Memorie a semiconduttore e tecnologia
|
|
|
- Abele Sasso
- 9 anni fa
- Просмотров:
Транскрипт
1 Memorie a semiconduttore e tecnologia Memorie a semiconduttore e tecnologia Architettura di una memoria Memorie non volatili Memorie a scrittura e lettura Processi di base Esempi Politecnico di Torino 1
2 Prerequisiti per la lezione Proprietà chimico-fisiche dei principali materiali per l elettronica 3 Prerequisiti per la lezione Proprietà chimico-fisiche dei principali materiali per l elettronica Principi di funzionamento del BJT Politecnico di Torino 2
3 Prerequisiti per la lezione Proprietà chimico-fisiche dei principali materiali per l elettronica Principi di funzionamento del BJT Struttura del BJT 5 Prerequisiti per la lezione Proprietà chimico-fisiche dei principali materiali per l elettronica Principi di funzionamento del BJT Struttura del BJT Principi di funzionamento del MOSFET Politecnico di Torino 3
4 Prerequisiti per la lezione Proprietà chimico-fisiche dei principali materiali per l elettronica Principi di funzionamento del BJT Struttura del BJT Principi di funzionamento del MOSFET Struttura del MOSFET 7 Obiettivi della lezione Storia e prospettive delle tecnologie elettroniche Politecnico di Torino 4
5 Obiettivi della lezione Storia e prospettive delle tecnologie elettroniche Fasi principali di un processo planare 9 Obiettivi della lezione Storia e prospettive delle tecnologie elettroniche Fasi principali di un processo planare Tecniche di preparazione dei substrati Politecnico di Torino 5
6 Obiettivi della lezione Storia e prospettive delle tecnologie elettroniche Fasi principali di un processo planare Tecniche di preparazione dei substrati Tecniche fotolitografiche 11 Riferimenti bibliografici per la lezione Dispositivi a semiconduttore di Simon Sze BSH Hoepli, 1991 capitoli 8, 9, 10, 11 Dispositivi per la microelettronica di Giovanni Ghione McGraw-Hill, 1998 capitolo Politecnico di Torino 6
7 Leggi di Moore ed evoluzione della tecnologia Leggi di Moore ed evoluzione della tecnologia Principi della tecnologia planare Crescita monocristallo e preparazione substrati Fotolitografia Politecnico di Torino 7
8 Leggi di Moore 15 Leggi di Moore Politecnico di Torino 8
9 Leggi di Moore 17 Leggi di Moore Politecnico di Torino 9
10 Leggi di Moore 19 Leggi di Moore Politecnico di Torino 10
11 Leggi di Moore 21 Primo transistore Politecnico di Torino 11
12 Evoluzione del transistore 23 Evoluzione del transistore Politecnico di Torino 12
13 Transistore a giunzione 25 Transistore a giunzione Politecnico di Torino 13
14 Transistore a lega-giunzione 27 Transistore a lega-giunzione Politecnico di Torino 14
15 Transistore a lega-giunzione 29 Principi della tecnologia planare 2005 Politecnico di Torino 15
16 Leggi di Moore ed evoluzione della tecnologia Principi della tecnologia planare Crescita monocristallo e preparazione substrati Fotolitografia 31 Processo planare Politecnico di Torino 16
17 Processo planare 33 Processo planare Politecnico di Torino 17
18 Processo planare 35 Transistore planare Politecnico di Torino 18
19 Processo planare: flusso 37 Processo planare: flusso Politecnico di Torino 19
20 Processo planare: flusso 39 Processo planare: flusso Politecnico di Torino 20
21 Processo planare: flusso 41 Processo planare: flusso Politecnico di Torino 21
