La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi

Dimensione: px
Iniziare la visualizzazioe della pagina:

Download "La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi"

Transcript

1 I dispositivi a giunzione I dispositivi a giunzione La giunzione pn in equilibrio termodinamico La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi Il transistore bipolare Modelli del transistore bipolare Politecnico di Torino 1

2 Obiettivi della lezione Comprensione dell approssimazione di piccolo segnale per lo studio dei circuiti elettronici 3 Obiettivi della lezione Comprensione dell approssimazione di piccolo segnale per lo studio dei circuiti elettronici linearizzazione degli elementi non lineari attorno al punto di lavoro statico Politecnico di Torino 2

3 Obiettivi della lezione Comprensione dell approssimazione di piccolo segnale per lo studio dei circuiti elettronici linearizzazione degli elementi non lineari attorno al punto di lavoro statico parametri differenziali degli elementi non lineari 5 Obiettivi della lezione Comprensione dell approssimazione di piccolo segnale per lo studio dei circuiti elettronici linearizzazione degli elementi non lineari attorno al punto di lavoro statico parametri differenziali degli elementi non lineari Regole per la costruzione del circuito equivalente per le variazioni Politecnico di Torino 3

4 Riferimenti bibliografici per la lezione Dispositivi per la microelettronica di Giovanni Ghione McGraw-Hill, 1998 capitolo 7 Microelettronica, II ed., vol. 1 di Richard C. Jaeger e Travis N. Blalock McGraw-Hill, 2005 capitoli 3 e Politecnico di Torino 4

5 Approssimazione SS Parametri differenziali Circuito equivalente SS Esercizio: circuito SS Esercizio: C accordabile Politecnico di Torino 5

6 Politecnico di Torino 6

7 13 Circuito con diodo Politecnico di Torino 7

8 Circuito con diodo 15 Ipotesi di piccolo segnale Politecnico di Torino 8

9 Ipotesi di piccolo segnale 17 Ipotesi di piccolo segnale Politecnico di Torino 9

10 Analisi critica 19 Analisi critica Politecnico di Torino 10

11 Analisi critica 21 Conseguenze Politecnico di Torino 11

12 Conseguenze 23 Conseguenze Politecnico di Torino 12

13 Linearizzazione 25 Linearizzazione Politecnico di Torino 13

14 Linearizzazione Politecnico di Torino 14

15 Approssimazione SS Parametri differenziali Circuito equivalente SS Esercizio: circuito SS Esercizio: C accordabile 29 Linearizzazione Politecnico di Torino 15

16 Linearizzazione 31 Linearizzazione Politecnico di Torino 16

17 Parametri 33 Parametri Politecnico di Torino 17

18 Parametri Politecnico di Torino 18

19 Approssimazione SS Parametri differenziali Circuito equivalente SS Esercizio: circuito SS Esercizio: C accordabile 37 Effetto sulla corrente Politecnico di Torino 19

20 Effetto sulla corrente 39 Effetto sul circuito Politecnico di Torino 20

21 Effetto sul circuito 41 Effetto sul circuito Politecnico di Torino 21

22 Effetto sul circuito 43 Circuito per le variazioni Politecnico di Torino 22

23 Circuito per le variazioni 45 Generalizzazione Politecnico di Torino 23

24 Generalizzazione 47 Conduttanze differenziali Politecnico di Torino 24

25 Capacità differenziali 49 Terminologia Politecnico di Torino 25

26 Terminologia Politecnico di Torino 26

27 Approssimazione SS Parametri differenziali Circuito equivalente SS Esercizio: circuito SS Esercizio: C accordabile 53 Testo Politecnico di Torino 27

28 Calcolo pdf 55 Calcolo pdf Politecnico di Torino 28

29 Calcolo pdf 57 Calcolo pdf Politecnico di Torino 29

30 Calcolo pdf 59 Calcolo parametri SS Politecnico di Torino 30

31 Calcolo parametri SS 61 Calcolo parametri SS Politecnico di Torino 31

32 Approssimazione SS Parametri differenziali Circuito equivalente SS Esercizio: circuito SS Esercizio: C accordabile Politecnico di Torino 32

33 Testo 65 Testo Politecnico di Torino 33

34 Capacità di svuotamento 67 Capacità di svuotamento Politecnico di Torino 34

35 Polarizzazione 69 Polarizzazione Politecnico di Torino 35

36 Sommario della lezione Approssimazione SS Parametri differenziali Circuito equivalente SS Esercizio: circuito SS Esercizio: C accordabile Politecnico di Torino 36

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. Punto di funzionamento a riposo

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. Punto di funzionamento a riposo I dispositivi a giunzione I dispositivi a giunzione La giunzione pn in equilibrio termodinamico La caratteristica statica Effetti capacitivi Analisi di piccolo segnale Il transistore bipolare Modelli del

Dettagli

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi I dispositivi a giunzione I dispositivi a giunzione La giunzione pn in equilibrio termodinamico La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi Analisi di piccolo segnale Il

Dettagli

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi

La giunzione pn in equilibrio termodinamico. La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi I dispositivi a giunzione I dispositivi a giunzione La caratteristica statica Punto di funzionamento a riposo Effetti capacitivi Analisi di piccolo segnale Il transistore bipolare Modelli del transistore

Dettagli

Il transistore MOSFET. Il sistema MOS. Il sistema MOS in inversione Il transistore nmos nmos: caratteristiche statiche. I quattro transistori MOS

Il transistore MOSFET. Il sistema MOS. Il sistema MOS in inversione Il transistore nmos nmos: caratteristiche statiche. I quattro transistori MOS Il transistore MOSFET Il transistore MOSFET Il sistema MOS Il sistema MOS in inversione Il transistore nmos nmos: caratteristiche statiche I quattro transistori MOS 2 2005 Politecnico di Torino 1 Obiettivi

