Transistore ad effetto di campo MOS (MOSFET)

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1 Transstore ad effetto d capo MS (MSFET) ltre al BJT, esste un altro dsposto a seconduttore a 3 ternal: l transstore ad effetto d capo MS (etallo -ossdo-seconduttore) o MSFET, unpolare perché la corrente è sostenuta da sol elettron o dalle sole lacune spetto al BJT, l MSFET è olto pù dffuso raze alle noteol capactà d nterazone, al pù seplce processo d fabbrcazone e alla nore potenza dsspata a tecnoloa MS è peata n derse applcazon: rcut nterat analoc (fltr ed aplfcator) rcut dtal SI (eore e croprocessor) Proettazone xed snal (funzon analoche e dtal sul chp) G.. Persano Elettronca

2 Tpoloe e struttura fsca del MSFET MSFET ad arrcchento l canale condutto s fora elettrcaente MSFET a suotaento l canale condutto è preesstente o prefabbrcato MSFET a canale n (p) portator d corrente sono elettron (lacune) NMS (PMS) Struttura n prospetta d un MSFET a canale n (NMS) ad arrcchento W larhezza del canale G.. Persano Elettronca lunhezza del canale

3 Sezone lontudnale d un NMS ad arrcchento Struttura setrca n source stesse propretà e denson d n dran od body-source e body-dran sepre polarzzat nersaente no corrent bpolar alor tpc d sono tra 0. e 3 µ alor tpc d W sono tra 0. e 00 µ alor tpc d t ox sono tra e 50 n G.. Persano Elettronca 3

4 Funzonaento del MS ad arrcchento Funzonaento NMS con GS 0 e S > 0 od B-S e B- polarzzat nersaente nessuna corrente tra S e ch 0 Ω Il MSFET è spento quando G e S hanno lo stesso potenzale G.. Persano Elettronca 4

5 Funzonaento NMS con GS > t e S 0 t tensone d sola GS - t tensone d oerdre t > 0 n un NMS Se la tensone GS G >0 elettron da S e sono rchaat erso G Se GS > t sono tant elettron da forare percorso condutto (canale n) tra S e Per GS > t elettron nertono parte del substrato p n canale strato d nersone Metallo d ate ossdo canale n condensatore pano con delettrco ox (ff/µ ) Il MSFET s accende quando G, rspetto a S, ha un potenzale aore d t G.. Persano Elettronca 5

6 Funzonaento NMS con GS > t e S > 0 (pccol alor d S ) Poché GS > t canale condutto d elettron da S e Se S > 0 l elettron s uoono da S erso corrente scorre da erso S Poché la ate è solata n contnua corrente contnua d ate G 0 S Se GS > t auenta pù elettron s uoono da S a auenta ( GS - t ) Il MSFET acceso, con S >0 e pccola, s coporta coe un resstore lneare G.. Persano Elettronca 6

7 aratterstche S al arare d GS (pccole S ) ( ) GS t S NMS s coporta coe un resstore lneare ch controllato da GS ree lneare Per GS > t e pccol alor d S > 0 NMS n reone lneare (o d trodo) G.. Persano Elettronca 7

8 Funzonaento NMS con GS > t e 0< S < GS - t Poché GS > t canale condutto d elettron da S e Se S cresce poché GS costante, G decresce canale s strne da S erso Se l canale s strne ch auenta con S ree sublneare G.. Persano Elettronca 8

9 Funzonaento NMS con GS > t e S GS - t Poché GS > t canale condutto d elettron da S e Quando S GS - t G t canale tra G e denta strozzato (pnched-off) Se l canale tra G e è strozzato S non esercta pù alcun effetto sul canale Per S > GS - t non dpende pù da S satura al alore n S GS - t Il MSFET acceso, con S > GS - t, s coporta coe un eneratore d corrente G.. Persano Elettronca 9

