Tecniche di nanofabbricazione

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Dimensione: px
Iniziare la visualizzazioe della pagina:

Download "Tecniche di nanofabbricazione"

Transcript

1 CorsodiFisicadeiMateriali A.A Tecnichedinanofabbricazione VitoFasano Docente:R.Rinaldi

2 TecnichediFabbricazione Differentiapprocci Top Down: Top Down usoditecnichequalioptical,x ray,uve e beam lithography per produrre nanostrutture con dimensioninanometriche. Bottom up: Bottom up uso di proprietà di self assembly di atomi o molecole su superfici nanostrutturate o chimicamenteattive.

3 TecnichediFabbricazione Top Down: Top Down Rimozione di una parte da un bloccomacrospico(altarisoluzione,largaarea).

4 TecnichediFabbricazione Bottom Up:Moleculebymoleculeassembly. Bottom Up

5 TecnichediFabbricazione Crescita: MBE(MolecularBeamEpitaxy) MOCVD(MetalOrganicChemicalVapour Deposition)

6 MolecularBeamEpitaxy UHV; SlowDepositionRate(1000nm/hour); Monitoringinsitu(RHEED); ControllodellaTemperaturadelSubstrato; Controlloaccuratodelleinterfaccie; AltaPurezzadelMateriale; Crescitasupiccolesuperfici.

7 MolecularBeamEpitaxy

8 MolecularBeamEpitaxy

9 MolecularBeamEpitaxy Processidi Deposizione Adsorbimento Diffusione Incorporazione Desorbimento M.A.Herman,H.Sitter,MolecularBeamEpitaxy,Ed.SpringerVelag L.L.Chang,R.Ludeke,EpitaxyGrowthpartA,Ed.J.W.Mattews

10 MolecularBeamEpitaxy Lacrescitadelfilm avvienein3step: Diffusione; Nucleazione; Aggregazione. J.G.Amar,Kineticsofsubmonolayerandmultilayerepitaxialgrowth, ThinSolidFilms272(1996)

11 MolecularBeamEpitaxy

12 MolecularBeamEpitaxy DisaccordoReticolare,Mismatch: M<1%isomorfa M>1%pseudomorfa,Strain b a M= a M>0StrainTensile M<0StrainCompressive Kurov,Givargizov,SovietPhys.SolidState3,1512(1962);

13 MolecularBeamEpitaxy DefinizioneStrain: p = Energiastrain: E 2 p Rottura:M>5% a p a a J.W.Mattews,A.E.Blakeslee,J.Cryst.Growth,27,1974

14 MolecularBeamEpitaxy ModalitàdiCrescita: Suunsingolopiano: Crescitalayer by layer FvdM Crescitaperisole VW Crescitalayerpiùisole SK Suunasuperficievicinale: Crescitastep propagation Crescitaconnucleazione2D

15 MolecularBeamEpitaxy Crescitasuunsingolopiano CrescitaFranck vandermerve(fvdm) la crescita di un nuovo strato inizia solo dopo la fine del precedente, l'energia superficiale del substrato è maggiore della somma dell'energia dell'interfaccia e superficiale del materialericomprente.ilricomprentebagnailsubstrato

16 MolecularBeamEpitaxy Crescitasuunsingolopiano CrescitaVollmer Weber(VW) si formano isole 3D, il materiale non bagna il substrato e la formazionediisoleèenergicamentefavorita.

17 MolecularBeamEpitaxy Crescitasuunsingolopiano CrescitaStransky Krastanov(SK) 1 fase:crescitastratoperstrato(fvdm),formazionewettinglayer; 2 fase:formazionediisole.formazionedeiqds. SelfAssemblyQDs

18 MolecularBeamEpitaxy J.Y.Tsao,FoundamentalsofMolecularBeamEpitaxy,AccademicPress

19 MolecularBeamEpitaxy Crescitasuunasuperficievicinale Terrazzemonoatomiche Cresitastep propagation Crescitaconnucleazione2D

20 MBEQWells TEMimagediun1.74nmInGaAsQWs separatada7nmalassbbarriers.

21 MBEQwells HRTEMimagedi unadoppia barrieradi AlAs/GaAs/AlAs crescitaconmbe. J.Lange,ResonanteTunnelstrukturenimSystemAlGaAS/InGaAs, Master'sthesis,UniversityofAachenRWTH,1999.

22 MOCVD MetalOrganicChemicalVapourDeposition Con la tecnica MOCVD si crescono epitassialmente semiconduttori composti con precursorimetallorganicioidruridimetallo. Esempio:InP=((CH3)3In)+PH3 Pirolisi dei componenti sulla superficie del substrato( C)

23 MOCVD Uniformitàsularghesuperfici; Altaflessibilità(parametriesorgenti); NonUHV; Elevatapurezza; Tossicitàdellesorgenti; Elevatiparametridicrescita.

24 MOCVD CrescitadiInP ((CH3)3In)+PH3=InP

25 MOCVD(Schema)

26 MOCVD PrecursoriMetallorganici AluminiumTrimethylaluminium(TMAorTMAl),Liquid GalliumTrimethylgallium(TMGorTMGa),Liquid IndiumTrimethylindium(TMIorTMIn),Solid GermaniumTetramethylgermane(TMGe),Liquid PhoshorousPhosphinePH3, GasTertiarybutylphosphine(TBP),Liquid ArsenicArsineAsH3,Gas Trimethylarsine(TMAs),Liquid AntimonyTrimethylantimony(TMSb),Liquid

27 MOCVD III Vsemiconductors AlGaAs AlGaInP GaAs GaN InSb GaInAsP GaInAs GaInN GaInP II VIsemiconductors Zincselenide(ZnSe) HgCdTe ZnO Zincsulfide(ZnS) IVSemiconductors Si Ge Strainedsilicon

28 MBE&MOCVDQWs QuantumWellsconfinamentoelettroniconella direzionez Litografiae beam Plasmaetching Danniecontaminazioni laterali Degradazionedelle proprietàottichedel campione

29 MBE&MOCVDQWs Un altro approccio è ottenere QWs crescendo epitassialmentequantumwellssuparticolarisubstrati La velocità di crescita sulle pareti laterali è più bassarispettoalfondo. Lo spessore cresciuto è maggiore al centro del solco e diminuisce gradualmente sulle paretilaterali.

30 MOCVDQWs Scanningelectron microscopeimageof thev grooveepitaxial structure GaAs/AlxGa1 xas GaAsQuantumWireLasersGrownonV GroovedSubstratesIsolatedbySelf AlignedIon Implantation C.Percival,P.A.Houston,J.Woodhead,G.Hill,J.S.Roberts,A.P.Knights

31 MOCVDQWs Opticalandcontinuous wavecharacteristicsofv groovedquantum wellwirelasersconfinedbyap njunctionarray T.G.KIM OpticalandQuantumElectronics31:1257±1266,1999.