22 Processo planare: flusso 43 Processo planare BJT Politecnico di Torino 22
23 Processo planare BJT 45 Processo planare BJT Politecnico di Torino 23
24 Processo planare BJT 47 Processo planare BJT Politecnico di Torino 24
25 Processo planare BJT 49 Processo Planare IC Politecnico di Torino 25
26 Processo Planare IC 51 Storia e Prospettive Politecnico di Torino 26
27 Storia e Prospettive 53 Storia e Prospettive Politecnico di Torino 27
28 Crescita monocristallo e preparazione substrati Leggi di Moore ed evoluzione della tecnologia Principi della tecnologia planare Crescita monocristallo e preparazione substrati Fotolitografia Politecnico di Torino 28
29 Crescita monocristalli 57 Crescita monocristalli Politecnico di Torino 29
30 Crescita monocristalli 59 Crescita monocristalli Politecnico di Torino 30
31 Crescita monocristalli 61 Crescita monocristalli Politecnico di Torino 31
32 Crescita monocristalli 63 Crescita monocristalli Politecnico di Torino 32
33 Crescita monocristalli 65 Crescita monocristalli Politecnico di Torino 33
34 Crescita monocristalli 67 Metodo CZ MANDRINO PORTA CRISTALLO TRAZIONE + ROTAZIONE SEME CRISTALLINO MONOCRISTALLO SILICIO POLISILICIO FUSO 1420 C CROGIOLO IN QUARZO SCHERMO TERMICO ELEMENTO RISCALDANTE RAFFREDDAMENTO AD ACQUA Politecnico di Torino 34
35 Metodo CZ MANDRINO PORTA CRISTALLO TRAZIONE + ROTAZIONE SEME CRISTALLINO MONOCRISTALLO SILICIO POLISILICIO FUSO 1420 C CROGIOLO IN QUARZO SCHERMO TERMICO ELEMENTO RISCALDANTE RAFFREDDAMENTO AD ACQUA 69 Metodo CZ MANDRINO PORTA CRISTALLO TRAZIONE + ROTAZIONE SEME CRISTALLINO MONOCRISTALLO SILICIO POLISILICIO FUSO 1420 C CROGIOLO IN QUARZO SCHERMO TERMICO ELEMENTO RISCALDANTE RAFFREDDAMENTO AD ACQUA Politecnico di Torino 35
36 Metodo CZ 71 Metodo CZ Politecnico di Torino 36
37 Metodo CZ 73 Metodo CZ Politecnico di Torino 37
38 Metodo CZ 75 Metodo CZ Politecnico di Torino 38
39 Tornitura del lingotto TORNITURA DEL LINGOTTO 77 Realizzazione dei Flat Politecnico di Torino 39
40 Realizzazione dei Flat PRIMARY FLAT SECONDARY FLAT 79 Realizzazione dei Flat PRIMARY FLAT SECONDARY FLAT PRIMARY FLAT SECONDARY FLAT Politecnico di Torino 40
41 Taglio dei wafer 81 Etching dei wafer Politecnico di Torino 41
42 Lappatura superficiale 83 Realizzazione Substrato Politecnico di Torino 42
43 Realizzazione Substrato 85 Realizzazione Substrato Politecnico di Torino 43
44 Realizzazione Substrato 87 Realizzazione Substrato Politecnico di Torino 44
45 Realizzazione Substrato 89 Realizzazione Substrato Politecnico di Torino 45
46 Realizzazione Substrato 91 Realizzazione Substrato Politecnico di Torino 46
47 Realizzazione Substrato 93 Realizzazione Substrato Politecnico di Torino 47
48 Realizzazione Substrato 95 Fotolitografia 2005 Politecnico di Torino 48
49 Leggi di Moore ed evoluzione della tecnologia Principi della tecnologia planare Crescita monocristallo e preparazione substrati Fotolitografia 97 Fotolitografia: ciclo di un IC Politecnico di Torino 49
50 Fotolitografia: ciclo di un IC 99 Fotolitografia: ciclo di un IC Politecnico di Torino 50
51 Fotolitografia: ciclo di un IC 101 Fotolitografia: ciclo di un IC Politecnico di Torino 51
52 Fotolitografia: ciclo di un IC 103 Linea di fabbricazione Politecnico di Torino 52
