POLITECNICO DI MILANO
|
|
|
- Ortensia Riccardi
- 9 anni fa
- Просмотров:
Транскрипт
1 POLITECNICO DI MILANO ELETTRONICA per ingegneria BIOMEDICA prof. Alberto TOSI
2 Sommario Semiconduttori Conduttori: legge di Ohm Semiconduttori: reticolo, elettroni e lacune, deriva e diffusione Droganti: Giunzione p-n: accettori e donori, ioni fissi e cariche mobili equilibrio, diretta, inversa [email protected] 2
3 Silicio e non silicone [email protected] 3
4 Conduttori Presenza di elettroni liberi Quindi la tensione determina un campo elettrico E=V/L che causa una forza F=q. E sugli elettroni e quindi una loro deriva a velocità v d =µ. E ossia una corrente I = q. A. n. v d = q. µ. n. A/L. V In definitiva un legame: I V = Legge di Ohm: R I [ma] 20 R=tg α in cui la resistenza è funzione della resistività L R = ρ A 1 1 ρ= = σ q n μ α 5 V [V] [email protected] 4
5 Conduttori, Semiconduttori, Isolanti Conduttori Semiconduttori Isolanti Materiale 20 C Rame 1.7 µω cm Oro 2.2 µω cm Tungsteno 5.6 µω cm Acciaio 11 µω cm Acciaio INOX 112 µω cm Silicio 100 µω cm 100 Ω cm Germanio 100 µω cm 10 Ω cm Boro 2 MΩ cm Fosforo Ω cm Ferrite 127 Ω cm Mica Ω cm Conduttori: Isolanti: elettroni liberi elettroni legati agli atomi facilità di movimento elettronico impossibilità di movimento [email protected] 5
6 Semiconduttori I II III IV V VI VII VIII H He Li Be Na Mg Al B C N O F Ne Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni C Zn Ga Ge As Se Br Kr Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe [email protected] 6
7 Elettroni e Lacune 10 3 n = cm 10 3 p = cm 2 i ( ) n p= n T a 300K n i = cm -3 se il semiconduttore è intrinseco n = p = n i [email protected] 7
8 di un semiconduttore Energy Band gap energy E g : energia necessaria per portare un elettrone dalla banda di valenza alla banda di conduzione [email protected] 8
9 Struttura a bande del silicio Definizione di elettronvolt (ev): 1 ev = J (poichè un elettrone che risale o scende un potenziale pari a 1V cede o acquista un energia pari a J) Banda di conduzione E g =1.12eV Banda di valenza [email protected] 9
10 in un semiconduttore E g Differenza di potenziale = 0V Differenza di potenziale = 0V [email protected] 10
11 Semiconduttore intrinseco Presenza di elettroni e lacune libere v n Quindi la tensione determina v p E V una corrente I = (q. µ n. nq. µ p. p). A/L. V 10 8 Vale ancora Legge di Ohm ma i portatori sono sia elettroni che lacune! Drift Velocity [cm/s] GaAs electron Si hole Si electron Electric Field [V/cm] [email protected] 11
12 Semiconduttore N: droganti donori Sono atomi con 5 elettroni esterni che perdono facilmente un elettrone libero diventando loro stessi una carica fissa positiva NON E VERO CHE: n = n N (10 10 cm ) p = p ( cm i D 14 3 i ) [email protected] 12
13 Semiconduttore N: droganti donori n N D (10 10 cm ) n p 14 >> 10 cm 6 3 << 10 cm 3 Sono atomi con 5 elettroni esterni che perdono facilmente un elettrone libero diventando loro stessi una carica fissa positiva Poiché N D >>n i si avrà che n N D saranno elettroni maggioritari mentre p=n i2 /N D saranno trascurabili e quindi lacune minoritarie n = n N (10 10 cm ) p = p ( cm i D 14 3 i ) [email protected] 13
14 Semiconduttore P: droganti accettori p N A (10 10 cm ) 6 3 n << 10 cm 14 3 p >> 10 cm Sono atomi con 4 elettroni esterni che accettano facilmente un elettrone libero, originando così una lacuna libera diventando loro stessi una carica fissa negativa Poiché N A >>n i si avrà che p N A saranno lacune maggioritarie mentre n=n i2 /N A saranno trascurabili e quindi elettroni minoritari [email protected] 14
15 Semiconduttore estrinseco Resistivity [ Ω cm] P type (boron) N type (phosphorus) Doping Concentration [cm -3 ] 1 ρ = = σ q ( μ p μ n) p 1 n [email protected] 15