32 MBE&MOCVDQDs Self Assemblyindottodatensioneindicaunprocesso per cui un sistema 2 D in cui siano presenti delle tensioni tende ad una condizione di minima energia realizzandounatransizionemorfologica3d. InxGa1 xas/gaas:disadattamentoreticolare=7.2%

33 MBE&MOCVDQDs Self Assemblyindottodatensioneindicaunprocesso per cui un sistema 2 D in cui siano presenti delle tensioni tende ad una condizione di minima energia realizzandounatransizionemorfologica3d. InxGa1 xas/gaas:disadattamentoreticolare=7.2%

34 MBE&MOCVDQDs Se le costanti reticolari del substrato e dello strato epitassiale differiscono fortemente, solo alcuni monolayer cristallizzano con la costante reticolare delsubstrato,superatouno spessore critico, lo sforzo interno porta alla rottura e alla formazione spontanea diqds(<30nm)distribuitiin modocasuale(crescitask)

35 MOCVDQDsArray H.Eisele,O.Flebbe,T.Kalka,F.Heinrichsdorff,A.Krost,D.Bimberg,M. Dähne Prietsch,XSTMinvestigationofthree foldstackedinasquantum dotsgrownbymocvd.

36 MBE&MOCVDQDs

37 MBE&MOCVDQDs

38 MBE&MOCVDQds QuantumDots GrowthandHREMImaging P.Werner, R.Hillebrand,G.Cirlin,andV.Talalaev MaxPlanckInstitut

39 MBE&MOCVDQDs InGaAs/GaAsQdsDensity AlexanaRoshko Temperature dependence of MBE and MOCVD grown quantum dot density characterized National Institute of Standards andtechnology

40 ProcessiTop Down Litografia Etching

41 Litografia La Litografia è il procedimento di trasferimento di unageometriadaunamascherasuunasuperficie. Parametri: Risoluzione; Allineamento; Troughput; Pulizia.

42 Etching L'attaccoèilprocessodirimozionediunaparte di strato, definita per mezzo di una maschera: il risultato, ottenuto con meccasismi di tipo fisico o chimico, è il trasferimento di una figura sullo stratoattraversol'utilizzodelresist.

43 Resist IResistsonosostanzeliquidecheregisconoavari illuminazioni(vis,uv,e beam,x ray...)discioltein solventi. Dopol'esposizionehanno2comportamenti: Negativo:nonsonorimossidopolosviluppo; Positivo:sonorimossidopolosviluppo.

44 Resist Resist negativo: contiene un agente fotosensibile che facilita la formazione fra le molecole di base, indurendolo. Resist positivo: contiene una sostanza che inibisceladissoluzionedasolventeamenochenon vengalaradiazioneasciogliereilegami. Attenzioneaiconfinidellazonailluminata. Spincoating

45 Litografia VaritipidiLitografia Fotolitografia Litografiae beam LitografiaX ray LitografiaExtremeUV

46 Fotolitografia Lemaschereperlafotolitografiadisolitosonofattedi vetroericoprimentodicromo. Larisoluzioneèlegataallalunghezzad'ondadeiUV.

47 LitografiaPositiva

48 LitografiaPositiva

49 LitografiaPositiva

50 LitografiaPositiva

51 LitografiaNegativa

52 LitografiaNegativa

53 LitografiaNegativa

54 LitografiaNegativa

55 Fotolitografia Sistemidiesposizione: l m = g Contatto Prossimità Proiezione(step and repeat) Sorgente: Mercurio(0.25micron) LasereccimeriKrF (248nm)ArF(193nm)

56 LitografiaaRaggiX Litografiaperprossimità Elevatarisoluzione(30nm) Problema:Assenzadimascheresottiliopache airaggix Uso di maschere spesse (0.5 micron) oro(opaco)ecarburisiliconici(trasparente).

57 Litografiae beam Risoluzione20nm Resist:PolimetilmetacrilatoPMMA Risoluzione limitate dalla dimensione del fascio edaglibackscatteringelectrons Tempidiesposizionelunghi

58 Litografiae beam

59 ETCHING Siusal'etchingsiaperrimuovereilresistopartidel substratosiapercrearenuovestrutture. Etching: Fisico(trasferimentodienergia,sputtering); Chimico(solventiperilmaterialedaerodere). EtchingChimico: Wetetching(attaccoinsoluzione) Dryetching(attaccodireagentiabassapressione)

60 WetEtching Processoprettamentechimico Velocitàelevata Ricettepertuttiicomposti Grandeconsumodimaterialechimico Acidofosforico(HF)perl'ossidodisilicio velocitàdi1000a/min HFcaldo( C)perilnitrurodisilicio

61 DryEtching Agentidiattaccofisiciechimicisimultanei Configurazionidireattore: Plasma Etching: diretto contatto plasma wafer cameracompatta IonBeamEtching:plasmaseparatodalwafer,gli ionisonoaccelleratisulwaferdatensioniegriglie

62 DryEtching Meccanismidiattacco: Sputter etching: ioni Argon, velocità di pochi nm/min,bassaselettività Etching con plasma ad alta pressione: specie altamente reattive che reagiscono con il wafer, altamenteselettivo Etching assistito da ioni (RIE): combinazione delleprecedenti

63 DryEtching Sputteretching Etchingalplasma ReactiveIonEtching RIE

64 Etching Caratteristichedelprocessodiattacco: Selettività:èilgradodiaccuratezzacuil'agente diattaccodistinguelamascheradalsubstrato Direzionalità: Isotropo:lavelocitàdidissoluzioneèugualeintutte ledirezioni Anisotropo: la velocità di dissoluzione è differente nellevariedirezioni

65 Etching

66 Etching

67 Etching

68 Etching Etchinganisotropo GaAs V Grooved Sisfruttal'etching selettivopercostruire nuovestrutture

69 Etching

70 Etching Fabrication of v groove gratings in InP by inductively coupledplasma etching with SiCl4/Ar KKennedy,KMGroomandRAHogg SEMICONDUCTORSCIENCEANDTECHNOLOGY 21(2006)L1 L5

71 Tecnichedinanofabbricazione AltreTecniche: NanoImprinting MetodoScanningProbe Dep Pin SelfAssembly(SAM)

72 Nano Imprinting LaNanoimprintingèunatecnicachefausodiun master per stampare e deformare un particolare substrato. Flessibileeveloce Vantaggio economico e sviluppo industriale TipologiediNanoimprinting TecnicadellaStampaacaldo TecnicabasatasugliUV

73 Nano Imprinting Stampaacaldo: Campione a temperatura maggiore della transizione vetrosa del resist (polimero termoplastico,pmma,105 C) Master(litografiae beam) Pressione e abbassamento dellatemperatura(tempo) Solidificazione e rimozione del master(tempo)

74 Nano Imprinting StampaaUV PervelocizzaresiusanogliUV Resist: materiale acrilato o epossidico che sono modificati per bassa viscosità, sensibilità agliuv,adesioneedistacco. IrraggiamentoUVe polimerizzazione MaxRisoluzione:<80nm

75 Nano Imprinting Vantaggi: Risoluzioneottenibile Facilitàdelprocesso Industrializzazione Sviluppi: stampare susubstraticurvi

76 Nano imprinting Prof.Dr.JörgF.Löffler Goldpillarswithdiametersof160nm producedbydirectnanoimprintinginasiliconmoldforoptical andmechanicalinvestigations.

