Curriculum Vitae et Studiorum Francesco Ruffino

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1 Curriculum Vitae et Studiorum Francesco Ruffino 1. Informazioni Personali Nome Francesco Cognome Ruffino Residenza Via Montegrappa Siracusa, Italia Telefono Cittadinanza Italiana Data di nascita 4 Marzo 1980 Luogo di nascita Siracusa, Italia Sesso Maschile Obblighi rispetto al servizio di leva Milite-esente 2. Istruzione e Formazione 1999: Maturità Scientifica conseguita con votazione 100/100 presso il Liceo Scientifico Statale O.M. Corbino di Siracusa; : Corso di Laurea in Fisica ( ) presso la Facoltà di Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali dell Università degli Studi di Catania; 27 Aprile 2004: Conseguimento della Laurea in Fisica (indirizzo Fisica della Materia) con votazione 110/110 e lode, con la discussione di una tesi dal titolo Proprietà di trasporto elettronico in sistemi mesoscopici, relatori Prof.ssa M. G. Grimaldi (Dipartimento di Fisica ed Astronomia dell Università degli Studi di Catania) e Dott. G. Piccitto (Dipartimento di Fisica ed Astronomia dell Università degli Studi di Catania); Maggio 2005: vincita di un posto, con borsa di studio, relativamente al concorso per lo svolgimento del Dottorato di Ricerca in Scienza dei Materiali (XX ciclo) presso l Università degli Studi di Catania. Argomento principale del corso: Nanostructured materials and devices based on metal nanostructures, relatore Prof.ssa M. G. Grimaldi (Dipartimento di Fisica ed Astronomia dell Università degli Studi di Catania), supervisore Dott. V. Raineri (Consiglio Nazionale delle Ricerche-Instituto per la Microelettronica e Microsistemi) Ottobre 2005: Partecipazione (e conseguimento del relativo attestato di partecipazione) alla XI Scuola Nazionale di Scienza dei Materiali tenutasi a Cortona, con argomento le Nanostrutture. Durante detta Scuola è stato presentato e discusso, tramite presentazione via poster, un lavoro dal titolo Electronic collective transport in TiSi 2 disordered nanocrystals array ; 27 Marzo Aprile 2006: Partecipazione al corso su Transmission Electron Microsopy tenuto dal Dr. C. Spinella, del Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, nell ambito delle attività di studio del Dottorato di Ricerca in Scienza dei Materiali (XX ciclo) dell Università degli Studi di Catania; 1

2 02-04 Maggio 2006: Partecipazione al corso su Scanning Electron Microsopy tenuto dal Dr. A. La Mantia, della STMicroelectronics di Catania, nell ambito delle attività di studio del Dottorato di Ricerca in Scienza dei Materiali (XX ciclo) dell Università degli Studi di Catania; Maggio 2006: Partecipazione al corso su Atomic Force Microsopy tenuto dal Dr. V. Raineri, del Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, nell ambito delle attività di studio del Dottorato di Ricerca in Scienza dei Materiali (XX ciclo) dell Università degli Studi di Catania; Dicembre 2006: Partecipazione al corso su Esperimenti con luce di Sincrotrone tenuto dal Prof. G. Faraci, dell Università degli Studi di Catania, e dal Dr. S. la Rosa, del Sincrotrone ELETTRA di Trieste, nell ambito delle attività di studio del Dottorato di Ricerca in Scienza dei Materiali (XX ciclo) dell Università degli Studi di Catania. 3. Attività Didattica e Professionale 15 Dicembre Marzo 2006: Svolgimento (previa vincita del relativo concorso) di 100 ore di attività di tutorato (esercitazioni pratiche su Fisica dei Semiconduttori e dei dispositivi Elettronici) per gli Studenti del corso di Fisica III del Corso di Laurea in Informatica dell Università degli Studi di Catania, tenuto dalla Prof. essa M. G. Grimaldi (del Dipartimento di Fisica ed Astronomia dell Università degli Studi di Catania); 04 Giugno Agosto 2004: Contratto a tempo determinato per attività di collaborazione al fine della ricerca scientifica con il Dipartimento di Fisica ed Astronomia dell Università degli Studi di Catania nell ambito del progetto di ricerca Caratterizzazione di materiali nanocompositi, diretto dalla Prof.ssa M.G. Grimaldi. 4. Attività Scientifica Settembre 2005: Partecipazione (e conseguimento del relativo attestato di partecipazione), in qualità di assistente tecnico, al XCI Congresso della Società Italiana di Fisica tenutosi presso il Dipartimento di Fisica ed Astronomia dell Università di Catania; 28 Maggio Giugno 2006: Partecipazione (e conseguimento il relativo attestato di partecipazione) all annuale European Material Research Society Spring Meeting 2006 (Nizza, Francia), con una presentazione orale dal titolo Structural and electrical characterization of gold nanoclusters in SiO 2 films: realization of a nanoscale tunnel rectifier nel simposio Nanoscale imaging and metrology of devices and innovative materials e vincita, per detta presentazione, del premio Young scientist award ; Giugno 2006: Partecipazione (e conseguito il relativo attestato di partecipazione) al 14 th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (Santa Tecla, Catania, Italy), con una presentazione orale dal titolo Electrical characterization of gold nanocrystals in SiO 2 films: a proposal for a prototype of an integrated Single Electron Transistor-MOS device at room temperature nella sessione Novel materials, substrates ; Settembre 2006: Coautore della presentazione orale Size-dependent Schottky barrier height in self-assembled gold nanoparticles on 6H-SiC effettuata dal Dott. Filippo Giannazzo, del 2