16 Fabbricazione di Si puro cristallino Il silicio è presente nei composti naturali come la silice ed i silicati (la comune sabbia!). Questi vengono fusi in fornaci e purificati selezionando il solo silicio. Nel crogiuolo di silicio fuso è immerso un seme di cristallo di silicio che viene poi lentamente sollevato ruotandolo. Il silicio fuso si attacca al seme e, mentre esce dal crogiuolo e si raffredda, riproduce la struttura cristallina del seme. Si realizzano lingotti del diametro di cm e lunghi fino ad 1 m. [email protected] 16
17 Silicio drogato (ovvero estrinseco) Si parte da silicio cristallino di elevatissima purezza Si introducono droganti (B, P, As, Ga) di un certo tipo e in una quantità controllata La concentrazione dei droganti è piccola rispetto alla densità del silicio: Densità atomi di silicio: atomi/cm 3 Densità atomi di drogante: > atomi/cm 3 < atomi/cm 3 [email protected] 17
18 Correnti: diffusione e deriva concentrazione [cm-3 ] istante iniziale t=0 Concentrazioni non uniformi causano diffusione: ( ) ( ) A p n dx dx ( ) I dp x dn x = q D q D equilibrio t= posizione [µm] Campi elettrici causano deriva: A A I= q Φp ( q) Φ n = ( q μp p q μn n) V q μn n V L L V Silicio drogato N v n v p Atomo donore ionizzato elettrone mobile E lacuna mobile [email protected] 18
19 Giunzione P-N (prima) Appena si pongono in contatto, si ha diffusione degli elettroni e delle lacune Silicio drogato P interfacce appena poste in contatto Silicio drogato N maggioritari atomo _ donore ionizzato atomo accettore ionizzato elettrone mobile lacuna mobile [email protected] 19
20 Giunzione P-N (dopo) Appena elettroni e lacune mobili si ricombinano, lasciano scoperti gli ioni fissi Questa carica fissa determina un campo elettrico che origina flusso di deriva Silicio drogato P giunzione Silicio drogato N maggioritario minoritario E built-in zona svuotata maggioritario minoritario atomo _ donore ionizzato atomo accettore ionizzato elettrone mobile lacuna mobile [email protected] 20
21 Giunzione P-N all equilibrio All equilibrio i flussi si uguagliano, quindi i semiconduttori NON si mescolano : la zona P (N) rimane piena di lacune (elettroni) maggioritarie diffusione di maggioritari deriva x N = x N P n D p A E built-in diffusione di maggioritari deriva x p x n 2 ε 1 1 x dep xdep = Vbuilt in q NA N N D [email protected] 21
22 Giunzione P-N in inversa Una tensione inversa innalza ulteriormente la barriera, impedendo la corrente V rev P E >E rev built-in N x dep(v rev) [email protected] 22
23 Giunzione P-N in diretta Una tensione diretta riduce la barriera e causa una elevata corrente V for R diffusione di maggioritari P E <E x 0 dep deriva for built-in diffusione di maggioritari deriva N 0.7V [email protected] 23
24 La giunzione P-N è il DIODO Anodo P Anodo N Catodo Catodo [email protected] 24
25 Conclusioni Il silicio è il semiconduttore per eccellenza Drogandolo si ottengono due tipi, N e P La giunzione P-N è il primo dispositivo microelettronico studiano ora in dettaglio il DIODO [email protected] 25
T08: Dispositivi elettronici (3.3.1)
T08: Dispositivi elettronici (3.3.1) Sommario Richiami sui semiconduttori conduttori, isolanti e semiconduttori bande di energia droganti nei semiconduttori corrente di deriva e diffusione Funzionamento
Dispositivi elettronici
Dispositivi elettronici Sommario Richiami sui semiconduttori conduttori, isolanti e semiconduttori bande di energia droganti nei semiconduttori corrente di deriva e diffusione Funzionamento della giunzione
I Materiali. Isolanti, Conduttori, Semiconduttori. giovedì 26 febbraio Corso di Elettronica 1
I Materiali Isolanti, Conduttori, Semiconduttori Corso di Elettronica 1 Di cosa si parlerà Classificazione dei materiali Drogaggio Giunzione PN Polarizzazione diretta Polarizzazione inversa Corso di Elettronica
Testo di riferimento: Millman-Grabel MICROELECTRONICS McGraw Hill Cap. 1: 1,2,3,4 Cap. 2: 1,2,3,4,6,7,8,(9,10). Cap. 3: 1,2,4,5,6,8,9,10.