77 Nano Imprinting MicroBridgeServicesLtd,ManufacturingEngineeringCentreinCardiffUniversity

78 MetodoScanningProbe GlielettroniemessidallapuntadiunScanningProbe MicroscopySPMpossonoessereusatiperesporreil resistnellostessomododellalitografiae beam STMacorrentecostante AFMnoncontatto AFMforzacostante Resist:PMMA(50 100nm) Risoluzione<50nm

79 Dip PenNanolithography Nella DPN, la punta di un AFM che viene fatta funzionare in aria è impregnata della sostanza chimica da depositare è portata a contatto con il substrato. Il menisco d'acqua consente la diffusioneediltrasportodellemolecole.

80 Dip PenNanolithography Risoluzione:5nn Materialidepositati: Polimericonduttivi, oro,dna,colori organicieanticorpi

81 Self Assembly Il Self Assembly è una tecnica che consiste nell'aggregazione di nanoparticelle colloidali nelle strutture finali. L'aggregazione può essere spontanea(entropica)odovutaavincolichimici. Il Self Assembly non è limitato al dominio molecolare o nanometrico, ma puo' essere condottoinquasituttelescale,ciò lorendereun potentemetododibottom up.

82 Self Assembly IlSelf AssemblyFisicosfruttalatendenzadisfere colloidalinanometricheadorganizzarsiinunreticolo cubico a facce centrate FFC. La forza che guida questo processo è la tendenza del sistema a raggiungere una configurazione ad energia minima (entropia) Il Self Assembly Chimico richiede l'unione di un singolo layer molecolare (SAM Self Assembled Monolayer)eilsuccessivoautoassemblaggioinuna strutturacomplessausandoriconoscimentielegami molecolari

83 Self AssemblyFisico Unesemiodiself assemblyfisicoèilcasodi sferedipoliesterein soluzionecolloidaleche possonoessere assemblateinuna strutturaesagonale3dsu unsubstratoverticale dopol'evaporazionedel solvente.

84 Self AssemblyChimico I SAM Self Assembled Monolayer si formano per immersione di un substrato in una soluzione di molecole in un solvente organico. Il gruppo funzionale di testa delle molecole è scelto in modo che si possa unire al substrato. Il film risultante è una densa organizzazione di molecole sistemata in mododaesporreilgruppofunzionaledicoda.

85 Self AssemblyChimico LaduratadelSAMèaltamente dipendetedall'efficenza dell'ancoraggiodelgruppoditesta. L'importanzadeiSAMèdovuta allafunzionalitàdelgruppodicoda (sensorichimicicomplessi, modificazionedell'attritodella superficie)

86 Tecnichedinanofabbricazione Fine

wafer (100) wafer (110) wafer (111) y x

wafer (100) wafer (110) wafer (111) y x wafer (100) wafer (110) wafer (111) z z z y y y x x x Scanning Electron Microscope (SEM) image - Processi di deposizione di strati sottili di materiali i) Physical Vapor Deposition ii) sputtering A) PROCESSI

Dettagli

INTERVENTO DI CLAUDIA RICCARDI PLASMAPROMETEO - Dipartimento di Fisica Università degli Studi di Milano - Bicocca

INTERVENTO DI CLAUDIA RICCARDI PLASMAPROMETEO - Dipartimento di Fisica Università degli Studi di Milano - Bicocca INTERVENTO DI CLAUDIA RICCARDI PLASMAPROMETEO - Dipartimento di Fisica Università degli Studi di Milano - Bicocca La ricerca come strumento per lo sviluppo aziendale: sinergia tra università e industria

Dettagli

Appunti & trasparenze - Parte 7

Appunti & trasparenze - Parte 7 CdL Scienza dei Materiali - Fisica delle Nanotecnologie - a.a. 2003/4 Appunti & trasparenze - Parte 7 Versione 2, Novembre 2003 Francesco Fuso, tel 0502214305, 0502214293 - fuso@df.unipi.it http://www.df.unipi.it/~fuso/dida

Dettagli

ENEA - Centro Ricerche PORTICI

ENEA - Centro Ricerche PORTICI ENEA - Centro Ricerche PORTICI L ENEA e la ricerca di sistema elettrico: Il fotovoltaico innovativo - 12 luglio 211 Film sottili di silicio: Sviluppo di substrati di ZnO per un efficace intrappolamento

Dettagli

APPUNTI DI OPTOELETTRONICA ad uso degli studenti

APPUNTI DI OPTOELETTRONICA ad uso degli studenti APPUNTI DI OPTOELETTRONICA ad uso degli studenti Guide ottiche integrate Massimo Brenci IROE-CNR Firenze Esempio di guida ottica integrata Propagazione della luce in una guida ottica integrata (vista in

Dettagli

I Nanomateriali. C.E. Bottani Dipartimento di Energia Politecnico di Milano

I Nanomateriali. C.E. Bottani Dipartimento di Energia Politecnico di Milano I Nanomateriali C.E. Bottani Dipartimento di Energia Politecnico di Milano La scala nanometrica 10 mm Mosca 1mm = 10-3 m 100 µm Capello 10 µm 1µm = 10-6 m Cromosoma 100 nm 10 nm Virus 1nm = 10-9 m 1 Å

Dettagli

Realizzazione dei circuiti integrati

Realizzazione dei circuiti integrati Realizzazione dei circuiti integrati I circuiti integrati possono essere suddivisi in due grandi gruppi: Circuiti integrati monolitici in cui tutti i componenti vengono formati durante il procedimento

Dettagli

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Tecnologia Produzione di fette (wafer) di Si Dispositivi Elettronici Tecnologia 2 Crescita Czochralski Fusione nel crogiolo del policristallo per induzione Aggiunta

Dettagli

Corso di Elettrochimica dei materiali Elettrodeposizione

Corso di Elettrochimica dei materiali Elettrodeposizione Corso di Elettrochimica dei materiali Elettrodeposizione Christian Durante E-mail: christian.durante@unipd.it Tel. 049-8275112 Zona quadrilatero ufficio 00 215 02 142 1 VI Elettrodeposizione Èunprocesso

Dettagli

Un altro importante parametro di questo processo è la risoluzione che rappresenta la distanza minima che la litografia può apprezzare.

Un altro importante parametro di questo processo è la risoluzione che rappresenta la distanza minima che la litografia può apprezzare. TECNICHE LITOGRAFICHE La litografia è un processo basilare nella realizzazione di circuiti integrati,esso consiste nel depositare un materiale detto resist sul wafer da processare che una volta esposto

Dettagli

Metodi fisici di modifica superficiale di polimeri

Metodi fisici di modifica superficiale di polimeri Trattamenti di modifica superficiale Si rendono necessari quando occorre modificare le proprietà di superficie dell oggetto, ovvero quando l oggetto deve interagire col mondo esterno prevalentemente attraverso

Dettagli

Formazione dei monocristalli

Formazione dei monocristalli Formazione dei monocristalli A causa dello stress provocato al lingotto da tutti i trattamenti descritti, esso presenta una struttura policristallina, cioè risulta suddiviso in una pluralità di zone, ciascuna

Dettagli

Tecnologie fondamentali dei circuiti integrati:panoramica

Tecnologie fondamentali dei circuiti integrati:panoramica Tecnologie fondamentali dei circuiti integrati:panoramica Riferimenti Bibliografici: Paolo Spirito Elettronica digitale, Mc Graw Hill Capitolo 2 Zs. M. Kovàcs Vajna Tecnologia planare del silicio I sistemi

Dettagli

PRODUZIONE DEI DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE 1. Iniziamo con la descrizione dei metodi che portano alla produzione dei cristalli di

