Università degli studi di Milano
|
|
- Mauro Longo
- 7 anni fa
- Visualizzazioni
Transcript
1 Università degli studi di Milano Facoltá di Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali Corso di Laurea in Scienze e Tecnologie Fisiche ANALISI DELLE PERFORMANCES DI DIODI EMETTITORI DI LUCE (LED) A DIFFERENTI TEMPERATURE OPERATIVE Relatore Prof. D.V. Camin Correlatore Dott. V. Grassi Tesi di laurea di Giacomo Maria Brambilla Matricola Anno accademico
2 Indice Introduzione 2 1 I diodi emettitori di luce (LEDs) Il LED Effetti a basse temperature Attivitá sperimentale Apparato sperimentale Preparazione dell apparato Risultati sperimentali
3 Introduzione La trasmissione lineare di segnali analogici via fibra ottica é una materia di grande interesse, sia che il segnale trasmesso venga generato da uno strumento a temperature criogeniche sia che la temperatura si possa approssimare a quella ambientale. Questo interesse sulla trasmissione di segnali per via ottica, piuttosto che elettronica sta prendendo sempre piú spazio nel campo della trasmisssione analogica per segnali provenienti da rivelatori. Infatti, nel caso ci sia la necessitá di disaccoppiare elettricamente e termicamente il rivelatore e l elettronica di read-out é conveniente utilizzare un approccio che utilizza un metodo di trasmissione ottico. É quindi necessario trasformare un segnale elettrico analogico in un segnale ottico e per farlo si utilizzano LED in quanto un LASER a semiconduttore presenta una caratteristica estremamente non lineare ed una corrente di soglia (5mA) che diminuisce il range dinamico di utilizzo. Questo tipo di necessitá puó sorgere in qualsiasi condizione di utilizzo: strumenti situati in zone torride o nello spazio. Proprio perché vengono utilizzati in differenti condizioni, si é approfondito lo studio del comportamento di questo tipo di dispositivi. Durante l attivitá di sperimentazione si é cercato di comprendere il funzionamento di un LED AlGaAs a temperature comprese tra i 200 K e i 373 K. Le misure al di sopra della temperatura ambientale, cioé quelle superiori ai 300 K, sono state effettuate per controllare la termalizzazione della camera di simulazione ambientale. Infatti il nostro interesse era concentrato sulle temperature inferiori ai 273 K, cioé alle temperature non ancora investigate in precedenza. Oltretutto, sottoporre l apparecchiatura su cui sono state fatte le misure a temperature molto superiori a quella ambientale per parecchio 2
4 tempo avrebbe portato con sé dei rischi, soprattutto per quanto riguarda la parte vetrosa, cioé la fibra e per la giunzione del LED. 3
5 Capitolo 1 I diodi emettitori di luce (LEDs) Questo lavoro sperimentale é stato effettuato su un LED realizzato in tecnologia AlGaAs (alluminio-gallio arseniuro), pertanto é opportuno introdurre i principi alla base del suo funzionamento. 1.1 Il LED La giunzione p-n é alla base di tutto il mondo dell elettronica e dell optoelettronica a stato solido. I diodi a giunzione p-n vengono usati come switch o come rettificatori, i fotodiodi generano corrente per effetto fotoelettrico, i LED,quando polarizzati direttamente emettono fotoni per un processo di generazione ricombinazione radiativa. Nel nostro caso siamo interessati proprio a questo ultimo utilizzo della giunzione p-n. Il LED converte l ingresso di energia elettrica in un uscita di radiazione ottica, nel visibile o nell infrarosso, in dipendenza dal meteriale del semiconduttore. La conversione dell energia avviene in due stadi: per prima cosa, l energia dei portatori nel semiconduttore viene fatta crescere fino a farle passare la soglia di equilibrio da un energia elettrica entrante. In un LED a giunzione i fotoni con energia vicino all energia del bandgap sono generati da un processo di luminescenza per iniezione o elettroluminescenza durante 4
6 il quale una larga popolazione di elettroni, iniettati da una corrente di polarizzazione diretta sulla banda di conduzione, si ricombinano con le lacune nella banda di valenza. Il dispositivo quindi emette fotoni in modo spontaneo, diversamente da quanto succede per il LASER a semiconduttore in cui si utilizza un processo di emissione stimolata. Gran parte degli elettroni iniettati in banda di conduzione si ricombina in modo radiativo in modo da creare fotoni di frequenza ν = c λ data da: hc λ = ε g (1.1) Figura 1.1: Iniezione di portatori minoritari in una giunzione p-n polarizzata direttamente che porta all emissione di fotoni Non tutti i portatori si ricombinano in modo radiativo, infatti quelli che si ricombinano in modo non-radiativo hanno un eccesso di energia, che viene dispersa sotto forma di calore nel reticolo. Il numero di portatori di carica che si combinano radiativamente é generalmente proporzionale alla corrente di polarizzazione, cioé alla corrente del diodo a queste condizioni. La maggior parte dei processi di ricombinazione avvengono vicino alla giunzione, tuttavia alcuni dei portatori minoritari si spostano e quindi la ricombinazione puó avvenire in regioni ben lontane dalla giunzione. Per definire meglio l efficienza di ricombinazione radiativa si é introdotta l efficienza quantica interna del dispositivo, definita come il rapporto tra i fotoni emessi e gli elettroni forniti da un generatore esterno. Come detto sopra non tutti gli elettroni forniti si ricombinano radiativamente con le lacune, cioé l efficenza quantica é sempre minore del 100%. Se invece si applica una corrente inversa al diodo, non 5
7 avviene nessun tipo di eccitazione dei portatori e, di conseguenza, non viene emessa luce. 1.2 Effetti a basse temperature Se noi raffreddiamo un semiconduttore, di qualsiasi tipo, il bandgap tra la banda di conduzione e quella di valenza aumenterá. La relazione che lega l energia di bandgap con la temperatura é fornita da (equazione1.2e figura1.2): E g (T ) = E g (0) αt 2 (β + T ) (1.2) Figura 1.2: Dipendenza dalla temperatura del bandgap fondamentale per il gallio-arseniuro usando i parametri in tabella 1.1 Dove E g (0) é il bandgap a zero Kelvin e β é proporzionale alla temperatura di Debye. Come si puó capire facilmente questi due parametri sono caratteristici per ogni semiconduttore in quanto dipendono dalla struttura del reticolo. Quindi, spostandoci verso le basse temperature, il bandgap cresce e, 6
8 ε g (0 K) α β Semiconductor (ev) (ev \ K 2 ) (K) GaAs 1,519 5, Tabella 1.1: Parametri per l equazione di Varshni con la crescita della distanza delle due bande, diminuisce la lunghezza d onda del picco principale di emissione del LED. Un ulteriore effetto che é stato notato sperimentalmente a basse temperature é la comparsa di un secondo picco di generazione ricombinazione elettronica dovuto alla presenza di impuritá nel drogaggio del semiconduttore del LED, che si comporta esattamente come seconda regione radiativa. Questa seconda regione radiativa inizia ad essere visibile in modo piú marcato quando ci si trova a temperature inferiori ai 268 K. Il modello semiempirico ci dá una mano per la spiegazione di questo fenomeno. Infatti, noi possiamo dire che l efficienza quantica, che si puó riscrivere in termini di costanti di tempo di generazione-ricombinazione, in questo caso é data dal rapporto 1.3: η = τ nr τ nr + τ r (1.3) τ r << τ nr (1.4) Dove τ nr e τ r sono le vite medie di ricombinazione non-radiativa e radiativa di un portatore. La condizione 1.4 posta alle costanti di tempo radiative e non radiative é necessaria per incrementare l efficienza quantica del dispositivo. La vita media di un portatore di carica non-radiativo τ nr aumenta al diminuire della temperatura. Cioé il tempo che un portatore di carica passa in una trappola o in uno stato eccitato cresce con il diminuire della temperatura. Quindi a basse temperature se un portatore di carica viene intrappolato da una trappola da cui poi verrá emesso un fonone, questo ci rimarrá per piú tempo, evitando che altri elettroni rimangano intrappolati. In questo modo tutti i portatori che non passano per quella trappola tornano alla banda di valenza attraverso una transizione di tipo radiativo. Per questo 7
