Tecnologie HW per TLC

Dimensione: px
Iniziare la visualizzazioe della pagina:

Download "Tecnologie HW per TLC"

Transcript

1 Tecnologie HW per TLC Circuiti a Microonde (I Lezione) Docente: Macchiarella Giuseppe Politecnico di Milano macchiar@elet.polimi.it G. Macchiarella

2 Parametri Concentrati e Distribuiti Quando le dimensioni fisiche dei componenti di un circuito sono molto inferiori della lunghezza d onda (alla frequenza di funzionamento), il circuito si dice a parametri concentrati; in questo caso le dimensioni fisiche dei componenti non influenzano il funzionamento del circuito. Quando le dimensioni fisiche dei componenti diventano comparabili con la lunghezza d onda il circuito é detto a parametri distribuiti; in questo caso é necessario ricorrere alle leggi dell elettromagnetismo per studiare il comportamento del circuito. Il componente fondamentale dei circuiti a parametri distribuiti é la linea di trasmissione; é costituita da una struttura fisica in cui una dimensione (convenzionalmente indicata con z) risulta molto maggiore delle altre. Se sono verificate opportune condizioni, é possibile trasmettere energia elettromagnetica lungo la suddetta dimensione (propagazione guidata)

3 Linee di Trasmissione: Propagazione per onde v + (z) Rappresentazione schematica di una linea di trasmissione z Definizione matematica dell onda di tensione che si propaga verso la z crescente: ω 0 v ( z) = ( V e ) e + j t γ z 0 L onda é un fasore (cioé un vettore rotante) sia nel tempo (termine tra parentesi) che lungo la direzione z (secondo termine).

4 Significato della costante di propagazione γ Posto γ=α+jβ, si ha: ( ) 0 v ( z) = V e e e + jω t α z jβ z Costante di attenuazione α: Indica la rapiditá con cui si riduce l ampiezza dell onda che si propaga. Si misura in Neper/m o in db/m (1Np = db) Costante di fase β: Indica la rapiditá con cui cambia la fase lungo la coordinata z (per t=cost). E legata alla lunghezza d onda e alla pulsazione dalla relazione β=2π/λ 0 =ω/ν (ν rappresenta la velocitá di propagazione che dipende dal mezzo che riempe la linea). β si misura in rad/sec.

5 Parametri primari della linea Sezione z L z R z C z G z Gli elementi R, L, C, G, sono detti parametri primari della linea di trasmissione. Dipendono dalla struttura fisica della linea e dal mezzo che la riempe. Utilizzando i parametri primari si possono ricavare le equazioni che governano la propagazione sulla linea (si impongono le equazioni di Kircoff alla maglia e al nodo sul tratto di lunghezza infinitesima e si integra)

6 Parametri secondari Impedenza Caratteristica (Z c ): é l impedenza che si vede all ingresso di una linea di lunghezza infinita (é presente solo l onda che si propaga verso le z crescenti) Costante propagazione γ=α+jβ Formule di calcolo in funzione dei parametri primari: L 1 R 1 Zc =, α= + G Zc, β = ω L C C 2Z 2 c Queste relazioni sono valide per ω>> R/L, G/C; tali condizioni sono in pratica sempre verificate se la frequenza operativa è superiore a qualche decina di MHz.

7 Tensioni e correnti sulla linea I(z) V(z) v + (z) v - (z) + jβz - Vz () = v () z+ v () z= V0e + V0e Z L + - V0 jβz V0 Iz () = i () z+ i () z= e e Z Z z + + jβz + + jβz c c v +, i + : Onde Incidenti v -, i - : Onde Riflesse L onda riflessa di tensione ha lo stesso segno dell onda incidente; l onda riflessa di corrente ha segno opposto rispetto a quella incidente. Entrambe sono legate tramite l impedenza caratteristica della linea Le onde riflesse si generano quando si introduce una disuniformitá nella struttura fisica della linea (nel caso rappresentato é il carico). Per annullare l onda riflessa bisogna che Z L sia uguale a Z C.

8 Coefficiente di riflessione Onda Riflessa V e V Γ ( z) = = = e =Γ e Onda Incidente V e V + jβ z jβ z j2β z + j2β z 0 Propietá di Γ(z): Il modulo non dipende da z (é costante lungo la linea) La fase presenta, al variare di z, una periodicitá di λ/2 Il modulo é sempre minore di 1 quando il carico é passivo (la potenza riflessa non puó superare quella incidente).

