Il TRANSISTOR. Il primo transistor della storia
|
|
- Fausta Nobile
- 4 anni fa
- Visualizzazioni
Transcript
1 Il TRANSISTOR Il primo transistor della storia
2 Inventori del Transistor Il Transistor Bipolare a Giunzione (BJT) è stato inventato nei laboratori BELL nel 1948, da tre fisici: John Bardeen Walter Brattain, William Shockley. Nel 1956 vincono il premio Nobel per questa invenzione
3 I C IL TRANSISTOR I C p COLLETTORE n I B n p BASE (sottile) EMETTITORE (fortemente drogato) I B p n I E I E +I B +I C =0 pnp I E npn
4 Simboli circuitali del transistor pnp npn C C B B E E
5 Funzionamento del transistor Il transistor per funzionare deve essere polarizzato (ing. biased). Ovvero deve essere applicata una opportuna tensione ad ognuno dei terminali (Emettitore, Base e Collettore). Se la giunzione EB è polarizzata direttamente e BC è polarizzata inversamente Allora: Il Transistor è detto polarizzato nella zona attiva e può funzionare da amplificatore
6 Modi di operazione del BJT (Bipolar Junction Transistor) Modo Giunzione Emettitore Base Giunzione Collettore Base Attiva-diretta Diretta Inversa Spento Inversa Inversa Saturazione Diretta Diretta Attiva-inversa Inversa Diretta
7 IL TRANSISTOR POLARIZZATO EMETTITORE BASE COLLETTORE I C p+ p n V EB + La giunzione EB è polarizzata direttamente le lacune diffondono verso la Base _ + _ V CB I E V EB + _ I B + _ V CB I C
8 IL TRANSISTOR Principio di funzionamento (effetto transistor) EMETTITORE BASE COLLETTORE p + n _ + + _ p La giunzione BC è polarizzata inversamente le lacune diffondono verso il collettore I E + _ I + _ B I C
9 GUADAGNO IN CORRENTE DEL TRANSISTOR Nei transistor reali il 98% % della corrente I E raggiunge il collettore. β F Guadagno di corrente di corto circuito a emettitore comune (detto anche h FE )
10 Polarizzazione del transistor configurazione CE Retta di carico V CC R B R C I C R C I C V CC B C V CE V CC V BE ~ 0.7V E La retta di carico
11 Le caratteristiche del transistor (di uscita e a emettitore comune) Transistor in saturazione Transistor in zona attiva L incrocio della retta di carico con la curva caratteristica con I B =cost. determina il punto di lavoro (la soluzione del circuito). Ad esempio con I B =80µA Transistor spento Effetto Early: curve a I B costante non parallele all asse V CE
12 Amplificatore a transistor Configurazione CE Progetto del circuito RB =1.0MΩ VCC =10V RC=2.2kΩ RC IB IC =1.8mA C VCE =6V B VBE ~ 0.7V E Transistor in configurazione a Emettitore Comune CE (Common Emitter)
13 Il modello dei Piccoli Segnali In molti circuiti la tensione (o corrente) può essere descritta come un segnale variabile nel tempo cui si somma una valore costante: Segnale totale Valore costante Piccolo Seganle
14 Amplificatore in configurazione CE V CC =10V 5mA R B I B B R C I C C v u 2.2V ~ v i V BE ~ 0.7V E
15 Il modello ibrido a Π b c i b r o r π g m v π Modello semplificato del funzionamento del BJT r π è la resistenza della giunzione polarizzata direttamente (circa 1kΩ). g m v π è la corrente generata del generatore controllato di corrente r ο è la resistenza di uscita, responsabile dell effetto Early e
16 Parametri di un amplificatore a transistor in configurazione CE R g i b b v g ~ v i v b e r π c g m v π e i u R C v u Parametri dell amplificatore a BJT a Emettitore Comune
17 Risposta in frequenza di un amplificatore CE (basse frequenze) R g C i b b v g ~ v i v b e GENERATORE BJT CONFIG. CE r π c e i u Si deve considerare solo g m v lo «stadio π di ingresso» R C v u Passa alto formato da C (capacità di blocco) e r π.. Quanto vale la tensione (complessa) V π? Passa Alto Dove s o.=1/ r π C