PRODUZIONE DEI DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE 1. Iniziamo con la descrizione dei metodi che portano alla produzione dei cristalli di PRODUZIONE DEI DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE 1 Produzione del silicio 1 Purificazione chimica 1 Purificazione fisica 4 Formazione dei monocristalli 5 Tecnologia della giunzione pn 9 Diffusione 9 Formazione

Dettagli

PIANO DIDATTICO SCIENZA DEI MATERIALI PER LA CONVERSIONE FOTOVOLTAICA

PIANO DIDATTICO SCIENZA DEI MATERIALI PER LA CONVERSIONE FOTOVOLTAICA PIANO DIDATTICO SCIENZA DEI MATERIALI PER LA CONVERSIONE FOTOVOLTAICA Celle solari: dai mirtilli agli spaghetti CONVERSIONE FOTOVOLTAICA: L ENERGIA DEL FUTURO v Energia inesauribile e rinnovabile v Non

Dettagli

MATERIALI PER L ELETTRONICA - Epitassia 49

MATERIALI PER L ELETTRONICA - Epitassia 49 8 Epitassia Per epitassia si intende la deposizione di sottili strati di materiale cristallino su un substrato massivo, anch'esso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali.

Dettagli

Degrado dei materiali non-metallici 1 materiali polimerici. Contenuto

Degrado dei materiali non-metallici 1 materiali polimerici. Contenuto Contenuto o legame chimico C C - legame covalente, energia di legame - struttura tetragonale dei quattro legami del carbonio reazioni di polimerizzazione - poliaddizione, esempi - policondensazione, esempi

Dettagli

Tecniche di produzione del Silicio. Silicio monocristallino: Processo Czochralski e metodo del floating zone

Tecniche di produzione del Silicio. Silicio monocristallino: Processo Czochralski e metodo del floating zone Tecniche di produzione del Silicio Silicio monocristallino: Processo Czochralski e metodo del floating zone Processo Czochralski Il processo consiste nel sollevamento verticale a bassissima velocità di

Dettagli

Sintesi di nanomateriali: un approccio chimico per lo sviluppo della nonoscienza

Sintesi di nanomateriali: un approccio chimico per lo sviluppo della nonoscienza Sintesi di nanomateriali: un approccio chimico per lo sviluppo della nonoscienza Gianluca Malavasi gmalavasi@unimo.it Due definizioni utili 1- Nanotecnologia è lo studio dei fenomeni e della manipolazione

Dettagli

Proprietà elettrostatiche dei dielettrici

Proprietà elettrostatiche dei dielettrici Proprietà elettrostatiche dei dielettrici Prendiamo in considerazione ciò che accade quando si riempie lo spazio con un isolante. Consideriamo un condensatore piano con il vuoto tra le armature. Carichiamo

Dettagli

REALIZZAZIONE DI NANOSTRUTTURE SU FILM SOTTILI DI GERMANIO ATTRAVERSO LITOGRAFIA ELETTRONICA

REALIZZAZIONE DI NANOSTRUTTURE SU FILM SOTTILI DI GERMANIO ATTRAVERSO LITOGRAFIA ELETTRONICA POLITECNICO DI MILANO Facoltà di Ingegneria Corso di Laurea Specialistica in Ingegneria Fisica REALIZZAZIONE DI NANOSTRUTTURE SU FILM SOTTILI DI GERMANIO ATTRAVERSO LITOGRAFIA ELETTRONICA Relatore: Prof.

Dettagli

Effetti del trattamento superficiale sulle plastiche difficili da incollare

Effetti del trattamento superficiale sulle plastiche difficili da incollare Effetti del trattamento superficiale sulle plastiche difficili da incollare Le plastiche difficili da incollare come le poliolefine e i fluoropolimeri sono comunemente utilizzati in varie industrie per

Dettagli

Nanostrutture auto-organizzate:

Nanostrutture auto-organizzate: Nanostrutture auto-organizzate: entropia, monostrati e macchine molecolari Valentina De Renzi 8 novembre 2011 Perche nano? perche le proprieta della materia a questa scala sono speciali e interessanti

Dettagli

Tecnologia Planare del silicio

Tecnologia Planare del silicio Tecnologia Planare del silicio Tecnologia del silicio Perche il silicio Crescita del cristallo Preparazione del wafer La tecnologia planare Ossidazione termica Tecniche litografiche Diffusione dei droganti

Dettagli

Blade cooling Gas Turbine. Impianti per l Energia l

Blade cooling Gas Turbine. Impianti per l Energia l Blade cooling Gas Turbine Impianti per l Energia l 2010-2011 2011 Effetto della temperatura massima del ciclo sulle prestazioni dei turbogas Effetto della temperatura massima del ciclo sulle prestazioni

Dettagli

Advertorial. Tramite distillazione molecolare e a film sottile. Tecniche di separazione

Advertorial. Tramite distillazione molecolare e a film sottile. Tecniche di separazione Gli impianti VTA vengono impiegati per la purificazione, la concentrazione, la rimozione dei residui di solventi, la decolorazione e l essiccazione di prodotti in diversi settori industriali: chimico,

Dettagli

I fosfolipidi. Figura 3: tipica struttura di un fosfolipide. Schema 1. Struttura del fosfolipide POPE.

I fosfolipidi. Figura 3: tipica struttura di un fosfolipide. Schema 1. Struttura del fosfolipide POPE. Proprietà chimico-fisiche di modelli di sistemi biologici Materiale didattico per lo stage presso il laboratorio NanoBioLab Abstract L attività è basata sull utilizzo di tecniche sperimentali avanzate

Dettagli

Le Nanotecnologie applicate ai materiali

Le Nanotecnologie applicate ai materiali Nanotecnologie: una piccola grande rivoluzione Padova Fiere, 5 marzo 2005 Le Nanotecnologie applicate ai materiali Massimo Guglielmi Università di Padova Dipartimento di Ingegneria Meccanica Settore Materiali

Dettagli

CAPITOLO 2. Micro/nanofabbricazione e tecniche di analisi

CAPITOLO 2. Micro/nanofabbricazione e tecniche di analisi CAPITOLO 2 Micro/nanofabbricazione e tecniche di analisi Appunti dalle lezioni del corso Ing. Caterina Ciminelli Anno Accademico 2009 2010 CAPITOLO 2 - Micro/nanofabbricazione e tecniche di analisi 15

Dettagli

PlasmaPrometeo (www.plasmaprometeo.unimib.it) Centro di Eccellenza per la Ricerca, lo Sviluppo e il Trasferimento Tecnologico nel campo dei Plasmi.