9 Linea di trasmissione disadattata Quando la linea non é chiusa su una impedenza di carico pari alla sua impedenza caratteristica si genera un onda riflessa La presenza di un onda riflessa determina due effetti dannosi: Perdita di una parte della potenza trasferibile al carico Distorsione del segnale (è dovuta al sovrapporsi di echi ritardati al segnale principale; aumenta di intensitá se anche l impedenza del generatore all inizio della linea non é adattata ) Se l impedenza di carico non coincide con quella della linea bisogna quindi introdurre (tra la linea e il carico) un doppio bipolo (rete di adattamento) che trasforma Z L in Z C Una linea reale, anche se adattata, determina comunque una distorsione (in generale molto piccola) perché: la costante di attenuazione α varia con la frequenza la costante di fase β puó presentare una variazione non lineare con la frequenza (dipende dal modo che si propaga, cioé dalla specifica configurazione del campo elettromagnetico associato all onda)

10 Andamento del V(z) V V max + + [ 1 Γ ] V(z) = v (z) + v (z) = v (z) + (z) + 0 j2 β z V ( z) = V 1 + Γ e = 0 + V min V min z V 0 + { 2 } Γ 0 cos( 2β z ) + Γ La tensione presenta un andamento periodico (stesso periodo di Γ) con massimi e minimi che valgono rispettivamente: V max 1+ Γ, V 1 min Γ Si definisce Rapporto d onda stazionaria (ROS) il rapporto tra queste due tensioni: ROS = V max V min

11 Impedenza lungo la linea I(z) Z(z) V(z) Z L Z( z) V ( z) = = I( z) Z c 1+ 1 Γ( z) Γ( z) z Esiste una corrispondenza biunivoca tra il valore del coefficiente di riflessione e l impedenza vista in ogni sezione della linea (normalizzata all impedenza caratteristica) OSSERVARE: L impedenza é quella vista verso il carico! Relazione inversa: Γ ( z ) = Z( z) Z( z) + Z Z c c

12 Impedenza di un tratto di linea chiuso su una Z L generica I(z) V(z) Z c, β L Z L Z in Vin = = I in Z Z jz L L + c tan( β ) c Z + jz tan( βl) c L Casi particolari: Zin = Z Z c L = 0 (corto circuito) Vin L Zin = = jzc tan( β L) = jzc tan(2 π ) I λ in 0 Z L = (circuito aperto) Vin L Zin = = jzc cot( β L) = jzc cot(2 π ) I λ in 0 Z L = Zc (carico adattato) Z in = Z c Z L = jx (carico reattivo) Z jz X+ Zc tan( βl) in = c Z + X tan( β L ) c ( Γ in unitario)

13 Le linee di trasmissione come elementi circuitali a) Tratto lungo L terminato in corto circuito Z I in V in Z c, β, L I out Vin L = = jz c tan( β L) jz c tan(2π ) L/λ 1 I in = in λ 0 Z in /Z c a) Tratto lungo L terminato in circuito aperto Z in = I in V in V I in in = jz Z c, β, L c cot( β L) = V out jz c L cot(2π λ 0 Z in /Z c ) L/λ 1

14 Linee di trasmissione planari Si realizzano mediante deposizione di strati metallici su materiali dielettrici che fungono da supporto. La linea più diffusa di questa categoria è la microstriscia: t Strato dielettrico Strato metallico ε r w h h spessore del substrato w larghezza della strip ε r costante dielettrica relativa del substrato t spessore della metallizzazione

15 Peculiarità della microstriscia La microstriscia è una struttura non omogenea. Ciò comporta che il campo elettromagnetico non è perfettamente trasverso (cioè non si ha un onda TEM). In questo caso, a rigore, non sono più definibili in modo univoco la tensione e la corrente sulla linea (si conserva solo la potenza). Nella pratica si introduce l approssimazione quasi-tem: vale ancora la descrizione in termini di V e I, assumendo un mezzo omogeneo equivalente, caratterizzato da una costante dielettrica efficace ε r,eff, definita come: ε = C C reff, m 0 C m : Capacità pul della struttura non omogenea C 0 : Capacità pul della struttura in aria (ε r =1) Inoltre ε r,eff risulta funzione della frequenza (e quindi anche la velocità di fase e l impedenza caratteristica. La linea è quindi dispersiva

16 Rappresentazione grafica di Γ Γ é un numero complesso che puó essere rappresentato sul piano x, y in forma polare Γ Φ 1 Se il numero complesso Γ rappresenta il coefficiente di riflessione su una linea di trasmissione, il punto su piano é sempre all interno del cerchio a raggio unitario -1 1 Γ -1

17 Rappresentazione grafica di Γ Il coefficiente di riflessione su una linea di trasmissione priva di perdite si rappresenta sul piano come un cerchio di raggio pari al Γ. La fase varia di 360 per uno spostamento di λ/2 sulla linea d c Γ b a Punti caratteristici: Linea adattata Γ =0 ( centro della carta) Circuito Aperto Γ =1 (a) Corto circuito Γ =-1 (d) Massimo di tensione sulla linea (b) (Γ reale e positivo) Minimo di tensione sulla linea (c) (Γ reale e negativo)

18 Carta di Smith Sul piano di rappresentazione di Γ si possono tracciare le curve che rappresentano il luogo dei punti in cui la parte reale (o la parte immaginaria) di z n =Z/Z c rimane costante: Γ () z + 1 Re{ Zin} = Re = cost ( r) Γ() z 1 Γ () z + 1 Im{ Zin} = Im = cost ( x) Γ() z 1 Queste curve sono dei cerchi, il cui raggio e centro dipendono dal valore di r o x. La Carta di Smith é la rappresentazione grafica di tali cerchi, che consente di risolvere, per via grafica, molti problemi relativi all impiego di linee di trasmissione nei circuiti a microonde.