18 Il modello completo del transistor per piccoli segnali b i b r b r π r µ C µ r c c v π = r π i b C π g m v π r o e r b: Resistenza di contatto di base ~ 100Ω r Resistenza di giunzione di B-E ~ 1κΩ g m transconduttanza r o Resistenza effetto Early ~ 100κΩ r c: Resistenza di contatto del collettore ~ 1Ω r µ: Resistenza di giunzione (BC) ~ 1ΜΩ C π Capacità di diffusione (B-E) ~ 100pF C µ Capacità di transizione (B-C) ~ 1pF e
19 Teorema di Miller Se in un circuito i punti A e B sono connessi da un impedenza Z e se è noto il rapporto µ=v B /V A allora l impedenza Z può essere sostituita da due impedenze Z A e Z B rispettivamente da A e B verso massa Α Ζ Β Α Ζ Α Ζ Β Β
20 Risposta in frequenza di un amplificatore CE (alte frequenze) b r b A B r c c C µ R g v g ~ v b r π C π C µ (1-A) g m v π r o C µ (1-A)/A R C e e C p Capacità di diffusione (B-E) ~ 100pF C m Capacità di transizione (B-C) ~ 1pF Applichiamo il teorema di Miller (Z è la capacità di transizione C µ )
21 Risposta in frequenza di un amplificatore CE (alte frequenze) Passa Basso v g ~ A C π + C µ (1-A V ) Circuito equivalente «visto» dal generatore Esempio numerico A v b ~ C π + C µ (1-A V ) Circuito equivalente «visto» dalla base Frequenza di taglio del «passa basso»
22 Risposta in frequenza di un amplificatore CE Diagramma di Bode dell amplificazione Frequenza di taglio bassa dovuta alla capacità di blocco e impedenza di ingresso 3 db A V (db) Mezza banda Frequenza di taglio alta dovuta capacità di diffusione e di trans Frequenza (Hz)
23 BJT in configurazione CEE V CC Eq. Th. R C I C R 1 I B B C v u ~ v g V BE ~ 0.7V R 2 E R E
24 CE con R E - Polarizzazione della base V CC R 1 R C I C I B C I C B V BB R B I B I E R E R 2 R E E v u
25 R E Come retroazione ( FEEDBACK ) V CC R C I C I B B C Caratteristica di ingresso V B E V C R E V E I B (µa) I E V BE (V)
26 Circuito equivalente per piccoli segnali a bassa frequenza i g b i b c i u =i c R g r π ~ v g R B e g m v π R C v u R E
27 Polarizzazione configurazione CC BJT in configurazione CC (Emitter Follower) R1 V CC I C I B B C ~ v i V BE ~ 0.7V E R 2 R E v u
28 Circuito equivalente per piccoli segnali a bassa frequenza BJT conf. CC i g b i b c R g r π ~ v g R B e R E v u g m v π L uscita è sull emettitore
29 Disponendo diversamente i componenti ma senza modificare la topologia: R g v g ~ b i b g m v π r π R E v v u b e i u c
30 Caratteristiche dell Emitter-Follewer (continua)
31 Amplificatori in cascata (CE +CC) V CC R 1 I p R C C R 1 v g B ~ R 2 E R 2 R E v u R E CEE CC Accoppiamento ac
32 Amplificatori in cascata (CE +CC) V CC R 1 I p R C C v g B ~ R 2 E R E v u R E CEE CC Accoppiamento dc
33 Configurazione CB Nella configurazione a base comune (CB) la Base del transistor è in comune tra ingresso e uscita dell amplificatore V CC v i E R C + C + R E v u B - - R g v g~ i i e - R E + r π v π g m v π i u R C c v u b -V EE Amplificatore con BJT in configurazione: Base Comune v i Circuito equivalente per piccoli segnali
34 Impedenza d Ingresso
35 Amplificazione di corrente
36 Amplificazione di tensione
37 Impedenza d uscita
38 Caratteristiche approssimate per le configurazioni del BJT CE CE +R E CC CB A I β β -(1+β) -1 R i r π r π +(1+β) R E r π +(1+β) R E A V -β R C /r π -R C /R E 1 β R C /r π R u R C R C r π /β R C
Il TRANSISTOR. Il primo transistor della storia
Il TRANSISTOR Il primo transistor della storia Inventori del Transistor Il Transistor Bipolare a Giunzione (BJT) è stato inventato nei laboratori BELL nel 1948, da tre fisici: John Bardeen Walter Brattain,
DettagliEsercitazione 3. Biagio Provinzano Aprile Esercizio 1. I BJT npn hanno la stessa area e la stessa corrente di saturazione, consideriamo
Esercitazione 3 Biagio Provinzano Aprile 005 Esercizio I BJT npn hanno la stessa area e la stessa corrente di saturazione, consideriamo V A, β = 00, V BE = 0.7V in zona attiva ed infine Cπ = C µ =0pF.