Dettagli

La conduzione nei semiconduttori Politecnico di Torino 1

La conduzione nei semiconduttori Politecnico di Torino 1 La conduzione nei semiconduttori 2006 Politecnico di Torino 1 La conduzione nei semiconduttori Concentrazioni di carica libera all equilibrio Correnti nei semiconduttori Modello matematico 3 2006 Politecnico

Dettagli

Gli amplificatori a transistore. L uso del MOSFET come amplificatore. L amplificatore a Source comune. Altre configurazioni

Gli amplificatori a transistore. L uso del MOSFET come amplificatore. L amplificatore a Source comune. Altre configurazioni Gli amplificatori a transistore Gli amplificatori a transistore L amplificatore a Source comune Altre configurazioni L amplificatore a transistore bipolare 2 2006 Politecnico di Torino 1 Obiettivi dell

Dettagli

Gli amplificatori a transistore. L uso del MOSFET come amplificatore. L amplificatore a Source comune. Altre configurazioni

Gli amplificatori a transistore. L uso del MOSFET come amplificatore. L amplificatore a Source comune. Altre configurazioni Gli amplificatori a transistore Gli amplificatori a transistore L uso del MOSFET come amplificatore L amplificatore a Source comune L amplificatore a transistore bipolare 2 2006 Politecnico di Torino 1

Dettagli

Memorie a semiconduttore e tecnologia

Memorie a semiconduttore e tecnologia Memorie a semiconduttore e tecnologia Memorie a semiconduttore e tecnologia Architettura di una memoria Memorie non volatili Memorie a scrittura e lettura Tecnologia dei semiconduttori Processi di base

Dettagli

Presentazione del corso

Presentazione del corso Corso di: Fondamenti di Elettronica Docente: Paolo Tenti Tel: 7503 tenti@dei.unipd.it Durata del corso: 9 settimane (72 ore) Crediti acquisiti: 9 Ricevimento: a richiesta (e-mail) Fondamenti di Elettronica

Dettagli

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche. Esercitazione Giunzione pn

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche. Esercitazione Giunzione pn Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Esercitazione Giunzione pn Esercizio 1: testo Si consideri una giunzione brusca e simmetrica con drogaggio N A N D 10 17 cm 3 sezione trasversale A 0.5 mm 2 e lati

Dettagli

Corso di Laurea Triennale in Ingegneria Industriale Curriculum Elettronico e Biomedico

Corso di Laurea Triennale in Ingegneria Industriale Curriculum Elettronico e Biomedico Insegnamento Livello e corso di studio Settore scientifico disciplinare (SSD) Elettronica Corso di Laurea Triennale in Ingegneria Industriale Curriculum Elettronico e Biomedico ING-INF/01 Anno di corso

Dettagli

Laboratorio di Elettronica: Dispositivi elettronici e circuiti

Laboratorio di Elettronica: Dispositivi elettronici e circuiti Laboratorio di Elettronica: Dispositivi elettronici e circuiti Linee di trasmissione Misure su linee di trasmissione (1). Semiconduttori meccanismi di trasporto di carica nei semiconduttori giunzione PN

Dettagli

Memorie a semiconduttore e tecnologia

Memorie a semiconduttore e tecnologia Memorie a semiconduttore e tecnologia Memorie a semiconduttore e tecnologia Architettura di una memoria Memorie non volatili Memorie a scrittura e lettura Processi di base Esempi 2 2005 Politecnico di

Dettagli

La conduzione nei semiconduttori. Proprietà elettriche nei materiali. Concentrazioni di carica libera all equilibrio

La conduzione nei semiconduttori. Proprietà elettriche nei materiali. Concentrazioni di carica libera all equilibrio La conduzione nei semiconduttori La conduzione nei semiconduttori Proprietà elettriche nei materiali Correnti nei semiconduttori Modello matematico 2 1 Obiettivi della lezione Acquisire gli strumenti per

Dettagli

ELETTRONICA per Ingegneria Elettronica

ELETTRONICA per Ingegneria Elettronica ELETTRONICA per Ingegneria Elettronica prof. ing. Giovanni Martines (insegnamento da 8 CFU codice 70/0052-M) prof. ing. Giovanni Martines Riceve gli studenti tutti i martedì dalle 11 alle 13 tutti i giovedì

Dettagli

Corso di LABORATORIO DI ELETTROMAGNETISMO E CIRCUITI A.A. 2013/2014 Prof. A. Di Domenico. Bibliografia dettagliata degli argomenti svolti a lezione

Corso di LABORATORIO DI ELETTROMAGNETISMO E CIRCUITI A.A. 2013/2014 Prof. A. Di Domenico. Bibliografia dettagliata degli argomenti svolti a lezione Corso di LABORATORIO DI ELETTROMAGNETISMO E CIRCUITI A.A. 2013/2014 Prof. A. Di Domenico Bibliografia dettagliata degli argomenti svolti a lezione MS : C. Mencuccini, V. Silvestrini, Fisica II, ed. Liguori

Dettagli

ITIS H. HERTZ A.S. 2009/2010 Classe IV Corso Serale - Progetto Sirio Programmazione preventiva del Corso di ELETTRONICA

ITIS H. HERTZ A.S. 2009/2010 Classe IV Corso Serale - Progetto Sirio Programmazione preventiva del Corso di ELETTRONICA ITIS H. HERTZ A.S. 2009/2010 Classe IV Corso Serale - Progetto Sirio Programmazione preventiva del Corso di ELETTRONICA OBIETTIVI FORMATIVI GENERALI DELLA DISCIPLINA L allievo deve essere in grado di:

Dettagli

FONDAMENTI di ELETTRONICA per Ingegneria Elettrica Elettronica

FONDAMENTI di ELETTRONICA per Ingegneria Elettrica Elettronica FONDAMENTI di ELETTRONICA per Ingegneria Elettrica Elettronica prof. ing. Giovanni Martines (insegnamento da 10 CFU codice IN/0022) prof. ing. Giovanni Martines Riceve gli studenti tutti i martedì dalle

Dettagli

Indice generale. Prefazione. Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1. Capitolo 2. Analisi in frequenza e reti STC 39

Indice generale. Prefazione. Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1. Capitolo 2. Analisi in frequenza e reti STC 39 Indice generale Prefazione xi Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1 1.1. Bipoli lineari 1 1.1.1. Bipoli lineari passivi 2 1.1.2. Bipoli lineari attivi 5 1.2. Metodi di risoluzione delle reti 6

Dettagli

Indice. Cap. 1 Il progetto dei sistemi elettronici pag. 1

Indice. Cap. 1 Il progetto dei sistemi elettronici pag. 1 Indice Cap. 1 Il progetto dei sistemi elettronici pag. 1 1.1 Oggetto dello studio 1 1.2 Concezione, progetto e produzione del sistema elettronico 5 1.3 Il circuito di interfaccia di ingresso 13 1.4 Il

Dettagli

Università degli Studi di Enna Kore

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura Anno Accademico 2015 2016 A.A. Settore Scientifico Disciplinare CFU Insegnamento Ore di aula Mutuazione 2015/16 ING-INF/01 9 Elettronica 78 Si Classe Corso di studi

Dettagli

PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 30 Giugno 2016

PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 30 Giugno 2016 PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 30 Giugno 2016 ESERCIZIO 1 Considerare delle giunzioni p + n, con N D = 10 15 cm 3, µ n = 0.12 m 2 /Vs, S=1 mm 2. Il campo elettrico di break- down a valanga

Dettagli

ELETTRONICA per Ingegneria Elettrica

ELETTRONICA per Ingegneria Elettrica ELETTRONICA per Ingegneria Elettrica prof. ing. Giovanni Martines (insegnamento da 6 CFU codice 70/0052-M) prof. ing. Giovanni Martines Riceve gli studenti tutti i martedì dalle 11 alle 13 tutti i giovedì

Dettagli

Ingegneria ANNO ACCADEMICO CORSO DI LAUREA MAGISTRALE Ingegneria Meccanica Elettronica e Robotica (c.i.) TIPO DI ATTIVITÀ

Ingegneria ANNO ACCADEMICO CORSO DI LAUREA MAGISTRALE Ingegneria Meccanica Elettronica e Robotica (c.i.) TIPO DI ATTIVITÀ FACOLTÀ Ingegneria ANNO ACCADEMICO 2013-14 CORSO DI LAUREA MAGISTRALE Ingegneria Meccanica INSEGNAMENTO Elettronica e Robotica (c.i.) TIPO DI ATTIVITÀ Affine AMBITO DISCIPLINARE Attività formative affini

Dettagli

Corso di Laboratoriodi FisicaIII anno accademico

Corso di Laboratoriodi FisicaIII anno accademico Corso di Laboratoriodi FisicaIII anno accademico 2017-18 Contenuti: Modulo 1 Elettronica analogica Circuiti in alta frequenza Linee di trasmissione Caratterizzazione linee di trasmissione Trasporto elettrico

Dettagli

I.I.S.S. G. CIGNA MONDOVI

I.I.S.S. G. CIGNA MONDOVI I.I.S.S. G. CIGNA MONDOVI PROGRAMMAZIONE INDIVIDUALE ANNO SCOLASTICO 2016-2017 CLASSE QUARTA A TRIENNIO TECNICO-ELETTRICO MATERIA ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA DOCENTE BONGIOVANNI DARIO MATTEO LIBRI DI

Dettagli

Indice. 1. Fisica dei semiconduttori La giunzione pn...49

Indice. 1. Fisica dei semiconduttori La giunzione pn...49 i Indice 1. Fisica dei semiconduttori...1 1.1 La carica elettrica...1 1.2 Tensione...2 1.3 Corrente...5 1.4 Legge di Ohm...6 1.5 Isolanti e conduttori...12 1.6 Semiconduttori...15 1.7 Elettroni nei semiconduttori...18

Dettagli

Laboratorio di Elettronica Dispositivi elettronici e circuiti Linee di trasmissione Proprieta' e fenomenologia dei semiconduttori. Dispositivi a semiconduttore: * diodo a giunzione * transistor bjt * transistor

Dettagli

Programmazione modulare

Programmazione modulare Programmazione modulare Indirizzo: ELETTROTECNICA Prof. SCIARRA MAURIZIO Prof. SAPORITO ETTORE (lab.) Disciplina: ELETTROTECNICA - ELETTRONICA Classe: 4Aes Ore settimanali previste: 5 (3 ore di teoria

Dettagli

3- CENNI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI BASATI SULLE GIUNZIONI p-n

3- CENNI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI BASATI SULLE GIUNZIONI p-n 1 3- CENNI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI BASATI SULLE GIUNZIONI p-n Il diodo come raddrizzatore Un semiconduttore contenente una giunzione p-n, come elemento di un circuito elettronico si chiama diodo e viene

Dettagli

Il comportamento di un amplificatore ideale, ad esempio di tensione, è descritto dalla relazione lineare V out = A V in (3.1)

