SEMICONDUTTORI. materiali funzionali per l elettronica e la sensoristica

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Transcript:

STUDENTS MEETING SEMICONDUTTORI materiali funzionali per l elettronica e la sensoristica Maria Cristina Carotta Dipartimento di Fisica - Laboratorio Sensori e Semiconduttori Ferrara, 15 ottobre 2009

ATTIVITÀ DEL LABORATORIO SENSORI E SEMICONDUTTORI Ricerche fondamentali in fisica della materia e scienza dei materiali Sviluppo di materiali innovativi Realizzazione e caratterizzazione di sensori di gas e celle fotovoltaiche (tradizionali e a concentrazione)

SEMICONDUTTORI Semiconduttori convenzionali (silicio, germanio, arsenuro di gallio, ) legame covalente - proprietà di bulk (massive) applicazioni: elettronica - dispositivo di base: diodo Ossidi metallici semiconduttori (es: biossido di stagno,.) - prevalente legame ionico - proprietà di superficie applicazioni: sensoristica principalmente sensori per gas

Attività di ricerca: Sensoristica per gas Microsistemi (MEMS)

Attività di ricerca Celle fotovoltaiche Sistemi fotovoltaici a concentrazione

Tecnologie Sintesi di nano-polveri di ossidi semiconduttori ecnologia serigrafica per la deposizione di film spessi orni UV, IR e a muffola per trattamenti termici inea di fotolitografia Wedge Wire Bonding (saldature a termocompressione) reparazione di miscele di gas tramite MFCs Reattori atmosferici per drogaggio ed ossidazione dei wafer di silicio Reattore LPCVD per ossidazione e nitrurazione di wafer di silicio VD da sorgenti termiche ed e-gun Wet benches lasma etcher robe station Ellissometria

Silicio monocristallin o Silicio policristallin o

I difetti nei cristalli semiconduttori Un cristallo perfetto non esiste: in qualunque cristallo ci sono imperfezioni e impurezze I difetti modificano le proprietà fisiche dei cristalli L introduzione controllata di difetti modula le proprietà del cristallo

EFFETTI DELLE IMPUREZZE -

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Sintesi di ossidi attraverso processi di wet chemistry Hydrolisis and Condensation Gelation 3D network formation in a continuous liquid phase [[H+], T, H2O/M] Starting materials: Inorganic Salts in aqueous solution Alkoxides in non aqueous solution SOL Gel-precipitation nanostructured particles precursors of the semiconductor oxide Gel dry precursor of the semiconductor oxide thermal Treatments Conversion precursor/oxide nanostructured semiconductor oxide

Dalle nanoparticelle di semiconduttori ai sensori di gas inquinanti 200 µm Sensori per NOx, CO e ozono

SVILUPPO DI UNA STAZIONE DI MONITORAGGIO BASATA SU SENSORI A STATO SOLIDO DA OSSIDI SEMICONDUTTORI NANOSTRUTTURATI 200 µm

Monitoraggio atmosferico degli inquinanti gassosi: Monossido di carbonio (10 mg/m3 media su 8 h) Ossidi di azoto (NO2-200 µg/m3 media su 1 h) Ozono (120 µg/m3 media su 8 h) Benzene (5 µg/m3 media su 1 anno)

Confronto tra tecnologia convenzionale ed innovativa Strumenti analitici Misure accurate e precise Sensori chemio-resistivi ingombranti costi elevati necessità di personale qualificato manutenzione costante Facili da installare e da usare piccole dimensioni portatili basso costo Utilizzi: adatti al monitoraggio continuo affiancamento alla strumentazione convenzionale validazione di modellistica di dispersione

Confronto fra le concentrazioni di CO misurate da un sensore a base di una soluzione solida di SnO2, TiO2 e Nb e uno spettrofotometro IR CO[ppm] 4 CO Sens CO analizzatore 3 2 1 15/12/06 17/12/06 19/12/06 21/12/06 4 CO[ppm] invern o 0 13/12/06 CO Sens CO analizzatore 3 2 1 0 04/01/07 06/01/07 08/01/07 Tempo 10/01/07 12/01/07

Installazione a MALTA

Monitoraggio dell inquinamento atmosferico nel Nepal Himalaya (5078 m) RH HIMALAYA 5078 mt T 4000 W11 W11 LF4 3000 STN V STN 2000 1000 0 06/05/09 16:48:00 19:12:00 21:36:00 07/05/09

Esperimenti di monitoraggio Di notte, le concentrazioni di NOx sono maggiori al piano superiore, quando il traffico, sorgente di inquinanti a livello del suolo è assente e le sorgenti di NOx sono più alte, come I camini domestici e industriali. 500 Monday lower level Monday upper level Sunday lower level Sunday upper level 3 NOx [µg/m ] 400 24 ore di monitoriaggio giornaliere dal 9 al 15 gennaio 2006 - Palazzo Turchi di Bagno (Ferrara, 2 8 m) 300 200 100 0 00:00:00 04:00:00 08:00:00 12:00:00 16:00:00 January 9-15 2006 20:00:00 24:00:00