Elettronica dello Stato Solido Lezione 9: Moto di un elettrone in. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
|
|
- Gianpaolo Lamberti
- 4 anni fa
- Visualizzazioni
Transcript
1 Elettronica dello Stato Solido Lezione 9: Moto di un elettrone in un cristallo Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
2 Outline Modello di moto semiclassico Massa efficace Approssimazione parabolica Concetto di lacuna Tempo di rilassamento del momento Mobilità Conclusioni D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09
3 Introduzione Il teorema di Bloch descrive gli stati dell elettrone, in termini di autofunzioni, energia e relazione di dispersione Rimane da capire: Come descrivere il moto degli elettroni Come descrivere l occupazione degli stati nelle bande Riguardo al moto, abbiamo già notato nel caso dell elettrone libero che il giusto approccio per la descrizione di una particella sia non il singolo stato stazionario, ma il pacchetto d onda D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 3
4 Modello semiclassico Velocità del pacchetto/particella: velocità di gruppo: 1 de vg = ħ d de de = F dx = Fvg dt de d F de d = ħ = F d dt ħ d dt Effetto di una forza F: È l analogo della legge di Newton classica dp/dt = F, dove p (momento della particella) viene sostituito da ħ (momento del cristallo) D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 4
5 Descrizione del moto (F = cost) E F t 0 4β = + ħ -π/a v g 1 = ħ de d +π/a D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 5
6 Massa efficace Posso esprimere classicamente la variazione del momento cristallino d/dt in termini della velocità spaziale v g? dvg 1 d de 1 d E d 1 d E = = = dt ħ dt d ħ d dt ħ d F dv 1 g 1 d E F = m* m* = E quindi: dt dove ħ Siamo autorizzati a trattare l elettrone come una particella classica, dove tutta l interazione con il potenziale cristallino risiede nella massa efficace m*=m 0 d D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 6
7 Energia, velocità e massa efficace E 4β E 4β v g 1 = ħ de d v g 1 = ħ de d m = ħ d E d m = ħ d E d D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 7
8 Massimi e minimi di energia E 4β E 4β v g 1 = ħ de d v g 1 = ħ de d m = ħ d E d m = ħ d E d D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 8
9 Approssimazione parabolica La massa efficace è in generale funzione dell energia Tuttavia, stando sufficientemente prossimi al minimo dell energia (dove gli elettroni normalmente stanno), la banda si può ragionevolmente approssimare ad una parabola massa efficace costante Analogamente, il massimo dell energia (importante per il moto di elettroni di valenza o lacune) può essere approssimato parabolicamente con massa efficace costante D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 9
10 Popolamento delle bande (T = 0 K) n= E Banda di conduzione -π/a +π/a n=1 Banda di valenza N elettroni nella banda n=1, 0 elettroni nella banda n= tipico di semiconduttori D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 10
11 Calcolo della corrente: T = 0 K n= E I q = vi = 0 L i, pieni -π/a +π/a n=1 I q 1 = vi = 0 L i, pieni Banda piena: per ogni +v i, esiste una v i che ne compensa gli effetti sulla corrente D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 11
12 Corrente di banda piena Una banda completamente piena non può condurre corrente elettrica: + π / a q de q el i = = π / a i, tutti ħ d ħ π / a I q v d E + π / a [ ] 0 E neppure termica (corrente di calore): + π / a q de q + π / a I = th q Eivi E d = ħ ħ E d π / a i, tutti π / a 0 D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 1
13 n= Corrente a T > 0 K E I q = vi L i, pieni -π/a +π/a n=1 I 1 q = vi L i, pieni Eccitazione termica sposta elettroni da banda 1 a banda generazione termica D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 13
14 n= Effetto del campo elettrico E d dt F = ħ I q = vi L i, pieni -π/a +π/a n=1 I 1 q = vi L i, pieni A causa dello shift degli stati popolati, ci sono stati con v i non più compensate I 1, 0 D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 14
15 n= Velocità coerenti E I q = vi L i, pieni -π/a +π/a n=1 I 1 q = vi L i, pieni Sebbene m* 1 < 0, gli elettroni in banda 1 che contribuiscono alla corrente hanno velocità > 0 D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 15
16 Quasi-particelle con carica positiva n= E I q = vi L i, pieni -π/a +π/a n=1 q q q I1 = v = + v v = + v L L L 0 i i i i i, pieni i, tutti i, pieni i, vuoti D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 16