DettagliTransistor bipolare a giunzione (bjt bipolar junction transistor)
Transistor bipolare a giunzione (bjt bipolar junction transistor) Il transistor e' formato da due diodi contrapposti con una regione in comune (base) B B E C N E P E N C IE IC E P E C emettitore collettore
DettagliELETTROTECNICA ED ELETTRONICA (C.I.) Modulo di Elettronica. Lezione 7. a.a
32586 - ELETTROTENIA ED ELETTRONIA (.I.) Modulo di Elettronica Lezione 7 a.a. 2010-2011 Bipolar Junction Transistor (BJT) Il BJT è realizzato come una coppia di giunzioni PN affiancate. Esistono due categorie
DettagliCorso di ELETTRONICA 1 (Elettronici N.O.) 17/06/2003
Corso di ELETTRONICA 1 (Elettronici N.O.) 17/06/2003 Si analizzi l amplificatore mostrato in figura, determinando: 1. il valore del guadagno di tensione a frequenze intermedie; 2. le frequenze di taglio
DettagliLaboratorio II, modulo
Laboratorio II, modulo 2 2016-2017 Transistor (cfr. http://studenti.fisica.unifi.it/~carla/appunti/2008-9/cap.4.pdf http://ume.gatech.edu/mechatronics_course/transistor_f04.ppt) Storia del Transistor Inventati
DettagliLaboratorio II, modulo
Laboratorio II, modulo 2 2015-2016 Transistor (cfr. http://studenti.fisica.unifi.it/~carla/appunti/2008-9/cap.4.pdf http://ume.gatech.edu/mechatronics_course/transistor_f04.ppt) Storia del Transistor Inventati
DettagliPage 1. Elettronica delle telecomunicazioni ETLCE - A1 08/09/ DDC 1. Politecnico di Torino Facoltà dell Informazione. Contenuti del Gruppo A
Modulo Politecnico di Torino Facoltà dell Informazione Elettronica delle telecomunicazioni A Amplificatori, oscillatori, mixer A1- Amplificatori a transistori» Punto di funzionamento,» guadagno e banda»
DettagliESERCIZIO 1. Soluzione. Per risolvere il problema utilizzo il modello di Ebers-Moll, grazie al quale potrò calcolare L E, W, L C, infatti so che
ESERCIZIO Su un transistor BJT pnp caratterizzato da N E = 0 8 cm 3 N B = 0 6 cm 3 N C = 0 5 cm 3 A = mm 2 vengono effettuate le seguenti misure: Tensione V CB negativa, emettitore aperto: I C = 0nA Tensione
Dettaglir> 0 p< 0 stabile; r< 0 p> 0 instabile
Circuiti dinamici del primo ordine I i V p. s. r C v V( s) 1 1 scv( s) + = 0; s+ V( s) = 0; p= r rc rc r> 0 p< 0 stabile; r< 0 p> 0 instabile 101 Compito a casa: dimostrare che il seguente circuito ha
DettagliTransistor a giunzione bipolare
Page 1 of 7 Transistor a giunzione bipolare Da Wikipedia, l'enciclopedia libera. In elettronica, il transistor a giunzione bipolare, anche chiamato con l'acronimo BJT, abbreviazione del termine inglese
DettagliCurva caratteristica del transistor
Curva caratteristica del transistor 1 AMPLIFICATORI Si dice amplificatore un circuito in grado di aumentare l'ampiezza del segnale di ingresso. Un buon amplificatore deve essere lineare, nel senso che
DettagliAMPLIFICATORI INVERTENTI A SINGOLO TRANSISTORE
configurazione CE: AMPLIFICATORI INVERTENTI A SINGOLO TRANSISTORE configurazione CS: G. Martines 1 ANALISI IN CONTINUA Circuito di polarizzazione a quattro resistenze. NOTE: I parametri del modello a piccolo
DettagliIl transistore bipolare a giunzione (BJT)
Il transistore bipolare a giunzione (BJT) Il funzionamento da transistore, cioè l'interazione fra le due giunzioni pn connesse back to back, è dovuto allo spessore ridotto dell'area di base (tipicamente
DettagliIl diodo come raddrizzatore (1)
Il diodo come raddrizzatore () 220 V rms 50 Hz Come trasformare una tensione alternata in una continua? Il diodo come raddrizzatore (2) 0 Vγ La rettificazione a semionda Il diodo come raddrizzatore (3)
DettagliLaboratorio di Sistemi e Segnali AA 2017/18 Esonero 1, Soluzioni A
Laboratorio di Sistemi e Segnali AA 2017/18 Esonero 1, Soluzioni A Esercizio 1 (8 punti): A media frequenza possiamo approssimare il capacitore C E con un corto. L amplificazione pertanto è g m R C dove
DettagliBrevissima introduzione all ele2ronica analogica (transistor, etc... ) Edoardo Milo* Corso di Metodi di Tra0amento dei Segnali A.A.
Brevissima introduzione all ele2ronica analogica (transistor, etc.... ) Edoardo Milo* Corso di Metodi di Tra0amento dei Segnali A.A. 2012-13 Soluzione di problemi non lineari in ele2ronica: il metodo della
DettagliEsonero del Corso di Elettronica I 23 aprile 2001
Esonero del Corso di Elettronica I 23 aprile 2001 1) Nell amplificatore MO di figura k=5.10-4 A/V 2, V T = 2 V, = 10K Ω, =10V, =3V. eterminare il guadagno di tensione per un segnale applicato tra gate
DettagliModello di Ebers-Moll del transistore bipolare a giunzione
D Modello di Ebers-Moll del transistore bipolare a giunzione Un transistore bipolare è un dispositivo non lineare che può essere modellato facendo ricorso alle caratteristiche non lineari dei diodi. Il
DettagliEsperienza n 7: CARATTERISTICHE del TRANSISTOR BJT
Laboratorio IV sperienza n 7: CARATTRISTICH del TRANSISTOR BJT 1 sperienza n 7: CARATTRISTICH del TRANSISTOR BJT Caratteristica del transistor bipolare Il transistor bipolare è uno dei principali dispositivi
DettagliDispositivi elettronici. Il transistor bipolare a giunzione (bjt( bjt)
Dispositivi elettronici l transistor bipolare a giunzione (bjt( bjt) Sommario l transistor bipolare a giunzione (bjt) come è fatto un bjt principi di funzionamento (giunzione a base corta) effetto transistor
DettagliIl transistor bipolare a giunzione (bjt(
Dispositivi elettronici l transistor bipolare a giunzione (bjt( bjt) Sommario l transistor bipolare a giunzione (bjt) come è fatto un bjt principi di funzionamento (giunzione a base corta) effetto transistor
DettagliTransistor a giunzione bipolare
Transistor a giunzione bipolare Da Wikipedia, l'enciclopedia libera. Simbolo del BJT NPN Simbolo del BJT PNP In elettronica, il transistor a giunzione bipolare, anche chiamato con l'acronimo BJT, abbreviazione
DettagliCAP.4 TRANSISTOR BIPOLARE (BJT): AMPLIFICATORE E INTERRUTTORE
CAP.4 TRANSISTOR BIPOLARE (BJT): AMPLIFICATORE E INTERRUTTORE 1. Transistore bipolare a giunzione (BJT). 2. Retta di carico e punto di lavoro 3. Modelli DC a largo segnale. 4. Circuiti di polarizzazione.