Esperimentazioni di Fisica 3 AA 20122013 Semiconduttori Conduzione nei semiconduttori Semiconduttori intrinseci ed estrinseci (drogati) La giunzione pn Il diodo a semiconduttore Semplici circuiti con diodi
I PORTATORI e la CORRENTE nei DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI. Fondamenti di Elettronica
I PORTATORI e la CORRENTE nei DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI 1 Come si può variare la concentrazione di n e/o di p? NON aggiungendo elettroni dall esterno perché il cristallo si caricherebbe ed assumerebbe
l evoluzione dell elettronica
1904 tubo a vuoto 1968 circuito integrato l evoluzione dell elettronica 1980 integrati VLSI 1947 transistor oggi integrati ULSI 1971 microprocessore diodi transistor tecnologie costruttive grafici, tabelle,
il diodo a giunzione transistori ad effetto di campo (FETs) il transistore bipolare (BJT)
Contenuti del corso Parte I: Introduzione e concetti fondamentali richiami di teoria dei circuiti la simulazione circuitale con SPICE elementi di Elettronica dello stato solido Parte II: Dispositivi Elettronici
Materiale Energy Gap
Semiconduttori Materiale diamante silicio germanio Energy Gap 5,3 ev 1,1 ev 0,7 ev 21 Semiconduttori Quando un elettrone, portatore di carica negativa, è promosso da banda di valenza a banda di conduzione,
Laboratorio di Elettronica Dispositivi elettronici e circuiti Proprieta' e fenomenologia dei semiconduttori. Dispositivi a semiconduttore: * diodo a giunzione * transistor bjt * transistor jfet e mosfet
Elettronica II Legame covalente e bande di energia nei solidi p. 2
Elettronica II Legame covalente e bande di energia nei solidi Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informaione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: [email protected] http://www.dti.unimi.it/
Corso di Elettronica Industriale (CdL in Ingegneria Meccatronica, sede di Mantova) Semiconduttori intrinseci e drogati
Corso di Elettronica Industriale (CdL in Ingegneria Meccatronica, sede di Mantova) Isolanti, conduttori e semiconduttori In un solido si può avere conduzione di carica elettrica (quindi passaggio di corrente)
Figura 3.1: Semiconduttori.
Capitolo 3 Semiconduttori Con il termine semiconduttori si indicano alcuni elementi delle colonne III, IV e V della tavola periodica, caratterizzati da una resistività elettrica ρ intermedia tra quella
1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p 4d 4f 5s 5p 5d 5f... 6s...