PlasmaPrometeo (www.plasmaprometeo.unimib.it) Centro di Eccellenza per la Ricerca, lo Sviluppo e il Trasferimento Tecnologico nel campo dei Plasmi. PlasmaPrometeo (www.plasmaprometeo.unimib.it) Centro di Eccellenza per la Ricerca, lo Sviluppo e il Trasferimento Tecnologico nel campo dei Plasmi. Il Centro di Eccellenza per la Ricerca, l Innovazione

Dettagli

Spettroscopia atomica

Spettroscopia atomica Spettroscopia atomica La spettroscopia atomica è una tecnica di indagine qualitativa e quantitativa, in cui una sostanza viene decomposta negli atomi che la costituiscono tramite una fiamma, un fornetto

Dettagli

Vetro e risparmio energetico 29 ottobre 2009 Fiera Milano Rho

Vetro e risparmio energetico 29 ottobre 2009 Fiera Milano Rho Vetro e risparmio energetico 29 ottobre 2009 Fiera Milano Rho Il settore fotovoltaico: Quadro della situazione tecnica e normativa Argomenti trattati 2 La conversione fotovoltaica della luce solare Le

Dettagli

CAPITOLO 11 Materiali ceramici ESERCIZI CON SOLUZIONE SVOLTA. Problemi di conoscenza e comprensione

CAPITOLO 11 Materiali ceramici ESERCIZI CON SOLUZIONE SVOLTA. Problemi di conoscenza e comprensione CAPITOLO 11 Materiali ceramici ESERCIZI CON SOLUZIONE SVOLTA Problemi di conoscenza e comprensione 11.10 (a) Le strutture a isola dei silicati si formano quando ioni positivi, come Mg 2+ e Fe 2+, si legano

Dettagli

Capitolo 4- REALIZZAZIONE DEI CIRCUITI INTEGRATI

Capitolo 4- REALIZZAZIONE DEI CIRCUITI INTEGRATI Capitolo 4- REALIZZAZIONE DEI CIRCUITI INTEGRATI Nel corso del capitolo 3 abbiamo studiato il sistema giunzione partendo dalla ipotesi di saldare perfettamente affacciate due pezzi di silicio, uno di tipo

Dettagli

La fabbricazione delle celle solari

La fabbricazione delle celle solari La fabbricazione delle celle solari Roberta Campesato AEI Giornata di studio 2/12/2004 1 Fabbricazione delle celle solari Wafer epitassiale Cella solare n-contacts Monolithic Diode n-contacts AEI Giornata

Dettagli

Materiali nanostrutturati per tecnologie LED

Materiali nanostrutturati per tecnologie LED Università di Padova Materiali nanostrutturati per tecnologie LED Massimo Guglielmi Dipartimento di Ingegneria Meccanica Settore Materiali University of Padova massimo.guglielmi@unipd.it LED - Sistemi

Dettagli

Le celle solari ad arseniuro di gallio per applicazioni spaziali

Le celle solari ad arseniuro di gallio per applicazioni spaziali Le celle solari ad arseniuro di gallio per applicazioni spaziali Carlo Flores AEI Giornata di Studio 2/12/2004 1 La cella solare Le cella solare è un dispositivo a semiconduttore in cui una giunzione converte

Dettagli

MATERIALI NANOSTRUTTURATI

MATERIALI NANOSTRUTTURATI MATERIALI NANOSTRUTTURATI Carlo Bottani - Politecnico di Milano Introduzione Il Laboratorio Materiali Micro- e Nanostrutturati del Dipartimento di Energia del Politecnico di Milano svolge attività di sintesi

Dettagli

DISPOSITIVI OTTICI PER ICT (INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY)

DISPOSITIVI OTTICI PER ICT (INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY) DISPOSITIVI OTTICI PER ICT (INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY) OBIETTIVI DEL CORSO STUDIO DEI PRINCIPI DELL OTTICA GUIDATA STUDIO DELLE PROPRIETA DI PROPAGAZIONE E INTERAZIONE DELLA LUCE CON LA

Dettagli

Laboratorio di Elettronica

Laboratorio di Elettronica Laboratorio di Elettronica a.a. 2008-2009 Come nasce un circuito integrato Ing. Carmine Abbate e-mail: c.abbate@unicas.it webuser.unicas.it/elettronica PROGETTISTA Fabbricazione di un circuito integrato:

Dettagli

L H 2 O nelle cellule vegetali e

L H 2 O nelle cellule vegetali e L H 2 O nelle cellule vegetali e il suo trasporto nella pianta H 2 O 0.96 Å H O 105 H 2s 2 2p 4 tendenza all ibridizzazione sp 3 H δ+ O δ- δ+ 1.75 Å H legame idrogeno O δ- H H δ+ δ+ energia del legame

Dettagli

SEMINARI Le applicazioni del plasma quale strumento di innovazione per le PMI piemontesi 27 maggio 2014 dr.ssa Elisa Aimo Boot INTRDUZNE SUL PLASMA E SULLE SRGENTI DEL PLASMA Cos è il plasma Energia Energia

Dettagli

Il magnetismo nella materia

Il magnetismo nella materia Le orbite degli elettroni in atomo di idrogeno Forma spaziale degli Orbitali elettronici di atomo di idrogeno Un solido Il magnetismo nella materia ferrimagnetismo Dr. Daniele Di Gioacchino Istituto Nazionale

Dettagli

Sviluppo di Innovazione tecnologica e biotecnologica

Sviluppo di Innovazione tecnologica e biotecnologica Sviluppo di Innovazione tecnologica e biotecnologica Ospitata presso l Incubatore dell Università degli Studi di Torino 2i3T - Società per la gestione dell Incubatore di Imprese e per il Trasferimento

Dettagli

CROMATURA PEVD SOTTOVUOTO

CROMATURA PEVD SOTTOVUOTO CROMATURA PEVD SOTTOVUOTO Causa i ben noti problemi legati ai processi di cromatura galvanica, da alcuni anni ormai si parla di procedimenti alternativi con basso impatto ambientale e ridotti consumi energetici.

Dettagli

Osteointegrazione. Definizione della American Academy of Implants Dentistry:

Osteointegrazione. Definizione della American Academy of Implants Dentistry: Osteointegrazione 1 Osteointegrazione Definizione della American Academy of Implants Dentistry: "Contatto che interviene senza interposizione di tessuto non osseo tra osso normale rimodellato e un impianto

Dettagli

Fotovoltaico (photovoltaic PV) Impianto SERPA SOLAR da 11 MW, Alentejo, Portogallo

Fotovoltaico (photovoltaic PV) Impianto SERPA SOLAR da 11 MW, Alentejo, Portogallo Fotovoltaico (photovoltaic PV) Impianto SERPA SOLAR da 11 MW, Alentejo, Portogallo Energia Solare Il sole fornisce alla terra luce solare che oltre l atmosfera (sunlight at top of the atmosphere) ha una

Dettagli

Scaffold e tecnologie di preparazione. Docente: Prof. Alessandro Sannino

Scaffold e tecnologie di preparazione. Docente: Prof. Alessandro Sannino Scaffold e tecnologie di preparazione Docente: Prof. Alessandro Sannino 1. Introduzione 2. Funzioni dello scaffold 3. Criteri di progettazione dello scaffold 4. Porosità e tecniche di analisi 5. Materiali

Dettagli

Selezione test GIOCHI DELLA CHIMICA

Selezione test GIOCHI DELLA CHIMICA Selezione test GIOCHI DELLA CHIMICA CLASSE A Velocità - Equilibrio - Energia Regionali 2010 36. Se il valore della costante di equilibrio di una reazione chimica diminuisce al crescere della temperatura,

Dettagli

ATI ARIOLI Spa Gerenzano VA STAZIONE SPERIMENTALE DELLA SETA DI COMO UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI MILANO BICOCCA (Dipartimento di Fisica)