10 aratterstca NMS coplessa S ( GS costante > t ) k n W ( ) GS t k n W ( ) GS t S S k n W ( ) GS t S G.. Persano Elettronca k n paraetro d transconduttanza del processo 0

11 MSFET a canale p (PMS) e copleentar (MS) Struttura nterata MS (NMSPMS) Sbol crcutal d NMS e PMS NMS PMS G.. Persano Elettronca

12 aratterstche corrente-tensone Polarzzazon del NMS aratterstche - S (per k n A/ ) Per GS < t eone d nterdzone Per GS t NMS acceso ato GS t, abbao due possbl cas: Per S GS - t Per S GS - t G.. Persano Elettronca eone d trodo (o lneare) k eone d saturazone (o pnch-off) n W ( ) GS k n W t S ( ) GS t S

13 aratterstca - GS per NMS n saturazone W k n A / t k n W ( ) GS t Equazone d una parabola ell d tensone tra ternal del NMS G.. Persano Elettronca 3

14 aratterstche - S d NMS: Modulazone del canale In realtà, n saturazone, c è rduzone (odulazone) del canale dpende da S Modulazone del canale Effetto sulle caratterstche a - S A /λ dpende dal processo tecnoloco G.. Persano Elettronca 4

15 Effetto d odulazone della lunhezza del canale S auenta dnusce la G l punto d strozzatura del canale s sposta dal ran erso Source lunhezza d canale s rduce d auenta reone d suotaento tra fne canale e ran su reone d suotaento cade tensone n eccesso S -( GS - t ) a odulazone odfca - S n saturazone W ( ) kn GS t per << W ( ) ( ) W k ( ) n GS t kn GS t W kn GS t ( ) ( λ ) poché la arazone relata / è proporzonale a S per l fattore costante λ. S a pendenza delle caratterstche è data da: r S GS costante che fornsce r I λ S A I S I A r λ I I A (eleata) G.. Persano Elettronca 5

16 aratterstche corrente-tensone del PMS Polarzzazon del PMS ell d tensone tra ternal del PMS t < 0 n un PMS Per SG < t eone d nterdzone Per SG t PMS acceso ato SG t, abbao due possbl cas: Per S SG - t Per S SG - t G.. Persano Elettronca eone d trodo (o lneare) k eone d saturazone ( o pnch-off) p W ( ) SG k p t W S S ( ) SG t 6

17 Il ruolo del substrato: Effetto body od B-S e B- sepre spent B S (par a 0 per NMS, a per PMS) Ne crcut nterat B coune a pù MS capta che SB >0 (NMS) e SB <0 (PMS) In NMS (PMS) se SB >0 (<0) Auenta (n alore assoluto) tensone d sola t t [ φ f SB φ f ] t0 γ t 0 tensone d sola senza effetto body ( SB 0) γ paraetro d effetto body γ 0. 4 (NMS), γ (PMS) φ potenzale d superfce φ 0 6 (NMS), φ (PMS) f f. f G.. Persano Elettronca 7

18 Il MSFET coe aplfcatore oe per l BJT, le caratterstche elettrche del MSFET n pnch-off ostrano un coportaento da eneratore d corrente ( ) controllato n tensone ( GS ); qund, s presta bene per l utlzzo coe aplfcatore d transconduttanza Per usare l MS da aplfcatore occorre fssare l punto d laoro Q n contnua (polarzzazone) e po applcare un pccolo senale per arantre la lneartà dell aplfcatore alla scelta opportuna del punto Q, pra, e de corrett paraetr per l odello crcutale a pccol senal, po, dpende l corretto ed effcace peo del MS coe aplfcatore lneare d senale G.. Persano Elettronca 8

19 Funzonaento del MS per ap senal Scelta del punto d laoro Q nella confurazone a source coune (S) k n, p kn, p W paraetro d transconduttanza del dsposto Schea crcutale fondaentale I k n GS ; k ( ) n GS ( ) GS t t S S ; (per S (per I ) t < I ) aratterstca d trasferento t kn t ( ) (saturazone) aratterstca d trasferento nertente A neato In saturazone, assa pendenza A eleato In altre zone, pendenza 0 A 0 G.. Persano Elettronca 9