53 Fotolitografia: fasi LAMPADA UV HMDS PHOTORESIST MASCHERA Preparazione WAFER con Hexamethyldisilazane per aumentare adesione resist Deposizione resist con spin Essiccazione soft Allineamento Esposizione Essiccazione dopo esposizione Sviluppo Essiccazione hard Ispezione 105 Fotolitografia: fasi LAMPADA UV HMDS PHOTORESIST MASCHERA Preparazione WAFER con Hexamethyldisilazane per aumentare adesione resist Deposizione resist con spin Essiccazione soft Allineamento Esposizione Essiccazione dopo esposizione Sviluppo Essiccazione hard Ispezione Politecnico di Torino 53
54 Fotolitografia: fasi LAMPADA UV HMDS PHOTORESIST MASCHERA Preparazione WAFER con Hexamethyldisilazane per aumentare adesione resist Deposizione resist con spin Essiccazione soft Allineamento Esposizione Essiccazione dopo esposizione Sviluppo Essiccazione hard Ispezione 107 Fotolitografia: fasi LAMPADA UV HMDS PHOTORESIST MASCHERA Preparazione WAFER con Hexamethyldisilazane per aumentare adesione resist Deposizione resist con spin Essiccazione soft Allineamento Esposizione Essiccazione dopo esposizione Sviluppo Essiccazione hard Ispezione Politecnico di Torino 54
55 Fotolitografia: fasi LAMPADA UV HMDS PHOTORESIST MASCHERA Preparazione WAFER con Hexamethyldisilazane per aumentare adesione resist Deposizione resist con spin Essiccazione soft Allineamento Esposizione Essiccazione dopo esposizione Sviluppo Essiccazione hard Ispezione 109 Fotolitografia: fasi LAMPADA UV HMDS PHOTORESIST MASCHERA Preparazione WAFER con Hexamethyldisilazane per aumentare adesione resist Deposizione resist con spin Essiccazione soft Allineamento Esposizione Essiccazione dopo esposizione Sviluppo Essiccazione hard Ispezione Politecnico di Torino 55
56 Fotolitografia: fasi LAMPADA UV HMDS PHOTORESIST MASCHERA Preparazione WAFER con Hexamethyldisilazane per aumentare adesione resist Deposizione resist con spin Essiccazione soft Allineamento Esposizione Essiccazione dopo esposizione Sviluppo Essiccazione hard Ispezione 111 Fotolitografia: fasi LAMPADA UV HMDS PHOTORESIST MASCHERA Preparazione WAFER con Hexamethyldisilazane per aumentare adesione resist Deposizione resist con spin Essiccazione soft Allineamento Esposizione Essiccazione dopo esposizione Sviluppo Essiccazione hard Ispezione Politecnico di Torino 56
57 Fotolitografia 113 Fotolitografia Politecnico di Torino 57
58 Fotolitografia 115 Fotolitografia Politecnico di Torino 58
59 Photoresist Positivo LUCE UV AREA COPERTA DA CROMO SU VETRO AREA IN OMBRA SUL RESIST RESIST ESPOSTO VIENE RIMOSSO AREA ESPOSTA ESPOSIZIONE RESIST SVILUPPATO 117 Photoresist Positivo LUCE UV AREA COPERTA DA CROMO SU VETRO AREA IN OMBRA SUL RESIST RESIST ESPOSTO VIENE RIMOSSO AREA ESPOSTA ESPOSIZIONE RESIST SVILUPPATO Politecnico di Torino 59
60 Photoresit Negativo LUCE UV AREA COPERTA DA CROMO SU VETRO MASCHERA RESIST ESPOSTO RIMANE AREA ESPOSTA RESIST NON ESPOSTO VIENE RIMOSSO AREA IN OMBRA SUL RESIST ESPOSIZIONE RESIST SVILUPPATO 119 Photoresit Negativo LUCE UV AREA COPERTA DA CROMO SU VETRO MASCHERA RESIST ESPOSTO RIMANE AREA ESPOSTA RESIST NON ESPOSTO VIENE RIMOSSO AREA IN OMBRA SUL RESIST ESPOSIZIONE RESIST SVILUPPATO Politecnico di Torino 60
61 Maschere e Reticoli 121 Maschere e Reticoli Politecnico di Torino 61
62 Maschere e Reticoli 123 Maschere e Reticoli Politecnico di Torino 62
63 Maschere e Reticoli 125 Fabbricazione maschere Politecnico di Torino 63
64 Fabbricazione maschere 127 Fabbricazione maschere Politecnico di Torino 64
