LAMPEGGIATORE A LED Classico

Похожие документы
Componenti a Semiconduttore

3- CENNI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI BASATI SULLE GIUNZIONI p-n

CENNI SU ALCUNI DISPOSITIVI ELETTRONICI A STATO SOLIDO

Elettronica generale - Santolo Daliento, Andrea Irace Copyright The McGraw-Hill srl

RELAZIONE DI TELECOMUNICAZIONI ITIS Vobarno Titolo: I Transistor

Transistore bipolare a giunzione (BJT)

LA GIUNZIONE PN SILICIO INTRINSECO LACUNE - ELETTRONI. La giunzione PN - diodo Prof. Antonio Marrazzo Pag. 1

Modello di Ebers-Moll del transistore bipolare a giunzione

La caratteristica del diodo

DIODO. La freccia del simbolo indica il verso della corrente.

Sistemi elettronici di conversione

Transistor a giunzione bipolare

Un semplice multivibratore astabile si può realizzare con le porte logiche, come nel seguente circuito:

I.I.S.S. G. CIGNA MONDOVI

MULTIVIBRATORI NE 555

IL DIODO. 1 - Generalità

Gli alimentatori stabilizzati

SCHEMA DEL CIRCUITO. La tabella riassume la modalità di segnalazione del circuito.

ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n PONTEDERA (PI) ANNO SCOLASTICO 2005/2006 CORSO SPERIMENTALE LICEO TECNICO

Circuito logico AND / AND Gate

Cos è un alimentatore?

Misure Elettriche ed Elettroniche Esercitazioni Lab - Circuiti con diodi e condensatori 1. Circuiti con diodi e condensatori

I.P.S.I.A. Di BOCCHIGLIERO Multivibratori astabili ---- Materia: Elettronica. prof. Ing. Zumpano Luigi. Catalano, Iacoi e Serafini

Sommario. Come funziona il Diodo? Giunzione PN a circuito aperto Giunzione PN: polarizzazione diretta Giunzione PN: polarizzazione inversa

ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA (C.I.) Modulo di Elettronica. Lezione 6. a.a

Esperienza n 7: CARATTERISTICHE del TRANSISTOR BJT

I fototransistor sono transistor incapsulati in contenitori provvisti di una lente, in plastica o in vetro trasparente, che permette alla radiazione

Conduttori e semiconduttori

A.S. 2014/15 CLASSE 4 BEE MATERIA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA

TIMER 555. tensioni ci servono come tensionii di riferimento per i due comparatori interni.

PRINCIPIO DI FUNZIONAMENTO

3.1 Verifica qualitativa del funzionamento di un FET

Semiconduttori intrinseci

I Transistor BJT. Bjt significa transistor bipolare a giunzione. Giunzione poiché è un ulteriore sviluppo della giunzione PN dei comuni diodi.

Pilotaggio high-side

Regolatori di tensione dissipativi. Regolatori LDO. Schema elettrico. Stabilità LDO Politecnico di Torino 1

Nella seguente foto, possiamo vedere l'esterno di alcuni transistor:

2 Alimentazione. +Vdc. Alimentazione 1 IGBT1 GND1. Alimentazione 2 IGBT2 GND2. -Vdc. Fig.1 - Alimentazione corretta degli switchs di uno stesso ramo

Lo schema a blocchi del circuito integrato Timer 555 è il seguente:

SEMICONDUTTORI BANDE DI ENERGIA

LABORATORIO DI ELETTRONICA OGGETTO: RILIEVO DELLE CURVE CARATTERISTICHE DI USCITA DI UN TRANSISTOR BJT SCHEMA

EFFETTO FOTOELETTRICO

I semiconduttori. Il drogaggio è un operazione che avviene con diffusione di vapori a temperature intorno ai 1000 C.

Laboratorio II, modulo

ESERCIZIO 1. Dati due diodi a giunzione pn aventi le seguenti caratteristiche:

Dispositivi elettronici. Il transistor bipolare a giunzione (bjt( bjt)

SCR - TIRISTORE. Per capire il funzionamento dell SCR, possiamo pensare lo stesso come la connessione di due transistor complementari, PNP e NPN.

4.13 Il circuito comparatore

Transistor a giunzione bipolare

Alimentatore con uscita variabile

Analizziamo ora il circuito in figura, dove Vin è un generatore di tensione alternata sinusoidale:

COMPONENTI ELETTRONICI DI POTENZA

1N4001 LM317 VI GND. + C1 2200uF. + C2 10uF

La struttura circuitale del multivibratore monostabile deriva da quella dell astabile modificata nel seguente modo:

Relazione di laboratorio. Studente COGNOME Nome

Regolatori di tensione dissipativi. Regolatori serie. Schema elettrico. Controllo della tensione d uscita Politecnico di Torino 1

Il comportamento di un amplificatore ideale, ad esempio di tensione, è descritto dalla relazione lineare V out = A V in (3.1)

Curva caratteristica del transistor

Monitor Tensione Batteria per Camper

Dispositivi elettronici

T08: Dispositivi elettronici (3.3.1)

Laboratorio misure elettroniche ed elettriche: regolatori di tensione a tiristori

OSCILLATORE A SFASAMENTO

Il TRANSISTOR. Il primo transistor della storia

IL TRANSISTOR. Le 3 zone di funzionamento del transistor

44) Applicando una tensione di 100 V su una resistenza di 0,050 KΩ, quanto sarà la potenza dissipata a) 20W b) 200W c) 2W

Figura 3.1: Semiconduttori.