20 Anals rafca della defnzone d Q nella confurazone S ostruzone rafca per deternare Q Effetto della poszone d Q Q B troppo cno alla reone d trodo Q A troppo cno all nterdzone Tensone n nresso ee Krchhoff (ala uscta) GS IQ S (retta d carco) all ntersezone s deternano le coordnate (I, S ) del punto Q G.. Persano Elettronca 0

21 rcut a MS n contnua Analzzao corrent e tenson n crcut a MS cu sono applcate solo alentazon alore d corrent e tenson ndcano la reone d funzonaento del NMS e del PMS Per seplctà d anals, trascurao la odulazone del canale Esepo : Plotao NMS con ate a assa e resstenza S Scelte d SS,,, S possono essere tal che: Se - t < S < 0 NMS n nterdzone Se S < - t NMS acceso In quest ulta potes, abbao due cas: Se <- t NMS n reone d trodo Se >- t NMS n reone d saturazone G.. Persano Elettronca

22 Esepo : Plotao NMS con ate e dran conness tra loro Scelte d e possono essere tal che ( G ): Se < t NMS n nterdzone Se > t NMS n saturazone Esepo 3: Plotao NMS con tensone d ate a Scelte d e possono essere tal che ( G > ): Se < t NMS n nterdzone Se t > > - t NMS n saturazone G.. Persano Elettronca Se > - t NMS n trodo

23 Esepo 4: Plotao NMS con parttore d tensone n nresso e resstenza S Parttore d tensone Tensone d ate data da G G G G Scelte d, G, G, S, possono essere tal che: Se GS < t NMS n nterdzone Se GS > t NMS acceso In quest ulto caso, s opera con l potes d NMS n zona d saturazone: I GS S k G G.. Persano Elettronca n G I ( GS t ) I ( ) G S S S calcola I S calcolano GS e S S erfca l potes 3

24 Esepo 5: Plotao PMS con parttore d tensone n nresso e resstenza Parttore d tensone Tensone d ate data da G G G G Scelte d, G, G, possono essere tal che: Se SG < t NMS n nterdzone Se > SG t NMS acceso In quest ulto caso, s opera con l potes d PMS n zona d saturazone: I SG S k ( ) SG I G.. Persano Elettronca p G G t G S calcola I S calcolano SG e S S erfca l potes 4

25 Esepo 6: rcuto MS (NMSPMS) k k n p, tn tp t Il alore dell nresso può essere tale che: Se < t NMS n nterdzone, PMS acceso Se t < < - t NMS e PMS acces Se > - t PMS n nterdzone, NMS acceso In quest ulto caso, nel tratto n cu PMS e NMS sono entrab n saturazone (con λ 0): I n kn ( GSn t ) ( λsn ) I p k p ( SGp t ) ( λsp ) S calcola I n I p S calcolano Sp e Sn SGp GSn Sp Sn G.. Persano Elettronca 5

26 Polarzzazone ne crcut a MS ete d polarzzazone dee arantre una I stable, poco dpendente da k n, k p, t e T alor d resstenze e alentazon per collocare l punto d laoro Q n pena zona atta Sche d polarzzazone basat sul dretto controllo n nresso d GS non pratcable ete a GS fssata aratterstca I - GS per ders MS arazon tecnoloche d k n e t Grand dfferenze d I per stessa GS G.. Persano Elettronca 6

27 onfurazone classca con snola alentazone Soluzone à ncontrata nell esepo 4 sto n precedenza, e qu eneralzzata Schea crcutale aratterstca I - GS per ders MS S rende GS arable con I lta le dfferenze d I G e G alono MΩ rossa n dell aplfcatore G.. Persano Elettronca I GS S k n ( ) GS G I G t G I ( ) S S 7