DettagliEsercitazione n 3: Amplificatore a base comune
Esercitazione n 3: Amplificatore a base comune 1) Per il circuito in Fig. 1 determinare il valore delle resistenze di polarizzazione affinché si abbia: I C = 0,2 ma; V C = 3 V; V E = 1,9 V. Sia noto che:
DettagliTRANSISTOR BIPOLARE A GIUNZIONE ( BJT ) [ing. R. STORACE]
TRANSISTOR BIPOLARE A GIUNZIONE ( BJT ) [ing. R. STORACE] 1. Che cos'è? E' un componente con 3 terminali, chiamati EMETTITORE, BASE,COLLETTORE, che può funzionare in modi diversi a seconda di come è configurato,
Dettagli3 B aut TPSEE 4 TEST FILA 1 3 apr Q1 BC Volts. VALUTAZIONE di COGNOME :. Nome :
3 B aut TPSEE 4 TEST FILA 1 3 apr 2013 1. Dato il seguente circuito e i valori di tensioni e correnti, determinare : a) La regione di funzionamento b) h FE, I E, V CB c) R B, R C d) cosa bisogna fare per
DettagliDispositivi elettronici. Il transistor bipolare a giunzione (bjt( bjt)
Dispositivi elettronici l transistor bipolare a giunzione (bjt( bjt) Sommario l transistor bipolare a giunzione (bjt) come è fatto un bjt principi di funzionamento (giunzione a base corta) effetto transistor
DettagliStadi Amplificatori di Base
Stadi Amplificatori di Base Biagio Provinzano Marzo 2005 Ipotesi di lavoro: i) Transistor npn acceso ed in zona attiva v BE 1 0.7V e v C >v B ii) Consideriamo un classico schema di polarizzazione con quattro
DettagliESERCIZIO Punto di riposo, R 1,R 2. Detta I C = I C1 = I C2 = 2.5mA e ipotizzando I B1 I C1,I B2 I C2, si ha
1/16 ESERCIZIO 1 1.1 - Punto di riposo, R 1,R 2 Detta I C = I C1 = I C2 = 2.5mA e ipotizzando I B1 I C1,I B2 I C2, si ha V CE1 = V R E I E1 I E2 ) V 2R E I C = 12.0 V. 1) Nel punto di riposo si ha I B1
DettagliA Laurea in Fisica - Anno Accademico
A Laurea in Fisica - Anno Accademico 2018-2019 30 ottobre 2018 Primo esonero del Lab di Seg. e Sistemi Nome : ognome : Matricola : anale/prof : Gruppo Lab.: iportate su questo foglio le risposte numeriche
DettagliElettronica Il transistore bipolare a giunzione
Elettronica Il transistore biolare a giunzione Valentino Liberali Diartimento di Fisica Università degli Studi di Milano valentino.liberali@unimi.it Elettronica Il transistore biolare a giunzione 6 maggio
DettagliLe caratteristiche del BJT
La caratteristica del BJT.doc! rev. 1 del 24/06/2008 pagina 1 di 8 LE CARATTERISTICHE DEL BJT 1 Montaggi fondamentali 1 Montaggio ad emettitore comune 1 Montaggio a collettore comune 3 Montaggio a base
DettagliUno degli impieghi fondamentali del BJT è l amplificazione dei segnali.