Il comportamento di un amplificatore ideale, ad esempio di tensione, è descritto dalla relazione lineare V out = A V in (3.1) Capitolo 3 Amplificazione 3.1 Circuiti attivi Gli elementi circuitali considerati sino ad ora, sia lineari (resistenze, capacità, induttanze e generatori indipendenti), sia non lineari (diodi), sono detti

Dettagli

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura Anno Accademico

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura Anno Accademico Facoltà di Ingegneria ed Architettura Anno Accademico 2016 2017 A.A. Settore Scientifico Disciplinare CFU Insegnamento Ore di aula Mutuazione 2016/17 ING-INF/01 9 Elettronica 30 SI Classe Corso di studi

Dettagli

Piano di lavoro preventivo

Piano di lavoro preventivo I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E S T A T A L E G u g l i e l m o M a r c o n i V e r o n a Piano di lavoro preventivo Anno Scolastico 2015/16 1 Materia Classe Docenti Materiali didattici

Dettagli

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura Facoltà di Ingegneria ed Architettura Anno Accademico 2017 2018 A.A. Settore Scientifico Disciplinare CFU Insegnamento Ore di aula Mutuazione 2017/18 ING-INF/01 9 Elettronica 78 SI Classe Corso di studi

Dettagli

Laboratorio di Elettronica Dispositivi elettronici e circuiti Linee di trasmissione. Misure su linee di trasmissione. Amplificatore operazionale e reazione. Applicazioni dell'amplificatore operazionale.

Dettagli

Transistor bipolare a giunzione (bjt bipolar junction transistor)

Transistor bipolare a giunzione (bjt bipolar junction transistor) Transistor bipolare a giunzione (bjt bipolar junction transistor) Il transistor e' formato da due diodi contrapposti con una regione in comune (base) B B E C N E P E N C IE IC E P E C emettitore collettore

Dettagli

Appunti di Elettromagnetismo

Appunti di Elettromagnetismo Marco Panareo Appunti di Elettromagnetismo Università del Salento, Dipartimento di Matematica e Fisica ii iii INTRODUZIONE Questa raccolta di appunti originati dalle lezioni di Fisica tenute in vari anni

Dettagli

ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n PONTEDERA (PI) ANNO SCOLASTICO 2005/2006 CORSO SPERIMENTALE LICEO TECNICO

ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE G. MARCONI Via Milano n PONTEDERA (PI) ANNO SCOLASTICO 2005/2006 CORSO SPERIMENTALE LICEO TECNICO ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n. 2-56025 PONTEDERA (PI) 0587 53566/55390 - Fax: 0587 57411 - : iti@marconipontedera.it - Sito WEB: www.marconipontedera.it ANNO SCOLASTICO

Dettagli

Indice. I Dispositivi a semiconduttore 1. Prefazione. Prologo. Breve storia dell elettronica

Indice. I Dispositivi a semiconduttore 1. Prefazione. Prologo. Breve storia dell elettronica Indice Prefazione Prologo. Breve storia dell elettronica XI XIII I Dispositivi a semiconduttore 1 1 Semiconduttori 3 1.1 Forze, campi ed energia 3 1.2 Conduzione nei metalli 6 1.3 Semiconduttori intrinseci

Dettagli

DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 4 Giugno 2012

DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 4 Giugno 2012 DE e DTE: PROA SCRITTA DEL 4 Giugno 2012 ESERCIZIO 1 (DE,DTE) Una giunzione pn (N A = N D = 10 16 cm 3, τ n = τ p = 10 6 s, µ n = 1000 cm 2 /s, µ p = 450 cm 2 /s, S = 1 mm 2 ) è polarizzata con = 0.5.

Dettagli

ISTITUTO ISTRUZIONE SUPERIORE "L. EINAUDI" ALBA ANNO SCOLASTICO 2016/2017

ISTITUTO ISTRUZIONE SUPERIORE L. EINAUDI ALBA ANNO SCOLASTICO 2016/2017 ISTITUTO ISTRUZIONE SUPERIORE "L. EINAUDI" ALBA ANNO SCOLASTICO 2016/2017 CLASSE 4 I Disciplina: Elettrotecnica ed Elettronica PROGETTAZIONE DIDATTICA ANNUALE Elaborata dai docenti: Linguanti Vincenzo,

Dettagli

ELETTRONICA A - L OBIETTIVI FORMATIVI MODALITÀ DI SVOLGIMENTO DELL'INSEGNAMENTO PREREQUISITI RICHIESTI FREQUENZA LEZIONI

ELETTRONICA A - L OBIETTIVI FORMATIVI MODALITÀ DI SVOLGIMENTO DELL'INSEGNAMENTO PREREQUISITI RICHIESTI FREQUENZA LEZIONI DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA ELETTRONICA E INFORMATICA Corso di laurea in Ingegneria informatica Anno accademico 2018/2019-3 anno ELETTRONICA A - L ING-INF/01-9 CFU - 1 semestre Docente titolare

Dettagli

Page 1. Elettronica delle telecomunicazioni 2003 DDC 1. Politecnico di Torino Facoltà dell Informazione. Contenuti del Gruppo A

Page 1. Elettronica delle telecomunicazioni 2003 DDC 1. Politecnico di Torino Facoltà dell Informazione. Contenuti del Gruppo A Modulo Politecnico di Torino Facoltà dell Informazione Elettronica delle telecomunicazioni Amplificatori e oscillatori A1 - Amplificatori a transistori» Punto di funzionamento,» guadagno e banda» distorsioni,