28 onfurazone classca con doppa alentazone G (~MΩ ) necessara solo se l pccolo senale sarà applcato alla ate S ha effetto stablzzante su Q poché ntroduce retroazone neata GS SS I S onfurazone con resstore d retroazone tra dran e ate Schea applcable nella confurazone a source coune G (~MΩ ) ha effetto stablzzante su Q poché ntroduce retroazone neata G 0 MS n saturazone I k n ( ) GS t GS S I G.. Persano Elettronca 8

29 onfurazone con eneratore d corrente costante (speccho d corrente) Schea crcutale Speccho d corrente per I G 0 MS Q n saturazone I k n W ( ) GS t I EF I SS GS on MS Q e Q dentc, e Q n saturazone I I k n W ( ) GS t I I EF ( W ) ( W ) G.. Persano Elettronca 9

30 Funzonaento del MS con pccol senal captolao le relazon che defnscono l punto Q nella fase d polarzzazone: rcuto d polarzzazone (solo coponent contnue) elazon per corrent e tenson (polarzzazone n Q) Zona d saturazone > GS - t eae I - GS I ½ k n ( GS - t ) etta d carco S - I rcuto per anals de alor stantane (coponent contnue arabl ) G.. Persano Elettronca 30

31 a corrente e la transconduttanza Applchao n nresso un pccolo senale s sorapposto a GS GS GS s In corrspondenza, la corrente d dran assue la fora I d oponente contnua I oponente arable d Tene non lneare ( ) k ( ) k ( ) k kn GS s t n GS t n GS t s n s Se s << ( ) GS t k n s << k n ( GS t ) s da cu seue (t) I k n ( GS - t ) s (approssazone d pccolo senale) k ( ) k ( ) (paraetro d transconduttanza) d n GS t s s n W GS t G.. Persano Elettronca 3

32 Interpretazone rafca d GS GS GS (pendenza della caratterstca n Q) G.. Persano Elettronca 3

33 Il uadano d tensone A anals a pccolo senale ndca che GS GS s e I d a tensone d dran è data da d Andaento teporale d GS e etta d carco I d d Inresso d d s A d s (aplfcazone d tensone per pccol senal) A ( ) e A k n GS t Uscta G.. Persano Elettronca 33

34 Modell del MS a pccol senal Modello brdo a π (ede frequenze) Modello senza odulazone canale Modello con odulazone canale d s r I A Effetto d r sul uadano d tensone A esstenza ètra e S è n parallelo ad r ( r ) A // G.. Persano Elettronca 34

35 Alcune consderazon sul paraetro n ( W )( ) Nella fora k GS t cresce con W e k n, descresce con Il paraetro può esprers anche n funzone della corrente d polarzzazone I, doe ha la fora k n W I dpende dalla radce quadrata d W/ e d I Infne, può esprers conteporaneaente n funzone d I e d GS - T doe I abbao GS t dpende drettaente da I e nersaente da GS - t Nel confonto con l analoo paraetro d transconduttanza del BJT, notao che: ) è proporzonale a I nel MS, ed a I nel BJT; ) dpende dalle denson W/ nel MS, entre dpende solo da I nel BJT G.. Persano Elettronca 35

36 Modello a T (senza odulazone del canale) Sluppo del odello a T a partre dal odello brdo a π Tra nod G e S s, s 0, d s s G.. Persano Elettronca 36

37 Modello a T (con odulazone del canale) MS coe aplfcatore d transconduttanza appresentazone alternata r I A Modellzzazone dell effetto body ( SB 0) arazon d t, a partà d GS, odulano Body s coporta coe una seconda ate b BS GS S GS S b χ con χ ( ) dato da χ t SB γ φ SB G.. Persano Elettronca 37