TRANSISTOR BJT STRUTTURA BJT: Bipolar Junction Transistors,Transistor a giunzione bipolare Un transistor BJT è un chip (CI) di silicio contenete tre zone drogate in modo diverso: NPN si hanno due zone
DettagliLe caratteristiche del BJT
LE CARATTERISTICHE DEL BJT 1 Montaggi fondamentali 1 Montaggio ad emettitore comune 1 Montaggio a collettore comune 3 Montaggio a base comune 4 Caratteristiche ad emettitore comune 4 Caratteristiche di
DettagliLezione A3 - DDC
Elettronica per le telecomunicazioni Unità A: Amplificatori, oscillatori, mixer Lezione A.3 Punto di funzionamento, guadagno e banda distorsioni, rumore, 1 Contenuto dell unità A Lezione A3 Informazioni
DettagliElettronica I Il transistore bipolare a giunzione
Elettronica I Il transistore biolare a giunzione Valentino Liberali Diartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it htt://www.dti.unimi.it/ liberali
DettagliInformazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento. caratteristiche e tipologie di moduli. Circuiti con operazionali reazionati
Elettronica per telecomunicazioni 1 Contenuto dell unità A Informazioni logistiche e organizzative Applicazione di riferimento caratteristiche e tipologie di moduli Circuiti con operazionali reazionati
DettagliMicroelettronica Indice generale
Microelettronica Indice generale Prefazione Rigraziamenti dell Editore Guida alla lettura Parte I Elettronica dello stato solido e dispositivi XV XVII XVIII Capitolo 1 Introduzione all elettronica 1 1.1
DettagliDispositivi e Tecnologie Elettroniche. Il transistore bipolare
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche l transistore bipolare Struttura di principio l transistore bipolare è fondamentalmente composto da due giunzioni pn, realizzate sul medesimo substrato a formare una
Dettagliil diodo a giunzione transistori ad effetto di campo (FETs) il transistore bipolare (BJT)
ontenuti del corso Parte : ntroduzione e concetti fondamentali richiami di teoria dei circuiti la simulazione circuitale con P elementi di lettronica dello stato solido Parte : Dispositivi lettronici il
DettagliAmplificatore monotransistore
Elettronica delle Telecomunicazioni Esercitazione 1 Amplificatore monotransistore Rev 1 980305 DDC Rev 3 000328 DDC Specifiche Progettare un amplificatore con un transistore secondo le seguenti specifiche:
DettagliElettronica Analogica. Luxx Luca Carabetta
Elettronica Analogica Luxx Luca Carabetta Transistor BJT Un transistor è un componente elettronico, di modelli di transistor ve ne sono a migliaia, noi studieremo il più comune, il BJT. BJT sta per Bipolar
DettagliIl BJT Bipolar Junction Transistor: comportamento statico
Dispositivi Elettronici La il transistore giunzione bipolare PN (BJ) Il BJ Bipolar Junction ransistor: comportamento statico E costituito da due giunzioni PN polarizzate in modo diretto od inverso: Interdizione:
DettagliAppendice A. A.1 Amplificatore con transistor bjt
Appendice A A.1 Amplificatore con transistor bjt Il circuito in fig. A.1 è un esempio di amplificatore a più stadi. Si utilizza una coppia differenziale di ingresso (T 1, T 2 ) con un circuito current
DettagliFondamenti di Elettronica, Sez.3
Fondamenti di Elettronica, Sez.3 Alessandra Flammini alessandra.flammini@unibs.it Ufficio 24 Dip. Ingegneria dell Informazione 030-3715627 Lunedì 16:30-18:30 Fondamenti di elettronica, A. Flammini, AA2018-2019
DettagliBipolar Junction Transistors
Bipolar Junction Transistors Struttura di un BJT ideale I C I E Collector (N) Base (P) Emitter (N) I B V BE V CE I E Emitter (P) Base (N) Collector (P) I B V EB V EC I C sandwich NPN o PNP la Base è molto
DettagliFormulario di CIRCUITI ELETTRONICI ANALOGICI L-A
Formulario di CIRCUITI ELETTRONICI ANALOGICI L-A Gennaio - Marzo 2009 Identità ed equazioni relative all elettronica analogica tratti dalle lezioni del corso di Circuiti Elettronici Analogici L-A alla
DettagliPiano di lavoro preventivo
I S T I T U T O T E C N I C O I N D U S T R I A L E S T A T A L E G u g l i e l m o M a r c o n i V e r o n a Piano di lavoro preventivo Anno Scolastico 2015/16 1 Materia Classe Docenti Materiali didattici
Dettagliν S R B2 Prova n 1: V CC R C R B1 C C R S C S C L out R L Prove d'esame
Prova n 1: Per il seguente circuito determinare: 1. R B1, R E tali che: I C = 0,5 ma; V E = 5 V; 2. Guadagno di tensione a piccolo segnale v out /v s alle medie frequenze; 3. Frequenza di taglio inferiore;
DettagliCENNI SU ALCUNI DISPOSITIVI ELETTRONICI A STATO SOLIDO
1 CENNI SU ALCUNI DISPOSITIVI ELETTRONICI A STATO SOLIDO Il diodo come raddrizzatore Un semiconduttore contenente una giunzione p-n, come elemento di un circuito elettronico si chiama diodo e viene indicato
DettagliCapitolo VI. Risposta in frequenza
Capitolo VI Risposta in frequenza Nel capitolo I è stata brevemente introdotta la risposta in frequenza di un amplificatore (o, meglio, di reti a singola costante di tempo). Si è anche accennato all effetto
DettagliElettronica digitale