1 - Quanti sono gli orbitali contenenti elettroni in un atomo il cui numero atomico è Z = 16? A 9 B 8 C 7 D 6 energia 5s 4s 4p 3p 3d 3s 2s 2p 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p 4d 4f 5s 5p 5d 5f... 6s... successione
Semiconduttori intrinseci
Semiconduttori intrinseci Rappresentazione bidimensionale di un cristallo di silicio a 0 K Rappresentazione bidimensionale di un cristallo di silicio a temperatura ambiente (300 K) In equilibrio termodinamico,
Materiali dell elettronica allo stato solido
Materiali dell elettronica allo stato solido I materiali elettronici si suddividono in 3 categorie: Isolanti Resistenza () > 10 5 -cm Semiconduttori 10-3 < < 10 5 -cm Conduttori < 10-3 -cm I semiconduttori
Sommario della lezione 4. Proprietà periodiche. Massa atomica e massa molecolare. Concetto di mole. Prime esercitazioni
Sommario della lezione 4 Proprietà periodiche Massa atomica e massa molecolare Concetto di mole Prime esercitazioni Proprietà periodiche Il raggio atomico è definito come la metà della distanza minima
COME CALCOLARE I NUMERI DI OSSIDAZIONE
COME CALCOLARE I NUMERI DI OSSIDAZIONE 1. Il numero di ossidazione (N.O.) degli atomi nelle sostanze elementari è zero 2. I seguenti elementi hanno sempre, nei loro composti, il N.O. indicato: Elemento
Il legame chimico. Lezioni 17-20
Il legame chimico Lezioni 17-20 1 Il legame chimico Le forze attrattive di natura elettrica che tengono uniti gli atomi in molecole o in composti ionici sono dette legami chimici. Legami atomici: covalente
conduttori isolanti semiconduttori In un metallo la banda più esterna che contiene elettroni è detta banda di valenza
Un solido sarà conduttore solo se la banda è parzialmente occupata. Se invece la banda è completamente occupata si possono avere due casi: se la banda successiva è molto alta in energia il solido è un
Sommario. Come funziona il Diodo? Giunzione PN a circuito aperto Giunzione PN: polarizzazione diretta Giunzione PN: polarizzazione inversa
l Diodo Sommario Cos è il Diodo? Concetti di base sulla fisica dei Semiconduttori Silicio ntrinseco Corrente di Deriva e Corrente di Diffusione Silicio Drogato P o N Giunzione PN Come funziona il Diodo?
Legame metallico. Non metalli. Semimetalli. Metalli
Legame metallico Non metalli Metalli Semimetalli Proprietà metalliche elevata conducibilità elettrica (1/T) e termica bassa energia di ionizzazione elevata duttilità e malleabilità non trasparenza lucentezza
I SEMICONDUTTORI. I loro atomi costituiscono uno schema cristallino, noto come centrate nel quale gli atomi sono tenuti a posto dai legami covalenti.
I SEMICONDUTTORI I semiconduttori hanno un comportamento intermedio fra quello dei conduttori e quello degli isolanti. Presentano una conduttività intermedia fra quella dei conduttori e degli isolanti
Figura 2.1: Semiconduttori.
Capitolo 2 Semiconduttori 2.1 Semiconduttori Con il termine semiconduttori si indicano alcuni elementi delle colonne III, IV e V della tavola periodica, caratterizzati da una resistività elettrica ρ intermedia
Condensatore. Un coppia di conduttori carichi a due potenziali diversi con cariche opposte costituisce un condensatore
Condensatore Un coppia di conduttori carichi a due potenziali diversi con cariche opposte costituisce un condensatore +Q Q V o semplicemente V Un condensatore è caratterizzato da una capacità C che dipende
LEGAME METALLICO PROPRIETA METALLICHE NON METALLI SEMIMETALLI METALLI
LEGAME METALLICO LEGAME METALLICO NON METALLI PROPRIETA METALLICHE Elevata conducibilità elettrica ( 1/ T) Bassa energia di ionizzazione Elevata duttilità e malleabilità Non trasparenza Lucentezza Strutture
bande di energia in un conduttore La banda di energia più alta è parzialmente vuota! livello di Fermi Overlap di bande di energia in un conduttore
g(e) va a zero sia al bordo inferiore che a quello superiore della banda bande di energia in un conduttore La banda di energia più alta è parzialmente vuota! livello di Fermi Overlap di bande di energia
Componentistica elettronica: cenni
ERSONE 15.3.01 Componentistica elettronica: cenni Componenti e caratterizzazione del loro comportamento La tecnologia dei componenti a vuoto La tecnologia dei componenti a semiconduttori l comportamento
Atomi, molecole e ioni
Atomi, molecole e ioni anione + - catione Teoria atomica di Dalton 1. Un elemento è composto da particelle minuscole chiamate atomi. 2. In una normale reazione chimica, nessun atomo di nessun elemento
Esperto prof. C. Formica
Esperto prof. C. Formica Immagini e testi tratti dai website di: genome.wellcome.ac.uk, dnaftb.org, unipv.it, unimi.it, wikipedia.it, unibs.it, unina.it, uniroma.it, nih.gov, zanichelli.it, sciencemag.org,
I semiconduttori. Il drogaggio è un operazione che avviene con diffusione di vapori a temperature intorno ai 1000 C.