17 Il concetto di lacuna Dovremmo considerare una banda quasi piena di elettroni con Carica negativa Massa (efficace) negativa Invece consideriamo una banda quasi vuota di particelle fittizie (lacune o buche) con: Carica positiva Massa (efficace) positiva Il moto collettivo degli elettroni di valenza si spiega agevolmente introducendo questa particella fittizia, analogamente al moto di bolle in un liquido D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 17
18 Corrente in banda di conduzione La densità di corrente è data da j=-qnv, con q = carica dell elettrone, n = densità di elettroni in banda di conduzione, v = velocità media degli elettroni F Approssimazione semiclassica: = 0 + t ħ la velocità avrebbe un andamento oscillante. Ad esempio nella banda di tight binding: β E( ) = E cos a 0 1 de βa βa ( ) = = sin = sin F v a 0 + t ħ ħ ħ a d ħ D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 18
19 Oscillazioni di Bloch E -π/a +π/a Un pacchetto in una banda si muove di moto uniforme nello spazio e di moto oscillatorio nello spazio reale oscillazioni di Bloch Il pacchetto è distrutto da dispersione e scattering non è osservabile per tempi lunghi D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 19
20 Tempo di rilassamento del momento Le oscillazioni di Bloch non vengono normalmente osservate in metalli/semiconduttori: perché? Il moto dell elettrone è disturbato da scattering, cioè urti con impurezze (droganti, difetti di punto) e vibrazioni reticolari (fononi) Il modello normalmente adottato è di un elettrone che azzera il suo momento ogni volta che incorre in una collisione introduciamo il tempo di rilassamento del momento τ m s D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 0
21 Libero cammino medio Libero cammino medio (mean free path) λ = vτ m Stima di λ: velocità di agitazione termica degli elettroni v th : 1 * 3 3T 5 1 mev th = T vth = 10 ms * me Quindi λ = v th τ m = 10 5 *10-14 m = 1 nm In generale l elettrone vola attraverso parecchi siti atomici prima di scatterare D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 1
22 Modello di Drude Lo scattering è trattato come una resistenza al moto della particella, come un proiettile in un fluido viscoso (e.g. acqua o aria). Il medio soddisfa: d qf + = dt τ m ħ Con campo costante, dopo un primo transitorio che dura τ m s, raggiunge un valore asintotico dato da: qfτ m ħ qτ = ve = = F ħ m m e m e τ m D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 t
23 Mobilità di elettrone e di lacuna Si può ripetere il discorso per la lacuna, ottenendo una velocità: ħ qτ m vh = = F mh mh Definizione di mobilità: ve qτ m µ n = = F m vh qτ m µ p = = F mh Tipici valori nei semiconduttori µ n,p = cm V -1 s -1 (dipende dal materiale, drogaggio, temperatura) e D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 3
24 Resistività ρ Definita come ρ = F/j = (nqµ n ) -1 per conduzione da soli elettroni (e.g. metalli) Tipica resistività in metalli ρ = 10 µwcm Infatti assumendo n = 3x10 1 cm -3, q = 1.6 x C e µ n = qτ m /m* e con τ m = s e m* e = m 0 = 9.1 x g si ottiene: 1 m h 7 = = = 10 Ω qnµ n q nτ m ( ) * 3 10 * 10 m D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 4
25 Conclusioni L effetto dell applicazione di una forza ad una particella nel reticolo si può descrivere come uno spostamento nello spazio (approssimazione semiclassica) e una resistenza viscosa dovuta allo scattering e descritta da un tempo di rilassamento del momento τ m Bande completamente piene/vuote non conducono Una banda quasi piena (e.g. valenza) può essere trattata come banda quasi vuota di portatori di carica positiva (lacune) Introduzione di nuovi concetti: mobilità, resistività D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 09 5
Elettronica dello Stato Solido Lezione 9: Moto di un elettrone in un cristallo. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 9: Moto di un elettrone in un cristallo Daniele Ielini DEI Politecnico di Milano ielini@elet.polii.it D. Ielini Elettronica dello Stato Solido 09 Outline Modello
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 13: Trasporto elettrico nei. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 13: Trasporto elettrico nei semiconduttori Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it Outline Introduzione Diagramma a bande Corrente di drift
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 10: Strutture a bande in. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 10: Strutture a bande in due e tre dimensioni Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it Outline Il reticolo reciproco Zone di Brillouin in
DettagliIl semiconduttore è irradiato con fotoni a λ=620 nm, che vengono assorbiti in un processo a due particelle (elettroni e fotoni).