Dettagli

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura

Università degli Studi di Enna Kore Facoltà di Ingegneria ed Architettura Facoltà di Ingegneria ed Architettura Anno Accademico 2017 2018 A.A. Settore Scientifico Disciplinare CFU Insegnamento Ore di aula Mutuazione 2017/18 ING-INF/01 9 Elettronica 30 SI Classe Corso di studi

Dettagli

Programmazione modulare (A.S. 2016/2017)

Programmazione modulare (A.S. 2016/2017) Programmazione modulare (A.S. 2016/2017) Indirizzo: ELETTROTECNICA Prof. SCIARRA MAURIZIO Prof. SAPORITO ETTORE (lab.) Disciplina: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA Classe: 4Aes Ore settimanali previste: 5

Dettagli

A.S. 2014/15 CLASSE 4 BEE MATERIA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA

A.S. 2014/15 CLASSE 4 BEE MATERIA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA A.S. 2014/15 CLASSE 4 BEE MATERIA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA UNITA DI APPRENDIMENTO 1: RETI ELETTRICHE IN DC E AC Essere capace di applicare i metodi di analisi e di risoluzione riferiti alle grandezze

Dettagli

Libri di testo e consultazione

Libri di testo e consultazione Libri di testo e consultazione Microelettronica 2/ed Parte 3 Elettronica Digitale Richard C. Jaeger, Travis N. Blalock McGraw-Hill -2004- Microelettronica 3/ed Richard C. Jaeger, Travis N. Blalock McGraw-Hill

Dettagli

Elettronica II Modello per piccoli segnali del diodo a giunzione p. 2

Elettronica II Modello per piccoli segnali del diodo a giunzione p. 2 Elettronica II Modello per piccoli segnali del diodo a giunzione Valentino Liberali ipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 2603 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/

Dettagli

POLITECNICO DI MILANO

POLITECNICO DI MILANO POLTECNCO MLANO www.polimi.it ELETTRONCA per ingegneria BOMECA prof. Alberto TOS Sommario iodo Caratteristica -: non lineare Studio dei circuiti: Piccolo segnale: metodi grafici, On/Off o linearizzati

Dettagli

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte E: Circuiti misti analogici e digitali Lezione n E - 1:

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte E: Circuiti misti analogici e digitali Lezione n E - 1: ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte E: Circuiti misti analogici e digitali Lezione n. 19 - E - 1: Comparatori di soglia Comparatori con isteresi Circuiti misti analogici

Dettagli

Microelettronica Indice generale

Microelettronica Indice generale Microelettronica Indice generale Prefazione Rigraziamenti dell Editore Guida alla lettura Parte I Elettronica dello stato solido e dispositivi XV XVII XVIII Capitolo 1 Introduzione all elettronica 1 1.1

Dettagli

DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 7 Gennaio 2013

DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 7 Gennaio 2013 DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 7 Gennaio 013 ESERCIZIO 1 (DE,DTE) Un condensatore MOS è realizzato su substrato p, N A = 10 16 cm 3, t ox = 50 nm. A metà dell ossido (a t ox /) viene introdotto uno strato

Dettagli

DISPOSITIVI ELETTRONICI

DISPOSITIVI ELETTRONICI DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA ELETTRONICA E INFORMATICA Corso di laurea magistrale in Ingegneria elettronica Anno accademico 205/206 - anno DISPOSITIVI ELETTRONICI ING-INF/0-9 CFU - semestre Docente

Dettagli

DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 14 Febbraio 2015

DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 14 Febbraio 2015 DE e DTE: PROVA SCRTTA DEL 14 Febbraio 2015 ESERCZO 1 (DE,DTE) due diodi in gura sono uno a base lunga (diodo A: p + n, N D = 5 10 15 cm 3, τ n = τ p = 1 µs, µ p = 0.04 m 2 /Vs, S = 1mm 2 ) e uno a base

Dettagli

Polarizzazione Diretta (1)

Polarizzazione Diretta (1) Polarizzazione Diretta () E Con la polarizzazione diretta della giunzione, la barriera di potenziale si riduce aumenta la mobilità dei portatori maggioritari e si riduce quella dei portatori minoritari

Dettagli

2 giunzioni pn, 'back to back':

2 giunzioni pn, 'back to back': Transistor ipolare a Giunzione (ipolar Junction Transistor JT; Transistor Transfer esistor) Dispositivo a 3 terminali (cfr. diodo: 2 terminali) 2 tipi: NPN, PNP 2 giunzioni pn, 'back to back': Tuttavia:

Dettagli

Componenti a Semiconduttore

Componenti a Semiconduttore Componenti a Semiconduttore I principali componenti elettronici si basano su semiconduttori (silicio o germani) che hanno subito il trattamento del drogaggio. In tal caso si parla di semiconduttori di

Dettagli

SISTEMA DI GESTIONE PER LA QUALITÀ

SISTEMA DI GESTIONE PER LA QUALITÀ Modulo SISTEMA DI GESTIONE PER LA QUALITÀ Programmazione Moduli Didattici Indirizzo Trasporti e Logistica Ist. Tec. Aeronautico Statale Arturo Ferrarin Via Galermo, 172 95123 Catania (CT) Codice M PMD

Dettagli

IIS Via Silvestri 301 ITIS Volta Programma svolto di Elettrotecnica ed Elettronica A.S. 2016/17 Classe 3 B

IIS Via Silvestri 301 ITIS Volta Programma svolto di Elettrotecnica ed Elettronica A.S. 2016/17 Classe 3 B IIS Via Silvestri 301 ITIS Volta Programma svolto di Elettrotecnica ed Elettronica A.S. 2016/17 Classe 3 B Modulo n 1 - grandezze elettriche e reti lineari in corrente continua 1.1 Le grandezze elettriche