9 a basse temperature viene evidenziato un secondo picco di elettroluminescenza. Come il primo picco, con il diminuire della temperatura, anche questo si sposta verso frequenze di emissione maggiori, cioé aumenta l energia della transizione radiativa compiuta, oltre ad a occupare una parte piú importante nel calcolo della potenza ottica totale emessa. In esperimenti precedenti, effettuati a temperature criogeniche, si é notato che oltre all evidenziamento di questo secondo picco, la potenza totale emessa dal LED é molto maggiore rispetto a quella emessa a 300K. Questo si spiega nello stesso modo in cui si spiega la comparsa del secondo picco: la vita media piú alta dei portatori permette ad alcuni di questi di rimanere intrappolati piú al lungo in una trappola che emetterá fononi, lasciando che molti altri portatori compiano transizioni di tipo radiativo. Questa tendenza é verificata dalle misure che abbiamo effettuato a temperature superiori ai 300 K, dove si nota molto bene la diminuzione di potenza emessa dal LED. 8
10 Capitolo 2 Attivitá sperimentale 2.1 Apparato sperimentale Per lo studio del LED AlGaAs é stato necessario utilizzare diverse apparecchiature sperimentali. Prima tra queste un optical spectrum analyzer per l analisi e i primi processi sulle misure dello spettro di emissione del dispositivo. Inoltre il LED era alimentato in corrente da un Keithley SourceMeter 2400 e posizionato all interno di una camera di simulazione ambientale Vötsch capace di operare dai 198 K ai 428 K. Tuttavia, cosí facendo, ci siamo trovati nella necessitá di disporre contatti elettronici a basse temperature in alcuni casi con umiditá molto alta. Per la connessione tra l analizzatore di spettro e il LED é stata usata una fibra multimodale 50/125µm. Il generatore di corrente e lo spectrum analizer sono gestiti da un programma creato appositamente in Labview. Il programma di controllo infatti sfruttava tutte le potenzialitá di calcolo del processore integrato nello spectrum analizer, per permettere una maggiore velocitá di elaborazione. D altro canto la camera di simulazione ambientale é controllata da un software proprietario installato su un calcolatore dedicato. 9
11 2.2 Preparazione dell apparato Un ruolo importante durante queste sperimentazioni é stato svolto dalla preparazione dell apparecchiatura di misura. La preparazione accurata dell esperimento si é rivelata indispensabile per diversi motivi. Primo tra questi é stato cercare di mantenere una termalizzazione corretta della giunzione p- n del diodo. Nonostante si fosse posto una termocoppia sul case metallico dove era contenuto il LED, non siamo stati in grado di sviluppare un sistema capace di rivelare, durante le misure, la temperatura corretta della giuzione. Per questo abbiamo cercato di mantenere una termalizzazione corretta della camera, chiudendo tutte le possibili aperture verso l esterno. Per correnti di polarizzazione di un milliampére l autoriscaldamento per effetto Joule non é ancora apprezzabile. Se invece si utilizzano correnti di polarizzazione di 5 10 ma, il fenomeno dell autoriscaldamento (self-heating) puó essere consistente. Un altro problema che abbiamo dovuto risolvere é stato quello dell ingresso di umiditá nel punto di coupling tra il LED e la fibra. Per evitare questo inconveniente abbiamo iniziato ad effettuare le misure partendo da temperature inferiori e cercando di sigillare quasi ermeticamente il punto di coupling, dato che l ingresso di umiditá provocava una diminuzione della potenza totale in uscita, cosa che sarebbe stata ancora piú visibile se il vapore acqueo si fosse condensato o congelato. 2.3 Risultati sperimentali Da questa esperienza ci aspettavamo che venisse confermato l aumento di potenza emessa da un LED quando al diminuire della temperatura. La potenza totale é l area sottesa allo spettro di emissione, calcolo che, mediante Labview, abbiamo fatto effettuare direttamente dall analizzatore di spettro. I risultati si possono vedere in figura 2.1. Come si puó vedere c é un incremento della potenza emessa dal LED al diminuire della temperatura per ogni corrente di polarizzzione. I punti di discontinuitá di questo grafico, tra i 228 K e i 233 K e tra i 293 K e i 325 K, corrispondono alle misure effettuate a distanza di una notte. La spiegazione 10
12 Figura 2.1: Media delle potenze totali emesse dal LED a differenti correnti di polarizzazione va cercata negli shock termici subiti dalla connettorizzazione tra LED e la fibra ottica. Venivano fatti tre cicli di dieci misure, partendo da una corrente di polarizzazione di 10 ma, per arrivare a una corrente di 1 ma. Dopo questi tre cicli, molto ravvicinati, si impostava una diversa temperatura sulla macchina e, quando questa si era stabilizzata, si ricominciava con i cicli da dieci misure. A causa del continuo cambiamento di temperatura, all interno della giunzione tra il LED e la fibra possono esserci stati dei disallineamenti che hanno provocato questi cambiamenti repentini nella potenza trasmessa. Sempre visibile nel grafico 2.1 é la differenza tra le potenze emesse a differenti correnti di polarizzazione, meglio visibile nel grafico 2.2 Le relazioni che intercorrono tra la potenza in uscita e la corrente di polarizzazione di un LED sono paraboliche a temperatura ambiente, ma con l abbassamento della temperatura il coefficiente del termine di secondo grado della parabola si abbassa e cresce il termine di primo grado. Questo comportamento puó essre spiegato nei termini del modello sviluppato da Chuang et al., [4]. Questo modello descrive la relazione tra la luce emessa P e la corrente iniettata, secondo l equazione 11
13 Figura 2.2: Media delle potenze totali emesse in fuzione della temperatura a diverse correnti di polarizzazione P = C I + Y Y 1 + 2I Y (2.1) Dove C é una costante correlata al fattore di accoppiamento ottico e Y = esd(an d ) 2 \ 2B (e é la carica dell elettrone, S l area di iniezione della corrente, d é lo spessore della regione attiva, N d é la densitá dei difetti, e A e B sono i coefficienti non radiativi e radiativi, rispettivamente). Per correnti molto basse (I 0) possiamo espandere 2.1 in una serie di McLaurin il primo termine della serie é 2.2 P = C 2Y I2 (2.2) Quindi a 300 K, il modello predice una dipendenza parabolica tra la potenza di uscita del LED e la corrente nell ordine di grandezza dei µa. Al contrario, quanda la temperatura decresce, il coefficiente di ricombinazione non radiativa tende a diventare piú piccolo (Y 0), allora la potenza emessa é porporzionale linearmente alla corrente di polarizzazzione del LED. Ne é 12