Fotogenerazione -1 Si consideri un semiconduttore con banda di valenza (BV) e banda di conduzione (BC) date da E v =-A k 2 E c =E g +B k 2 Con A =10-19 ev m 2, B=5, Eg=1 ev. Il semiconduttore è irradiato
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 13: Trasporto elettrico nei semiconduttori. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 13: Trasporto elettrico nei semiconduttori Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 13 2 Outline
DettagliDispositivi e Tecnologie Elettroniche. Trasporto nei semiconduttori
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Trasporto nei semiconduttori Trasporto di carica I portatori liberi nel materiale vengono accelerati dalla presenza di un campo elettrico E La presenza di cariche
DettagliConducibilità elettrica nei metalli, teoria classica di Drude
Conducibilità elettrica nei metalli, teoria classica di Drude Gli elettroni in un metallo sono particelle classiche, libere di muoversi Sotto un campo elettrico E, gli elettroni sono accelerati da una
DettagliScritto Appello IV, Materia Condensata. AA 2017/2018
Scritto Appello IV, Materia Condensata AA 017/018 17/07/018 1 Esercizio 1 Un metallo monovalente cristallizza nella struttura cubica a corpo centrato La densità degli elettroni del metallo è n el = 65
DettagliI PORTATORI e la CORRENTE nei DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI. Fondamenti di Elettronica
I PORTATORI e la CORRENTE nei DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI 1 Come si può variare la concentrazione di n e/o di p? NON aggiungendo elettroni dall esterno perché il cristallo si caricherebbe ed assumerebbe
DettagliT08: Dispositivi elettronici (3.3.1)
T08: Dispositivi elettronici (3.3.1) Sommario Richiami sui semiconduttori conduttori, isolanti e semiconduttori bande di energia droganti nei semiconduttori corrente di deriva e diffusione Funzionamento
DettagliDispositivi elettronici
Dispositivi elettronici Sommario Richiami sui semiconduttori conduttori, isolanti e semiconduttori bande di energia droganti nei semiconduttori corrente di deriva e diffusione Funzionamento della giunzione
DettagliFormazione delle bande di energia. Fisica Dispositivi Elettronici CdL Informatica A.A. 2003/4
Formazione delle bande di energia Calcolo formale: Equazione di Schröedinger L equazione di Schröedinger è una relazione matematica che descrive il comportamento ondulatorio di una particella (elettrone)
DettagliScritto Appello III, Materia Condensata. AA 2017/2018
Scritto Appello III, Materia Condensata. AA 2017/2018 21/06/2018 1 Esercizio 1 Sia un A un solido monoatomico che cristallizza in una struttura cubica a facce centrate con lato del cubo a e velocità del
DettagliXIV Indice ISBN
Indice 1 Struttura della materia.................................... 1 1.1 Stati di aggregazione.................................... 1 1.2 Struttura atomistica.................................... 2 1.2.1
DettagliTesto di riferimento: Millman-Grabel MICROELECTRONICS McGraw Hill Cap. 1: 1,2,3,4 Cap. 2: 1,2,3,4,6,7,8,(9,10). Cap. 3: 1,2,4,5,6,8,9,10.
Esperimentazioni di Fisica 3 AA 20122013 Semiconduttori Conduzione nei semiconduttori Semiconduttori intrinseci ed estrinseci (drogati) La giunzione pn Il diodo a semiconduttore Semplici circuiti con diodi
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 10: Strutture a bande in due e tre dimensioni
Elettronica dello Stato Solido Lezione 10: Strutture a bande in due e tre dimensioni Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 10 2 Outline
Dettagli4πε. h m. Eq. di Schrödinger per un atomo di idrogeno:
Eq. di Schrödinger per un atomo di idrogeno: h m e 1 ψ 4πε r 0 ( r) = Eψ ( r) Questa equazione è esattamente risolubile ed il risultato sono degli orbitali di energia definita E n = m e 1 α 1 1 e mc n
DettagliI metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni.
I metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni. PLS 2016/17 Prof. Daniela Cavalcoli Dip di Fisica e Astronomia Università di Bologna Daniela.Cavalcoli@unibo.it outline I solidi
DettagliElementi di fisica dello stato solido
Elementi di fisica dello stato solido Perché alcuni materiali sono buoni conduttori di elettroni ed altri no? Quali sono i meccanismi con cui la corrente fluisce nei solidi? Perché nei semiconduttori la
DettagliI metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni.
I metalli e i semiconduttori, le proprietà elettriche. Le applicazioni. PLS 2018/19 Prof. Beatrice Fraboni Dip di Fisica e Astronomia Università di Bologna beatrice.fraboni@unibo.it outline I solidi cristallini
DettagliTrasporto in Semiconduttori e Metalli - Esercizi con soluzioni
Trasporto in Semiconduttori e Metalli - Esercizi con soluzioni Fisica della Materia Condensata Dipartimento di Matematica e Fisica Università degli Studi Roma Tre A.A. 2016/2017 Trasporto in Semiconduttori
DettagliElettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 3: Teoria a bande e statistica di portatori
Elettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 3: Teoria a bande e statistica di portatori Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it D. Ielmini Elettronica dello Stato
DettagliEsempi di struttura a bande: un isolante ionico, LIF
Esempi di struttura a bande: un isolante ionico, LIF In figura, la struttura a bande di un isolante con un grosso gap (LiF, un materiale fortemente ionico), calcolata con due diversi metodi. Le 5 bande
DettagliScritto Appello II, Materia Condensata. AA 2017/2018
Scritto Appello II, Materia Condensata. AA 017/018 19/0/018 Coloro che hanno superato il primo esonero dovranno svolgere gli esercizi 3 e 4 in un tempo massimo di due ore (il punteggio sarà riportato in
DettagliMateriale Energy Gap
Semiconduttori Materiale diamante silicio germanio Energy Gap 5,3 ev 1,1 ev 0,7 ev 21 Semiconduttori Quando un elettrone, portatore di carica negativa, è promosso da banda di valenza a banda di conduzione,
DettagliMODELLI DI DRUDE E DI SOMMERFELD
MODELLI DI DRUDE E DI SOMMERFELD BANDE PIENE E SEMIPIENE In base al principio di Pauli non possono esistere in uno stesso sistema due elettroni con tutti i numeri quantici uguali. Poiché una banda può
DettagliDrogaggio dei semiconduttori
Drogaggio dei semiconduttori Tutti i cristalli presentano un certo numero di difetti, che possono essere puntuali (localizzati) o estesi. In figura, i principali difetti puntuali. Il drogaggio è l introduzione
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 11: Statistica dei portatori. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 11: Statistica dei portatori Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it Outline Densità di portatori in Metalli Semiconduttori/isolanti Densità
Dettagli(2) cubico a facce centrate (3) esagonale compatto
IL LEGAME METALLICO La maggior parte dei metalli cristallizza in strutture a massimo impacchettamento, ovvero in solidi in cui si può considerare che gli ioni metallici che occupano le posizioni reticolari,
Dettaglibande di energia in un conduttore La banda di energia più alta è parzialmente vuota! livello di Fermi Overlap di bande di energia in un conduttore
g(e) va a zero sia al bordo inferiore che a quello superiore della banda bande di energia in un conduttore La banda di energia più alta è parzialmente vuota! livello di Fermi Overlap di bande di energia
DettagliTrasporto dei portatori
Trasporto dei portatori all equilibrio termico gli elettroni in banda di conduzione (le lacune in banda di valenza) si muovono per agitazione termica 3 energia termica = (k costante di Boltzmann) 2 kt
DettagliLa conducibilità elettrica del semiconduttore
Viene presentata una classificazione dei materiali allo stato solido in riferimento alla conducibilità elettrica, che ne misura la attitudine a condurre corrente elettrica. Sulla base di questa classificazione
DettagliCorso di Elettronica Industriale (CdL in Ingegneria Meccatronica, sede di Mantova) Semiconduttori intrinseci e drogati
Corso di Elettronica Industriale (CdL in Ingegneria Meccatronica, sede di Mantova) Isolanti, conduttori e semiconduttori In un solido si può avere conduzione di carica elettrica (quindi passaggio di corrente)
DettagliEsame di Stato 2006 tema n. 2 1 M.Vincoli
Esame di Stato 6 tema n. 1 M.Vincoli 1. L effetto Joule consiste nella dissipazione termica di energia a seguito del passaggio di corrente in un elemento resistivo. Supponiamo di avere un circuito costituito
DettagliFacoltà di Anno Accademico 2018/19 Registro lezioni del docente COLOMBO LUCIANO
Attività didattica Facoltà di Anno Accademico 2018/19 Registro lezioni del docente COLOMBO LUCIANO FISICA DEI SEMICONDUTTORI [IN/0027] Partizionamento: Periodo di svolgimento: Docente titolare del corso:
DettagliFigura 3.1: Semiconduttori.