3 Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, durante il 4 th International Workshop on Nanoscale Spectroscopy and Nanotechnology (Rathen, Germany); Settembre 2006: Partecipazione (e conseguimento del relativo attestato di partecipazione) alla 15 th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (Taormina, Messina, Italy), con presentazione di un poster dal titolo Ripening and inverse ripening of gold nanoclusters on the SiO 2 surface induced by ion beam irradiation nella sessione Novel applications of ion beam processing ; 26 Maggio Giugno 2007: Partecipazione (e conseguimento il relativo attestato di partecipazione) all annuale European Material Research Society Spring Meeting 2007 (Strasburgo, Francia), con una presentazione orale dal titolo Electrical Properties of Nano- Schottky diodes nel simposio Self-assembling and Patterning e vincita, per detta presentazione, del premio Young scientist award ; Ottobre 2007: Partecipazione (e conseguimento del relativo attestato di partecipazione) al 12 th International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST 2007) (Erice, Trapani, Italy), con presentazione di un poster dal titolo Clustering of gold on 6H-SiC and local nanoscale electrical properties ; dal 2005: socio della Società Italiana di Fisica; dal 2007: socio della Società Europea di Fisica. 5. Capacità e Competenze Personali 1) Madrelingua: Italiano; 2) Altre lingue: Inglese, ottimo nello scritto, nel parlato e nella comprensione; 3) Competenze teorico-scientifiche generali: a) Fisica classica e moderna; b) Fisica quantistica e relativistica; c) Fisica e struttura della materia; d) Termodinamica statistica e quantistica, fisica dei sistemi a molti corpi; e) Fisica dello stato solido; f) Teoria quantistica della materia, fisica atomica e molecolare; g) Ottica quantistica e fotonica; h) Fisica dei semiconduttori; i) Fisica dei materiali; j) Fisica delle superfici; k) Fisica dei sistemi mesoscopici, dei sistemi a bassa dimensionalità e delle nanostrutture; l) Fisica di clusters metallici e semiconduttori; m) Teorie di charge density wave; n) Teorie di self-assembling di sistemi a bassa dimensionalità. 4) Competenze tecnico-scientifiche generali: a) eccellenti per tecniche di caratterizzazione morfologiche ed elettriche e di nanomanipolazione basate su Atomic force microscopy ; b) eccellenti per tecniche di caratterizzazione Hall; c) eccelenti per tecniche di preparazione di film sottili nanostrutturati tramite sputtering deposition ; 3