14 Temperatura (K) α β R 2 205,32 1, ,81 0, ,28 2, ,35 0, ,85 6, ,57 0,9995 Tabella 2.1: Coefficienti dell equazione di secondo grado stata provata sperimentalmente la validitá in [2]. Figura 2.3: Media delle potenze totali emesse dal LED a 205, 253, 293 K di polarizzazione Questo effetto di linearizzazione della relazione tra corrente di polarizzazione e potenza in uscita inizia a essere visibile in figura 2.3. Riportiamo di seguito la tabella con i coefficienti dei termini dell equazione di secondo grado (tabella 2.1), dove α é il coefficiente del termine di secondo grado, β quello del termine di primo grado e, sempre nella stessa tabella riportiamo anche il coefficiente di correlazione con i dati. Abbiamo verificato un ulteriore effetto delle basse temperature su un LED, cioé la variazione dello spettro di emissione. Nello spettro aumneta la potenza del picco principale, effetto riscontrabile anche nell analisi della potenza totale emessa, inoltre questo si sposta a lunghezza d onda minori, 13
15 cioé le transizioni avvengono ad energia maggiore. Si verifica anche l altro effetto descritto in precedenza, cioé da circa 270 K si puó scorgere un secondo picco radiativo, che diventa evidente a 263 K. Figura 2.4: Spettri di emissione del LED a diverse temperature con 1 ma di corrente di polarizzazione L effetto che ha avuto la temperatura della giunzione sulla potenza di emissione, oltre che dal grafico precedente, lo si puó notare anche dal grafico, dove si vede che non solo la potenza totale cambia, ma anche la potenza emessa in corrispondenza del picco principale non segue un andamento monotono in funzione della teperatura. Per renderci meglio conto dell effetto di aumento del bandgap, abbiamo calcolato i valori dell energia dei fotoni emessi a tutte le temperature che abbiamo investigato e abbiamo notato che la loro energia ha la tendenza a seguire la legge di Varshni equazione 1.2, dato che l aumento di energia dei fotoni é direttamente proporzionale all aumento di energia del bandgap, anche questo aumenta con il diminuire della temperatura, come ci si aspettava. Nel caso si usi una corrente di polarizzazione di 1 ma l energia del fotone presenta un coefficiente di regressione piú alto rispetto a quanto succede nel caso si polarizzi il diodo con 10mA. Questo effetto é probabilmente una delle 14
16 Figura 2.5: Spettri di emissione del LED a 203 K, 228 K, 263 K e 293 K con 1 ma di corrente di polarizzazione Figura 2.6: Andamento della potenza emessa dai picchi di G-R a diverse temperature per una corrente di polarizzazione di 1 ma 15
17 Figura 2.7: Andamento dell energia dei fotoni emessi in funzione della temperatura con corrente di polarizzazione di 1 ma Figura 2.8: Andamento dell energia dei fotoni emessi in funzione della temperatura con corrente di polarizzazione di 10 ma 16
18 1 ma 10 ma R 0,9967 0,985 Tabella 2.2: Coefficienti di regressione per due correnti di polarizzazione diretta conseguenze dell autoriscaldamento della giunzione provocato dalla corrente di polarizazione piú elevata. Sul secondo picco radiativo, quello visibile da temperature inferiori a 263 K, possiamo fare le stesse considerazioni fatte sul picco di emissione principale, dato che la diminuzione di temperatura agisce su entrambi nello stesso modo. Infatti, anche la distanza tra il picco picco radiativo e la banda di conduzione aumenta, seppur in modo meno marcato rispetto a quanto non succeda nel caso del primo picco (figura 2.9). Figura 2.9: Andamento dell energia dei fotoni emessi in corrispondenza del secondo picco di G-R con corrente di polarizzazione da 1 ma In questo caso, il fit con l equazione di Varshni, non é soddisfacente come negli altri casi. Dobbiamo peró ricordare che, questo picco di generazionericombinazione, é dato da un impurezza del drogante immesso nel LED per fare in modo che il picco radiativo sia localizzato. Un altro dato interessante 17
19 scaturito da questo lavoro é la differenza di energia tra il primo picco e il secondo. Questa differenza rimane costante a diverse temperature, cioé i due picchi di emissione si spostano simultaneamente con l abbassarsi della temperatura. Figura 2.10: Differenza di energia tra i due picchi di emissione Questo interessante effetto si spiega ricordando che l abbassamento della temperatura provoca l innalzamento dell energia di bandgap in modo tale da modificare la situazione, che a temperatura ambiente é quella rappresentata in figura L energia tra le bande quindi aumenta, ma la differenza di energia tra i livelli di generazione-ricombinazione non cambia. Anche la differenza di potenza emessa in corrispondenza dei due differenti picchi cambia in funzione della temperatura. Questa differenza cresce con il diminuire della temperatura, come si puó vedere dalla figura Anche in questo caso si possono notare una discontinitá a 233 K sempre a causa di una termalizzazione differente avvenuta con il una notte frapposta tra le due misure. Un altro effetto della temperatura che abbiamo notato é la riduzione della larghezza a mezza altezza della Gaussiana di emissione riferita al massimo principale, infatti, soprattutto a correnti di polarizzazione minori di 2 ma, 18
20 Figura 2.11: Schema delle energie di bandgap a 300K Figura 2.12: Differenze delle potenza emesse nei picchi di G-R a differenti temperature si nota che che lo spettro subisce questa ulteriore trasformazione e anche grazie a questo effetto si nota piú nitidamente il secondo picco di generazione ricombinazione descritto in precedenza. Successivamente, abbiamo sperimentato il comportamento del LED sempre a temperature paragonabili, ma utilizzando correnti di polarizzazioni inferiori: da 1 ma a 100µA. I dati raccolti fanno emergere una tendenza 19
21 Figura 2.13: Andamento della larghezza a mezza altezza per correnti di polarizzazione di 1, 5, 10 ma comune a ció che giá si nota nelle misure effettuate con corrente di polarizzazione piú alta. Inoltre, per correnti inferiori ai 0,5 ma, si giunge al limite di sensibilitá dello spectrum analyzer. Riportiamo di seguito i risultati ottenuti per misure di 0,5 ma, figura
22 Figura 2.14: Spettri di emissione del LED polarizzato direttamente con una corrente di 5µA 21
23 Bibliografia [1] P. Bhattacharya, Semiconductor Optoelectronic Devices second Edition, Prentice Hall, Upper Saddle River, New Jersey, 1997 [2] D.V. Camin and V. Grassi, Cryogenic behavior of optoelectronic devices for the transmission of analog signals via fiber optics, IEEE Transaction on nuclear science, vol. 53, no.6, december 2006 [3] T.L.Larsen, The effect of Cu impurities on infrared electroluminescence in GaAs p-n junction, Applied Physics Letters, volume 3, number 7, 1 october 1963 [4] S.L. Chuang Kinetic Model for degradation of light emitting diodes, IEEE J.Quantum Electron., vol. 33, no. 6, pp ,
Il semiconduttore è irradiato con fotoni a λ=620 nm, che vengono assorbiti in un processo a due particelle (elettroni e fotoni).