Capitolo 3 Semiconduttori Con il termine semiconduttori si indicano alcuni elementi delle colonne III, IV e V della tavola periodica, caratterizzati da una resistività elettrica ρ intermedia tra quella
Dettagliil diodo a giunzione transistori ad effetto di campo (FETs) il transistore bipolare (BJT)
Contenuti del corso Parte I: Introduzione e concetti fondamentali richiami di teoria dei circuiti la simulazione circuitale con SPICE elementi di Elettronica dello stato solido Parte II: Dispositivi Elettronici
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 11: Statistica dei portatori. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 11: Statistica dei portatori Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it Outline Densità di portatori in Metalli Semiconduttori/isolanti Densità
DettagliDispositivi e Tecnologie Elettroniche. Esercitazione Proprietà di trasporto nei semiconduttori
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Esercitazione Proprietà di trasporto nei semiconduttori Esercizio 1: testo Si consideri un campione di Si uniformemente drogato tipo n con una concentrazione N D =
DettagliElettronica II La giunzione p-n: calcolo del potenziale di giunzione p. 2
Elettronica II La giunzione pn: calcolo del potenziale di giunzione Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema email: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/
DettagliLegame metallico. Metalli
LEGAME METALLICO Un metallo può essere descritto come un reticolo di ioni positivi (nucleo più elettroni di core) immersi in una nube di elettroni di valenza mobili (delocalizzati) attorno ai cationi.
DettagliCenni sulla teoria dell orbitale molecolare
Cenni sulla teoria dell orbitale molecolare Legame chimico: teoria dell orbitale molecolare (MO) La formazione della molecola genera ORBITALI MOLECOLARI che derivano dalla combinazione degli ORBITALI ATOMICI.
DettagliFononi e calori reticolari - Testi degli esercizi. Fisica della Materia Condensata
Fononi e calori reticolari - Testi degli esercizi Fisica della Materia Condensata A.A. 015/016 Fononi e calori reticolari Esercizio 1 Si consideri una catena lineare biatomica. Calcolare le relazioni di
DettagliFononi e calori reticolari - Soluzioni degli esercizi
Fononi e calori reticolari - Soluzioni degli esercizi Fisica della Materia Condensata Dipartimento di Matematica e Fisica Università degli Studi Roma Tre A.A. 2016/2017 Fononi e calori reticolari Esercizio
DettagliDispositivi Elettronici. Proprietà elettriche dei materiali
Dispositivi Elettronici Proprietà elettriche dei materiali Proprietà elettriche I materiali vengono classificati in: isolanti o dielettrici (quarzo o SiO 2, ceramiche, materiali polimerici) conduttori
DettagliFisica della Materia Condensata
Fisica della Materia Condensata Prof. Paola Gallo Soluzioni della prova di esame del II appello - 13 Febbraio 2017 Esercizio 1 Considerare un cristallo con reticolo monoclino semplice con base monoatomica.