65 Fabbricazione maschere 129 Fabbricazione maschere Politecnico di Torino 65
66 Esposizione fotolitografica SORGENTE DI LUCE UV OTTURATORE ALLINEATORE LASER RETICOLO LENTI DI FOCALIZZAZIONE SU WAFER E FOTORIDUZIONE POSIZIONAMENTO WAFER PROCEDURA STEP AND REPEAT 131 Esposizione fotolitografica SORGENTE DI LUCE UV OTTURATORE ALLINEATORE LASER RETICOLO LENTI DI FOCALIZZAZIONE SU WAFER E FOTORIDUZIONE POSIZIONAMENTO WAFER PROCEDURA STEP AND REPEAT Politecnico di Torino 66
67 Sommario della lezione Leggi di Moore ed evoluzione della tecnologia Principi della tecnologia planare Crescita monocristallo e preparazione substrati Fotolitografia Politecnico di Torino 67
Il transistore MOSFET. Il sistema MOS. Il sistema MOS in inversione Il transistore nmos nmos: caratteristiche statiche. I quattro transistori MOS
Il transistore MOSFET Il transistore MOSFET Il sistema MOS Il sistema MOS in inversione Il transistore nmos nmos: caratteristiche statiche I quattro transistori MOS 2 2005 Politecnico di Torino 1 Obiettivi
La conduzione nei semiconduttori Politecnico di Torino 1
La conduzione nei semiconduttori 2006 Politecnico di Torino 1 La conduzione nei semiconduttori Concentrazioni di carica libera all equilibrio Correnti nei semiconduttori Modello matematico 3 2006 Politecnico
Gli amplificatori a transistore. L uso del MOSFET come amplificatore. L amplificatore a Source comune. Altre configurazioni
Gli amplificatori a transistore Gli amplificatori a transistore L amplificatore a Source comune Altre configurazioni L amplificatore a transistore bipolare 2 2006 Politecnico di Torino 1 Obiettivi dell
La giunzione pn in equilibrio termodinamico. Punto di funzionamento a riposo
I dispositivi a giunzione I dispositivi a giunzione La giunzione pn in equilibrio termodinamico La caratteristica statica Effetti capacitivi Analisi di piccolo segnale Il transistore bipolare Modelli del
SEMICONDUTTORI ESTRINSECI: EFFETTO SULLA MOBILITÀ
SEMICONDUTTORI ESTRINSECI: EFFETTO SULLA MOBILITÀ Anche le mobilità di elettroni e lacune sono influenzate dal drogaggio 20/06/2007 Chimica e Scienza e Tecnologia dei Materiali Elettrici L15 1 SEMICONDUTTORI
Realizzazione dei circuiti integrati
Realizzazione dei circuiti integrati I circuiti integrati possono essere suddivisi in due grandi gruppi: Circuiti integrati monolitici in cui tutti i componenti vengono formati durante il procedimento
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Tecnologia Produzione di fette (wafer) di Si Dispositivi Elettronici Tecnologia 2 Crescita Czochralski Fusione nel crogiolo del policristallo per induzione Aggiunta
Tecnologia Planare del silicio
Tecnologia Planare del silicio Tecnologia del silicio Perche il silicio Crescita del cristallo Preparazione del wafer La tecnologia planare Ossidazione termica Tecniche litografiche Diffusione dei droganti
Elettronica dei Sistemi Digitali LA
Elettronica dei Sistemi Digitali LA Università di Bologna, sede di Cesena Processi microelettronici A.a. 2004-2005 Tecniche Litografiche per la Fabbricazione di Circuiti Integrati - Etching Il fotoresist
Tecnologia Planare del silicio
Tecnologia Planare del silicio Tecnologia del silicio Perche il silicio Crescita del cristallo Preparazione del wafer La tecnologia planare Ossidazione termica Tecniche litografiche Diffusione dei droganti