Dettagli

Le caratteristiche del BJT

Le caratteristiche del BJT La caratteristica del BJT.doc! rev. 1 del 24/06/2008 pagina 1 di 8 LE CARATTERISTICHE DEL BJT 1 Montaggi fondamentali 1 Montaggio ad emettitore comune 1 Montaggio a collettore comune 3 Montaggio a base

Dettagli

PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 10 Giugno 2016

PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 10 Giugno 2016 PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 0 Giugno 206 ESERCIZIO Il transistore bipolare npn nelle gure ha N Demettitore = N Dcollettore = 0 7 cm 3, N Abase = 0 6 cm 3, µ n = 0. m 2 /Vs, τ n = τ p =

Dettagli

Le caratteristiche del BJT

Le caratteristiche del BJT LE CARATTERISTICHE DEL BJT 1 Montaggi fondamentali 1 Montaggio ad emettitore comune 1 Montaggio a collettore comune 3 Montaggio a base comune 4 Caratteristiche ad emettitore comune 4 Caratteristiche di

Dettagli

Informazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento. caratteristiche e tipologie di moduli. Circuiti con operazionali reazionati

Informazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento. caratteristiche e tipologie di moduli. Circuiti con operazionali reazionati Elettronica per telecomunicazioni 1 Contenuto dell unità A Informazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento caratteristiche e tipologie di moduli Circuiti con operazionali reazionati

Dettagli

Transistore bipolare a giunzione (BJT)

Transistore bipolare a giunzione (BJT) ransistore bipolare a giunzione (J) Parte 1 www.die.ing.unibo.it/pers/mastri/didattica.htm (versione del 22-5-2012) ransistore bipolare a giunzione (J) l transistore bipolare a giunzione è un dispositivo

Dettagli

Modello di Ebers-Moll del transistore bipolare a giunzione

Modello di Ebers-Moll del transistore bipolare a giunzione D Modello di Ebers-Moll del transistore bipolare a giunzione Un transistore bipolare è un dispositivo non lineare che può essere modellato facendo ricorso alle caratteristiche non lineari dei diodi. Il

Dettagli

ESERCIZIO 1 In gura è rappresentata una giunzione p + n (S=1 mm 2, µ n = 0.1 m 2 /Vs,

ESERCIZIO 1 In gura è rappresentata una giunzione p + n (S=1 mm 2, µ n = 0.1 m 2 /Vs, PROVA SCRTTA di DSPOSTV ELETTRONC del 22 Febbraio 2019 ESERCZO 1 n gura è rappresentata una giunzione p + n (S=1 mm 2, µ n = 0.1 m 2 /Vs, µ p = 0.04 m 2 /Vs, τ p = τ n = 10 6 s). La parte n è drogata N

Dettagli

Istituto d Istruzione Superiore Statale Cigna - Garelli - Baruffi Sede: IPSIA "F. Garelli" Via Bona n Mondovì (CN) tel.

Istituto d Istruzione Superiore Statale Cigna - Garelli - Baruffi Sede: IPSIA F. Garelli Via Bona n Mondovì (CN) tel. Istituto d Istruzione Superiore Statale Cigna - Garelli - Baruffi Sede: IPSIA "F. Garelli" Via Bona n 4 12084 Mondovì (CN) tel. 0174/42611 A. s. 2015 / 16 Corso: MANUTENZIONE ASSISTENZA TECNICA Materia:

Dettagli

Il transistore bipolare a giunzione (BJT)

Il transistore bipolare a giunzione (BJT) Il transistore bipolare a giunzione (BJT) Il funzionamento da transistore, cioè l'interazione fra le due giunzioni pn connesse back to back, è dovuto allo spessore ridotto dell'area di base (tipicamente

Dettagli

1) Il lato n è lungo (1 mm), mentre quello p è sicuramente corto (3 µm). Calcoliamo la regione di svuotamento per V = 0.5 V: = V.

1) Il lato n è lungo (1 mm), mentre quello p è sicuramente corto (3 µm). Calcoliamo la regione di svuotamento per V = 0.5 V: = V. ESERCIZIO 1 (DE,DTE) Una giunzione pn è caratterizzata da (W p e W n distanze tra il piano della giunzione e rispettivamente contatto p ed n): S = 1 mm, N D = 10 16 cm 3, W n = 1 mm, N A = 10 15 cm 3,

Dettagli

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Gruppo B: Famiglie logiche Lezione n. 6 - B -2: Parametri elettrici e famiglie logiche

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Gruppo B: Famiglie logiche Lezione n. 6 - B -2: Parametri elettrici e famiglie logiche ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Gruppo B: Famiglie logiche Lezione n. 6 - B -2: Parametri elettrici e famiglie logiche Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo B - 7 n. 1-01/11/97

Dettagli

PRINCIPIO DI FUNZIONAMENTO

PRINCIPIO DI FUNZIONAMENTO TRANSISTOR BJT 1 PRINCIPIO DI FUNZIONAMENTO 2 SIMBOLI CIRCUITALI 5 TRANSISTOR BJT Un transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) è concettualmente costituito da una barretta di silicio suddivisa in tre

Dettagli

Regolazione della potenza: lineare vs. switching

Regolazione della potenza: lineare vs. switching Regolazione della potenza: lineare vs. switching TRANSISTOR DI POTENZA Caratteristiche desiderate: - bassa resistenza R on - elevata frequenza di commutazione - elevata impedenza di ingresso - stabilità