19 Angolo di Γ (si misura in gradi o in L/λ 0 Verso il generatore Cerchio a x = 1 Verso il carico Cerchio a r = 1 Asse di riferimento

20 Rappresentazione delle ammettenze sulla Carta di Smith Γ Impedenza nel punto Γ: z n 1+ Γ = 1 Γ Γ φ Π+φ Impedenza nel punto Γ : ( π+ φ) j jφ 1 Γ 1 Γ e 1+Γe 1+Γ 1 z n = = = = = j( π+ φ) jφ 1+Γ 1+Γe 1 Γe 1 Γ z n Il punto diametralmente opposto presenta l inverso dell impedenza del punto originale, cioè la sua ammettenza. La carta di Smith può rappresentare indifferentemente Z o Y

21 Carta di Smith Elettronica Esistono tool software che implementano la carta di Smith su computer. In tal caso si possono tracciare sulla carta anche i cerchi a g e b costante e avere contemporaneamente la rappresentazione di Z e Y. Cerchi a Y cost Cerchi a Z cost Cerchi a Z ey cost

22 Definizione dei punti sulla Carta di Smith Dato un carico (descritto da Γ, Z, Y), il posizionamento dello stesso sulla Carta di Smith può avvenire nei seguenti modi: Γ: si riporta sul piano complesso il numero complesso Γ. Z: si individuano cerchi a r e x costanti e se ne valuta l intersezione. Y: si individuano cerchi a g e b costanti e se ne valuta l intersezione.

23 Spostamenti a Γ costante sulla Carta di Smith Γ0 0 Γ x Γ L ( x) ( x ) j2βx j Γ j4π 0 λ Γ = Γ0 e = Γ0 e e j 2βd j Γ j4π L Γ ( d ) = ΓL e = ΓL e e Spostamenti su linee senza perdite Asse d d 0 Asse x Spostamenti su cerchi a Γ costante (circonferenze centrate nell origine) Spostamenti verso il carico spostamenti lungo x crescente ( x) = Γ βx Γ Rotazione antioraria Verso il generatore spostamenti lungo x decrescente ( x) = Γ L βd Γ 2 Z L Rotazione oraria NOTA: Γ (e z) è una funzione periodica della distanza con periodo λ/2 ( d ) λ

24 Spostamento a x costante r Carta di Smith Spostamenti a r o x Costanti x L Γ L z L = r L + jx L Γ in z in = (r L + r) + jx L r L r in = r+r L Spostamento a r costante jx x L Γ L Γ in x in = x L + x z L = r L + jx L z in = r L + j(x L + x) r L

25 Carta di Smith Spostamenti a g o b Costanti Con solo cerchi in Z Con cerchi in Z e Y Spostamenti a b costante Γ L g L Γ L b L g y L = g L + jb L Γ in Γ I,in Γ in y in = (g L + g) + jb L Spostamenti a g costante jb y L = g L + jb L b Γ I,L L Γ I,in b in =b L +b g in =g L + g g L Γ L Γ L b L y in = g L + j(b L + b) b L Γ I,L Γ in g L Γ in b in =b L +b

26 Trasformazione di impedenza Z g (Γ g ) Z in (Γ in ) V g, Rete di Trasformazione Z L (Γ L ) In genere Z L e Z in sono specificati e bisogna sintetizzare la rete di trasformazione (si assume composta di soli elementi reattivi). La realizzazione dell adattamento è caso particolare di trasformazione di impedenza: in questo Z in deve coincidere con il complesso-coniugato dell impedenza Z g del generatore collegato all ingresso della rete (così tutta la potenza disponibile dal generatore viene trasferita sul carico). Condizione di adattamento: Z = Z, Γ = Γ * * in g in g

27 Adattamenti Stub in c.c. o c.a. Stub: tratto di linea chiuso su un corto circuito oppure su un circuito aperto Z in φ=βd Stub in c.c. Zin = jzc tan( ϕ ) Z c jyc Yin = tan( ϕ ) Z in Stub in c.a. φ=βd Zin = Yin = tan( ϕ ) Z c jy tan( ϕ ) c jz c Ai morsetti terminali gli stub equivalgono ad elementi privi di perdite collegabili: In serie In parallelo

28 Adattamenti Dimensionamento Stub Dimensionamento analitico: data la reattanza (suscettanza) da realizzare si calcola la lunghezza dello stub invertendo le formule della slide precedente. Dimensionamento con carta di Smith: si disegna sulla carta il punto corrispondente alla reattanza (suscettanza) da realizzare e si misura in senso orario l angolo (2φ=2βD) che lo separa, a seconda del caso, dal punto di c.c. o c.a. ( D = φ/2β). Esempio: Dimensionamento di uno stub in c.c.; si mostra la risoluzione sulle due carte. b φ=βd c.c. (C.Imp.) c.c. (C.Amm.) 2φ = 2βD c.c. (C.Imp.) b Es: b = φ = 126.9º b 2φ = 2βD