DettagliProf.ssa Silvia Martini. L.S. Francesco D Assisi
Prof.ssa Silvia Martini L.S. Francesco D Assisi Modello atomico Bande di energia in un cristallo Le sostanze solide possono essere suddivise in tre categorie: isolanti, conduttori e semiconduttori. I livelli
DettagliSemiconduttori. Bande di energia. Un cristallo è formato da atomi disposti in modo da costituire una struttura periodica regolare
Semiconduttori Bande di energia Un cristallo è formato da atomi disposti in modo da costituire una struttura periodica regolare Quando gli atomi formano un cristallo, il moto degli elettroni dello strato
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 12: Concentrazione di. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
lettronica dello Stato Solido Lezione 1: Concentrazione di portatori all equilibrio Daniele Ielmini DI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it Outline Introduzione Concentrazione di portatori nei
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 7: Particelle confinate. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 7: Particelle confinate Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it Outline Buca a pareti infinite Buca a pareti finite Oscillatore armonico
DettagliElettronica II Grandezze elettriche microscopiche (parte 1) p. 2
Elettronica II Grandezze elettriche microscopiche (parte 1) Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/
DettagliS.I.C.S.I. Scuola Interuniversitaria Campana di Specializzazione all Insegnamento VIII ciclo - a.a. 2008/2009
S.I.C.S.I. Scuola Interuniversitaria Campana di Specializzazione all Insegnamento VIII ciclo - a.a. 2008/2009 Conduzione elettrica nei metalli (conduttori e semiconduttori) Corso di Laboratorio di Didattica
DettagliLa fisica dei semiconduttori
La fisica dei semiconduttori Ricerca ed organizzazione appunti: Prof. ing. Angelo Bisceglia Proprietà dei semiconduttori Proprietà dei semiconduttori - Conducibilità Proprietà dei semiconduttori - Elettroni
DettagliEsercizio U4.1 - Diffusione gassosa
Esercizio U4.1 - Diffusione gassosa Si effettua una diffusione di fosforo della durata di 4 ore alla temperatura di 1 C entro un substrato di tipo p, drogato con boro con densità 2 1 15 cm 3. La concentrazione
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 7: Particelle confinate. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 7: Particelle confinate Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 07 Outline Buca a pareti infinite
DettagliElettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 2: Stati non stazionari e teoria a
Elettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 2: Stati non stazionari e teoria a bande Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it Outline Pacchetto d onde piane Matrice
DettagliScritto Appello I, Materia Condensata. AA 2017/2018 (5/02/2018)
Scritto Appello I, Materia Condensata. AA 017/018 5/0/018) Coloro che hanno superato il primo esonero dovranno svolgere gli esercizi 3 e 4 in un tempo massimo di due ore il punteggio sarà riportato in
DettagliMoto degli elettroni T ~ 0 0 K E F. exp 1 kt 1.7 2/ 3
Moto degli elettroni Necessaria la meccanica quantistica Potenziale medio in cui si muovono gli elettroni + principio di esclusione di Pauli Energia di Fermi E F : energie elettroni tra E min ed E F (E
DettagliFononi e calori reticolari - Testi degli esercizi
Fononi e calori reticolari - Testi degli esercizi Fisica della Materia Condensata Dipartimento di Matematica e Fisica Università degli Studi Roma Tre A.A. 2016/2017 Fononi e calori reticolari Esercizio
DettagliElettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 4: Statistica di portatori
Elettronica dello Stato Solido Esercitazione di Laboratorio 4: Statistica di portatori Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it 2 Outline Struttura a bande: Si Ge GaAs Concentrazione
DettagliIntroduzione al corso di Fisica dei Semiconduttori
Introduzione al corso di Fisica dei Semiconduttori Mara Bruzzi 8 settembre 016 1 a lezione : dualismo onda-corpuscolo a.l ipotesi di Planck e il corpo nero b.effetto Fotoelettrico c. Primi modelli atomici
DettagliRaccolta Esami Scritti - Testi con soluzioni
Raccolta Esami Scritti - Testi con soluzioni Fisica della Materia Condensata Dipartimento di Matematica e Fisica Università degli Studi Roma Tre A.A. 2016/2017 Raccolta Esami Scritti - Testi con soluzioni
Dettaglitra le due facce del campione perpendicolari all asse y. Il campo elettrico E H
EFFETTO HALL Mario Gervasio, Marisa Michelini, Lorenzo Santi Unità di Ricerca in Didattica della Fisica, Università di Udine Obiettivi: Misurare il coefficiente di Hall su campioni metallici ed a semiconduttore.