Dettagli

ELETTRONICA CdS Ingegneria Biomedica

ELETTRONICA CdS Ingegneria Biomedica ELETTRONICA CdS Ingegneria Biomedica LEZIONE A.01 Diodi: funzionamento, parametri, caratteristiche Funzionamento del diodo Proprietà dei diodi reali Modelli di diodi reali Analisi di circuiti a diodi reali

Dettagli

ITI M. FARADAY Programmazione modulare A.S. 2016/17

ITI M. FARADAY Programmazione modulare A.S. 2016/17 ITI M. FARADAY Programmazione modulare A.S. 2016/17 Indirizzo: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA Docenti: Erbaggio Maria Pia (teoria) e Vaccaro Valter (laboratorio) Disciplina: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA

Dettagli

Page 1. Sistemi Elettronici SISTEMI ELETTRONICI. SisElnTA DDC 1. Ingegneria dell Informazione. Lezione 1. Docenti

Page 1. Sistemi Elettronici SISTEMI ELETTRONICI. SisElnTA DDC 1. Ingegneria dell Informazione. Lezione 1. Docenti SISTEMI ELETTRONICI A - INTRODUZIONE A.1 - Scomposizione funzionale obiettivi organizzazione e struttura del modulo livelli di descrizione Ingegneria dell Informazione Lezione 1 Docenti Vincenzo Pozzolo

Dettagli

Lez.12 n-poli. Università di Napoli Federico II, CdL Ing. Meccanica, A.A , Elettrotecnica. Lezione 12 Pagina 1

Lez.12 n-poli. Università di Napoli Federico II, CdL Ing. Meccanica, A.A , Elettrotecnica. Lezione 12 Pagina 1 Lez.12 n-poli Università di Napoli Federico II, CdL Ing. Meccanica, A.A. 2017-2018, Elettrotecnica. Lezione 12 Pagina 1 n-poli Un n-polo è un componente di un circuito elettrico caratterizzato da una superficie

Dettagli

Sommario. Presentazione xv Prefazione xvii L autore xx

Sommario. Presentazione xv Prefazione xvii L autore xx Sommario Presentazione xv Prefazione xvii L autore xx CAPITOLO 1 Introduzione alla progettazione elettronica 1.1 Introduzione 1 1.2 Breve storia dell elettronica 1 1.3 Sistemi elettronici 3 Sensori 3 Attuatori

Dettagli

Sistemi e Tecnologie Elettroniche

Sistemi e Tecnologie Elettroniche Sistemi e Tecnologie Elettroniche 1) Descrivere l effetto della resistenza di ingresso di uno stadio amplificatore alimentato con (a) un ingresso in tensione: La resistenza di ingresso di uno stadio amplificatore

Dettagli

ETLCE - A3 2/18/ /02/ ETLCE - A DDC 18/02/ ETLCE - A DDC. Valore di picco V 18/02/ ETLCE - A DDC.

ETLCE - A3 2/18/ /02/ ETLCE - A DDC 18/02/ ETLCE - A DDC. Valore di picco V 18/02/ ETLCE - A DDC. Modulo Politecnico di Torino Facoltà dell Informazione Elettronica delle telecomunicazioni mplificatori, oscillatori, mixer 3- Oscillatori sinusoidali» principio di funzionamento» circuiti risonanti» oscillatori

Dettagli

SISTEMI ELETTRONICI. Sistemi Elettronici. Ingegneria dell Informazione. A - INTRODUZIONE A.1 - Scomposizione funzionale. Lezione 1.

SISTEMI ELETTRONICI. Sistemi Elettronici. Ingegneria dell Informazione. A - INTRODUZIONE A.1 - Scomposizione funzionale. Lezione 1. Ingegneria dell Informazione SISTEMI ELETTRONICI A - INTRODUZIONE A.1 - Scomposizione funzionale obiettivi organizzazione e struttura del modulo livelli di descrizione 020422-1 SisElnTA1-2002 DDC Lezione

Dettagli

CENNI SU ALCUNI DISPOSITIVI ELETTRONICI A STATO SOLIDO

CENNI SU ALCUNI DISPOSITIVI ELETTRONICI A STATO SOLIDO 1 CENNI SU ALCUNI DISPOSITIVI ELETTRONICI A STATO SOLIDO Il diodo come raddrizzatore Un semiconduttore contenente una giunzione p-n, come elemento di un circuito elettronico si chiama diodo e viene indicato

Dettagli

Page 1. Elettronica per la Telematica ETLM - A0 27/01/ DDC 1. Contenuti di questa lezione

Page 1. Elettronica per la Telematica ETLM - A0 27/01/ DDC 1. Contenuti di questa lezione Politecnico di Torino Facoltà dell Informazione Contenuti di questa lezione Modulo Elettronica per la Telematica A0 - Presentazione, organizzazione, materiale,» Obiettivi, contenuti» Organizzazione, materiale

Dettagli

INSEGNAMENTO DI MATERIE NON MILITARI INCLUSE NEI CORSI IN PROGRAMMAZIONE PRESSO LA SCUOLA TLC FF.AA. DI CHIAVARI PERIODO 28 GENNAIO 31 MAGGIO 2019

INSEGNAMENTO DI MATERIE NON MILITARI INCLUSE NEI CORSI IN PROGRAMMAZIONE PRESSO LA SCUOLA TLC FF.AA. DI CHIAVARI PERIODO 28 GENNAIO 31 MAGGIO 2019 Allegato A INSEGNAMENTO DI MATERIE NON MILITARI INCLUSE NEI CORSI IN PROGRAMMAZIONE PRESSO LA SCUOLA TLC FF.AA. DI CHIAVARI PERIODO 28 GENNAIO 31 MAGGIO 2019 AREA FORMATIVA (1) TRANSPORT & NETWORKING DENOMINAZIONE