Fotogenerazione -1 Si consideri un semiconduttore con banda di valenza (BV) e banda di conduzione (BC) date da E v =-A k 2 E c =E g +B k 2 Con A =10-19 ev m 2, B=5, Eg=1 ev. Il semiconduttore è irradiato
DettagliSorgenti Ottiche, Classificazioni e parametri
Sorgenti Ottiche, Classificazioni e parametri Classificazione delle sorgenti ottiche (1/5) Ci occuperemo delle sorgenti ottiche, cioè dei dispositivi attivi che emettono radiazione elettromagnetica alla
DettagliDispositivi Fotonici
Dispositivi Fotonici Luce fi Elettricità Dispositivi che convertono la radiazione ottica in energia elettrica (fotorivelatori, dispositivi fotovoltaici, celle solari) basati sull effetto fotoelettrico
DettagliCENNI SU ALCUNI DISPOSITIVI ELETTRONICI A STATO SOLIDO
1 CENNI SU ALCUNI DISPOSITIVI ELETTRONICI A STATO SOLIDO Il diodo come raddrizzatore Un semiconduttore contenente una giunzione p-n, come elemento di un circuito elettronico si chiama diodo e viene indicato
DettagliTransistore bipolare a giunzione (BJT)
ransistore bipolare a giunzione (J) Parte 1 www.die.ing.unibo.it/pers/mastri/didattica.htm (versione del 22-5-2012) ransistore bipolare a giunzione (J) l transistore bipolare a giunzione è un dispositivo
Dettagli3- CENNI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI BASATI SULLE GIUNZIONI p-n
1 3- CENNI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI BASATI SULLE GIUNZIONI p-n Il diodo come raddrizzatore Un semiconduttore contenente una giunzione p-n, come elemento di un circuito elettronico si chiama diodo e viene
DettagliI fototransistor sono transistor incapsulati in contenitori provvisti di una lente, in plastica o in vetro trasparente, che permette alla radiazione
I fototransistor sono transistor incapsulati in contenitori provvisti di una lente, in plastica o in vetro trasparente, che permette alla radiazione incidente di agire sulla giunzione collettore-base come
DettagliCavità. Mezzo attivo Radiazione laser. Pompaggio. Lab. Micro-OptoElettronica CdL Fisica A.A. 2006/7
Diodo Laser Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation: LASER Dispositivo basato sul fenomeno dell emissione stimolata, i cui componenti sono fondamentalmente tre: 1. Mezzo attivo 2. Sistema
DettagliL effetto Fotovoltaico
L effetto Fotovoltaico Carla sanna sanna@sardegnaricerche.it lab.fotovoltaico@sardegnaricerche.it Carla sanna Cagliari 19 settembre 2008 Sala Anfiteatro, via Roma 253 1 Un po di storia. Becquerel nel 1839
DettagliAmplificatori Ottici
Amplificatori Ottici Amplificazione ottica (1/2) Per controbilanciare l attenuazione della fibra, sono utili gli amplificatori ottici E () t = GE () t + n() t out in Rumore ottico generato dall amplificatore
DettagliFormazione delle bande di energia. Fisica Dispositivi Elettronici CdL Informatica A.A. 2003/4
Formazione delle bande di energia Calcolo formale: Equazione di Schröedinger L equazione di Schröedinger è una relazione matematica che descrive il comportamento ondulatorio di una particella (elettrone)
Dettaglibande di energia in un conduttore La banda di energia più alta è parzialmente vuota! livello di Fermi Overlap di bande di energia in un conduttore
g(e) va a zero sia al bordo inferiore che a quello superiore della banda bande di energia in un conduttore La banda di energia più alta è parzialmente vuota! livello di Fermi Overlap di bande di energia
DettagliElettronica II La giunzione p-n: calcolo della relazione tensione-corrente p. 2
Elettronica II La giunzione p-n: calcolo della relazione tensione-corrente Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it
Dettaglil evoluzione dell elettronica
1904 tubo a vuoto 1968 circuito integrato l evoluzione dell elettronica 1980 integrati VLSI 1947 transistor oggi integrati ULSI 1971 microprocessore diodi transistor tecnologie costruttive grafici, tabelle,
DettagliRicadute dirette nel mondo della medicina Nucleare (Risonanza Magnetica Nucleare)
Ricadute dirette nel mondo della medicina Nucleare (Risonanza Magnetica Nucleare) Foto rivelatore Il foto rivelatore è costituito da vari elementi: Fotocatodo Dinodi di accelerazione Anodo di raccolta
DettagliSemiconduttori intrinseci
Semiconduttori intrinseci Rappresentazione bidimensionale di un cristallo di silicio a 0 K Rappresentazione bidimensionale di un cristallo di silicio a temperatura ambiente (300 K) In equilibrio termodinamico,
DettagliCaratteristiche di trasferimento:
Trasduttori Introduzione Il trasduttore è l elemento base della misura Per trasduttore intendiamo un dispositivo che trasforma una qualsiasi grandezza fisica in grandezza elettrica Lo scopo di tale trasformazione
DettagliOptoelettronica Lezione 1: Introduzione. Daniele Ielmini DEIB Politecnico di Milano
Optoelettronica Lezione 1: Introduzione Daniele Ielmini DEIB Politecnico di Milano daniele.ielmini@polimi.it D. Ielmini Optoelettronica - 01 2 Outline Informazioni pratiche sul corso Introduzione all optoelettronica
DettagliLASER. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation. Introduzione. Assorbimento, emissione spontanea, emissione stimolata
LASER Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Introduzione. Assorbimento, emissione spontanea, emissione stimolata Cenni storici 1900 Max Planck introduce la teoria dei quanti (la versione
DettagliDispositivi optoelettronici (1)
Dispositivi optoelettronici (1) Sono dispositivi dove giocano un ruolo fondamentale sia le correnti elettriche che i fotoni, le particelle base della radiazione elettromagnetica. Le onde elettromagnetiche
DettagliRELAZIONE DI TELECOMUNICAZIONI ITIS Vobarno Titolo: I Transistor
RLAZION DI TLCOMUNICAZIONI ITIS Vobarno Titolo: I Transistor Nome: Samuele Sandrini 4AT 05/10/14 Un transistor a giunzione bipolare (BJT Bipolar Junction Transistor) è formato da tre zone di semiconduttore
DettagliTrasduttori. Molti trasduttori sono sia sensori sia attuatori.