Elettronica digitale Componenti per circuiti logici (Cap. 3, App. A) Dispositivi elettronici per circuiti logici Diodo Transistore bipolare Transistore a effetto di campo Bipoli Componenti a 2 terminali
Dettaglislides per cortesia di Prof. B. Bertucci
slides per cortesia di Prof. B. Bertucci Giunzione p-n in equilibrio: Densità di portatori maggiori maggioritari/ minoritari dai due lati della giunzione (lontano dalla zona di contatto): Nella zona di
Dettagli3- CENNI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI BASATI SULLE GIUNZIONI p-n
1 3- CENNI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI BASATI SULLE GIUNZIONI p-n Il diodo come raddrizzatore Un semiconduttore contenente una giunzione p-n, come elemento di un circuito elettronico si chiama diodo e viene
DettagliLaboratorio di Elettronica II. Esperienza 3. Progetto di un amplificatore con BJT
Laboratorio di Elettronica II Esperienza 3 Progetto di un amplificatore con BJT 1 Attività Progetto e verifica al simulatore di un amplificatore, date le specifiche funzionali desiderate: Progetto preliminare
DettagliIndice generale. Prefazione. Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1. Capitolo 2. Analisi in frequenza e reti STC 39
Indice generale Prefazione xi Capitolo 1. Richiami di analisi dei circuiti 1 1.1. Bipoli lineari 1 1.1.1. Bipoli lineari passivi 2 1.1.2. Bipoli lineari attivi 5 1.2. Metodi di risoluzione delle reti 6
DettagliMisure su linee di trasmissione
Appendice A A-1 A-2 APPENDICE A. Misure su linee di trasmissione 1) Misurare, in trasmissione o in riflessione, la lunghezza elettrica TL della linea. 2) Dal valore di TL e dalla lunghezza geometrica calcolare
DettagliEsercitazione n 4: Amplificatore a doppio carico
Esercitazione n 4: Amplificatore a doppio carico 1) Per il circuito in Fig.1 scegliere i valori delle resistenze di polarizzazione affinché: la potenza dissipata staticamente dal circuito sia < 10mW, V
DettagliDispositivi elettronici Esperienze di laboratorio
Dispositivi elettronici Esperienze di laboratorio Universitá degli Studi di L Aquila Massimo Lucresi Luigi Pilolli Mariano Spadaccini maggio 2002 Esperienza n. 1 Analisi della risposta in frequenza di
DettagliBJT. Bipolar Junction Transistor
BJT Bipolar Junction Transistor BJT Ideato e fabbricato nel 1947 da Schockley, Bardeen, Brattain. E costituito da 2 giunzioni pn consecutive realizzate su un unica porzione di silicio e pertanto puo essere
DettagliPage 1. Elettronica delle telecomunicazioni 2003 DDC 1. Politecnico di Torino Facoltà dell Informazione. Contenuti del Gruppo A
Modulo Politecnico di Torino Facoltà dell Informazione Elettronica delle telecomunicazioni Amplificatori e oscillatori A1 - Amplificatori a transistori» Punto di funzionamento,» guadagno e banda» distorsioni,
DettagliModello ibrido del transistor
Modello ibrido del transistor Da Wikipedia, l'enciclopedia libera. Per un transistor a giunzione bipolare si può usare il modello a parametri ibridi qualora sia necessario l'uso a basse frequenze. Modello
DettagliI Transistor BJT. Bjt significa transistor bipolare a giunzione. Giunzione poiché è un ulteriore sviluppo della giunzione PN dei comuni diodi.
I Transistor BJT Bjt significa transistor bipolare a giunzione. Giunzione poiché è un ulteriore sviluppo della giunzione PN dei comuni diodi. I tre piedini del transistor vengono comunemente chiamati Emettitore,
DettagliIndice generale. Elettronica dello stato solido e dispositivi. Capitolo 1 Introduzione all elettronica 1
Prefazione Autori e Curatori Rigraziamenti dell Editore Guida alla lettura Parte I Elettronica dello stato solido e dispositivi XII XV XVI XVII Capitolo 1 Introduzione all elettronica 1 1.1 Breve storia
DettagliIl transistor bjt. Capitolo Equazioni di Ebers-Moll
Capitolo 6 Il transistor bjt La sigla bjt è un acronimo per bipolar junction transistor (transistor bipolare a giunzione). L aggettivo bipolare è dovuto al fatto che nel funzionamento di questo dispositivo
DettagliEsperimentazioni di Fisica 3. Appunti sugli. Amplificatori Differenziali. M De Vincenzi
Esperimentazioni di Fisica 3 Appunti sugli. Amplificatori Differenziali M De Vincenzi 1 Introduzione L amplificatore differenziale è un componente elettronico che (idealmente) amplifica la differenza di
DettagliLaboratorio di Elettronica II. Esperienza 3. Progetto di un amplificatore con BJT
Laboratorio di Elettronica II Esperienza 3 Progetto di un amplificatore con BJT 1 Attività Progetto e verifica al simulatore di un amplificatore, date le specifiche funzionali desiderate: Progetto preliminare
DettagliI TRANSISTOR I TRANSISTORI
I TRANSISTORI Il transistor è un componente fondamentale dell elettronica (più del diodo, in quanto è un componente attivo cioè un amplificatore di corrente). Anche se non è più molto usato come componente
DettagliEsercizi sui BJT. Università degli Studi di Roma Tor Vergata Dipartimento di Ing. Elettronica corso di ELETTRONICA APPLICATA. Prof.