29 Adattamenti Adattatore con Linea λ/4 Osservazione: una linea di lunghezza λ/4 rappresenta un invertitore di impedenza: λ/4 Z in Z 0 Z L Z in = Z Z 2 0 L R g λ/4 Z 0 jx Z L = R L + jx L 2 Z0 * Z in = = Z = R + j L g g ( X + X ) L X = X L R Z in Z ~ Z 0 = R g R L Note: Lo stesso principio può essere applicato con le ammettenze. La reattanza (o suscettanza) può essere realizzata con componenti a costanti concentrate oppure con stub. L utilizzo di imp. car. non standard può essere un problema. Y 0 G g = G g G L, jb B G L + + jb L = B L

30 Adattamenti Adattatore a Singolo Stub Stub (in c.c. o c.a.) impiegati per realizzare una reattanza serie oppure una suscettanza parallelo. In condizioni d adattamento: Γ in = 0 ( y in = 1) Y c A B d C jb Y c y L = g L +jb L Osservazione: la rete permette, in sequenza: Uno spostamento a Γ= cost. (linea d) Uno spostamento a g= cost. (suscettanza b) y in = g B + j(b B + b) = 1 Procedimento Si dimensiona d in modo da trasformare Γ L in un punto Γ B sul cerchio g =1. Si dimensiona b per muovere Γ B al centro della carta (Γ in =0). Si progetta lo stub che realizza la suscettanza b. Nota È possibile realizzare lo stesso adattatore in forma duale con una reattanza serie. Γ in Γ B Γ L Γ B deve appartenere al cerchio g= 1

31 Adattamenti Singolo Stub Esempio/1 ESEMPIO: Y C A B d C jb x Z c = 50 Ω; Z G = Z c ; ε r = 4; f 0 = 3 GHz; y L = Y L /Y c = j Y c j0.75 Γ I,L 2βd ΓI,B Γ 0 Γ B Γ L Cerchio Γ = Γ L Cerchio g = 1 1 zl 1 yl 1 Determinaz. di Γ L : Γ L = = Γ 1 I, L = ΓL = z + 1 y + 1 Dimensionamento di d: L 2βd π L Γ L d 2βd 0 Γ B 0.337π = 2 2πf ε r c = Γ L 4.2 mm

32 Adattamenti Singolo Stub Esempio/2 Y c A B d C jb x Y c j0.75 Γ I,L 2βd ΓI,B Γ in Γ 0 Γ B Γ L Γ I,in =Γ in Cerchio Γ = Γ L Cerchio g = 1 Cerchio b = b B Dimensionamento di b x : Γ B = Γ Γ L 2βd Γ B I, B , B = 1+ b } B y j2. 12 b x Γ L y 0 = y B +jb x = 1+j(b x )=1 b x = Dim. stub (es. in c.c.): 2βL 0.28π L 3.5 mm x x 2βL x c.c.

33 Adattamenti Adattatore a Doppio Stub Si utilizzano due stub (chiusi in c.c. o c.a.) separati da un tratto di linea di lunghezza d fissata per realizzare due reattanze serie oppure due suscettanze parallelo. Y c A B d C y L = g L +jb L Ipotesi: generatore adattato alla linea In condizioni d adattamento: Γ in = 0 ( y in = 1) Osservazione: la rete permette, in sequenza, a partire dal carico: Un primo spostamento a g= cost. (suscettanza b 2 ) Uno spostamento a Γ= cost. (linea d) Un secondo spostamento a g= cost. (suscettanza b 1 ) y in = g B + j(b B + b 1 ) = 1 Γ B deve appartenere al cerchio g= 1 lo spostamento a d costante deve trasformare Γ C in un punto sul cerchio g=1 Γ in Γ B jb 1 Y c Γ C D jb 2 Γ L Γ L viene trasformato in Γ C attraverso uno spostamento sul cerchio g= g L

34 Adattamenti Adattatore a Doppio Stub - Procedimento Γ C deve appartenere nello stesso tempo: Al cerchio g= g L sul quale ci si muove tramite la suscettanza b 2. Al luogo dei punti che, ruotati in senso orario di un angolo 2βd, cadono sul cerchio g= 1, cioè allo stesso cerchio g= 1 ruotato in senso antiorario di 2βd. Dunque: 1. Si disegnano i cerchi g= g L e g= 1 ruotato: le intersezioni tra questi due cerchi sono punti ammissibili per Γ C. Γ B g= g L g= g G Γ = Γ C Γ L 2. Si dimensiona b 2 per trasformare Γ L in Γ C. b 2 = b C -b L 3. Si disegna il cerchio Γ = Γ C e si compie una rotazione oraria di angolo 2βd fino al punto Γ B che deve cadere sul cerchio g= 1 (non ruotato). 4. Si dimensiona b 1 per trasformare Γ B in Γ in. b 1 = b in -b B = -b B 2βd Γ C Γ in g= g G ruotato