ATI ARIOLI Spa Gerenzano VA STAZIONE SPERIMENTALE DELLA SETA DI COMO UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI MILANO BICOCCA (Dipartimento di Fisica) SCHEDE TECNICHE INTERVENTI CONCLUSI ATI ARIOLI Spa Gerenzano VA STAZIONE SPERIMENTALE DELLA SETA DI COMO UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI MILANO BICOCCA (Dipartimento di Fisica) ID75/2003 PROGETTO R&S Trattamento

Dettagli

RICOSTRUZIONE UNGHIE

RICOSTRUZIONE UNGHIE RICOSTRUZIONE UNGHIE Santolo Testa Le unghie non hanno una resistenza infinita, gli agenti patogeni, lo stress e le carenze alimentari (calcio, ferro, vitamine D-B6-B12) possono disidratarle,indebolirle,

Dettagli

SISTEMI OPTOELETTRONICI INTEGRATI

SISTEMI OPTOELETTRONICI INTEGRATI POLITECNICO DI BARI LAUREA SPECIALISTICA IN INGEGNERIA ELETTRONICA ANNO ACCADEMICO 2006/2007 SISTEMI OPTOELETTRONICI INTEGRATI APPUNTI DALLE LEZIONI DEL PROF. MARIO N. ARMENISE CAPITOLO I INTEGRAZIONE

Dettagli

SPETTROSCOPIA ATOMICA

SPETTROSCOPIA ATOMICA SPETTROSCOPIA ATOMICA Corso di laurea in Tecnologie Alimentari La spettroscopia atomica studia l assorbimento, l emissione o la fluorescenza di atomi o di ioni metallici. Le regioni dello spettro interessate

Dettagli

Appunti & trasparenze - Parte 9

Appunti & trasparenze - Parte 9 CdL Scienza dei Materiali - Fisica delle Nanotecnologie - a.a. 2003/4 Appunti & trasparenze - Parte 9 Versione 2, Novembre 2003 Francesco Fuso, tel 0502214305, 0502214293 - fuso@df.unipi.it http://www.df.unipi.it/~fuso/dida

Dettagli

Automazione di un impianto in-line coater. 1/5 www.ni.com

Automazione di un impianto in-line coater. 1/5 www.ni.com Automazione di un impianto in-line coater "L utilizzo di LabVIEW Real-Time e del modulo State Chart di LabVIEW si è rivelato fondamentale per l implementazione del modello strutturato con automi a stati

Dettagli

NANOFAB, UN LABORATORIO PER LA RICERCA INDUSTRIALE NEL SETTORE DELLE NANOTECNOLOGIE

NANOFAB, UN LABORATORIO PER LA RICERCA INDUSTRIALE NEL SETTORE DELLE NANOTECNOLOGIE Attenzione: la Guida che state stampando è aggiornata al 10/07/2008. I file allegati con estensione.doc,.xls,.pdf,.rtf, etc. non verranno stampati automaticamente; per averne copia cartacea è necessario

Dettagli

INFORMATIVA N. 7/2011. Tecnologia Plasma a pressione atmosferica Made in Italy

INFORMATIVA N. 7/2011. Tecnologia Plasma a pressione atmosferica Made in Italy INFORMATIVA N. 7/2011 Tecnologia Plasma a pressione atmosferica Made in Italy Lo sviluppo della tecnologia Plasma a livello industriale è, da anni, argomento di studio di molti centri di ricerca a livello

Dettagli

Tecnologie per ottica integrata. Raffaella Costa

Tecnologie per ottica integrata. Raffaella Costa Tecnologie per ottica integrata Raffaella Costa Introduzione: Progetto e realizzazione di un circuito Circuito Materiale Spessore Indice Tolleranze Guida Forma Dimensioni (monomodalità) Indice efficace

Dettagli

BIOLOGIA GENERALE. Alessandro Massolo Dip. Biologia Animale e Genetica c/o Prof. F. Dessì-Fulgheri (Via Romana 17) massolo@unifi.

BIOLOGIA GENERALE. Alessandro Massolo Dip. Biologia Animale e Genetica c/o Prof. F. Dessì-Fulgheri (Via Romana 17) massolo@unifi. Biologia generale Massolo Alessandro massolo@unifi.it; Tel. 347-9403330 BIOLOGIA GENERALE Facoltà di Scienze della Formazione Scienze della Formazione Primaria Alessandro Massolo Dip. Biologia Animale

Dettagli

REAZIONI ORGANICHE Variazioni di energia e velocità di reazione

REAZIONI ORGANICHE Variazioni di energia e velocità di reazione REAZIONI ORGANICHE Variazioni di energia e velocità di reazione Abbiamo visto che i composti organici e le loro reazioni possono essere suddivisi in categorie omogenee. Per ottenere la massima razionalizzazione

Dettagli

La Bicocca per le imprese Le applicazioni delle tecnologie del plasma nell industria tessile

La Bicocca per le imprese Le applicazioni delle tecnologie del plasma nell industria tessile La Bicocca per le imprese Le applicazioni delle tecnologie del plasma nell industria tessile Seminario del 4 Luglio 2000 organizzato presso l Università degli Studi di Milano Bicocca Dipartimento di Scienza

Dettagli

Condensatore elettrico

Condensatore elettrico Condensatore elettrico Sistema di conduttori che possiedono cariche uguali ma di segno opposto armature condensatore La presenza di cariche crea d.d.p. V (tensione) fra i due conduttori Condensatore piano

Dettagli

SISTEMI EPOSSIDICI PRODOTTI & CAMPI DI APPLICAZIONE

SISTEMI EPOSSIDICI PRODOTTI & CAMPI DI APPLICAZIONE SISTEMI EPOSSIDICI PRODOTTI & CAMPI DI APPLICAZIONE By Dott. Fausto TAGLIANO 1 I SISTEMI EPOSSIDICI SONO UNA DELLE GRANDI FAMIGLIE DI RESINE, ASSIEME AI POLIURETANI, POLIESTERI, ACRILATI, DEI COSIDDETTI

Dettagli

Energia nelle reazioni chimiche. Lezioni d'autore di Giorgio Benedetti

Energia nelle reazioni chimiche. Lezioni d'autore di Giorgio Benedetti Energia nelle reazioni chimiche Lezioni d'autore di Giorgio Benedetti VIDEO Introduzione (I) L energia chimica è dovuta al particolare arrangiamento degli atomi nei composti chimici e le varie forme di

Dettagli

Circuiti Quasi-Lineari. Aspetti Tecnologici

Circuiti Quasi-Lineari. Aspetti Tecnologici Circuiti Quasi-Lineari Prof. Gianfranco Avitabile Diagramma di di flusso del processo realizzativo 1 Tipo di Substrato Disegno Iniziale Disegno Maschera LAY-OUT? CAD Artworking Fotoriduzione Carrier Componenti

Dettagli

IL CALCARE NON SI FORMA PIÙ ED ELIMINA QUELLO ESISTENTE!