DettagliTemperatura ed Energia Cinetica (1)
Temperatura ed Energia Cinetica (1) La temperatura di un corpo è legata alla energia cinetica media dei suoi componenti. Per un gas perfetto si ha: Ek = ½ me vm2 ; Ek = 3/2 kt ; k = costante di Boltzmann
DettagliEsame di stato 2014_2 2 M.Vincoli
Esame di stato 0_ M.Vincoli . Per semplificare i calcoli, evitando altresì di introdurre immediatamente grandezze numeriche, è utile adottare una notazione semplificatrice, per cui poniamo:, 0 0,,0 0,60
Dettaglibande di energia in un conduttore La banda di energia più alta è parzialmente vuota livello di Fermi
g(e) va a zero sia al bordo inferiore che a quello superiore della banda bande di energia in un conduttore La banda di energia più alta è parzialente vuota livello di Feri Overlap di bande di energia in
DettagliCAMERE A IONIZZAZIONE A STATO SOLIDO
CAMERE A IONIZZAZIONE A STATO SOLIDO Di principio, degli elettrodi depositati su un cristallo isolante consentono di realizzare un contatore a ionizzazione. Rispetto al gas: Piu denso piu sottile (300
DettagliGrandezza fondamentale nel SI, per ragioni di maggior facilita' a mantenere uno standard accurato e stabile rispetto alla carica
Moto di cariche: situazione non statica Richiede la presenza di campi elettrici, portatori ~ liberi ede: conduttori, elettroliti, semiconduttori, gas/liquidi ionizzati, vuoto Enfasi su conduttori Es. tipico:
DettagliMinistero dell Istruzione, dell Università e della Ricerca
Pag. / Sessione ordinaria 014 Seconda prova scritta Ministero dell Istruzione, dell Università e della icerca BST ESAME DI STATO DI LICEO SCIENTIFICO COSI SPEIMENTALI Tema di: FISICA Secondo tema Nel circuito
DettagliProprietà Elettroniche del Silicio
Proprietà Elettroniche del Silicio Il Silicio (Si) è un materiale semiconduttore. Il silicio puro ha una resistività elettrica relativamente elevata a temperature ambiente (RT). In un semiconduttore vi
Dettagli5.4 Larghezza naturale di una riga
5.4 Larghezza naturale di una riga Un modello classico più soddisfacente del processo di emissione è il seguente. Si considera una carica elettrica puntiforme in moto armonico di pulsazione ω 0 ; la carica,
Dettagli03. Le oscillazioni meccaniche. 03 d. I fononi
03. 03 d. I fononi 03. Contenuti : le oscillazioni di un cristallo, la relazione di dispersione, la frequenza di ebye, l energia del fonone. slide#3 Peter ebye Olanda, 1884 1966 Leon Brillouin Francia,
DettagliElettroni negli Atomi
Elettroni negli Atomi Solo alcune orbite sono stabili In realtànon sonoorbitema FUNZIONI D ONDA Ψ Ψ 2 è la DENSITA di probabilità di trovare l elettrone in una certa posizione rispetto al nucleo Le varie
DettagliDinamica dei Fluidi. Moto stazionario
FLUIDODINAMICA 1 Dinamica dei Fluidi Studia il moto delle particelle di fluido* sotto l azione di tre tipi di forze: Forze di superficie: forze esercitate attraverso una superficie (pressione) Forze di
DettagliDIFFUSIONE ALLO STATO SOLIDO
DIFFUSIONE ALLO STATO SOLIDO I a legge di Fick: relazione più semplice tra causa ed effetto. L effetto è proporzionale alla causa che lo ha generato; matematicamente: C A J = D z La costante di proporzionalità
DettagliSommario. Come funziona il Diodo? Giunzione PN a circuito aperto Giunzione PN: polarizzazione diretta Giunzione PN: polarizzazione inversa
l Diodo Sommario Cos è il Diodo? Concetti di base sulla fisica dei Semiconduttori Silicio ntrinseco Corrente di Deriva e Corrente di Diffusione Silicio Drogato P o N Giunzione PN Come funziona il Diodo?