38 Aplfcator a MS a snolo stado Proettata la rete d polarzzazone per defnre l punto d laoro Q n odo stable, e ndduat odell a pccol senal, possao analzzare l aplfcator a MS. o studo è prealenteente rolto alle confurazon base nel caso d coponent nterat e confurazon fondaental d aplfcator a MS a snolo stado sono 3: source coune (S), ate coune (G), dran coune () n confurazone dell aplfcatore ha uno speccho d corrente a PMS per polarzzazone e coe carco n uscta (carco atto) G.. Persano Elettronca 38

39 Aplfcatore a source coune (S) con carco ressto Schea crcutale con capactà d accoppaento e d by-pass ete d polarzzazone Massa rspetto al senale (coponente ac) Massa rspetto al senale (coponente ac) e condensator d accoppaento separano le coponent A e S condensatore d by-pass collea dnacaente l source a assa G.. Persano Elettronca 39

40 rcuto equalente a pccol senal basato sul odello brdo a π Anals a pccol senal solta drettaente sul crcuto aplfcatore G.. Persano Elettronca 40

41 esstenza d nresso n G // n G (ordne de MΩ) esstenza d uscta out s 0 s 0 s 0 out // r out Guadano d tensone G G s ( out // ), s, s s s s s n n s G G G s ( r // ) // Per << e r >>, s ha G ( // ) s G G.. Persano Elettronca 4

42 Aplfcatore a source coune (S) con carco atto (crcut nterat) arco atto carco PMS (Q ) appartenente ad uno speccho d corrente Schea d prncpo Ipleentazone crcutale aratterstca - S del carco arco Q n saturazone con SG costante Per pccol senal, ostra resstenza r G.. Persano Elettronca r I A EF 4

43 Anals sul crcuto e odello equalente a pccol senal eternazone della caratterstca d trasferento G.. Persano Elettronca 43

44 esstenza d nresso n 0 n esstenza d uscta out 0 0 s 0 out r s Guadano d tensone G G ( r r ) s s //, s G ( r r ) // Per r r s ha G r / (eleato) Nell anals dell aplfcatore S con carco atto, occorre far presente che: ) Entrab source d Q e Q sono a assa no effetto body ) S usa reazone neata per asscurare che Q e Q sono n saturazone G.. Persano Elettronca 44

45 Aplfcatore a source coune (S) con resstore S sul source (crcut dscret) Schea crcutale con capactà d accoppaento e d by-pass ete d polarzzazone Massa rspetto al senale (coponente ac) Massa rspetto al senale (coponente ac) Presenza d S sul source conene usare crcuto equalente a T G.. Persano Elettronca 45

46 rcuto equalente a pccol senal basato sul odello a T (senza r o ) esstenza d nresso n G // n G (ordne de MΩ) esstenza d uscta out s 0 s out G.. Persano Elettronca 46

47 Guadano d tensone G G ( ), ( ), s s n n s s // S ( // ) G G G s S Per << s G s ha G ( // ) S // S Il uadano d tensone è par al rapporto tra la resstenza totale d dran e quella d source Aplfcazone G rdotta d ( S ) rspetto a caso senza S (retroazone neata) Stesso fenoeno anche nel BJT G r e // e ( // ) e esstenza S (nel BJT, e ) resstenza d deenerazone d source (eetttore) G.. Persano Elettronca 47

48 Aplfcatore a ate coune (G) con carco atto (crcut nterat) Generatore I carco PMS (Q ) con resstenza r tra ( ) e S (a assa) Schea crcutale rcuto equalente a T del MS r r o S nresso, B e G a assa BS GS - Effetto body / /( b ) G.. Persano Elettronca 48

49 49 G.. Persano Elettronca rcuto equalente coplesso rcuto per l calcolo d out esstenza d nresso ( ), b n r r b r r r b n r r r ha s ) ( Per b r r / << ( ) b n χ

50 esstenza d uscta out x x s 0 x S [ ( ) ], x x b r [ ( ) ] r r ( ) [ r ] x x b x x b S S [ ( b ) r ] S out r ( ) r s ha r [ ( ) ] r [ ( χ ) ] Per b >> out b S S Guadano d tensone G G n r r G ( r // r ) b ( ) r >> e r r s ha G ( ) r ( χ ) r / (eleato) Per b b / G.. Persano Elettronca 50