Laboratorio di Elettronica
Laboratorio di Elettronica a.a. 2008-2009 Come nasce un circuito integrato Ing. Carmine Abbate e-mail: [email protected] webuser.unicas.it/elettronica PROGETTISTA Fabbricazione di un circuito integrato:
Fisica dei Dispositivi Elettronici
Fisica dei Dispositivi Elettronici Docente: Angela Maria Mezzasalma Dipartimento di Fisica della Materia e Tecnologie Fisiche Avanzate (studio: I piano corpo D) tel. 090 676-5090 e-mail: [email protected]
Storia e tecnologia del Silicio
Storia e tecnologia del Silicio Breve storia del Silicio Il nome silicio deriva dal latino silex,, selce Il silicio è il secondo elemento più diffuso, dopo l ossigeno, l sulla crosta terrestre (25%) Il
La tecnologia del silicio
La tecnologia del silicio Attualmente il materiale più usato è lo stesso silicio adoperato dall industria elettronica, il cui processo di fabbricazione presenta costi molto alti, non giustificati dal grado
Tecnologie fondamentali dei circuiti integrati:panoramica
Tecnologie fondamentali dei circuiti integrati:panoramica Riferimenti Bibliografici: Paolo Spirito Elettronica digitale, Mc Graw Hill Capitolo 2 Zs. M. Kovàcs Vajna Tecnologia planare del silicio I sistemi
Laboratorio di Elettronica: Dispositivi elettronici e circuiti
Laboratorio di Elettronica: Dispositivi elettronici e circuiti Linee di trasmissione Misure su linee di trasmissione (1). Semiconduttori meccanismi di trasporto di carica nei semiconduttori giunzione PN
Definizione. La resa produttiva (manufacturing Yield) rappresenta la percentuale di chip funzionanti sul totale del lotto di produzione.
Resa produttiva Definizione La resa produttiva (manufacturing Yield) rappresenta la percentuale di chip funzionanti sul totale del lotto di produzione. Y = N N good tot ( 100%) La resa è una funzione del
Progettazione di circuiti integrati
Architetture e Reti logiche Esercitazioni VHDL a.a. 2003/04 Progettazione di circuiti integrati Stefano Ferrari Università degli Studi di Milano Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Stefano Ferrari
Le lavorazioni: la formatura. Le lavorazioni: la formatura. Le lavorazioni industriali. Il processo di fusione. La fusione in forma transitoria
Le lavorazioni: la formatura Le lavorazioni: la formatura Le lavorazioni industriali Il processo di fusione La fusione in forma permanente La formatura dei polimeri Esercizi sulla fusione 2 2006 Politecnico
APPUNTI DI OPTOELETTRONICA ad uso degli studenti
APPUNTI DI OPTOELETTRONICA ad uso degli studenti Guide ottiche integrate Massimo Brenci IROE-CNR Firenze Esempio di guida ottica integrata Propagazione della luce in una guida ottica integrata (vista in
CAPITOLO IV TECNOLOGIE DEI MATERIALI SEMICONDUTTORI
CAPITOLO IV TECNOLOGIE DEI MATERIALI SEMICONDUTTORI (C. Arnone, G. Lullo, S. Riva Sanseverino) 4.1. - Evoluzione della semiconduttoristica. Nel Cap.I delle dispense del corso sono state analizzate le modificazioni
PRODUZIONE DEI DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE 1. Iniziamo con la descrizione dei metodi che portano alla produzione dei cristalli di
PRODUZIONE DEI DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE 1 Produzione del silicio 1 Purificazione chimica 1 Purificazione fisica 4 Formazione dei monocristalli 5 Tecnologia della giunzione pn 9 Diffusione 9 Formazione