IL CALCARE NON SI FORMA PIÙ ED ELIMINA QUELLO ESISTENTE! MANUALE TECNICO IL CALCARE NON SI FORMA PIÙ ED ELIMINA QUELLO ESISTENTE! Indice : - Introduzione - Come si forma il calcare? - Processo di nucleazione - Azione dell inibitore sulla formazione del calcare

Dettagli

Proprietà meccaniche. Prove meccaniche. prova di trazione prova di compressione prova di piegamento prova di durezza prova di fatica prova di creep

Proprietà meccaniche. Prove meccaniche. prova di trazione prova di compressione prova di piegamento prova di durezza prova di fatica prova di creep Proprietà meccaniche Prove meccaniche prova di trazione prova di compressione prova di piegamento prova di durezza prova di fatica prova di creep Prova di trazione provini di dimensione standard deformazione

Dettagli

TRASDUTTORI di FORZA E PRESSIONE

TRASDUTTORI di FORZA E PRESSIONE Fra i trasduttori di forza, gli estensimetri, o stain gage, si basano sull aumento di resistenza che si produce in un filo metallico sottoposto a trazione a causa dell aumento di lunghezza e della contemporanea

Dettagli

Capitolo 1 COSTITUZIONE DELLA MATERIA

Capitolo 1 COSTITUZIONE DELLA MATERIA ITST J.F. KENNEDY - PN Disciplina: TECNOLOGIA MECCANICA Capitolo 1 COSTITUZIONE DELLA MATERIA A cura di Prof. Antonio Screti LA COSTITUZIONE DELLA MATERIA CARATTERISTICHE DEI MATERIALI METALLICI Le caratteristiche

Dettagli

RIVELAZIONE DELLE RADIAZIONI IONIZZANTI. Nelle tecniche di rivelazione delle radiazioni ionizzanti le grandezze da rivelare possono essere diverse:

RIVELAZIONE DELLE RADIAZIONI IONIZZANTI. Nelle tecniche di rivelazione delle radiazioni ionizzanti le grandezze da rivelare possono essere diverse: RIVELAZIONE DELLE RADIAZIONI IONIZZANTI Nelle tecniche di rivelazione delle radiazioni ionizzanti le grandezze da rivelare possono essere diverse: -Fluenza di particelle -Fluenza di energia -Informazioni

Dettagli

Fenomeni di superficie Tensione superficiale

Fenomeni di superficie Tensione superficiale enomeni di superficie Tensione superficiale Caratteristiche del potenziale di interazione fra due molecole. Assumiamo che le molecole siano a simmetria sferica, che r rappresenti la distanza fra due molecole

Dettagli

Appunti & trasparenze - Parte 1

Appunti & trasparenze - Parte 1 CdL Scienza dei Materiali - Fisica delle Nanotecnologie - a.a. 2004/05 Appunti & trasparenze - Parte 1 Versione 3, Ottobre 2004 Francesco Fuso, tel 0502214305, 0502214293 - fuso@df.unipi.it http://www.df.unipi.it/~fuso/dida

Dettagli

LA NITRURAZIONE. (versione gennaio 2006)

LA NITRURAZIONE. (versione gennaio 2006) LA NITRURAZIONE (versione gennaio 2006) Raccolta di appunti ad esclusivo uso interno ITIS VARESE - specializzazione meccanici. La nitrurazione è un processo che consente la formazione di nitruri durissimi

Dettagli

TRATTAMENTO DELLE RIMONTE CAPILLARI

TRATTAMENTO DELLE RIMONTE CAPILLARI TRATTAMENTO LE RIMONTE CAPILLARI INTRODUZIONE: Grazie alle sue ottime caratteristiche tecniche e alla facilità di messa in opera il di POTASSIO viene largamente utilizzato per rendere idrorepellenti i

Dettagli

SCIENZA E TECNOLOGIA DEI MATERIALI COMPOSITI A MATRICE POLIMERICA

SCIENZA E TECNOLOGIA DEI MATERIALI COMPOSITI A MATRICE POLIMERICA Università degli studi di Messina Corso di laurea in INGEGNERIA DEI MATERIALI SCIENZA E TECNOLOGIA DEI MATERIALI COMPOSITI A MATRICE POLIMERICA Prof. A.M.Visco Lezione T 2 : Processi di realizzazione di

Dettagli

CIG 4689589344. Il concorrente deve aver fornito e installato almeno 5 impianti combinati di plasma e ALD termico in UE.

CIG 4689589344. Il concorrente deve aver fornito e installato almeno 5 impianti combinati di plasma e ALD termico in UE. Capitolato Tecnico Gara a procedura aperta per fornitura di un sistema di deposizione di strati atomici (ALD) capace di processi termici e plasma assistiti CIG 4689589344 Il concorrente deve aver fornito

Dettagli

Per Prototipazione Rapida (Rapid Prototyping) si intende la realizzazione in poco tempo di un prototipo con costi molto contenuti.

Per Prototipazione Rapida (Rapid Prototyping) si intende la realizzazione in poco tempo di un prototipo con costi molto contenuti. La Prototipazione Rapida Per Prototipazione Rapida (Rapid Prototyping) si intende la realizzazione in poco tempo di un prototipo con costi molto contenuti. Un prototipo può essere usato per: o Verifiche

Dettagli

RIVELATORI A SEMICONDUTTORE. Dal punto di vista della conducibilità elettrica i materiali si possono classificare in :

RIVELATORI A SEMICONDUTTORE. Dal punto di vista della conducibilità elettrica i materiali si possono classificare in : Dal punto di vista della conducibilità elettrica i materiali si possono classificare in : (a) Metalli: banda di valenza (BV) e banda di conduzione (BC) sono sovrapposte (E g = 0 ev) (b) Semiconduttori:

Dettagli

Proprieta meccaniche dei fluidi

Proprieta meccaniche dei fluidi Proprieta meccaniche dei fluidi 1. Definizione di fluido: liquido o gas 2. La pressione in un fluido 3. Equilibrio nei fluidi: legge di Stevino 4. Il Principio di Pascal 5. Il barometro di Torricelli 6.

Dettagli

finalizzate allo sviluppo di film sottili con proprietà antiusura e anticorrosione Federico Cartasegna Environment Park S.p.A.

finalizzate allo sviluppo di film sottili con proprietà antiusura e anticorrosione Federico Cartasegna Environment Park S.p.A. PVD - Applicazioni del plasma finalizzate allo sviluppo di film sottili con proprietà antiusura e anticorrosione i Federico Cartasegna Environment Park S.p.A. I processi PVD Proprietà dei rivestimenti

Dettagli

CONFORMAL COATING. srl Via Villoresi 64 20029 Turbigo Mi Tel. 0331 177 0676 Fax 0331 183 9425 email: info@geatrade.it

CONFORMAL COATING. srl Via Villoresi 64 20029 Turbigo Mi Tel. 0331 177 0676 Fax 0331 183 9425 email: info@geatrade.it CONFORMAL COATING COSA SONO I CONFORMAL COATING? I C.C. sono prodotti (RESINE) utilizzati per la protezione dei circuiti stampati dalle influenze dell ambiente in cui vanno ad operare Il film di protezione

Dettagli

CHIMICA DELLE SUPERFICI ED INTERFASI

CHIMICA DELLE SUPERFICI ED INTERFASI CHIMICA DELLE SUPERFICI ED INTERFASI DOTT. GIULIA FIORAVANTI UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DELL AQUILA LAUREA MAGISTRALE IN INGEGNERIA CHIMICA LAUREA MAGISTRALE IN SCIENZE CHIMICHE A.A. 2014-2015 MODIFICA DI