35 Adattamenti Doppio Stub Esempio/1 ESEMPIO: g G Z c = 50 Ω; Z G = Y c ; ε r = 4; f 0 = 3 GHz; y L = Y L /Y c = j d = 7.5 mm A B d C jb 1 Y c D jb j g= g L Γ in Γ B Cerchi g= g L e g=1 ruotato Γ C Γ C Γ L 2πf 0 2βd = 2 d = c ε b 678 C = , y = j Dimensionamento di b 2 : C r 3 π 5 3 π 5 [ y ] Im[ y ] = b2 = bc bl = Im C L Γ L Γ C g= 1 ruotato

36 Adattamenti Doppio Stub Esempio/2 g G A B d C jb 1 Y c D jb j Γ = Γ C g= g L Γ in Γ B Γ C Γ L Γ in Cerchio Γ = Γ C e rotazione oraria di 2βd [rad] Γ B b 678 B = , y = 1+ j B Γ B Γ C Dimensionamento di b 1 : Dim. stub b 1 in c.c.: Dim. stub b 2 in c.c: b1 = bb = π 5 Γ L ( 1 b ) 1 = 0.58 rad L 4.6 mm ( 1 b ) = 1.04 rad L 8.3 mm 1 ϕ1 = βl1 = tan 1 = 1 ϕ2 = βl2 = tan 2 2 = g= 1 ruotato

37 Adattamenti Adattatore a Doppio Stub - Note Le dimensioni lineari dell adattatore sono costanti al variare del carico. Adattamenti diversi si possono ottenere modificando esclusivamente gli stub. Fissata la lunghezza d, esiste una regione proibita nella quale giacciono tutti i punti Γ L per i quali la struttura non è in grado di effettuare l adattamento. Ciò accade quando il cerchio g= g L ed il cerchio g=1 ruotato non hanno intersezioni. g= g G ruotato È possibile realizzare lo stesso adattatore in forma duale con una reattanza serie. 2βd

38 Reti di adattamento ad elementi concentrati (1) RETE 1 Zg = Rg + jxg Z B X s B p Y L = G L + jb L Condizione di adattamento: Z A * 1 ZA = ZB Rg + j( Xg + Xs) = GL + j( Bp + BL) * da cui si ottengono i due elementi X s e B P della rete: B X p s = ± G R = ± G g L L ( R G ) 1 B Condizione di g L [ G ( )] L 1 Rg GL X g L realizzabilitá: < 1 R g G L

39 Reti di adattamento ad elementi concentrati (2) RETE 2 Y g = G g + jb g Y B Z L = R L + jx L X s B p Condizione di adattamento: * 1 YA = YB Gg + j( Bg + Bs) = RL + j( Xs + XL) da cui si ottengono i due elementi X s e B P della rete: Y A * X B s p = ± G = ± R R g L ( G R ) 1 X L g L L Condizione di [ R ( 1 G R )] B L g L g realizzabilitá: RG < 1 L g

40 Rete (2): Soluzione con carta di Smith Dati: Impedenza del carico (arrivo): Z L =0.7 + j 0.7 Ammettenza del generatore (partenza): Y G =0.5 j.45 Procedura 1. Tracciare i cerchio a R=R L e G=G G 2. Dal carico Z L muoversi sul cerchio a R cost fino ad una delle intersezioni con il cerchio a G=cost. La variazione di X rappresenta l elemento Xs 3. Dall intersezione, muoversi sul cerchio a G=cost fino al punto che rappresenta Y L. La variazione di B costituisce l elemento Bp. Y g = G g + jb g Y B Z L = R L + jx L X s B p Xs = Bp = 0.23 Y A

41 1 N Circuito a microonde 2 3 Sezioni di riferimento (Bocche) 5 4 Un circuito a microonde è costituito dall interconnessione di elementi distribuiti e concentrati; l interazione con il mondo esterno avviene tramite linee di trasmissione (bocche), ad una sezione di riferimento specificata

42 Definizioni di Guadagno di Potenza z S i 1 i 2 v in v 1 Doppio Bipolo v 2 P P out disp P in z L P disp = Potenza disponibile dal generatore P in = Potenza entrante nell amplificatore P out = Potenza sul carico (P out ) disp = Potenza disponibile all uscita dell amplificatore Guadagno di Potenza G p = P out /P in Guadagno Disponibile di Potenza G a = (P out ) disp /P disp Guadagno Trasduttivo di Potenza G p = P out /P disp

43 Definizione delle onde di potenza a i b i Impedenza Di riferim Zc Bocca i-esima Circuito (1/2) a i 2 : Onda di potenza incidente = Potenza disponibile da un generatore con impedenza interna pari a Zc (1/2) b i 2 : Onda di potenza riflessa = Differenza tra la potenza disponibile e quella assorbita dalla bocca