Dettagli

PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 15 Febbraio ESERCIZIO 1 Una giunzione pn è caratterizzata da N A = cm 3, N D = cm 3,

PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 15 Febbraio ESERCIZIO 1 Una giunzione pn è caratterizzata da N A = cm 3, N D = cm 3, PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 15 Febbraio 2017 ESERCIZIO 1 Una giunzione pn è caratterizzata da N A = 5 10 15 cm 3, N D = 10 16 cm 3, µ n = 0.10 m 2 /Vs, µ p = 0.04 m 2 /Vs, τ n = τ p =

Dettagli

Coppia differenziale MOS con carico passivo

Coppia differenziale MOS con carico passivo Coppia differenziale MOS con carico passivo tensione differenziale v ID =v G1 v G2 e di modo comune v CM = v G1+v G2 2 G. Martines 1 Coppia differenziale MOS con carico passivo Funzionamento con segnale

Dettagli

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 3 - A - 3:

ELETTRONICA II. Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino. Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 3 - A - 3: ELETTRONICA II Prof. Dante Del Corso - Politecnico di Torino Parte A: Transistori in commutazione Lezione n. 3 - A - 3: Transistori MOS in commutazione Elettronica II - Dante Del Corso - Gruppo A - 8 n.

Dettagli

slides per cortesia di Prof. B. Bertucci

slides per cortesia di Prof. B. Bertucci slides per cortesia di Prof. B. Bertucci Giunzione p-n in equilibrio: Densità di portatori maggiori maggioritari/ minoritari dai due lati della giunzione (lontano dalla zona di contatto): Nella zona di

Dettagli

INDICE Capitolo I - I dispositivi elettronici. Condizioni operative statiche. 1.1) Introduzione. 1.2) Interruttori ideali e reali.

INDICE Capitolo I - I dispositivi elettronici. Condizioni operative statiche. 1.1) Introduzione. 1.2) Interruttori ideali e reali. INDICE Capitolo I - I dispositivi elettronici. Condizioni operative statiche. 1.1) Introduzione. 1 1.2) Interruttori ideali e reali. 1 1.3) Condizioni operative statiche del transistore a giunzione. 5

Dettagli

Nanoelettronica I o anno LS, 10 crediti

Nanoelettronica I o anno LS, 10 crediti Nanoelettronica I o anno LS, 10 crediti Prof. Alessandro Spinelli Dip. di Elettronica e Informazione alessandro.spinelli@polimi.it Tel. (02 2399) 4001 home.dei.polimi.it/spinelli Sommario Semiconduttori,

Dettagli

I dispositivi elettronici. Dispense del corso ELETTRONICA L

I dispositivi elettronici. Dispense del corso ELETTRONICA L I dispositivi elettronici Dispense del corso ELETTRONICA L Sommario I semiconduttori La giunzione pn Il transistor MOS Cenni sul principio di funzionamento Modellizzazione Fenomeni reattivi parassiti Top-down

Dettagli

Subject: Fondamenti di Elettronica

Subject: Fondamenti di Elettronica HO Docente: Andrea CASTOLDI Esercitatore: Pietro KING HEN Ricevimento: Giovedi 16:15 18:15 HERE Dip. di Elettronica, Informazione e Bioingegneria Ed. 24, Via Golgi 40 Andrea.Castoldi@polimi.it Subject:

Dettagli

PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 6 Febbraio 2019

PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 6 Febbraio 2019 PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 6 Febbraio 2019 ESERCIZIO 1 In gura sono rappresentati due diodi identici: N A = 10 16 cm 3, N D = 10 15 cm 3, µ n = 0.1 m 2 /Vs, µ p = 0.03 m 2 /Vs, τ n =

Dettagli

SisElnF1 17/12/2002. E CIRCUITI COMBINATORI E SEQUENZIALI E1 Circuiti combinatori

SisElnF1 17/12/2002. E CIRCUITI COMBINATORI E SEQUENZIALI E1 Circuiti combinatori Ingegneria dell Informazione Modulo SISTEMI ELETTRONICI E CIRCUITI COMBINATORI E SEQUENZIALI E1 Circuiti combinatori» Porte logiche combinatorie elementari» Modello interruttore-resistenza» Circuiti sequenziali

Dettagli

DOCENTI : VINCENZI RICCARDO MATERIA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA A.S.: CLASSE: 4 B-ET

DOCENTI : VINCENZI RICCARDO MATERIA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA A.S.: CLASSE: 4 B-ET : VINCENZI RICCARDO MATERIA: ELETTROTECNICA ED ZENNARO UMBERTO ELETTRONICA A.S.: 2018-2019 CLASSE: 4 B-ET Continuità di insegnante nella materia rispetto all anno precedente 1 Si No Gli obiettivi disciplinari

Dettagli

collana di istruzione scientifica serie di elettronica

collana di istruzione scientifica serie di elettronica collana di istruzione scientifica serie di elettronica Dal catalogo McGraw-Hill: Alexander, Sadiku, Circuiti elettrici, 2 a ed. Conciauro, Fondamenti di onde elettromagnetiche Cutolo, Optoelettronica,

Dettagli

ESERCIZIO 5 1) VALUTAZIONE DELLE CAPACITÁ PARASSITE DI UN INVERTER CMOS:

ESERCIZIO 5 1) VALUTAZIONE DELLE CAPACITÁ PARASSITE DI UN INVERTER CMOS: ESERIZIO 5 Si valutino le capacità parassite al nodo di uscita dovute ai transistori di un inverter MOS, e si verifichi l accuratezza dei risultati confrontando il ritardo di propagazione teorico e quello

Dettagli