Trasduttori Sono dispositivi, generalmente elettrici o elettronici, che convertono un tipo di energia relativa a grandezze meccaniche e fisiche in segnali elettrici. Un trasduttore è talvolta definito
DettagliI semiconduttori. Il drogaggio è un operazione che avviene con diffusione di vapori a temperature intorno ai 1000 C.
I semiconduttori Presentano le seguenti caratteristiche: hanno una resistività intermedia tra quelle di un isolante ed un conduttore presentano una struttura cristallina, cioè con disposizione nello spazio
DettagliComponenti a Semiconduttore
Componenti a Semiconduttore I principali componenti elettronici si basano su semiconduttori (silicio o germani) che hanno subito il trattamento del drogaggio. In tal caso si parla di semiconduttori di
DettagliSommario. Come funziona il Diodo? Giunzione PN a circuito aperto Giunzione PN: polarizzazione diretta Giunzione PN: polarizzazione inversa
l Diodo Sommario Cos è il Diodo? Concetti di base sulla fisica dei Semiconduttori Silicio ntrinseco Corrente di Deriva e Corrente di Diffusione Silicio Drogato P o N Giunzione PN Come funziona il Diodo?
DettagliEFFETTO FOTOELETTRICO
EFFETTO FOTOELETTRICO Come funziona una cella solare TECHNOTOU R SEMICONDUTTORI 1 Materiali con una conducibilità intermedia tra quella di un buon conduttore e quella di un buon isolante. Possono essere
DettagliCONDUTTORI, ISOLANTI, SEMICONDUTTORI
CONDUTTORI, ISOLANTI, SEMICONDUTTORI Le sostanze che favoriscono al loro interno il passaggio della corrente elettrica sono dette conduttori; quelle invece che impediscono il passaggio della corrente sono
DettagliCorso di Laurea in Scienza dei Materiali Laboratorio di Fisica II ESPERIENZA DC3. Circuiti in corrente continua
Corso di Laurea in Scienza dei Materiali Laboratorio di Fisica II ESPERIENZA DC3 Circuiti in corrente continua Scopo dell'esperienza 1. Determinazione della caratteristica I/V di un conduttore non ohmico:
DettagliEsperimentazioni di Fisica 1 Tracce delle lezioni di TERMOLOGIA
Esperimentazioni di Fisica 1 Tracce delle lezioni di TERMOLOGIA AA 2015-2016 Temperatura Temperatura misura oggettiva della sensazione di caldo e freddo Grandezza intensiva Misura la direzione del trasferimento
DettagliSorgenti a larga banda
Sorgenti a larga banda F. Poli 28 aprile 2008 Outline Lampada al tungsteno 1 Lampada al tungsteno 2 3 4 Sorgenti a larga banda Caratteristiche: densità spettrale (= potenza nell unità di banda); range
DettagliPower meter Misure di potenza assoluta Misure di potenza relativa. Misure di potenza. F. Poli. 10 aprile F. Poli Misure di potenza
Misure di potenza F. Poli 10 aprile 2008 Outline Power meter 1 Power meter 2 3 Misure di potenza Misure di potenza = base della metrologia in fibra ottica. Misure di potenza 1 assoluta: necessarie in relazione
DettagliCOMPONENTI OTTICI ATTIVI
COMPONENTI OTTICI ATTIVI Sono quei dispositivi necessari per lo scambio di informazioni su fibra ottica ossia per la trasmissione di impulsi luminosi. Si distinguono in convertitori elettro-ottici, convertitori
DettagliEsercitazione 2 Ciclo a vapore a recupero
Esercitazione 2 Ciclo a vapore a recupero Lo scopo di questa esercitazione è la progettazione di un ciclo a recupero: l impianto è composto da un ciclo a vapore ad un livello di pressione che utilizza
DettagliFigura 3.1: Semiconduttori.
Capitolo 3 Semiconduttori Con il termine semiconduttori si indicano alcuni elementi delle colonne III, IV e V della tavola periodica, caratterizzati da una resistività elettrica ρ intermedia tra quella
Dettagliconduttori isolanti semiconduttori In un metallo la banda più esterna che contiene elettroni è detta banda di valenza
Un solido sarà conduttore solo se la banda è parzialmente occupata. Se invece la banda è completamente occupata si possono avere due casi: se la banda successiva è molto alta in energia il solido è un
DettagliDispositivi elettronici. Il transistor bipolare a giunzione (bjt( bjt)
Dispositivi elettronici l transistor bipolare a giunzione (bjt( bjt) Sommario l transistor bipolare a giunzione (bjt) come è fatto un bjt principi di funzionamento (giunzione a base corta) effetto transistor
DettagliLa radioattività. La radioattività è il fenomeno per cui alcuni nuclei si trasformano in altri emettendo particelle e/ radiazioneni elettromagnetiche.