I semiconduttori Presentano le seguenti caratteristiche: hanno una resistività intermedia tra quelle di un isolante ed un conduttore presentano una struttura cristallina, cioè con disposizione nello spazio
LA GIUNZIONE PN SILICIO INTRINSECO LACUNE - ELETTRONI. La giunzione PN - diodo Prof. Antonio Marrazzo Pag. 1
LA GIUNZIONE PN SILICIO INTRINSECO Un atomo di silicio ha 4 elettroni nello strato più esterno detti elettroni di valenza, quindi in un cristallo di silicio ciascuno di questi elettroni viene condiviso
Legame metallico. Metalli
LEGAME METALLICO Un metallo può essere descritto come un reticolo di ioni positivi (nucleo più elettroni di core) immersi in una nube di elettroni di valenza mobili (delocalizzati) attorno ai cationi.
Il sistema periodico degli elementi
Il sistema periodico degli elementi Gli elementi mostrano una variazione progressiva delle proprietà chimiche; dopo un definito numero di elementi, le medesime proprietà si ripetono con deboli variazioni
11 aprile Annalisa Tirella.
Scienze dei Materiali A.A. 2010/2011 11 aprile 2011 Annalisa Tirella [email protected] Metalli I metalli sono elementi chimici che possono essere utilizzati sia puri che in forma di leghe
Produzione del Silicio per uso elettronico
Produzione del Silicio per uso elettronico 1 - Ottenimento del Silicio grezzo dalla quarzite (silice) SiO 2 + C Si + CO 2 (in forno elettrico a 1500 C) si ottiene Silicio impuro (purezza massima < 98%)
Proprietà Elettroniche del Silicio
Proprietà Elettroniche del Silicio Il Silicio (Si) è un materiale semiconduttore. Il silicio puro ha una resistività elettrica relativamente elevata a temperature ambiente (RT). In un semiconduttore vi
Massa atomica. Unità di massa atomica: 1/12 della massa del 12 C
Massa atomica Unità di massa atomica: 1/12 della massa del 12 C Il peso atomico, o più correttamente la massa atomica dei vari elementi si riporta sotto forma di una media ponderata tra i vari isotopi
A DIPARTIMENTO DI FARMACIA C.d.L. in Farmacia CORSO DI CHIMICA GENERALE ED INORGANICA Primo parziale 29 Aprile 2015 COGNOME NOME
A DIPARTIMENTO DI FARMACIA C.d.L. in Farmacia CORSO DI CHIMICA GENERALE ED INORGANICA Primo parziale 29 Aprile 2015 COGNOME NOME Segnare con una crocetta la risposta (una sola) che si ritiene esatta. Alle
tavola periodica Tale disposizione tabulare degli elementi è nota come Da tale disposizione venne elaborata la legge periodica che affermava che:
Nel 1869 i chimici Dimitri Ivanovich Mendeleev e Julius Lothar Meyer, indipendentemente, trovarono che, ordinando gli elementi in ordine di peso atomico e disponendoli in file orizzontali una sopra l'altra,
ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA (C.I.) Modulo di Elettronica. Lezione 6. a.a
32586 ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA (C.I.) Modulo di Elettronica Lezione 6 a.a. 20102011 Diodo + Il diodo è un bipolo, passivo, nonlineare la cui funzione ideale è quella di permettere il flusso di corrente
SEMICONDUTTORI BANDE DI ENERGIA
SEMICONDUTTORI BANDE DI ENERGIA Si dice banda di energia un insieme di livelli energetici posseduti dagli elettroni. Si dice banda di valenza l'insieme degli elettroni che hanno un livello energetico basso,
Le proprietà periodiche degli elementi
Le proprietà periodiche degli elementi 1 Numerazione gruppi IUPAC Numero atomico Simbolo Peso atomico Metallo Semimetallo Non metallo 1s 2s2p 3s3p 4s3d4p 5s4d5p 6s4f5d6p 7s5f6d7p 2 Numerazione gruppi tradizionale,
La conduzione nei semiconduttori Politecnico di Torino 1
La conduzione nei semiconduttori 2006 Politecnico di Torino 1 La conduzione nei semiconduttori Concentrazioni di carica libera all equilibrio Correnti nei semiconduttori Modello matematico 3 2006 Politecnico
Molti ceramici sono sempre più utilizzati nel settore dell elettrotecnica e dell elettronica. La conducibilità di tipo elettronica o ionica può
Molti ceramici sono sempre più utilizzati nel settore dell elettrotecnica e dell elettronica. La conducibilità di tipo elettronica o ionica può essere molto variabile a seconda della composizione: si passa
I metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni.
I metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni. PLS 2016/17 Prof. Daniela Cavalcoli Dip di Fisica e Astronomia Università di Bologna [email protected] outline I solidi
(2) cubico a facce centrate (3) esagonale compatto
IL LEGAME METALLICO La maggior parte dei metalli cristallizza in strutture a massimo impacchettamento, ovvero in solidi in cui si può considerare che gli ioni metallici che occupano le posizioni reticolari,
Contatto Metallo-Semiconduttore
Contatto Metallo-Semiconduttore Definizioni: qφbn= altezza di barriera (su semiconduttore n) Vbi = potenziale di built-in Φm= funzione lavoro nel metallo χ = affinità elettronica nel semiconduttore qvn
Struttura dell'atomo a cura di Petr Ushakov
Struttura dell'atomo a cura di Petr Ushakov Struttura dell'atomo Gli atomi di tutti gli elementi sono formati da tre tipi di particelle elementari: protone, neutrone e elettrone. particelle elementari
Elettronica II Grandezze elettriche microscopiche (parte 1) p. 2
Elettronica II Grandezze elettriche microscopiche (parte 1) Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: [email protected] http://www.dti.unimi.it/
Struttura dell atomo e Sistema Periodico degli elementi unità 1, 2 e 3, modulo C del libro
Struttura dell atomo e Sistema Periodico degli elementi unità 1, 2 e 3, modulo C del libro Gli atomi di tutti gli elementi sono formati da tre tipi di particelle elementari: elettrone, protone e neutrone.
4πε. h m. Eq. di Schrödinger per un atomo di idrogeno:
Eq. di Schrödinger per un atomo di idrogeno: h m e 1 ψ 4πε r 0 ( r) = Eψ ( r) Questa equazione è esattamente risolubile ed il risultato sono degli orbitali di energia definita E n = m e 1 α 1 1 e mc n
Le proprietà periodiche degli elementi
Le proprietà periodiche degli elementi 1 Numerazione gruppi IUPAC Numero atomico Simbolo Peso atomico Metallo Semimetallo Non metallo 2 Numerazione gruppi tradizionale, n coincide con gli elettroni esterni
Contatto Metallo-Semiconduttore
Contatto Metallo-Semiconduttore Definizioni: qφbn= altezza di barriera (su semiconduttore n) Vbi = potenziale di built-in Φm= funzione lavoro nel metallo χ = affinità elettronica nel semiconduttore qvn
ELETTRONICA CdS Ingegneria Biomedica
ELETTRONICA CdS Ingegneria Biomedica LEZIONE A.01 Diodi: funzionamento, parametri, caratteristiche Funzionamento del diodo Proprietà dei diodi reali Modelli di diodi reali Analisi di circuiti a diodi reali
Zona di Breakdown EFFETTO TUNNEL BREAKDOWN A VALANGA
Zona di Breakdown Si definisce BREAKDOWN o rottura, il fenomeno per cui in inversa, quando si raggiunge un certo valore di tensione, detto per l appunto Tensione di Breakdown (e indicato con il simbolo
LABORATORIO DI ELETTRONICA OGGETTO: RILIEVO DELLA CURVA CARATTERISTICA DI UN DIODO AL SILICIO SCHEMA
ALUNNO: Fratto Claudio CLASSE: IV B Informatico ESERCITAZIONE N : 3 LABORATORIO DI ELETTRONICA OGGETTO: RILIEVO DELLA CURVA CARATTERISTICA DI UN DIODO AL SILICIO SCHEMA DATI: R = 100Ω 1 STRUMENTI UTILIZZATI
Struttura dell atomo e Sistema Periodico degli elementi unità 1, 2 e 3, modulo C del libro
Struttura dell atomo e Sistema Periodico degli elementi unità 1, 2 e 3, modulo C del libro Gli atomi di tutti gli elementi sono formati da tre tipi di particelle elementari: elettrone, protone e neutrone.