DettagliConduttori Semiconduttori Isolanti cm 3. Diamante = = 0.14
30 48 IIB Zn IIIA IVA VA VIA 5 6 7 8 B C N O Boro Carbonio Azoto Ossigeno 13 14 15 16 Alluminio Silicio Fosforo Zolfo 31 32 33 34 Zinco Gallio Germanio Arsenico Selenio Cd Al Si P S Ga Ge As Se 49 50 51
DettagliValori numerici dei parametri di collisione
Valori numerici dei parametri di collisione Nella Lezione 9 si è mostrato che in un plasma le collisioni a grande angolo sono prevalentemente il risultato di collisioni multiple a piccolo angolo. Dato
DettagliCavo Carbonio. Sergio Rubio Carles Paul Albert Monte
Cavo o Sergio Rubio Carles Paul Albert Monte o, Rame e Manganina PROPRIETÀ FISICHE PROPRIETÀ DEL CARBONIO Proprietà fisiche del o o Coefficiente di Temperatura α o -0,0005 ºC -1 o Densità D o 2260 kg/m
DettagliCONDUTTORI E SEMICONDUTTORI INTRINSECI 1
asdf CONDUTTORI E SEMICONDUTTORI INTRINSECI 23 October 2011 Considerazioni iniziali Consideriamo un filo di rame ed una batteria collegata alle sue estremità come in figura: Si applica al filo una differenza
DettagliRegione di svuotamento: effetti polarizzazione
Regione di svuotamento: effetti polarizzazione L applicazione di una tensione modifica il potenziale interno. Assumendo che tutta la tensione risulti applicata alla regione di svuotamento basta sostituire
DettagliProva scritta di Materia Condensata del 5 Luglio 2011
Proa scritta di Materia Condensata del Luglio 011 Prof. Paolo Calani Prof. Mario Capizzi Esercizio 1 Si assuma che un cristallo di litio metallico enga cresciuto mescolando in uguali proporzioni i due
Dettaglil evoluzione dell elettronica
1904 tubo a vuoto 1968 circuito integrato l evoluzione dell elettronica 1980 integrati VLSI 1947 transistor oggi integrati ULSI 1971 microprocessore diodi transistor tecnologie costruttive grafici, tabelle,
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 8: Teoria delle bande. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 8: Teoria delle bande Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 08 Outline Teorema di Bloch Modello
Dettagliconduttori isolanti semiconduttori In un metallo la banda più esterna che contiene elettroni è detta banda di valenza
Un solido sarà conduttore solo se la banda è parzialmente occupata. Se invece la banda è completamente occupata si possono avere due casi: se la banda successiva è molto alta in energia il solido è un
DettagliCondensatore. Un coppia di conduttori carichi a due potenziali diversi con cariche opposte costituisce un condensatore
Condensatore Un coppia di conduttori carichi a due potenziali diversi con cariche opposte costituisce un condensatore +Q Q V o semplicemente V Un condensatore è caratterizzato da una capacità C che dipende
DettagliElettronica II La giunzione p-n: calcolo della relazione tensione-corrente p. 2
Elettronica II La giunzione p-n: calcolo della relazione tensione-corrente Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it
DettagliRelazione di Fisica Generale II. La corrente elettrica e i circuiti elementari. Antonella Sara Montella Stefano Tagliaferri Angela Vagnetti
Relazione di Fisica Generale II La corrente elettrica e i circuiti elementari Antonella Sara Montella Stefano Tagliaferri Angela Vagnetti Teoria delle bande All interno di un metallo gli elettroni possono
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 8: Teoria delle bande. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 8: Teoria delle bande Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it Outline Teorema di Bloch Modello di Kronig-Penney Bande di energia Condizioni
DettagliEsempi di Circuiti P10-
Esempi di Circuiti P10-5 Circuits Electrical circuit: continuous conducting path from one terminal of the emf source to one or more devices and then back to the other terminal. Current in metal: microscopic
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 11: Statistica dei portatori. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 11: Statistica dei portatori Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 11 2 Outline Densità di portatori
DettagliCENNI SULLA TEORIA DEGLI ORBITALI MOLECOLARI
CENNI SULLA TEORIA DEGLI ORBITALI MOLECOLARI Gli orbitali molecolari si ottengono dalla combinazione lineare degli orbitali atomici. Il numero di orbitali molecolari è pari al numero degli orbitali atomici
DettagliDistribuzione di densità
Distribuzione di densità Distribuzione di densità in presenza di forze conservative. A F dx A La forza conservativa esterna agisce su ciascuno degli N componenti del gas all interno del volume Adx. La
Dettagli3. Determinare la velocità media nell intervallo [0.5 s; 1.0 s] e confrontarla con la velocità istantanea nel punto medio di tale intervallo;
Esercizio Una particella si muove lungo una retta seguendo la legge oraria con u 3 m/s e 4 s.. Determinare in quali istanti la particella si trova nell origine;. Disegnare la legge oraria; x(t) u t ( sin
Dettagli