, cioè Normalmente i circuiti che realizzano l amplificatore differenziale e operazionale non contengono un nodo elettricamente

Dettagli

I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E S T A T A L E V E R O N A

I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E S T A T A L E V E R O N A I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E S T A T A L E G U G L I E L M O M A R C O N I V E R O N A PROGRAMMA PREVENTIVO A.S. 2015/2016 CLASSE 4Ac MATERIA: Elettrotecnica, elettronica e automazione

Dettagli

Corso di Metodi di Trattamento del Segnale INTRODUZIONE AGLI AMPLIFICATORI OPERAZIONALI

Corso di Metodi di Trattamento del Segnale INTRODUZIONE AGLI AMPLIFICATORI OPERAZIONALI Corso di Metodi di Trattamento del Segnale INTRODUZIONE AGLI AMPLIFICATORI OPERAZIONALI RETROAZIONE (FEEDBACK) S in + + G S out! S out = G!( S in + "S ) out S out = G 1! "G S G in! = G 1" #G G! = G 1 "

Dettagli

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura Facoltà di Ingegneria ed Architettura Anno Accademico 2017 2018 A.A. Settore Scientifico Disciplinare CFU Insegnamento Ore di aula Mutuazione 2017/18 ING-INF/01 9 Elettronica 30 SI Classe Corso di studi

Dettagli

Elettronica per le telecomunicazioni

Elettronica per le telecomunicazioni POLITECNICO DI TORINO Elettronica per le telecomunicazioni Formulario Anno Accademico 2009/200 Filtri Filtri del primo ordine Passa basso R 2 C 2 R H(s) = R 2 H(0) = R 2 R sr 2 C 2 R f p = φ = 0 90 2πR

Dettagli

Attività sperimentale 2015 Elettronica. Simulazione elettronica analogica con Spice e progettazione di un amplificatore reazionato

Attività sperimentale 2015 Elettronica. Simulazione elettronica analogica con Spice e progettazione di un amplificatore reazionato Attività sperimentale 2015 Elettronica Simulazione elettronica analogica con Spice e progettazione di un amplificatore reazionato Caratteristiche generali del simulatore: I programmi di simulazione circuitale

Dettagli

Laboratorio II, modulo Amplificatori operazionali (cfr.

Laboratorio II, modulo Amplificatori operazionali (cfr. Laboratorio II, modulo 2 20152016 Amplificatori operazionali (cfr. http://physics.ucsd.edu/~tmurphy/phys121/phys121.html) Amplificatori operazionali Amplificatori operazionali sono disegnati come triangoli

Dettagli

Amplificatori a Transistori con controreazione

Amplificatori a Transistori con controreazione Amplificatori a Transistori con controreazione Esempi di amplificatori inertenti (CS e CE) con controreazione. G. Martines 1 G. Martines 2 Modello equialente a piccolo segnale e guadagno di tensione be

Dettagli

Elaborazione analogica dei segnali

Elaborazione analogica dei segnali Elaborazione analogica dei segnali - 1 Elaborazione analogica dei segnali 1 - Circuiti con diodi Raddrizzatori I circuiti raddrizzatori trovano spesso applicazione nelle le misure in AC, per esempio nei

Dettagli

Uno degli impieghi fondamentali del BJT è l amplificazione dei segnali.

Uno degli impieghi fondamentali del BJT è l amplificazione dei segnali. TRANSISTOR BJT STRUTTURA BJT: Bipolar Junction Transistors,Transistor a giunzione bipolare Un transistor BJT è un chip (CI) di silicio contenete tre zone drogate in modo diverso: NPN si hanno due zone

Dettagli

Soluzione di circuiti RC ed RL del primo ordine

Soluzione di circuiti RC ed RL del primo ordine Principi di ingegneria elettrica Lezione 11 a parte 2 Soluzione di circuiti RC ed RL del primo ordine Metodo sistematico Costante di tempo Rappresentazione del transitorio Metodo sistematico per ricavare

Dettagli

AMPLIFICATORE DIFFERENZIALE

AMPLIFICATORE DIFFERENZIALE AMPLIFICATORE DIFFERENZIALE Per amplificatore differenziale si intende un circuito in grado di amplificare la differenza tra due segnali applicati in ingresso. Gli ingressi sono due: un primo ingresso

Dettagli

Circuiti a transistor

Circuiti a transistor Appendice B Circuiti a transistor B.1 Amplificatore con transistor bjt Il circuito in fig. B.1 è un esempio di amplificatore a più stadi. Si utilizza una coppia differenziale di ingresso (T 1, T 2 ) con