La radioattività La radioattività è il fenomeno per cui alcuni nuclei si trasformano in altri emettendo particelle e/ radiazioneni elettromagnetiche. La radioattività: isotopi. Il numero totale di protoni
DettagliGeneratore. Generatore. Un sistema a raggi-x consiste di: Tubo a raggi-x. Sistema di rilevazione
Generatore Un sistema a raggi-x consiste di: Tubo a raggi-x Sistema di rilevazione Generatore Il generatore trasferisce la potenza elettrica P (KW) al tubo a raggi-x I parametri U (KV) e I (ma) vengono
DettagliFotorivelatori. Dispositivi che convertono un segnale ottico in segnale elettrico. termopile bolometri cristalli piroelettrici
Fotorivelatori Dispositivi che convertono un segnale ottico in segnale elettrico basati su un effetto termico (riscaldamento) termopile bolometri cristalli piroelettrici basati sull effetto fotoelettrico
DettagliELETTROTECNICA ED ELETTRONICA (C.I.) Modulo di Elettronica. Lezione 6. a.a
32586 ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA (C.I.) Modulo di Elettronica Lezione 6 a.a. 20102011 Diodo + Il diodo è un bipolo, passivo, nonlineare la cui funzione ideale è quella di permettere il flusso di corrente
DettagliL irraggiamento termico
L irraggiamento termico Trasmissione del Calore - 42 Il calore può essere fornito anche mediante energia elettromagnetica; ciò accade perché quando un fotone, associato ad una lunghezza d onda compresa
DettagliTrasmissione di calore per radiazione
Trasmissione di calore per radiazione Sia la conduzione che la convezione, per poter avvenire, presuppongono l esistenza di un mezzo materiale. Esiste una terza modalità di trasmissione del calore: la
DettagliISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n PONTEDERA (PI) ANNO SCOLASTICO 2005/2006 CORSO SPERIMENTALE LICEO TECNICO
ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n. 2-56025 PONTEDERA (PI) 0587 53566/55390 - Fax: 0587 57411 - : iti@marconipontedera.it - Sito WEB: www.marconipontedera.it ANNO SCOLASTICO
DettagliI SEMICONDUTTORI. I loro atomi costituiscono uno schema cristallino, noto come centrate nel quale gli atomi sono tenuti a posto dai legami covalenti.
I SEMICONDUTTORI I semiconduttori hanno un comportamento intermedio fra quello dei conduttori e quello degli isolanti. Presentano una conduttività intermedia fra quella dei conduttori e degli isolanti
DettagliTermografia a infrarossi
Termografia a infrarossi Nella radiometria a microonde si verifica che hν
Dettagli4.4 Il regolatore di tensione a diodo zener.
4.4 l regolatore di tensione a diodo zener. n molte applicazioni il valore del fattore di ripple ottenibile con un alimentatore a raddrizzatore e filtro capacitivo non è sufficientemente basso. Per renderlo
DettagliDiodi a emissione luminosa:
UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PADOVA FACOLTÀ DI INGEGNERIA CORSO DI LAUREA IN INGEGNERIA MECCANICA E MECCATRONICA Diodi a emissione luminosa: tecnologia e caratteristiche Relatore Prof. Simone Buso Laureando
DettagliLA GIUNZIONE PN SILICIO INTRINSECO LACUNE - ELETTRONI. La giunzione PN - diodo Prof. Antonio Marrazzo Pag. 1
LA GIUNZIONE PN SILICIO INTRINSECO Un atomo di silicio ha 4 elettroni nello strato più esterno detti elettroni di valenza, quindi in un cristallo di silicio ciascuno di questi elettroni viene condiviso
DettagliFisica Tecnica Ambientale
Università degli Studi di Perugia Sezione di Fisica Tecnica Fisica Tecnica Ambientale Lezione del 28 maggio 2015 Ing. Francesco D Alessandro dalessandro.unipg@ciriaf.it Corso di Laurea in Ingegneria Edile
DettagliL energia assorbita dall atomo durante l urto iniziale è la stessa del fotone che sarebbe emesso nel passaggio inverso, e quindi vale: m
QUESITI 1 Quesito Nell esperimento di Rutherford, una sottile lamina d oro fu bombardata con particelle alfa (positive) emesse da una sorgente radioattiva. Secondo il modello atomico di Thompson le particelle
DettagliSEMICONDUTTORI BANDE DI ENERGIA
SEMICONDUTTORI BANDE DI ENERGIA Si dice banda di energia un insieme di livelli energetici posseduti dagli elettroni. Si dice banda di valenza l'insieme degli elettroni che hanno un livello energetico basso,
DettagliIndice. Introduzione 13
Indice Introduzione 13 1 Le guide d onda 17 1.1 I modi di una guida d onda................................ 18 1.2 Calcolo delle funzioni di modo............................... 19 1.3 Potenza trasportata
DettagliProfili di trasmissione dei filtri interferenziali del telescopio PSPT
I.N.A.F Osservatorio Astronomico di Roma Profili di trasmissione dei filtri interferenziali del telescopio PSPT Mauro Centrone Fabrizio Giorgi Nota tecnica - 2003 1 Introduzione I filtri interferenziali
DettagliTeoria Atomica di Dalton
Teoria Atomica di Dalton Il concetto moderno della materia si origina nel 1806 con la teoria atomica di John Dalton: Ogni elementoè composto di atomi. Gli atomi di un dato elemento sono uguali. Gli atomi
DettagliLA GIUNZIONE PN. Sulla base delle proprietà elettriche i materiali si classificano in: conduttori semiconduttori isolanti
LA GIUNZIONE PN Sulla base delle proprietà chimiche e della teoria di Bohr sulla struttura dell atomo (nucleo costituito da protoni e orbitali via via più esterni in cui si distribuiscono gli elettroni),
DettagliDipartimento di Ingegneria Industriale e dell Informazione. Acquisizione dati da fotodiodo
Dipartimento di Ingegneria Industriale e dell Informazione Acquisizione dati da fotodiodo 1 Fotodiodi I fotodiodi sono dispositivi a semiconduttore con struttura PN o PIN, impiegati come trasduttori di
Dettagli1 a esperienza Diodo e Temperatura
1 a esperienza Diodo e Temperatura ovvero come il funzionamento di un diodo dipende dalla temperatura.smerieri & L.Faè Scuola stiva AIF - PLS 2-6 Settembre 2008 - Genova Circuito standard per una misura
Dettagli4.5 Polarizzazione Capitolo 4 Ottica
4.5 Polarizzazione Esercizio 98 Un reticolo con N fenditure orizzontali, larghe a e con passo p, è posto perpendicolarmente a superficie di un liquido con n =.0. Il reticolo è colpito normalmente alla
DettagliCorso di Laurea in Ingegneria Civile e Ambientale
Università degli Studi di Catania Dipartimento di Ingegneria Civile e Architettura Corso di Laurea in Ingegneria Civile e Ambientale Corso di TOPOGRAFIA E CARTOGRAFIA A.A. 20015/2016 Prof. Ing. Giuseppe
Dettagli5.4 Larghezza naturale di una riga
5.4 Larghezza naturale di una riga Un modello classico più soddisfacente del processo di emissione è il seguente. Si considera una carica elettrica puntiforme in moto armonico di pulsazione ω 0 ; la carica,
DettagliCapitolo Descrizione tecnica del sensore MAF a filo caldo
Capitolo 2 2.1 Descrizione tecnica del sensore MAF a filo caldo Come anticipato nel paragrafo 1.3.3, verrà ora analizzato in maniera più approfondita il principio di funzionamento del sensore MAF, con
DettagliCorso di Elettronica Industriale (CdL in Ingegneria Meccatronica, sede di Mantova) Semiconduttori intrinseci e drogati
Corso di Elettronica Industriale (CdL in Ingegneria Meccatronica, sede di Mantova) Isolanti, conduttori e semiconduttori In un solido si può avere conduzione di carica elettrica (quindi passaggio di corrente)
DettagliINTRODUZIONE ALLA SPETTROMETRIA
INTRODUZIONE ALLA SPETTROMETRIA La misurazione dell assorbimento e dell emissione di radiazione da parte della materia è chiamata spettrometria. Gli strumenti specifici usati nella spettrometria sono chiamati
DettagliFigura 2.1: Semiconduttori.