4 d) eccellenti per tecniche di preparazione, caratterizzazione e manipolazione di materiali nanostrutturati tramite fasci ionici (ion implantation, Rutherford backscattering spectrometry,.); e) eccellenti per tecniche di preparazione di film sottili nanostrutturati tramite Physical vapour deposition ; f) eccellenti per tecniche di preparazione di materiali nanostrutturati tramite processi termici; g) buone per tecniche di caratterizzazione tramite X-ray diffraction ; h) buone per tecniche di caratterizzazione tramite Transmission electron microscopy ; i) basilari per tecniche di caratterizzazione tramite Scanning electron microscopy ; j) basilari per tecniche di caratterizzazione tramite ellissometria; k) basilari per tecniche di preparazione di film sottili tramite Molecular beam epitaxy ; l) basilari per tecniche di preparazione di film sottili tramite Chemical vapour deposition ; m) basilari per tecniche di preparazione di film sottili nanostrutturati tramite Nanoimprinting ; n) basilari per tecniche di preparazione di dispositivi microelettronici tramite litografia ottica. 5) Interessi teorico-tecnico-scientifici particolari: a) Nanoelettronica e Nanotecnologie; b) Materiali nanostrutturati innovativi; c) Materiali polimerici innovativi; d) Processi di self-assembling di nanostrutture; e) Processi di realizzazione e caratterizzazione di materiali e dispositivi nanostrutturati; f) Effetti collettivi, di disordine e percolativi in materiali nanostrutturati; g) Effetti di elettrone singolo; h) Giunzioni tunnel e superconduttrici; i) Effetti di interferenza elettronica in dispositivi nanostrutturati (weak and strong localization); j) Effetti di interazione di campi, fotoni e ioni con materiali nanostrutturati; k) Applicazioni di materiali e dispositivi nanostrutturati nei campi: elettronico, optoelettronico, sensoristico, chimico, medico. 6) Conoscenze informatiche: a) Sistemi operativi: approfondite di Windows 2000, 2003, XP; basilari di LINUX 10.0; b) Linguaggi di programmazione: basilari di C++; c) Programmi: ottime di Microsoft Word, Microsoft Excel, Microsoft Outlook, Microsoft PowerPoint, Origin 5, 6, 7, Matcad 2000, Corel Draw e Photo Paint, Adobe Acrobat; basilari di Gatan Digital Micrograph, SRIM 2003 e MATLAB Pubblicazioni 1) F. Ruffino, M. G. Grimaldi, F. Giannazzo, F. Roccaforte, V. Raineri, Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO 2, Applied Physics Letters N. 89, pag , (2006). Pubblicato on-line ( il 27 Dicembre 2006 dall American Institute of Physics. 2) F. Ruffino, M. G. Grimaldi, F. Giannazzo, F. Roccaforte, V. Raineri, "Size-dependent Schottky barrier height in self-assembled gold nanoparticles, Applied Physics Letters N. 89, pag , (2006); Pubblicato on-line ( il 13 Dicembre 2006 dall American Institute of Physics (anche citato sul numero del 25 Dicembre 2006 del Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology ); 4

5 3) F. Ruffino, A. M. Piro, G. Piccitto, M. G. Grimaldi, Electronic collective transport in disordered array of C49-phase TiSi 2 nanocrystals in Si Journal of Applied Physics N. 101, pag , (2007). Pubblicato on-line ( il 22 Gennaio 2007 dall American Institute of Physics. 4) F. Ruffino, A. Canino, M. G. Grimaldi, C. Bongiorno, F. Giannazzo, F. Roccaforte, V. Raineri, Self-organization of gold nanoclusters on hexagonal SiC and SiO 2 surfaces, Journal of Applied Physics N. 101, pag , (2007); Pubblicato on-line ( il 22 Marzo 2007 dall American Institute of Physics. 5) F. Ruffino, M. G. Grimaldi, Structural and electrical characterization of gold nanoclusters in SiO 2 films: realization of a nanoscale tunnel rectifier, Microelectronic Engineering N. 84, pag (2007). Pubblicato on-line ( il 17 Novembre 2006 dall Elsevier. 6) F. Ruffino, R. De Bastiani, M. G. Grimaldi, C. Bongiorno, F. Giannazzo, F. Roccaforte, C. Spinalla, V. Raineri, Self-organization of Au nanoclusters on the SiO 2 surface induced by 200keV-Ar + irradiation, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B N. 257, pag (2007). Pubblicato on-line ( il 19 Gennaio 2007 dall Elsevier. 7) F. Ruffino, C. Bongiorno, F. Giannazzo, F. Roccaforte, V. Raineri, M. G. Grimaldi, Effect of surrounding environment on atomic structure and equilibrium shape of growing nanocrystals: gold in/on SiO 2, Nanoscale Research Letters, N. 2, pag (2007) Pubblicato on line ( l 8 Maggio 2007 dalla Springer, New York. 8) F. Ruffino, F. Giannazzo, F. Roccaforte, V. Raineri, M. G. Grimaldi, Self-assembled metal nanostructures in semiconductors structures, in press in Lectures Notes on Nanoscale Science and Technology, Springer (New York). 7. Prospettive per le Attività di Interesse Lavorativo 1) Attività scientifica di ricerca d avanguardia per lo sviluppo di materiali innovativi (materiali nanostrutturati, polimerici, ecc.); 2) Attività scientifica di ricerca d avanguardia per lo sviluppo di tecniche innovative per la realizzazione dei suddetti materiali; 3) Attività scientifica di ricerca d avanguardia per lo sviluppo di tecniche innovative per la caratterizzazione (strutturale, elettrica, ottica, meccanica) dei suddetti materiali; 4) Attività scientifica di ricerca d avanguardia per lo sviluppo di dispositivi innovativi basati sui suddetti materiali per applicazioni nei campi elettronico, ottico, medico, chimico, ambientale, sensoristico, energetico, ecc. 5