ESERCIZI PREPARATORI PER IL COMPITO DI CHIMICA MODULO 2
ESERCIZI PREPARATORI PER IL COMPITO DI CHIMICA MODULO 2 69 Il blocco s delle Tavola periodica è costituito dai seguenti elementi a) metalli di transizione b) metalli alcalini c) alogeni d) metalli alcalini
Appunti di Elettronica per Fisici
Università degli Studi di Firenze Dipartimento di Fisica Marcello Carlà Appunti di Elettronica per Fisici A.A. 2008-2009 Copyright c 2008 2007 2006 2005 Marcello Carlà Ogni riproduzione completa o parziale
Corso di CHIMICA LEZIONE 3
Corso di CHIMICA LEZIONE 3 1 2 3 4 5 6 7 H Li Na K Fr Be Ma g Ca Ba TAVOLA PERIODICA He I II s 1 s 2 III IV V VI VII VIII p 1 p 2 p 3 p 4 p 5 p 6 blocco s La Ac 6 7 d 1 d 2 d 3 d 4 d 5 d 6 d 7 d 8 d 9
L effetto Fotovoltaico
L effetto Fotovoltaico Carla sanna [email protected] [email protected] Carla sanna Cagliari 19 settembre 2008 Sala Anfiteatro, via Roma 253 1 Un po di storia. Becquerel nel 1839
La rappresentazione degli orbitali Orbitali s ( l = 0 )
Rappresentazione degli orbitali s dell atomo di idrogeno 2 4 r 2 1s r = a 0 (raggio 1 orbita di Bohr) presenza di (n-1) NODI ( 2 =0) r 0 dp /dr 0 r dp /dr 0 massimi in accordo con Bohr r 4a 0 (raggio 2
Ricavo della formula
Dispositivi e Circuiti Elettronici Ricavo della formula E F i E F = k B T ln N A n i Si consideri la relazione di Shockey: ( ) EFi E F p = n i exp k B T Si osservi anche che per x = il semiconduttore è
ESERCIZIO 1. Dati due diodi a giunzione pn aventi le seguenti caratteristiche:
ESERCIZIO 1 Dati due diodi a giunzione pn aventi le seguenti caratteristiche: DIODO A: Si, 10 18 cm 3,N D 10 15 cm 3 DIODO B: Ge, 10 18 cm 3,N D 10 15 cm 3 Valutare, giustificando quantitativamente le
IL LEGAME METALLICO 1
IL LEGAME METALLICO 1 Non metalli Metalli Metalloidi Proprietà dei metalli Elevata conducibilità elettrica; Elevata conducibilità termica; Effetto fotoelettrico; Elevata duttilità e malleabilità; Lucentezza;
IL FOTOVOLTAICO E L ARCHITETTURA
IL FOTOVOLTAICO E L ARCHITETTURA Prof. Paolo ZAZZINI Ing. Nicola SIMIONATO COME FUNZIONA UNA CELLA FOTOVOLTAICA EFFETTO FOTOVOLTAICO: Un flusso luminoso che incide su un materiale semiconduttore opportunamente
Elettronica II La giunzione p-n: calcolo della relazione tensione-corrente p. 2
Elettronica II La giunzione p-n: calcolo della relazione tensione-corrente Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: [email protected]
LA FISICA DEL PROCESSO FOTOVOLTAICO
LA FISICA DEL PROCESSO FOTOVOLTAICO Per capire come funziona il processo di conversione della radiazione solare in una corrente di elettroni è necessario fare riferimento ad alcune nozioni di fisica moderna
CONDUTTORI, ISOLANTI, SEMICONDUTTORI
CONDUTTORI, ISOLANTI, SEMICONDUTTORI Le sostanze che favoriscono al loro interno il passaggio della corrente elettrica sono dette conduttori; quelle invece che impediscono il passaggio della corrente sono
LA GIUNZIONE PN. Sulla base delle proprietà elettriche i materiali si classificano in: conduttori semiconduttori isolanti
LA GIUNZIONE PN Sulla base delle proprietà chimiche e della teoria di Bohr sulla struttura dell atomo (nucleo costituito da protoni e orbitali via via più esterni in cui si distribuiscono gli elettroni),
Trasporto dei portatori
Trasporto dei portatori all equilibrio termico gli elettroni in banda di conduzione (le lacune in banda di valenza) si muovono per agitazione termica 3 energia termica = (k costante di Boltzmann) 2 kt