Processi per asportazione C.N. Processi per asportazione C.N. Generalità sui parametri di taglio. La tornitura
Processi per asportazione C.N. Processi per asportazione C.N. Generalità sui parametri di taglio Foratura, fresatura e rettifica Il controllo numerico (C.N.) Ottimizzazione del processo 2 2006 Politecnico
Tecniche di produzione del Silicio. Silicio monocristallino: Processo Czochralski e metodo del floating zone
Tecniche di produzione del Silicio Silicio monocristallino: Processo Czochralski e metodo del floating zone Processo Czochralski Il processo consiste nel sollevamento verticale a bassissima velocità di
TECNOLOGIE ELETTRONICHE 1 A.A / 2005
APPUNTI DEL CORSO DI TECNOLOGIE ELETTRONICHE 1 PROF. MAURIZIO VALLE A.A. 2004 / 2005 : 1. Tecnologie di fabbricazione 2. Integrazione e litografia 3. Legge di Moore. 4. Una fabbrica di circuiti integrati.
Centro Ricerche FV. Fotovoltaico nuova generazione. Solare a contrazione AT. Ricerca sui materiali e nuovi dispositivi fotovoltaici
Centro Ricerche FV Portici Fotovoltaico nuova generazione Concentrazione solare FV Tecnologia a Film Sottili Celle Multigiunzioni Solare a contrazione AT Fornace AT Ricerca sui materiali e nuovi dispositivi
Processi tecnologici per semiconduttori
UNITÀ 1 Processi tecnologici per semiconduttori CONTENUTI Obiettivi Conoscenze 1 Produzione e raffinazione del silicio 2 Poduzione e lavorazione del monocristallo 3 Realizzazione della giunzione PN Competenze
Un altro importante parametro di questo processo è la risoluzione che rappresenta la distanza minima che la litografia può apprezzare.
TECNICHE LITOGRAFICHE La litografia è un processo basilare nella realizzazione di circuiti integrati,esso consiste nel depositare un materiale detto resist sul wafer da processare che una volta esposto
Corsi di. Elettronica I (12 CFU 110 h) Laurea Ing. Elettronica 2 anno Elettronica per TLC (12 CFU 110 h) Laurea Ing. TLC 2 anno.
Corsi di Elettronica I (12 CFU 110 h) Laurea Ing. Elettronica 2 anno Elettronica per TLC (12 CFU 110 h) Laurea Ing. TLC 2 anno Elettronica I Elettronica per TLC marzo-aprile F. Della Corte, S. Rao analogica,
Il reticolo cristallino e la cella elementare
Il reticolo cristallino e la cella elementare Nei solidi gli atomi o molecole che li compongono solo vibrano, cioè oscillano intorno a un punto di equilibrio. SOLIDI AMORFI : con forme mal definite xchè
Indice. 1. Fisica dei semiconduttori La giunzione pn...49
i Indice 1. Fisica dei semiconduttori...1 1.1 La carica elettrica...1 1.2 Tensione...2 1.3 Corrente...5 1.4 Legge di Ohm...6 1.5 Isolanti e conduttori...12 1.6 Semiconduttori...15 1.7 Elettroni nei semiconduttori...18
A1.1 Dispositivi semiconduttori
A1 A1.1 Dispositivi semiconduttori L utilizzo dei semiconduttori nell industria dell elettronica è diventato sempre più importante. L abilità dei produttori di semiconduttori di porre circuiti elettrici
Le lavorazioni: la formatura. Le lavorazioni: la formatura. Le lavorazioni industriali
Le lavorazioni: la formatura Le lavorazioni: la formatura Il processo di fusione La fusione in forma transitoria La fusione in forma permanente La formatura dei polimeri Esercizi sulla fusione 2 2006 Politecnico
Moduli fotovoltaici: Brevi cenni su nozioni base Stato dell arte. Parma, 26-11-2010 Francesco Giusiano. [email protected].