Dettagli

Generatori di onda rettangolare

Generatori di onda rettangolare Generatori di onda rettangolare A.Nigro (Dipartimento di Fisica- Universita Sapienza - Roma) Laboratorio di Segnali e Sistemi II - Oscillatori April 19, 2017 1 / 60 Multivibratore bistabile Data la reazione

Dettagli

ELETTROTECNICA (10 CFU) CS INGEGNERIA MATEMATICA I

ELETTROTECNICA (10 CFU) CS INGEGNERIA MATEMATICA I ELETTOTECNICA (0 CFU) CS INGEGNEIA MATEMATICA I prova in itinere 20 Novembre 2009 SOLUZIONI - - D. (punti 4 ) ) Spiegare cosa si intende per DUALITA nello studio dei circuiti elettrici. 2) Scrivere per

Dettagli

Michele Scarpiniti. L'Amplificatore Operazionale

Michele Scarpiniti. L'Amplificatore Operazionale Michele Scarpiniti L'Amplificatore Operazionale MICHELE SCARPINITI L Amplificatore Operazionale Versione 1.0 Dipartimento DIET Università di Roma La Sapienza via Eudossiana 18, 00184 Roma L AMPLIFICATORE

Dettagli

slides per cortesia di Prof. B. Bertucci

slides per cortesia di Prof. B. Bertucci slides per cortesia di Prof. B. Bertucci Giunzione p-n in equilibrio: Densità di portatori maggiori maggioritari/ minoritari dai due lati della giunzione (lontano dalla zona di contatto): Nella zona di

Dettagli

RELAZIONE DI TELECOMUNICAZIONI ITIS Vobarno Titolo: I Transistor

RELAZIONE DI TELECOMUNICAZIONI ITIS Vobarno Titolo: I Transistor RLAZION DI TLCOMUNICAZIONI ITIS Vobarno Titolo: I Transistor Nome: Samuele Sandrini 4AT 05/10/14 Un transistor a giunzione bipolare (BJT Bipolar Junction Transistor) è formato da tre zone di semiconduttore

Dettagli

Banda passante di un amplificatore

Banda passante di un amplificatore Banda passante di un amplificatore Amplificatore ideale da 40 db con cella RC passa basso e passa alto. La cella passa basso determina la fequenza di taglio superiore fh, mentre la cella passa alto determina

Dettagli

Competenze di ambito Prerequisiti Abilità / Capacità Conoscenze Livelli di competenza

Competenze di ambito Prerequisiti Abilità / Capacità Conoscenze Livelli di competenza Docente: LASEN SERGIO Classe: 3MAT Materia: Tecnologie Elettrico Elettroniche, dell Automazione e Applicazioni MODULO 1 - CIRCUITI E RETI ELETTRICHE IN CORRENTE CONTINUA Saper effettuare connessioni logiche

Dettagli

Laboratorio di Elettronica II. Esperienza 3. Progetto di un amplificatore con BJT

Laboratorio di Elettronica II. Esperienza 3. Progetto di un amplificatore con BJT Laboratorio di Elettronica II Esperienza 3 Progetto di un amplificatore con BJT 1 Attività Progetto e verifica al simulatore di un amplificatore, date le specifiche funzionali desiderate: Progetto preliminare

Dettagli

3- CENNI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI BASATI SULLE GIUNZIONI p-n

3- CENNI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI BASATI SULLE GIUNZIONI p-n 1 3- CENNI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI BASATI SULLE GIUNZIONI p-n Il diodo come raddrizzatore Un semiconduttore contenente una giunzione p-n, come elemento di un circuito elettronico si chiama diodo e viene

Dettagli

POLITECNICO DI MILANO

POLITECNICO DI MILANO POLITECNICO DI MILANO www.polimi.it ELETTRONICA per ingegneria BIOMEDICA prof. Alberto TOSI Sommario Transistore MOSFET Struttura Equazioni caratteristiche Curve caratteristiche Funzionamento come amplificatore

Dettagli

Transistor a giunzione bipolare

Transistor a giunzione bipolare Transistor a giunzione bipolare Da Wikipedia, l'enciclopedia libera. Simbolo del BJT NPN Simbolo del BJT PNP In elettronica, il transistor a giunzione bipolare, anche chiamato con l'acronimo BJT, abbreviazione