P4 OSCILLATORI SINUSOIDALI

MOSFET o semplicemente MOS

LABORATORIO DI ELETTRONICA OGGETTO: RILIEVO DELLE CURVE CARATTERISTICHE DI USCITA DI UN TRANSISTOR JFET A CANALE N SCHEMA

I Materiali. Isolanti, Conduttori, Semiconduttori. giovedì 26 febbraio Corso di Elettronica 1

Misure su linee di trasmissione

Alimentatore stabilizzato con tensione di uscita variabile

Amplificatori a Transistori con controreazione

ELETTRONICA CdS Ingegneria Biomedica

Per potenze superiore alle decine di MVA ed a causa dell elevato costo dei GTO di più elevate prestazioni è spesso economicamente conveniente

IL DIODO. Il moltiplicatore di tensione: Cockroft-Walton Transiente Stato stazionario Alta impedenza di carico

Diodi e transistor sono spesso utilizzati in circuiti ad elementi discreti, insieme a R, C, L. Il diodo è spesso utilizzato nei circuiti

AMPLIFICATORI DI ISOLAMENTO (ISOLATION AMPLIFIER

Dispositivi unipolari Il contatto metallo-semiconduttore Il transistor JFET Il transistor MESFET Il diodo MOS Il transistor MOSFET

Circuiti elettrici non lineari. Il diodo

Amplificatori in classe A con accoppiamento capacitivo

Operazioni di misura(1) A. Misura di tensione DC e AC (vedi figura 3)

Logica cablata (wired logic)

Foto istruzioni per l autocostruzione

LABORATORIO DI ELETTRONICA OGGETTO: RILIEVO DELLA CURVA CARATTERISTICA DI UN DIODO AL SILICIO SCHEMA

ELETTRONICA CdS Ingegneria Biomedica

La fig.1 rappresenta una giunzione e lo schema elettrico relativo. DIODO. Fig. 1 Rappresentazione del Diodo

STARTING UP.WITH EOLO PROJECT! Partecipanti: (elettronica) (informatica) (cad) Tutor: FabrizioMax. Cos'è un Diodo:

Multivibratore astabile con Amp. Op.

1 a esperienza Diodo e Temperatura

I TRANSISTOR I TRANSISTORI

Questa parte tratta le problematiche del pilotaggio low-side di carichi di potenza: Pilotaggio low-side con MOS. Pilotaggio low-side con BJT

Транскрипт:

LAMPEGGIATORE A LED Classico Classico e semplice a 2 transistor: Per realizzare l'effetto lampeggiante di un led ci serviremo di un multivibratore. Questo circuito instabile è costituito da due transistor che passano continuamente dallo stato di conduzione a quello di interdizione, cioè che non fa uscire corrente. Il ciclo si ripete all'infinito, e per tale motivo il circuito viene definito multivibratore. Ovviamente, variando i valori di resistenze (R2,R3) e condensatori, si modifica la frequenza di lampeggio, secondo la formula: Hz = 1000 * [ 0,7 / (R * C) ] dove 1000 è un numero fisso, 0,7 è la tensione necessaria a mandare in conduzione il transistor, R è il valore della R2 o della R3 espresso in kiloohm, C è il valore di C1 o C2 espresso in microfarad (uf). -----------------------------------------------------------------------------------------------------------

LAMPEGGIO A 1 SOLO TRANSISTOR Questo invece e la Star del momento, in voga in tantissimo siti e forum sul web, come si nota: - Usa un solo transistor - Base del transistor aperta - E collegato al contrario Sfrutta EFFETTO VALANGA del transistor polarizzato inversamente! Un transistor polarizzato inversamente e funziona!!! Il circuito "a" lampeggia due volte al secondo: se si cambia il valore della resistenza e/o del condensatore, si cambierà anche la frequenza di lampeggio. Anche la tensione di alimentazione influisce sulla sua frequenza. Si può utilizzare un BC337 al posto del 2N2222A. TABELLA TRANSISTOR 2N2222 - BC109 - BC547 funziona benissimo con 2.2 kohm BC-337 funziona con 10 kohm ma con lampeggio strano!