Università degli Studi di Roma Tor Vergata Dipartimento di ng. Elettronica corso di ELETTRONCA APPLCATA Prof. Franco GANNN Esercizi sui BJT / 1 ESERCZ SU BJT Per prima cosa, ricordiamo cosa si intende
Dettagli2 giunzioni pn, 'back to back':
Transistor ipolare a Giunzione (ipolar Junction Transistor JT; Transistor Transfer esistor) Dispositivo a 3 terminali (cfr. diodo: 2 terminali) 2 tipi: NPN, PNP 2 giunzioni pn, 'back to back': Tuttavia:
DettagliBanda passante di un amplificatore
Banda passante di un amplificatore Amplificatore ideale da 40 db con cella RC passa basso e passa alto. La cella passa basso determina la fequenza di taglio superiore fh, mentre la cella passa alto determina
DettagliDEE POLITECNICO DI BARI LABORATORIO DI ELETTRONICA APPLICATA ESERCITAZIONE 2
POLITECNICO DI BARI DEE DIPARTIMENTO ELETTROTECNICA ELETTRONICA Via E. Orabona, 4 70125 Bari (BA) Tel. 080/5460266 - Telefax 080/5460410 LABORATORIO DI ELETTRONICA APPLICATA Circuito di autopolarizzazione
DettagliESERCIZIO 1 (DE,DTE) Un transistore bipolare npn (W met = 3 µm, N Abase = 10 16, N Dcollettore = , µ n = 0.12 m 2 /Vs, µ p = 0.
DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 6 Giugno 2013 ESERCIZIO 1 (DE,DTE) Un transistore bipolare npn (W met = 3 µm, N Abase = 10 16, N Dcollettore = 2 10 15, µ n = 0.12 m 2 /Vs, µ p = 0.045 m 2 /Vs, τ n = τ p =
DettagliDE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 23 Giugno 2012
DE e DTE: PROA SCRITTA DEL 23 Giugno 2012 ESERCIZIO 1 (DE,DTE) Un transistore bipolare npn (N D emettitore = 10 16 cm 3, N A base = 10 16 cm 3, N D collettore = 10 15 cm 3, τ n = τ p = 10 6 s, µ n = 1000
DettagliIndice. 1. Fisica dei semiconduttori La giunzione pn...49
i Indice 1. Fisica dei semiconduttori...1 1.1 La carica elettrica...1 1.2 Tensione...2 1.3 Corrente...5 1.4 Legge di Ohm...6 1.5 Isolanti e conduttori...12 1.6 Semiconduttori...15 1.7 Elettroni nei semiconduttori...18
DettagliPRINCIPIO DI FUNZIONAMENTO
TRANSISTOR BJT 1 PRINCIPIO DI FUNZIONAMENTO 2 SIMBOLI CIRCUITALI 5 TRANSISTOR BJT Un transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) è concettualmente costituito da una barretta di silicio suddivisa in tre
DettagliLABORATORIO DI ELETTRONICA OGGETTO: RILIEVO DELLE CURVE CARATTERISTICHE DI USCITA DI UN TRANSISTOR BJT SCHEMA
ALUNNO: Fratto Claudio CLASSE: IV B Informatico ESERCITAZIONE N : 4 LABORATORIO DI ELETTRONICA OGGETTO: RILIEVO DELLE CURVE CARATTERISTICHE DI USCITA DI UN TRANSISTOR BJT SCHEMA DATI: R = 100Ω 1 STRUMENTI
Dettagli2 giunzioni pn, 'back to back':
Transistor ipolare a Giunzione (ipolar Junction Transistor JT; Transistor Transfer esistor) Dispositio a 3 terminali (cfr. diodo: 2 terminali) 2 tipi: NPN, PNP 2 giunzioni pn, 'back to back': Tuttaia:
DettagliDiminuzione della dimensione caratteristica dei dispositivi elettronici negli anni (dati reali ed estrapolati) G. Martines 2
G. Martines 1 Diminuzione della dimensione caratteristica dei dispositivi elettronici negli anni (dati reali ed estrapolati) G. Martines 2 Variazione della densità die circuiti di memoria Variazione della
DettagliI transistor in alta frequenza
Capitolo 16 I transistor in alta I modelli lineari per i dispositivi a due porte descritti al par. 6.4 sono astrazioni matematiche, analoghe ai teoremi di Thèvenin e Norton. Questi modelli sono stati utilizzati
Dettagli5. Amplificatori. Corso di Fondamenti di Elettronica Fausto Fantini a.a
5. Amplificatori Corso di Fondamenti di Elettronica Fausto Fantini a.a. 2010-2011 Amplificazione Amplificare un segnale significa produrre un segnale in uscita (output) con la stessa forma d onda del segnale
DettagliISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n PONTEDERA (PI) ANNO SCOLASTICO 2005/2006 CORSO SPERIMENTALE LICEO TECNICO
ISTITUTO TECNICO INDUSTRIALE STATALE "G. MARCONI" Via Milano n. 2-56025 PONTEDERA (PI) 0587 53566/55390 - Fax: 0587 57411 - : iti@marconipontedera.it - Sito WEB: www.marconipontedera.it ANNO SCOLASTICO
DettagliSchemi e caratteristiche dei principali amplificatori a BJT
Schemi e caratteristiche dei principali amplificatori a BJT Sommario argomenti trattati Schemi e caratteristiche dei principali amplificatori a BJT... 1 Amplificatore emettitore comune o EC... 1 Amplificatore