Capitolo 2 Semiconduttori 2.1 Semiconduttori Con il termine semiconduttori si indicano alcuni elementi delle colonne III, IV e V della tavola periodica, caratterizzati da una resistività elettrica ρ intermedia
DettagliVerifica della resistenza totale di due resistenze in serie o in parallelo con il Ponte di Wheatstone
Verifica della resistenza totale di due resistenze in serie o in parallelo con il Ponte di Wheatstone Vincenzo Chieffalo Sommario Presento le misure di resistenze incognite effettuate utilizzando il Ponte
DettagliI principi della termodinamica:
Termodinamica Livelli energetici atomici Laser cooling: principi Evaporative cooling: principi p Applicazioni: Test dei fondamenti della meccanica quantistica Misure di precisione Creazione di stati esotici
DettagliLa misura della TEMPERATURA. Corso di Misure Termomeccaniche per MENR SAPIENZA Università di Roma A.A
La misura della TEMPERATURA Corso di Misure Termomeccaniche per MENR SAPIENZA Università di Roma A.A. 2012-13 La misura della TEMPERATURA Se ad un corpo viene fornito o sottratto calore Q, si modifica
DettagliFenomeni quantistici
Fenomeni quantistici 1. Radiazione di corpo nero Leggi di Wien e di Stefan-Boltzman Equipartizione dell energia classica Correzione quantistica di Planck 2. Effetto fotoelettrico XIII - 0 Radiazione da
DettagliEsperienza n 7: CARATTERISTICHE del TRANSISTOR BJT
Laboratorio IV sperienza n 7: CARATTRISTICH del TRANSISTOR BJT 1 sperienza n 7: CARATTRISTICH del TRANSISTOR BJT Caratteristica del transistor bipolare Il transistor bipolare è uno dei principali dispositivi
Dettagliil diodo a giunzione transistori ad effetto di campo (FETs) il transistore bipolare (BJT)
Contenuti del corso Parte I: Introduzione e concetti fondamentali richiami di teoria dei circuiti la simulazione circuitale con SPICE elementi di Elettronica dello stato solido Parte II: Dispositivi Elettronici
DettagliPET demonstrator. (Realizzazione e test iniziali di un prototipo PET)
Construction and testing of a PET demonstrator (Realizzazione e test iniziali di un prototipo PET) UNIVERSITA DEGLI STUDI DI CAGLIARI Facoltà di Scienze - Corso di Laurea Magistrale in Fisica A.A. 2011-2012
DettagliLA FISICA DEL PROCESSO FOTOVOLTAICO
LA FISICA DEL PROCESSO FOTOVOLTAICO Per capire come funziona il processo di conversione della radiazione solare in una corrente di elettroni è necessario fare riferimento ad alcune nozioni di fisica moderna
DettagliEsperienze di spettrofotometria per la scuola, con arduino
Esperienze di spettrofotometria per la scuola, con arduino Andrea Canesi (1), Daniele Grosso (2) 1. Ministero della Pubblica Istruzione Liceo Classico e Linguistico C. Colombo, Genova 2. Università di
DettagliESERCIZIO 1. Dati due diodi a giunzione pn aventi le seguenti caratteristiche:
ESERCIZIO 1 Dati due diodi a giunzione pn aventi le seguenti caratteristiche: DIODO A: Si, 10 18 cm 3,N D 10 15 cm 3 DIODO B: Ge, 10 18 cm 3,N D 10 15 cm 3 Valutare, giustificando quantitativamente le
DettagliL ENERGIA FOTOVOLTAICA: DALLE CELLE SOLARI A SEMICONDUTTORE ALLE INNOVAZIONI TECNOLOGICHE E LO SVILUPPO DI NUOVI MATERIALI
Università degli Studi di Trieste LAUREA TRIENNALE IN INGEGNERIA ELETTRONICA APPLICATA L ENERGIA FOTOVOLTAICA: DALLE CELLE SOLARI A SEMICONDUTTORE ALLE INNOVAZIONI TECNOLOGICHE E LO SVILUPPO DI NUOVI MATERIALI
DettagliCorso di Laurea in Scienza dei Materiali Laboratorio di Fisica II ESPERIENZA DC3. Circuiti in corrente continua
Corso di Laurea in Scienza dei Materiali Laboratorio di Fisica II Scopo dell'esperienza ESPERIENZA DC3 Circuiti in corrente continua 1. Determinazione della caratteristica I/V di un conduttore non ohmico:
DettagliCosa c è nella lezione. In questa sezione si affronteranno: Reti in fibra ottica. La struttura complessiva. Il trasmettitore ottico
Reti in fibra ottica 1/30 Cosa c è nella lezione In questa sezione si affronteranno: La struttura complessiva Il trasmettitore ottico Il ricevitore ottico. 2/30 Reti in fibra ottica 3/30 Schema a blocchi
DettagliDEFINIZIONI (D.Lgs. 81/08)
Radiazioni Ottiche Artificiali -ROA- Cosa sono Anna Maria Vandelli Dipartimento di Sanità Pubblica AUSL Modena SPSAL Sassuolo Fonte ISPESL 1 DEFINIZIONI (D.Lgs. 81/08) si intendono per radiazioni ottiche:
DettagliI PORTATORI e la CORRENTE nei DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI. Fondamenti di Elettronica
I PORTATORI e la CORRENTE nei DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI 1 Come si può variare la concentrazione di n e/o di p? NON aggiungendo elettroni dall esterno perché il cristallo si caricherebbe ed assumerebbe
DettagliEstrazione di elettroni da un metallo illuminato. Prime osservazioni Hertz 1857 Esperimento di Lenard 1902 Spiegazione teorica di Einstein
Estrazione di elettroni da un metallo illuminato Prime osservazioni Hertz 1857 Esperimento di Lenard 1902 Spiegazione teorica di Einstein - 1905 L elettrone di conduzione in un metallo è in una buca di
DettagliCapitolo 4 Interazione fra la luce e i semiconduttori
Introduzione all optoelettronica. Studio dei processi che stanno alla base del funzionamento di laser, led e celle fotovoltaiche. Capitolo 4 Interazione fra la luce e i semiconduttori In questa parte tratteremo
DettagliIl vetro è definito o come un solido senza ordine a lungo raggio oppure come un materiale che manifesta il fenomeno della transizione vetrosa.