44 Relazione tra le onde di potenza e Ie tensioni e correnti V g,i Z c,i a i I i V i Circuito a i V + Z = I, V Z b = I 2 Re 2 Re * i c, i i i c, i i i { Zci, } { Zci, } b i V = V + V = Z I Z I + * + i i i c i c i { Zci} { Zci} { } { } { Zci} Re 1 1 Re 2 a = V = Z I a = V = Potenza disponibile dalla sorgente, + + 2, + i Re * i c, i i i 2 i Zci, 2 2 Zci, { Zci} Re 1 1 Re b = V = Z I b = V = Potenza riflessa all'ingresso, 2, 2 i i Re c, i i i 2 i Zci, 2 2 Zci, 2 2 * ( ) { } 1 1 a b = Re V I = P 2 2 i i i i IN, i

45 Parametri di Scatter Z c,5... Z c,n Z c,4 Circuito a microonde Z c,1 Z c,3 Z c,2 Per un circuito a microonde composto da elementi lineari si può scrivere la seguente relazione: b = s a + s a s a N b = s a + s a s a N... N N b = s a + s a s a N N1 1 N2 2 NN N In forma matriciale: b = S a S s11 K s1 N = M O M sn1 s L NN

46 Significato dei parametri S s ii = bi a i a k i = 0 Coefficiente di riflessione alla bocca i-esima con le altre bocche adattate (chiuse sulle loro impedenze di riferimento) s ij = bi a j a k j = 0 Coefficiente di trasmissione dalla bocca j- esima alla i-esima con le altre bocche adattate (chiuse sulle loro impedenze di riferimento). Si noti che s ij 2 rappresenta il guadagno trasduttivo tra le due bocche

47 Proprietà della matrice S Per una rete reciproca S è simmetrica(s ij =s ji ) * Per una rete priva di perdite S è unitaria ( ) Spostando le sezioni di riferimento alle bocche di una distanza d i si ottiene una nuva matrice S data da S = Φ S Φ, con Φ matrice diagonale i cui elementi sono costituiti da exp(jβd i ) Dalla matrice S, definita rispetto alle impedenza Z c,i, si può ottenere la matrice S rispetto a differenti impedenze Z c,i mediante le seguenti formule: ( % ) ( ) S = A S Γ U Γ S A% 1 * 1 * con Γ e A matrici diagonali date da: S S = U ( ) ( * 1 1 ) { } ( * )( 2 %, diag A, ) ii Aii ii ii ii Γ = Z Z Z + Z A = = Γ Γ Γ { ci, }, Z diag { Z ' ci, } Z = diag Z = 12

48 Discontinuità Quando si interconnettono tra loro gli elementi di un circuito a microonde, bisogna considerare gli effetti prodotti dalla stessa interconnessione. Tali effetti sono determinati dall eccitazione di modi superiori che rimangono localizzati intorno alla giunzione, ma accumulano energia reattiva (elettrica e/o magnetica). Dal punto di vista circuitale l effetto delle discontinuità può essere descritto con circuiti equivalenti o (meglio) mediante matrici di scatter opportunamente calcolate. Z c1 Z c2 Modello Z Giunzione c1 Z c2 Z cs Z cs Discontinuità Cortocircuito

49 Principali discontinuità in microstrip Open End Gap Step Tee Junction

50 Esempio: Doppio Stub in microstrip Carico: L=5 mm H=0.8 mm X=66 Ω (L=10.5 nh) W=2.2 mm t=35 µ R=17 Ω ε r =2.55 Z c =50 Ω Microstrip Obbiettivo: S11 < -15 db per > f > GHZ Obbiettivo: S11 < -15 db per > f > GHZ Doppio Stub Progetti Iniziale (f 0 =1GHz) : Carico Doppio Stub Carico TLIN ID=TL3 Z0=50 Ohm EL=135 Deg F0=1 GHz TLIN ID=TL1 Z0=50 Ohm EL=8.73 Deg F0=1 GHz TLIN ID=TL2 Z0=50 Ohm EL=135 Deg F0=1 GHz TLIN ID=TL1 Z0=50 Ohm EL=8.73 Deg F0=1 GHz TLOC ID=TL4 Z0=50 Ohm EL=68.2 Deg F0=1 GHz TLOC ID=TL2 Z0=50 Ohm EL=2.06 Deg F0=1 GHz Z IMPED ID=Z1 R=17 Ohm X=66 Ohm TLSC ID=TL5 Z0=50 Ohm EL=12.5 Deg F0=1 GHz TLSC ID=TL4 Z0=50 Ohm EL=44.37 Deg F0=1 GHz Z IMPED ID=Z1 R=17 Ohm X=66 Ohm Soluzione 1: stub in c.a Soluzione 1: stub in c.c

51 Risposta in frequenza della rete ideale 0-5 DoppioStub Stub in c.c Stub in c.a Frequency (GHz)

52 Ottimizzazione della risposta 1. Si definiscono i parametri variabili del circuito da ottimizzare 2. Si definiscono i limiti delle variabili 3. Si definisce l obbiettivo (gli obbiettivi) del progetto 4. Si sceglie un algoritmo di ottimizzazione (ricerca del minimo di una funzione di n variabili) Rete a doppio stub C.A. Parametri variabili: Zc e Lunghezze elettriche delle linee (6 variabili) Algoritmo di ottimizzazione: Random + Gradiente