SPIEGAZIONE FUNZIONAMENTO: All'accensione la tensione sul condensatore e' 0 ed il transistore e' interdetto quindi pian piano la tensione sale. Al raggiungimento della tensione di breakdown della giunzione C-B scorrerebbe corrente dal collettore alla base, passerebbe per la resistenza verso l'emitter ed accenderebbe il transistore scaricando il condensatore. C'è da tener conto poi che la tensione di breakdown della giunzione BE è bassa (drogaggio alto in E, base piccola), ancor più a base aperta. Perciò l'oscillatore può funzionare anche a tensione bassa (appunto con i 12V). Insomma u! "## $" $ ------------------------------ L'effetto valanga è un fenomeno che succede quando si sottopone una giunzione p-n a una elevata polarizzazione inversa. Supponiamo la giunzione p-n collegata a una batteria e colleghiamo il polo positivo della batteria al lato n e il polo negativo al lato p. In queste condizioni la giunzione è polarizzata inversamente e la corrente circola dal lato n al lato p. Aumentiamo la tensione della batteria. Come conseguenza dell'applicazione della tensione aumenta il campo elettrico a cui è sottoposta la giunzione. Per valori elevati di tensione applicata e conseguentemente per valori elevati di campo elettrico, i portatori di carica (elettroni e lacune) sono fortemente accelerati. Aumenta quindi la probabilità che tali portatori di carica possano urtare le cariche fisse nel reticolo cristallino del semiconduttore che costituisce la giunzione. Siccome la presenza del forte campo elettrico li dota anche di una notevole

energia è possibile che l'urto riesca a liberare una coppia elettrone - lacuna dal reticolo. Quindi l'urto di una particella libera ne libera due. Queste sono altrettanto sottoposte a un forte campo elettrico e quindi è possibile che urtino delle cariche fisse presenti nel reticolo: si ha quindi la liberazione di altre due coppie elettrone - lacuna. Così via con una progressione in prima approssimazione geometrica. La conseguenza è un aumento repentino e bruschissimo della corrente inversa di saturazione (di segno negativo) della giunzione p-n. L'effetto si dice breakdown per moltiplicazione a valanga (avalanche breakdown). L'effetto valanga non trova grande interesse nel campo dei transistori e, anzi, è considerato deprecabile e pericoloso. Pericoloso perché a un'elevata corrente è associata un'elevata potenza, che può danneggiare o distruggere (fondere) il dispositivo se esso non è in grado di dissiparla correttamente. Ad esempio nelle applicazioni dell'elettronica di potenza si cerca il più possibile di far reggere al transistore tensioni elevate senza andare in breakdown. L'effetto valanga invece è ampiamente utilizzato nel campo dei diodi. In particolare il diodo zener sfrutta l'effetto del breakdown a valanga e, anzi, è progettato proprio per fare in modo che questo occorra a tensioni relativamente basse. L'applicazione principale sta nel fatto che, quando si supera la tensione critica e quindi interviene la moltiplicazione a valanga, la corrente che circola nel dispositivo è elevatissima e dunque il dispositivo si comporta quasi come un generatore di tensione. Viene dunque utilizzato quando serva avere un riferimento di tensione abbastanza preciso: ad esempio in alcuni vecchi circuiti di regolazione della tensione e nel circuito di controllo automatico del guadagno dell'oscillatore a ponte di Wien. Inoltre esistono i cosiddetti diodi IMPATT (ionization impact avalanche transit time) che sfruttano l'effetto valanga e le proprietà del tempo di transito dei portatori nei dispositivi a semiconduttore per simulare una resistenza negativa. Essi vengono dunque utilizzati nella realizzazione di oscillatori per le radiofrequenze e le microonde. Effettivamente il breakdown a valanga nei transistor è un effetto indesiderato e potenzialmente distruttivo (e quindi senza utilizzo pratico, ma anzi da evitare). Questo considerando anche che i BJT soffrono anche dell'effetto di fuga termica (più corrente porta a temperature più alte e temperature più alte portano a più corrente e così via in bell'esempio di reazione positiva) dovuto al fatto che la conduzione avviene per diffusione (e quindi sensibile a differenziali di concentrazione e temperatura). Per questo motivo il breakdown è dannoso perché facendo diffondere portatori differenti, modifica le concentrazione nelle giunzioni modificandone (fino a distruggere le giunzioni stesse) la struttura (di solito quando c'è un "guasto" è perché hai distrutto in questo modo la giunzione anche se ci può essere un vero e proprio danneggiamento fisico del dispositivo). Inoltre i BJT di potenza soffrono anche di un secondo effetto di breakdown che limita la SOA del dispositivo. questo secondo breakdown è dovuto al crearsi di flussi non omogenei di corrente nella giunzione B-E che portano a punti "caldi" in cui scorre moltissima corrente (anche se la corrente media non sarebbe tale da portare a breakdown) tale danneggiare il dispositivo (è più pericoloso il secondo breakdown che quello normale).

N.B. Sotto ai 12 volt il transistore non riesce ad andare in valanga. Quindi non si accende e quindi non lampeggia! Anche a 24 volt va benissimo. La BASE non si collega a nulla! RETE 220 VOLT

Il circuito "b" da lo stesso risultato ma funziona direttamente dalla rete a 220V, quindi fate attenzione poiché il circuito è sempre sotto tensione e potrebbe risultare pericoloso se non si prendono i dovuti accorgimenti. Se si usa un BC337, allora la resistenza diventa di 390K. Lo zener non è essenziale per il funzionamento: è una misura di sicurezza che evita l'accumulo di tensione se il led viene disconnesso accidentalmente, quando viene riconnesso, il picco di corrente potrebbe distruggere sia il led che il transistor. Anche il condensatore potrebbe riportare danni permanenti.