Dettagli

Sommario. Presentazione xv Prefazione xvii L autore xx

Sommario. Presentazione xv Prefazione xvii L autore xx Sommario Presentazione xv Prefazione xvii L autore xx CAPITOLO 1 Introduzione alla progettazione elettronica 1.1 Introduzione 1 1.2 Breve storia dell elettronica 1 1.3 Sistemi elettronici 3 Sensori 3 Attuatori

Dettagli

B B B. 5.2 Circuiti in regime sinusoidale. (a) (b) (c)

B B B. 5.2 Circuiti in regime sinusoidale. (a) (b) (c) V V A 5.2 Circuiti in regime sinusoidale 219 W B B B (a) (b) (c) Figura 5.4. Simboli del (a) voltmetro, (b) amperometro e (c) wattmetro ideali e relativi schemi di inserzione I I V Nel simbolo del voltmetro

Dettagli

Convertitori Elettronici di Potenza

Convertitori Elettronici di Potenza Convertitori Elettronici di Potenza Generatore Blocco di Potenza (commutazione) Carico/Rete V 1, f 1 V 2, f 2 Blocco di Controllo Schema di principio di un convertitore di potenza Classificazione dei Convertitori

Dettagli

I.I.S.S. G. CIGNA MONDOVI

I.I.S.S. G. CIGNA MONDOVI I.I.S.S. G. CIGNA MONDOVI PROGRAMMAZIONE INDIVIDUALE ANNO SCOLASTICO 2016-2017 CLASSE QUARTA A TRIENNIO TECNICO-ELETTRICO MATERIA ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA DOCENTE BONGIOVANNI DARIO MATTEO LIBRI DI

Dettagli

Attività sperimentale 2014 Elettronica. Simulazione elettronica analogica con Spice e progettazione di un amplificatore audio

Attività sperimentale 2014 Elettronica. Simulazione elettronica analogica con Spice e progettazione di un amplificatore audio Attività sperimentale 2014 Elettronica Simulazione elettronica analogica con Spice e progettazione di un amplificatore audio Studenti partecipanti: Alfieri Marco Bartolome Antonio Battilocchi Valerio Calabria

Dettagli

LEZIONI DI ELETTROTECNICA

LEZIONI DI ELETTROTECNICA LEZIONI DI ELETTROTECNICA Giovanni Miano Università di Napoli FEDERICO II ii LEZIONI DI ELETTROTECNICA Giovanni Miano Università di Napoli FEDERICO II Nate dalle dispense del Corso di Elettrotecnica, in

Dettagli

IL TRANSISTOR. Le 3 zone di funzionamento del transistor

IL TRANSISTOR. Le 3 zone di funzionamento del transistor Nome: Fabio Castellini Quarta esperienza IL TRANSISTOR Data: 03/02/2015 Il transistor è un componente a semiconduttore molto sfruttato, grazie alle sue proprietà, nell elettronica digitale ed analogica.

Dettagli

Elettronica per le telecomunicazioni

Elettronica per le telecomunicazioni POLITECNICO DI TORINO Elettronica per le telecomunicazioni Formulario Anno Accademico 2009/2010 Filtri Filtri del secondo ordine In generale la funzione di trasferimento è: H(s) = a 2 s 2 + a 1 s + a 0

Dettagli

= A v1 A v2 R o1 + R i2 A v A v1 A v2. se R i2 R o1

= A v1 A v2 R o1 + R i2 A v A v1 A v2. se R i2 R o1 Amplificatori a due stadi STADIO 1 STADIO 2 R s R o1 R o2 v s + _ vi1 R i1 + A v1 v i1 _ v i2 R i2 + Av2vi2 _ vo2 RL A v v o2 v i1 = A v1 A v2 R i2 R o1 + R i2 A v A v1 A v2 se R i2 R o1 A.Nigro Laboratorio

Dettagli

Amplificatori OPERAZIONALI

Amplificatori OPERAZIONALI Amplificatori OPERAZIONALI L amplificatore operazionale (op amp) è usato in un ampia varietà di applicazioni: inizialmente era usato in sistemi analogici per integrare e sommare il segnale (da cui il nome

Dettagli

Elettrotecnica Programma dettagliato del corso

Elettrotecnica Programma dettagliato del corso Elettrotecnica Programma dettagliato del corso Docente: Claudio Serpico Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica Anno accademico 2001-2002 1 Richiami sulle leggi dell elettromagnetismo Le sorgenti del