53 Rete ideale ottimizzata: progetto della struttura in microstrip Risultato ottimizzazione Parametro Valore iniziale Valore finale Z C1 (Ω) EL 1 (Gradi) Z C2 (Ω) EL 2 (Gradi) Z C3 (Ω) EL 3 (Gradi) Dimensioni Microstrip (mm) W 1 =1.33, L 1 =32.92; W 2 =0.622, L 2 =79.68; W 3 =1.22, L 3 =8.0;

54 Risposta in frequenza e Layout 0 DoppioStub Rete ideale Rete in microstrip NOTA: L analisi della rete in microstrip include l effetto delle discontinuità Frequency (GHz) Layout della rete in microstrip

55 Ottimizzazione della rete in microstrip Nuovo Layout: Parametri ottimizzati: Solo lunghezze stub 0 DoppioStub -5 Risposta: Frequency (GHz)

Linee di Trasmissione: Propagazione per onde

Linee di Trasmissione: Propagazione per onde Linee di Trasmissione: Propagazione per onde v + (z) Rappresentazione shematia di una linea di trasmissione z Definizione matematia dell onda di tensione he si propaga verso la z resente: ω 0 v ( z) =

Dettagli

Adattamenti Considerazioni Generali

Adattamenti Considerazioni Generali Adattamenti Considerazioni Generali ADATT in Assenza di onda riflessa in, out out Max trasferimento di potenza in * *, out Proprietà: se la rete di adattamento è priva di perdite ( composta da elementi

Dettagli

Corso di Microonde II

Corso di Microonde II POLITECNICO DI MILANO Corso di Microonde II Lezione n. 1: Richiami sui circuiti a microonde - 1 - Parametri Concentrati e Distribuiti Quando le dimensioni fisiche dei componenti di un circuito sono molto

Dettagli

Adattamenti: Considerazioni Generali

Adattamenti: Considerazioni Generali Adattamenti: Considerazioni Generali g ADATT in Assenza onda di potenza riflessa in g, out out Max trasferimento di potenza in * g *, out Proprietà: se la rete di adattamento è priva di perdite ( composta

Dettagli

Rappresentazione matriciale di Doppi Bipoli

Rappresentazione matriciale di Doppi Bipoli Rappresentazione matriciale di Doppi Bipoli Caratterizzazione matriciale di reti multi-porta V I I 1 V 1 1 1 Circuito a -porte 2 I 2 3 V 2 V 3 v v V v v 2 3. I i1 i 2 i 3. i I 5 V 5 5 4 I 3 I 4 V 4 Se

Dettagli

microonde Circuiti a microonde Circuito

microonde Circuiti a microonde Circuito Circuiti a microonde 1 N Circuito a microonde 3 Sezioni di riferimento (Bocche) 5 4 Un circuito a microonde è costituito dall interconnessione di elementi distribuiti e concentrati; l interazione con il

Dettagli

Circuiti a Microonde: Introduzione

Circuiti a Microonde: Introduzione Circuiti a Microonde: Introduzione Un circuito a microonde è un interconnessione di elementi le cui dimensioni fisiche possono essere comparabili con la lunghezza d onda corrispondente alle frequenze operative

Dettagli

Linee di Trasmissione: Propagazione per onde

Linee di Trasmissione: Propagazione per onde inee di Trasmissione: Propagaione per onde v + () Rappresentaione shematia di una linea di trasmissione Definiione matematia dell onda di tensione he si propaga verso la resente: 0 v ( ) ( V e ) e j t

Dettagli

Parametri di Diffusione

Parametri di Diffusione Parametri di Diffusione Linee di trasmissione: richiami Onde di tensione e corrente Coefficiente di riflessione Potenza nelle linee Adattamento Parametri di Diffusione (S) Definizione Applicazioni ed esempi

Dettagli

Modello per lo studio di due linee accoppiate

Modello per lo studio di due linee accoppiate Linee Accoppiate In una struttura costituita da almeno due conduttori distinti (più uno di riferimento), la propagazione guidata dai singoli conduttori viene influenzata da quelli adiacenti. Si parla in

Dettagli

Elettromagnetismo Applicato

Elettromagnetismo Applicato Elettromagnetismo Applicato Prova scritta del 23 febbraio 2017 Il candidato risponda ai quesiti riportando i risultati negli appositi spazi sul secondo foglio. 1. Un onda sinusoidale si propaga in un mezzo

Dettagli

Corso di Radioastronomia 1

Corso di Radioastronomia 1 Corso di Radioastronomia 1 Aniello (Daniele) Mennella Dipartimento di Fisica Prima parte: introduzione e concetti di base Parte 1 Lezione 3 Caratteristiche principali delle linee di trasmissione Linee