Dettagli

Deposito di un film sottile via magnetron sputtering

Deposito di un film sottile via magnetron sputtering Deposito di un film sottile via magnetron sputtering Brevi cenni sullo sputtering Lo sputtering è una tecnica mediante la quale atomi e ioni Argon o di altri gas, contenuti in un plasma bombardano un bersaglio

Dettagli

TECNICHE DI BASE PER LA SEPARAZIONE DEI COMPONENTI DI UNA MISCELA

TECNICHE DI BASE PER LA SEPARAZIONE DEI COMPONENTI DI UNA MISCELA TECNICHE DI BASE PER LA SEPARAZIONE DEI COMPONENTI DI UNA MISCELA CENTRIFUGAZIONE La centrifugazione è un processo che permette di separare una fase solida immiscibile da una fase liquida o due liquidi

Dettagli

POLITECNICO DI MILANO

POLITECNICO DI MILANO POLITECNICO DI MILANO Scuola di Ingegneria Industriale e dell Informazione Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Fisica Dipartimento di Fisica STUDIO E CARATTERIZZAZIONE DI MASCHERE ATTRAVERSO LA LITOGRAFIA

Dettagli

La tecnologia a plasma freddo si sta dimostrando

La tecnologia a plasma freddo si sta dimostrando Tecnologia TECNOLOGIA A PLASMA FREDDO MODIFICA DELLE PROPRIETÀ SUPERFICIALI DEI MATERIALI La tecnologia a plasma freddo si sta dimostrando efficace e sorprendentemente versatile tanto da sostituire, in

Dettagli

STUDIO AFM DI FILM MICROMETRICI DI WO 3

STUDIO AFM DI FILM MICROMETRICI DI WO 3 A L L E G A TO 4 1 STUDIO AFM DI FILM MICROMETRICI DI WO 3 Introduzione Il triossido di tungsteno (WO 3 ) presenta caratteristiche di conduzione peculiari, perché associa ad una discreta conducibilità

Dettagli

PUNTI ESSENZIALI LEZIONE 4

PUNTI ESSENZIALI LEZIONE 4 PUNTIESSENZIALILEZIONE4 Filmsottili Giunzionieforze Macchineebiomeccanica Attuatori Sforziditrazioneecontrazione Porositàereologia Schiuma Chiodierivetti Giuntiperillegno Forzacostanteeforzavariabile,flessibilità

Dettagli

Capitolo 2 Le trasformazioni fisiche della materia

Capitolo 2 Le trasformazioni fisiche della materia Capitolo 2 Le trasformazioni fisiche della materia 1.Gli stati fisici della materia 2.I sistemi omogenei e i sistemi eterogenei 3.Le sostanze pure e i miscugli 4.I passaggi di stato 5. la teoria particellare

Dettagli

APPLICAZIONI INDUSTRIALI DEL PLASMA

APPLICAZIONI INDUSTRIALI DEL PLASMA APPLICAZIONI INDUSTRIALI DEL PLASMA Caratteristiche che rendono il plasma utile per applicazioni industriali: ² È caratterizzato da un ampio range di densità di potenza/energia (plasmi termici in archi

Dettagli

TEST TRIBOLOGICI SECONDO LA CONFIGURAZIONE BLOCK-ON-RING

TEST TRIBOLOGICI SECONDO LA CONFIGURAZIONE BLOCK-ON-RING TEST DI LABORATORIO ION BEAM EUROPA srl C. F. e P. IVA 10973380156 C.C.I.A.A. n. 1429855 Trib. Milano Reg. Soc. 339171 Sede Legale: Via Volta,46 20010 Mesero (MI) - Tel. 0297285378 TEST TRIBOLOGICI SECONDO

Dettagli

Outline. Nanomateriali. Superfici nanostrutturate Nanocompositi Materiali nanostrutturati. Introduzione. Le nanotecnologie. Un settore molto vasto

Outline. Nanomateriali. Superfici nanostrutturate Nanocompositi Materiali nanostrutturati. Introduzione. Le nanotecnologie. Un settore molto vasto Outline Sviluppo di nuovi materiali: materiali nanostrutturati tt ti e metamateriali t Lorenza Draghi Dipartimento t di Chimica, i Materiali e Ingegneria Chimica, i Giulio Natta Politecnico di Milano Nanomateriali

Dettagli

La base di partenza per la maggior parte dei processi produttivi di materiali ceramici sono le sospensioni. Queste si ottengono dalla miscelazione di

La base di partenza per la maggior parte dei processi produttivi di materiali ceramici sono le sospensioni. Queste si ottengono dalla miscelazione di La base di partenza per la maggior parte dei processi produttivi di materiali ceramici sono le sospensioni. Queste si ottengono dalla miscelazione di un solido (polvere) che diverrà il ceramico, con un

Dettagli

LE PROPRIETA DEI MATERIALI METALLICI

LE PROPRIETA DEI MATERIALI METALLICI LE PROPRIETA DEI MATERIALI METALLICI Si suddividono in : proprietà chimico-strutturali strutturali; proprietà fisiche; proprietà meccaniche; proprietà tecnologiche. Le proprietà chimico-strutturali riguardano

Dettagli

gli stati inusuali della materia: il PLASMA e i COLLOIDI Pietro Favia, Gerardo Palazzo

gli stati inusuali della materia: il PLASMA e i COLLOIDI Pietro Favia, Gerardo Palazzo gli stati inusuali della materia: il PLASMA e i COLLOIDI Pietro Favia, Gerardo Palazzo Dipartimento di Chimica, Università di Bari Aldo Moro CAMPUS, via Orabona 4, 70126 Bari pietro.favia@uniba.it, gerardo.palazzo@uniba.it

Dettagli

Abstract: the recent development of broadband

Abstract: the recent development of broadband Stefano Penna, Andrea Reale Università degli studi di Roma Tor Vergata Damiano Musella Istituto Superiore delle Comunicazioni e delle Tecnologie dell Informazione NOTE CIRCUITI FOTONICI INTEGRATI PER TELECOMUNICAZIONI

Dettagli

PREPARATI INCLUSI: l infiltrazione e l inclusione

PREPARATI INCLUSI: l infiltrazione e l inclusione l infiltrazione e l inclusione Poiché la consistenza della maggior parte di tessuti fissati (ad eccezione di quelli congelati che si infiltrano ma non si includono) è tale da non permettere di sezionare

Dettagli

I Materiali Polimerici

I Materiali Polimerici I Materiali Polimerici I Materiali Polimerici Un polimero è costituito da molte unità molecolari ricorrenti, unite tra di loro per addizione sequenziale di molecole di monomero. Molte molecole del monomero

Dettagli

LO STATO SOLIDO. Lo stato solido rappresenta uno dei tre stati di aggregazione della materia

LO STATO SOLIDO. Lo stato solido rappresenta uno dei tre stati di aggregazione della materia LO STATO SOLIDO Lo stato solido rappresenta uno dei tre stati di aggregazione della materia Nello stato solido le forze attrattive tra le particelle (ioni, atomi, molecole) prevalgono largamente sull effetto

Dettagli

modulo: CHIMICA DEI POLIMERI

modulo: CHIMICA DEI POLIMERI CORSO PON Esperto nella progettazione, caratterizzazione e lavorazione di termoplastici modulo: CHIMICA DEI POLIMERI Vincenzo Venditto influenza delle caratteristiche strutturali, microstrutturali e morfologiche

Dettagli