Dettagli

Generatori di corrente e tensione costante

Generatori di corrente e tensione costante APPUNTI DI TECNOLOGIA Generatori di corrente e tensione costante Dopo aver analizzato il funzionamento di alcuni strumenti elettronici, vediamo ora alcuni circuiti importanti utilizzati nella pratica a

Dettagli

CAPITOLO 7 DISPOSITIVI INTEGRATI ANALOGICI

CAPITOLO 7 DISPOSITIVI INTEGRATI ANALOGICI 139 CAPTOLO 7 DSPOSTV NTEGRAT ANALOGC Negli amplificatori la necessità di ottenere elevate impedenze ed elevati guadagni impone spesso l utilizzo di resistenze di valore molto alto; inoltre l accoppiamento

Dettagli

Modellistica di sistemi elettrici e magnetici

Modellistica di sistemi elettrici e magnetici Modellistica di sistemi elettrici e magnetici Interazione tra cariche elettriche Legge di Coulomb q q 2 F d F F = q q 2 4 π ǫ d 2, ǫ = ǫ 0 ǫ r ǫ : permettività del mezzo ǫ 0 : permettività del vuoto ǫ

Dettagli

ESAME di STATO 2009 ISTITUTO PROFESSIONALE per l INDUSTRIA e l ARTIGIANATO

ESAME di STATO 2009 ISTITUTO PROFESSIONALE per l INDUSTRIA e l ARTIGIANATO ESAME di STATO 2009 ISTITUTO PROFESSIONALE per l INDUSTRIA e l ARTIGIANATO Materia: ELETTRONICA TELECOMUNICAZIONI & APPLICAZIONI Il circuito proposto appare abbastanza semplice perché si tratta di un dispositivo

Dettagli

La configurazione di base per comprendere il funzionamento del transistor bipolare è quella detta emettitore in comune:

La configurazione di base per comprendere il funzionamento del transistor bipolare è quella detta emettitore in comune: Transistor (cenni) Il transistor è un componente elettronico detto quadripolo attivo, che abbisogna cioè di alimentazione esterna per entrare in funzione. Si devono distinguere intanto le due familie logiche

Dettagli

Esperimentazioni di Fisica 3. Appunti sugli. Amplificatori Differenziali. M De Vincenzi

Esperimentazioni di Fisica 3. Appunti sugli. Amplificatori Differenziali. M De Vincenzi Esperimentazioni di Fisica 3 Appunti sugli. Amplificatori Differenziali M De Vincenzi 1 Introduzione L amplificatore differenziale è un componente elettronico che (idealmente) amplifica la differenza di

Dettagli

Schemi e caratteristiche dei principali amplificatori a BJT

Schemi e caratteristiche dei principali amplificatori a BJT Schemi e caratteristiche dei principali amplificatori a BJT Sommario argomenti trattati Schemi e caratteristiche dei principali amplificatori a BJT... 1 Amplificatore emettitore comune o EC... 1 Amplificatore

Dettagli

Transistori bipolari a giunzioni (BJT).

Transistori bipolari a giunzioni (BJT). Transistoripolari a giunzioni (JT). 1 Transistoripolari a giunzioni (JT). emettitore n-si base p-si collettore n-si Fig. 1 - Struttura schematica di un transistore bipolare a giunzioni npn. I transistoripolari

Dettagli

Indice. XI Prefazione. 1 Capitolo 1 METODO CIRCUITALE: COMPONENTI E LEGGI DI KIRCHHOFF Modello circuitale dei fenomeni elettromagnetici

Indice. XI Prefazione. 1 Capitolo 1 METODO CIRCUITALE: COMPONENTI E LEGGI DI KIRCHHOFF Modello circuitale dei fenomeni elettromagnetici XI Prefazione 1 Capitolo 1 METODO CIRCUITALE: COMPONENTI E LEGGI DI KIRCHHOFF 1 1.1 Modello circuitale dei fenomeni elettromagnetici 1.1.1 Modello a parametri concentrati, p. 1-1.1.2 Modello a parametri

Dettagli

Simulazione elettronica analogica con Spice. Progetto finale: Alimentatori Lineari e Switching

Simulazione elettronica analogica con Spice. Progetto finale: Alimentatori Lineari e Switching STAGE&ESTIVI&RESIDENZIALI&2017 Simulazione elettronica analogica con Spice Progetto finale: Alimentatori Lineari e Switching Alessio Passaquieti - 1 Caratteristiche generali del simulatore: I programmi

Dettagli