Sonde p v MEMS Progetto e Realizzazione

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1 Sonde p v MEMS Progetto e Realizzazione Massimo Piotto CNR, IEIIT Pisa Progetto SIHT

2 Istituto di Elettronica e di Ingegneria dell Informazione e delle Telecomunicazioni (IEIIT) Torino Milano Genova Bologna Padova Pisa

3 IEIIT Ricerca Risorse Umane Ricercatori / Tecnologi 40 Tecnici / Amministrativi 11 Assegni di Studio / Borse 30 Associati 42 Totale 123 Prodotti ( ) 160 ISI journal papers 39 no ISI journal papers 348 conference papers 52 book chapters 7 Patents

4 IEIIT Know-How Real-time Networks Industrial Communications Computer Engineering Process Automation Control Systems Robotics Computer Security Machine Learning Wireless Communications Optical Communications Satellite Communications Information Engineering Image Technologies Parallel and Distributed Computing Microwaves Cognitive Systems Electronics Applied Electromagnetics

5 IEIIT Spin-Off CLEIS SECURITY (Security Area) Maurizio Aiello IEIIT - GE IMPARA (Machine Learning ) Marco Muselli IEIIT - GE WISYTECH (Wireless Systems testing) Vittorio Rampa IEIIT - MI

6 IEIIT - Trasferimento tecnologico Grandi Radome dielettrici per Applicazioni Radar IEIIT - Bercella, Parma (Materiali Compositi) Sistemi di Antenne per comunicazioni satellitari IEIIT- Thales Alenia Space Design and Optimization of AGV Traffic Management IEIIT - Elettric80 SpA Tecnologie ICT avanzate per sistemi di automazione industriale IEIIT- Ferrero Spa

7 IEIIT - Pisa Laboratorio di Tecnologie Micro-Nano Elettroniche e Microsistemi Unità di Ricerca e Sviluppo Tecnologie Microelettroniche e Microsistemi

8 Laboratorio

9 MEMS Anemometro 2D a stato solido

10 MEMS Sensori di flusso termici integrati

11 SIHT: Sogliano Industrial High Technology

12 Progetto della sonda p-v Sensore di velocità delle particelle acustiche (APVS) Interfaccia elettronica per amplificazione e filtraggio Microfono Elettronica stabilizzazione dell alimentazione

13 APVS termico: il Microflown I I T 2 T 1 x Sensore molto compatto Sensibilità: 50 mv/(mm/s) Frequenza: 1Hz 20 khz Lunghezza fili: 1 mm Larghezza fili: 5 μm Spessore Pt : 200 nm Spessore Si 3 N 4 : 150 nm Tecnologia dedicata Costi elevati Impossibilità di integrare l interfaccia elettronica Fragilità

14 APVS - CMOS: proposta IEIIT Interconnessioni di Alluminio Asse Sensibilità Polisilicio siliciurizzato (TCR = 2 3 x 10 3 K 1 ) Membrane sospese di SiO 2

15 APVS CMOS Progetto e simulazione strutture SiO 2 cantilever Polysilicon Metal silicon substrate

16 APVS CMOS Progetto e simulazione strutture Progettazione del chip

17 APVS CMOS Progetto e simulazione strutture Progettazione del chip Fabbricazione del chip (Silicon Foundry)

18 APVS CMOS Progetto e simulazione strutture Progettazione del chip Fabbricazione del chip Post-processing del chip

19 Progetto circuiti elettronici Simulazione e selezione dei componenti Generazione dello schematico

20 Progetto circuiti elettronici Simulazione e selezione dei componenti Generazione dello schematico Generazione del layout

21 Progetto circuiti elettronici Simulazione e selezione dei componenti Generazione dello schematico Generazione del layout Realizzazione della PCB

22 Assemblaggio prototipo Chip con il sensore di velocità PCB con l elettronica Microfono commerciale

23 Prototipo di sonda p-v

24 Produzione di sonde p-v Progettazione sensore di velocità (IEIIT) Progettazione Interfaccia Elettronica (IEIIT) Realizzazione Chip Realizzazione PCB Assemblaggio Sonda Caratterizzazione Taratura (IDASC)