51 Aplfcatore a dran coune () con carco atto (crcut nterat) Generatore I carco NMS (Q ) con resstenza r tra ( S ) e S (a assa) Schea crcutale rcuto equalente rcuto equalente seplfcato r // r // b S uscta, B e a assa BS S - Effetto body / b carco n uscta G.. Persano Elettronca 5

52 esstenza d nresso esstenza d uscta out n 0 0 n r s out 0 b // out r // // b ( ) << r s ha Per b out ( χ ) b (bassa) Guadano d tensone G s, s G < Per / b << r, r / b e s ha G b χ aplfcatore a dran coune presenta così un uadano d tensone quas untaro (nseutore d source), un alta resstenza d nresso ed una bassa resstenza d uscta. S presta ad essere utlzzato coe adattatore d pedenza (stado buffer). G.. Persano Elettronca 5

53 Modello del MS a pccol senal n alta frequenza I odell crcutal per pccol senal del MS fn qu presentat non ncludono eleent capact o ndutt che ntroducono dpendenze dalla frequenza o dal tepo delle prestazon del aplfcator Alle altre frequenze nterenono le coponent capacte ntrnseche del MS. Alcune coponent sono della stessa natura delle capactà analzzate nel BJT, altre sono leate alla capactà d ate o dell ossdo, per untà d area, X Alle basse frequenze, nece, eentual dpendenze dalla frequenza nel aplfcator accoppat n A, sono doute alle capactà d accoppaento e d by-pass G.. Persano Elettronca 53

54 Effetto capacto d ate a capactà d ate X è odellata da 3 capactà : s (source), (dran), d b (body) Il alore d cascuna capactà dpende dalla reone d funzonaento del MS Indcat con W la larhezza e con la lunhezza d canale del NMS, s dostra che: eone d nterdzone anale assente s 0 d 0 b W X eone d trodo anale unfore s ½ W X d ½ W X b 0 eone d saturazone anale strozzato s ²/ ³ W X d 0 b 0 G.. Persano Elettronca 54

55 apactà d sorapposzone ate-source e ate-dran e reon dffuse d source e dran debordano sotto l ossdo d ate per un tratto ò coporta la presenza d una capactà parassta che s soa a s e d apactà d sorapposzone W X a capactà delle unzon source-body e dran-body sb sb Gunzone S-B n polarzzazone nersa capactà d unzone sb 0 SB 0 Gunzone -B n polarzzazone nersa capactà d unzone db db db 0 B 0 G.. Persano Elettronca 55

56 Modello brdo a π alle alte frequenze rcuto equalente copleto (MS n saturazone) Tutte le capactà dell ordne de ff (n saturazone, S è un ordne d randezza aore) G.. Persano Elettronca 56

57 rcuto equalente con B e S conness tra loro rcuto equalente con db trascurata G.. Persano Elettronca 57

58 Frequenza a uadano untaro f T nel aplfcator a MS Analzzao l uadano d corrente n cortocrcuto dell aplfcatore S n alta frequenza orrente I d uscta n corto crcuto aduta d tensone s s I ( ( ) I s Guadano d corrente n cortocrcuto A s s d A s s I I d ) s s s ( ) s d Per sjω, la s l quando ω ω T s d f T π ( ) π µ (freq. d uadano untaro) G.. Persano Elettronca 58

59 sposta n frequenza dell aplfcatore S (crcut dscret) Guadano d tensone G alle ede frequenze A M s dband G G s ( r // // ) Andaento del odulo d G n funzone della frequenza Frequenza d talo nferore Frequenza d talo superore G.. Persano Elettronca 59

60 sposta dell aplfcatore S alle alte frequenze rcuto equalente a pccol senal Seplfchao ra d uscta e d nresso applcando l teorea d Theenn tra G e S rcuto equalente seplfcato con Theenn G.. Persano Elettronca 60

