Scritto da Alessandro Crea Mercoledì 13 Agosto :32 - Ultimo aggiornamento Mercoledì 13 Agosto :14
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- Arrigo Perini
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1 I nuovi processori Intel Core M di quinta generazione, noti col nome in codice Broadwell, sta nno ormai per sbarcare sul mercato e, per l'occasione, il chipmaker di Santa Clara ha iniziato a rilasciare maggiori informazioni tecniche su di essi. Finora si sapeva infatti che il colosso avrebbe adottato un nuovo sistema litografico a 14 nm, mantenendo al contempo l'attuale microarchitettura di Haswell e introducendo un sottosistema grafico nuovo, ma le cose sono un po' più articolate di così. SOI E TRI-GATE 3D DI SECONDA GENERAZIONE Sicuramente l'aspetto di maggior importanza è comunque proprio il nuovo processo produttivo, la cui difficoltosa messa a punto ha provocato anche notevoli ritardi nella disponibilità stessa delle nuove CPU. Nonostante la miniaturizzazione dagli attuali 22 nm a 14 nm, Intel ha lavorato anche su diversi altri parametri. La seconda generazione della tecnologia Tri-Gate 3D, che consente cioè di realizzare circuiti tridimensionali per creare un'impronta minore, ha infatti permesso di aumentare lo strato di isolante elettrico SOI (Silicon On Insultator), portandolo da 34 nm a 42 nm 1 / 6
2 , diminuendo nel contempo lo spazio tra le lamelle da 60 nm a 42 nm. 2 / 6
3 In inferiore attorno Grazie spazio impiegate senza performance. OTTIMIZZAZIONI Ma microarchitettura. FIVR nuovo regolatore modalità. a In parità questo quelle poche incidere occupato a alle di di queste di modo riguardanti carichi parole, di ben bypass lamelle tensione negativamente il non migliorie cache dalle 46 di Altre queste ARCHITETTURALI e stesse, lavoro. % solo controllo celle lineare, rispetto aree di cache è ottimizzazioni inoltre secondo stato ottenendo SRAM di nonché sulle ottimizzazione ad Intel possibile oggi, lineare e sono dimensioni terzo ha così una consentono ma dimezzato le del integrare livello, consumi nuova uniche anche comprendono Droop globali potendone di ottimizzazioni un ridotti aumentare blocco della numero e CPU, prestazioni il quindi FIVR design maggiore il apportate quantitativo a di aumentare tutto di consumare generalmente seconda vantaggio di alla transistor, di che la precedente Metal generazione capienza meno offre delle dual-lvr in migliori. Gate energia, un'area o 3 / 6
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Un altro aspetto, di cui parla Xbit labs, è più tecnico ma molto interessante. Potrebbe essere
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