DettagliFondamenti di Elettronica, Sez.4
Fondamenti di Elettronica, Sez.4 Alessandra Flammini alessandra.flammini@unibs.it Ufficio 24 Dip. Ingegneria dell Informazione 030-3715627 Lunedì 16:30-18:30 Fondamenti di elettronica, A. Flammini, AA2018-2019
DettagliI transistor in alta frequenza
Capitolo 16 I transistor in alta frequenza I modelli lineari per i dispositivi a due porte descritti al par. 6.4 sono astrazioni matematiche, analoghe ai teoremi di Thèvenin e Norton. Questi modelli sono
DettagliCircuiti a transistor
Appendice B Circuiti a transistor B.1 Amplificatore con transistor bjt Il circuito in fig. B.1 è un esempio di amplificatore a più stadi. Si utilizza una coppia differenziale di ingresso (T 1, T 2 ) con
DettagliAmplificatori Differenziali
Amplificatori Differenziali nei simboli non si esplicitano gli alimentatori DC, cioè Normalmente i circuiti che realizzano l amplificatore differenziale e operazionale non contengono un nodo elettricamente
DettagliESERCIZIO 1. γ = 1 + D EN B W D B N E L E
ESERCIZIO 1 In un un bjt npn in cui il fattore di trasporto in base è pari a 0.9995, l efficienza di emettitore è pari a 0.99938, è noto che la tensione di breakdown per valanga ha modulo pari a BV CE0
DettagliIL TRANSISTOR. Le 3 zone di funzionamento del transistor
Nome: Fabio Castellini Quarta esperienza IL TRANSISTOR Data: 03/02/2015 Il transistor è un componente a semiconduttore molto sfruttato, grazie alle sue proprietà, nell elettronica digitale ed analogica.
DettagliRetta di carico (1) La retta dipende solo da entità esterne al diodo. Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici 1
Retta di carico (1) La retta dipende solo da entità esterne al diodo. Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Retta di carico (2) Dipende solo da entità esterne al transistor. Corso
DettagliSCACCIAZANZARE AD ULTRASUONI
Istituto Professionale di Stato per l Industria e l Artigianato MORETTO Via Apollonio n 21 BRESCIA SCACCIAZANZARE AD ULTRASUONI Gruppo di lavoro : SCARONI DAVIDE PATUZZI VALERIO Classe 5AI TIEE corso per
DettagliElettronica per le telecomunicazioni
POLITECNICO DI TORINO Elettronica per le telecomunicazioni Formulario Anno Accademico 2009/2010 Filtri Filtri del secondo ordine In generale la funzione di trasferimento è: H(s) = a 2 s 2 + a 1 s + a 0
DettagliAMPLIFICATORE DIFFERENZIALE
AMPLIFICATORE DIFFERENZIALE Per amplificatore differenziale si intende un circuito in grado di amplificare la differenza tra due segnali applicati in ingresso. Gli ingressi sono due: un primo ingresso
DettagliElettronica per le telecomunicazioni
POLITECNICO DI TORINO Elettronica per le telecomunicazioni Formulario Anno Accademico 2009/200 Filtri Filtri del primo ordine Passa basso R 2 C 2 R H(s) = R 2 H(0) = R 2 R sr 2 C 2 R f p = φ = 0 90 2πR
DettagliSimulazione SPICE di amplificatore ad emettitore comune
Università degli Studi di Bologna Seconda Facoltà di Ingegneria - Sede di Cesena C.d.L. in Ingegneria Elettronica e delle Telecomunicazioni Simulazione SPICE di amplificatore ad emettitore comune Laboratorio
DettagliCorso di ELETTRONICA II modulo. Ingegneria Clinica, Ingegneria Biomedica e Ingegneria dei Sistemi. Prof. Domenico Caputo. Esame del 19 febbraio 2009
Esame del 19 febbraio 2009 Nel circuito di figura Is è un generatore di corrente con l andamento temporale riportato nel grafico. Determinare l'evoluzione temporale della V out e disegnarne il grafico
DettagliL amplificatore Williamson
L amplificatore Williamson Nel 1947 l inglese D.T.N. Williamson propose un amplificatore audio che è da molti considerato il primo amplificatore ad alta fedeltà. Pur essendo realizzato con tubi elettronici,
Dettagli2πCR 1 [R 5 (R 3 +R 4 )+R 3 R 4 ]
/0 ESERCIZIO. - Risposta in frequenza A. O. ideale) R 2 v s) = v s s) +v u s) +R 2 +R 2 Eguagliando v + s) = v s)): segue f z = R 2 v s s) +v u s) = v u s) +R 2 +R 2 v u s) R 3 + [ v u s) Af) = A 0 Cs
DettagliParametri quadripolari e modelli circuitali equivalenti
G. Martines 1 G. Martines 3 G. Martines 4 Parametri quadripolari e modelli circuitali equivalenti segnale + V 1 I 1 Lineare Tempo invariante Senza generatori indipendenti I 2 + V 2 carico G. Martines
Dettagli