Il vetro è definito o come un solido senza ordine a lungo raggio oppure come un materiale che manifesta il fenomeno della transizione vetrosa. Con ordine a lungo raggio ci si riferisce alla struttura molecolare
DettagliCORSO DI LAUREA IN OTTICA E OPTOMETRIA
CORSO DI LAUREA IN OTTICA E OPTOMETRIA Anno Accademico 007-008 CORSO di FISCA ED APPLICAZIONE DEI LASERS Questionario del Primo appello della Sessione Estiva NOME: COGNOME: MATRICOLA: VOTO: /30 COSTANTI
DettagliMateriale Energy Gap
Semiconduttori Materiale diamante silicio germanio Energy Gap 5,3 ev 1,1 ev 0,7 ev 21 Semiconduttori Quando un elettrone, portatore di carica negativa, è promosso da banda di valenza a banda di conduzione,
DettagliCavo Carbonio. Sergio Rubio Carles Paul Albert Monte
Cavo o Sergio Rubio Carles Paul Albert Monte o, Rame e Manganina PROPRIETÀ FISICHE PROPRIETÀ DEL CARBONIO Proprietà fisiche del o o Coefficiente di Temperatura α o -0,0005 ºC -1 o Densità D o 2260 kg/m
DettagliI sensori, in quanto interfaccia tra l ambiente esterno e i sistemi di. elaborazione e gestione, hanno un profondo impatto su prodotti di larga
CAPITOLO 1 INTRODUZIONE AI SENSORI IN FIBRA OTTICA 1.1 La sensoristica 1.1.1. Generalità I sensori, in quanto interfaccia tra l ambiente esterno e i sistemi di elaborazione e gestione, hanno un profondo
DettagliContatto Metallo-Semiconduttore
Contatto Metallo-Semiconduttore Definizioni: qφbn= altezza di barriera (su semiconduttore n) Vbi = potenziale di built-in Φm= funzione lavoro nel metallo χ = affinità elettronica nel semiconduttore qvn
DettagliEsempio di Relazione Esperimento rivolto a Istituti di scuola superiore di secondo grado Esperimento N 14 Luigi De Biasi
Esempio di Relazione Esperimento rivolto a Istituti di scuola superiore di secondo grado Esperimento N 1 Luigi De Biasi .1 a) Studio della caratteristica di una resistenza Obbiettivo: erificare la validità
DettagliSpettroscopia ottica di sorgenti celesti ignote
Spettroscopia ottica di sorgenti celesti ignote Filippo Dalla, Angelo La Rocca, Luca Palmieri ABSTRACT La spettroscopia è la scienza che si occupa dello studio e della misura di uno spettro, i dati che
DettagliTECNICHE SPETTROSCOPICHE
TECNICHE SPETTROSCOPICHE L interazione delle radiazioni elettromagnetiche con la materia e essenzialmente un fenomeno quantico, che dipende sia dalle proprieta della radiazione sia dalla natura della materia
DettagliCAPITOLO 10. Test e caratterizzazione di laser a semiconduttore: Determinazione dei principali parametri
CAPITOLO 10 Test e caratterizzazione di laser a semiconduttore: Determinazione dei principali parametri 1 Tramite alcuni parametri e curve caratteristiche è possibile stabilire e verificare le prestazioni
DettagliMISURA DELLA MASSA DELL ELETTRONE
MISURA DELLA MASSA DELL ELETTRONE di Arianna Carbone, Giorgia Fortuna, Nicolò Spagnolo Liceo Scientifico Farnesina Roma Interazioni tra elettroni e fotoni Per misurare la massa dell elettrone abbiamo sfruttato
DettagliProduzione di un fascio di raggi x
Produzione di un fascio di raggi x WWW.SLIDETUBE.IT Un fascio di elettroni penetra nella materia, dando origine a: produzione di elettroni secondari (raggi delta) emissione X caratteristica bremsstrahlung
DettagliFisica delle Apparecchiature per Radioterapia, lez. III RADIOTERAPIA M. Ruspa 1
RADIOTERAPIA 14.01.11 M. Ruspa 1 Con il termine RADIOTERAPIA si intende l uso di radiazioni ionizzanti altamente energetiche (fotoni X o gamma, elettroni, protoni) nel trattamento dei tumori. La radiazione
DettagliDispositivi unipolari Il contatto metallo-semiconduttore Il transistor JFET Il transistor MESFET Il diodo MOS Il transistor MOSFET
Dispositivi unipolari Il contatto metallo-semiconduttore Il transistor JFET Il transistor MESFET Il diodo MOS Il transistor MOSFET 1 Contatti metallo semiconduttore (1) La deposizione di uno strato metallico
DettagliL elasticità e le sue applicazioni in economia Introduzione
L elasticità e le sue applicazioni in economia Introduzione Fino ad ora l analisi su domanda, offerta ed equilibrio di mercato è stata di tipo qualitativo. Se vogliamo avere una misura quantitativa degli
DettagliLezioni del Corso di Misure Meccaniche e Termiche
Facoltà di Ingegneria Lezioni del Corso di Misure Meccaniche e Termiche 03. I Sensori di Umidità Igrometri relativi meccanici principio di misura Basato sul fenomeno dell'elongazione di capelli umani in
DettagliSpettro elettromagnetico
Spettro elettromagnetico Sorgenti Finestre Tipo Oggetti rilevabili Raggi γ ev Raggi X Lunghezza d onda E hc = hν = = λ 12. 39 λ( A o ) Visibile Infrarosso icro onde Onde-radio Dimensione degli oggetti
DettagliLA PRODUZIONE DEI RAGGI X
UNIVERSITA POLITECNICA DELLE MARCHE Facoltà di Medicina e Chirurgia Corso di Laurea in Tecniche di Radiologia Medica, per Immagini e Radioterapia LA PRODUZIONE DEI RAGGI X A.A. 2015-2016 Tecniche di Radiodiagnostica
Dettagli20/10/2015. Segnali Periodici. Serie di Fourier per segnali periodici
Segnali Periodici Serie di Fourier per segnali periodici 1 Segnale pari Segnale dispari Onda quadra dispari 2 Onda quadra pari Generatore LF + oscilloscopio Si imposta sul generatore LF Vout = 1 V f 99.9981
Dettagli