61 Il crcuto può ancora seplfcars se s aluta l effetto d d tra nresso (G) e uscta () Tensone d uscta ( s I d ) s orrente I d n d I d s d ( s ) s d [ s ( s )] s d ( ) s Tra X e X l effetto d d è presente solo raze all assorbento della corrente I d. Possao percò sostture d con una capactà eq, posta tra G e assa, che assorbe una corrente I d s s ( ) ( ) eq s Analoaente, tra e assa d s s out s eq s Teorea d Mller! d d s rcuto rsultante dopo l uso del teorea d Mller out d d G.. Persano Elettronca 6

62 Poché >>, s ha eq >> d frequenza f H deternata solo da n eq s rcuto sere con uscta su fltro passa basso con costante d tepo τ s n A M G G s G s AM s ω H ω H n s f H π n s n s d ( ) // s s G S è la resstenza sta a ternal d n con s 0 G.. Persano Elettronca 6

63 sposta dell aplfcatore S alle basse frequenze rcuto per anals de pccol senal (coponent arabl ) S s, d, r,, trascurabl entrano n oco Nell anals che seue adottereo le seuent procedure ed potes seplfcate: o studo per pccol senal lo affrontereo drettaente sul crcuto non usao l crcuto equalente Analzzao l contrbuto d on snola capactà, e S uno per olta, annullando l effetto delle altre due obnat snol contrbut, ndduao una rsposta ST e l alore d f (potes d polo donante) Per on crcuto che forano fltro passa alto con costante d tepo τ G.. Persano Elettronca 63

64 64 G.. Persano Elettronca Effetto della sola capactà ( e S cortocrcutate) ( ) // s s G G s ( ) [ ] ) ( s s // s G s G G s s G P ) ( ω Pulsazone d talo assocata a Effetto della sola capactà S ( e cortocrcutate) ( ) S s G G s s s // S S S S P ω Pulsazone d talo assocata a S ( ) // I s I d S s G G s d

65 65 G.. Persano Elettronca Effetto della sola capactà ( e S cortocrcutate) s s G G s ( ) [ ] ) ( s s // s G G s 3 ) P ( ω Pulsazone d talo assocata a Effetto coplesso d, e S ) ( ω f s G P P π π ) 3 3 P P ( ω f π π S P P ω f π π Ipotes d non nterazone tra, e S Sta raoneole d f data da 3 S P P P f f f f S π

66 Modulo della rsposta a bassa frequenza dell aplfcatore S Nell potes che una f sa aore delle altre polo donante f concde con f Nell esepo n fura f P > f P > f P3 f f P G.. Persano Elettronca 66

67 sposta n frequenza del aplfcator G e (crcut nterat) Solo anals rapda per le alte frequenze pol d s e d troat attraerso s e d sposta dell aplfcatore G alle alte frequenze Schea crcutale con capactà G.. Persano Elettronca Uscta connessa con uno stado successo capactà aunta 67

68 68 G.. Persano Elettronca Fora seplfcata del crcuto equalente (senza r ) Tutte le capactà sono colleate a assa Non necessta applcazone teorea d Mller s è la resstenza sta a ternal d s con s 0 s s b s s P P // ω f π π π ( ) out out d P P ω f π π π out è la resstenza sta a ternal d out con s 0

69 sposta dell aplfcatore alle alte frequenze rcuto equalente Fora seplfcata del crcuto equalente Ipedenza Z eq sta da G ( 0)? Z eq / I s a I s s s / Z s, s s ( ) I Z ( ) s, s s s Z S / s s a Z S a Z eq /s s auenta d olte G.. Persano Elettronca 69

70 70 G.. Persano Elettronca ( ) rcuto rsultante per l anals della sola s s d P P ω f π π 3 3 P P ω f π π Polo assocato alla capactà d Polo assocato alla capactà ( ) s s P P ω f π π