Moduli fotovoltaici: Brevi cenni su nozioni base Stato dell arte Parma, 26-11-2010 Francesco Giusiano [email protected] Celle di laboratorio: dimensioni 1 cm 2 Tipo di cella Efficienza in
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche
Disositivi e Tecnologie Elettroniche Tecnologia Produzione di fette (wafer) di Si Disositivi Elettronici Tecnologia 2 Crescita Czochralski Fusione nel crogiolo del olicristallo er induzione Aggiunta drogante
Unità 4: L architettura fisica del computer moderno
Unità 4: L architettura fisica del computer moderno Prerequisiti calcolo proposizionale sistemi di numerazione posizionale semplici nozioni di tecnologia elettrica capacità di scrivere semplici programmi
I materiali. I materiali. Introduzione al corso. Tecnologia di produzione. I materiali. La misura della durezza
Introduzione al corso Tecnologia di produzione La misura della durezza Le prove meccaniche distruttive Prove non distruttive La meccanica dei materiali 2 2006 Politecnico di Torino 1 Obiettivi della lezione
La deformazione plastica. La deformazione plastica. Lavorazioni per deformazione. Il processo di laminazione Estrusione e trafilatura La forgiatura
La deformazione plastica La deformazione plastica Il processo di laminazione Estrusione e trafilatura La forgiatura La formatura della lamiera 2 2006 Politecnico di Torino 1 Obiettivi dell Unità Riconoscere
Elettronica dello Stato Solido Lezione 1: Introduzione. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 1: Introduzione Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano [email protected] Outline Informazioni sul corso Introduzione all elettronica dello stato solido Breve
Le lavorazioni: la formatura. Le lavorazioni: la formatura. Le lavorazioni industriali. Il processo di fusione La fusione in forma transitoria
Le lavorazioni: la formatura Le lavorazioni: la formatura Le lavorazioni industriali Il processo di fusione La fusione in forma transitoria La formatura dei polimeri Esercizi sulla fusione 2 2006 Politecnico
Formazione dei monocristalli
Formazione dei monocristalli A causa dello stress provocato al lingotto da tutti i trattamenti descritti, esso presenta una struttura policristallina, cioè risulta suddiviso in una pluralità di zone, ciascuna
Transistor a giunzione bipolare
Transistor In elettronica, il transistor a collettore comune è una configurazione del transistor a giunzione bipolare usata comunemente come buffer di tensione. In tale dispositivo il nodo di collettore
Architettura dei calcolatori
Cos'è un calcolatore? Architettura dei calcolatori Esecutore automatico di algoritmi Macchina universale Elementi di Informatica Docente: Giorgio Fumera Corso di Laurea in Edilizia Facoltà di Architettura
Produzione del Silicio per uso elettronico
Produzione del Silicio per uso elettronico 1 - Ottenimento del Silicio grezzo dalla quarzite (silice) SiO 2 + C Si + CO 2 (in forno elettrico a 1500 C) si ottiene Silicio impuro (purezza massima < 98%)
TRANSISTOR DI POTENZA
TRANSISTOR DI POTENZA I transistor di potenza sono principalmente utilizzati nel controllo dei motori, in campo automobilistico, negli alimentatori, negli stadi finali degli amplificatori (audio, RF, ).
Tecnologie FV a film sottile: stato dell arte e prospettive
Unità Tecnico Scientifica FONTI RINNOVABILI E CICLI ENERGETICI INNOVATIVI Tecnologie FV a film sottile: stato dell arte e prospettive Ing.. Carlo Privato I giovedì della cultura scientifica Casaccia,,
La fabbricazione delle celle solari
La fabbricazione delle celle solari Roberta Campesato AEI Giornata di studio 2/12/2004 1 Fabbricazione delle celle solari Wafer epitassiale Cella solare n-contacts Monolithic Diode n-contacts AEI Giornata
Capitolo 4- REALIZZAZIONE DEI CIRCUITI INTEGRATI
Capitolo 4- REALIZZAZIONE DEI CIRCUITI INTEGRATI Nel corso del capitolo 3 abbiamo studiato il sistema giunzione partendo dalla ipotesi di saldare perfettamente affacciate due pezzi di silicio, uno di tipo
Come non fare un circuito integrato
BJT MOS Come non fare un circuito integrato I transistor non sarebbero isolati. Il substrato di Si con un certo tipo di drogaggio (o n o p) semplicemente cortocircuita tutte le parti di transistor con
Minerali: corpi inorganici naturali con una composizione chimica e proprietà fisico-chimiche molto specifiche
Minerali: corpi inorganici naturali con una composizione chimica e proprietà fisico-chimiche molto specifiche Classificazione generale: singoli elementi (metalli puri) - Oro (Au) Argento (Ag) Diamante
Struttura del condensatore MOS
Struttura del condensatore MOS Primo elettrodo - Gate: realizzato con materiali a bassa resistività come metallo o silicio policristallino Secondo elettrodo - Substrato o Body: semiconduttore di tipo n
Laboratorio di Elettronica Dispositivi elettronici e circuiti Proprieta' e fenomenologia dei semiconduttori. Dispositivi a semiconduttore: * diodo a giunzione * transistor bjt * transistor jfet e mosfet
Processi per asportazione C.N. Processi per asportazione C.N. Generalità sui parametri di taglio
Processi per asportazione C.N. Processi per asportazione C.N. La tornitura Foratura, fresatura e rettifica Il controllo numerico (C.N.) Ottimizzazione del processo 2 2006 Politecnico di Torino 1 Obiettivi
o I I I I I I UTET LIBRERIA
o I I I I I I UTET LIBRERIA IUAV-VENEZIA H 9813 BIBLIOTECA CENTRALE I.. FABRIZIA CAIAZZO Università degli Studi Salerno VINCENZO SERGI Università degli Studi Salerno TECNOLOGIE GENERALI DEI MATERIALI ISTITUTO
Le tecnologie per l acquisizione delle immagini digitali
Le tecnologie per l acquisizione delle immagini digitali Mauro Gambaccini Dipartimento di Fisica dell Università di Ferrara Sezione INFN di Ferrara CORSO ITINERANTE DI MAMMOGRAFIA DIGITALE Udine, 27 Gennaio
Laboratorio di Micro Opto-Elettronica
Laboratorio di Micro Opto-Elettronica Docente: Fortunato Neri Dipartimento di Fisica della Materia e Ingegneria Elettronica (studio: II piano corpo B) tel. 090 676-5007 (oppure -5394) e-mail: [email protected]
Laboratorio di Elettronica Dispositivi elettronici e circuiti Linee di trasmissione Proprieta' e fenomenologia dei semiconduttori. Dispositivi a semiconduttore: * diodo a giunzione * transistor bjt * transistor
Elettromagnetismo e circuiti
Elettromagnetismo e circuiti Corso tenuto da: Alessandro D Uffizi Massimiliano Bazzi Andrea Gennusa Emanuele Appolloni Francesco Rigoli Leonardo Marrone Lorenzo Di Bella Matteo Stirpe Stefano Mantini Verdiana