Dettagli

Appello del 17/2/ Soluzioni

Appello del 17/2/ Soluzioni Compito A - Testo Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari Corso di Campi Elettromagnetici - a.a. 2014/15 Appello del 17/2/2015 - Soluzioni Esercizio 1. Un onda elettromagnetica con frequenza 300 MHz si

Dettagli

LE LINEE DI TRASMISSIONE

LE LINEE DI TRASMISSIONE LE LINEE DI TRASMISSIONE Modello di una linea a parametri distribuiti Consideriamo il caso di una linea di trasmissione che può essere indifferentemente un doppino telefonico, una linea bifilare o un cavo

Dettagli

Corso di Microonde Esercizi su Linee di Trasmissione

Corso di Microonde Esercizi su Linee di Trasmissione Corso di Microonde Esercizi su Linee di Trasmissione Tema del 6.7.1999 Il carico resistivo R L è alimentato alla frequenza f =3GHz attraverso una linea principale di impedenza caratteristica Z 0 = 50 Ω

Dettagli

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica 22.0.206 Problema Con riferimento al circuito in figura, nel quale entrambi gli interruttori si aprono all istante t = 0, determinare l espressione di i(t) (per ogni istante di tempo t) e rappresentarne

Dettagli

10 Il problema dell adattamento d impedenza Introduzione

10 Il problema dell adattamento d impedenza Introduzione 0 Il problema dell adattamento d impedenza Introduzione Tra le differenti problematiche relative alla propagazione di energia nelle guide d onda, un argomento di notevole rilevanza pratica è l adattamento

Dettagli

UNIVERSITÀ DEGLISTUDIDIPAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica

UNIVERSITÀ DEGLISTUDIDIPAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica 7.09.0 Problema L interruttore indicato nel circuito in figura commuta nell istante t 0 dalla posizione AA alla posizione BB. Determinare le espressioni delle tensioni v (t) ev (t) per ogni istante di

Dettagli

Circuito a costanti concentrate

Circuito a costanti concentrate Circuito a costanti concentrate periodo Il contributo dei cavetti di collegamento a resistenza, capacita' ed induttanza del circuito e' trascurabile: resistenza, capacita' (ed induttanza) sono solo quelle

Dettagli

Amplificatore a 2 stadi a basso rumore

Amplificatore a 2 stadi a basso rumore Amplificatore a 2 stadi a basso rumore Dati del transistor Modello: NEC70000 (Mesfet su GaAs) Guadagno max a : 13.24 db (NF = 5.2 db) Figura di rumore minima 2.05 db (G a = 9.6 db) Specifiche amplificatore

Dettagli

TRAMISSIONE su linea metallica a RF. Prof. Nadia Carpi as 03-04

TRAMISSIONE su linea metallica a RF. Prof. Nadia Carpi as 03-04 TRAMISSIONE su linea metallica a RF Prof. Nadia Carpi as 3-4 Linea di trasmissione GENERATORE CARICO ENERGIA EL/INFORMAIONE frequenza bassa energia elettrica centrali radiofrequenza informazioni utenze

Dettagli

Esempio di progetto. Substrato Duroid: ε r. = 2.54 H = mm Conduttore: Rame (σ= ) t= 35 μm. =11 ±.5 db); NF 1.55 db) Topologia: TLOC

Esempio di progetto. Substrato Duroid: ε r. = 2.54 H = mm Conduttore: Rame (σ= ) t= 35 μm. =11 ±.5 db); NF 1.55 db) Topologia: TLOC Esempio di progetto Dati del transistor Modello: MGF1923 Mitsubishi (Mesfet su GaAs) Guadagno max a 6.5 GHz: 15.15 db (con NF=3.4 db) Figura di rumore minima 1.94 db (con Gt=8.66 db) pecifiche amplificatore

Dettagli

Adattatori. Importanza adattamento

Adattatori. Importanza adattamento Adattatori uca Vincetti a.a. 8-9 Importanza adattamento Massimizzazione della potenza disponibile dal carico Riduzione delle sovratensioni e sovracorrenti che possono danneggiare linea e trasmettitore

Dettagli

LINEE DI TRASMISSIONE CON LTSPICE IV 1

LINEE DI TRASMISSIONE CON LTSPICE IV 1 EdmondDantes LINEE DI TRASMISSIONE CON LTSPICE IV 28 December 2010 Generalità Nell accezione più generale, una linea di trasmissione è un sistema di due o più conduttori metallici separati da mezzi dielettrici

Dettagli

Linee prive di perdite

Linee prive di perdite inee prive di perdite Una linea si dice priva di perdite se nel circuito equivalente risulta: R=G. Perché tale approssimazione sia valida deve risultare: α 1 essendo la lunghezza del tronco di linea che

Dettagli

Adattamento. Se la parte reale dell'impedenza del carico è minore di quella del tratto di linea si dovrà

Adattamento. Se la parte reale dell'impedenza del carico è minore di quella del tratto di linea si dovrà Adattamento Reti adattanti a L Due possibili configurazioni dipendenti dal carico. Se la parte reale dell'impedenza del carico è maggiore di quella del tratto di linea si dovrà ricorrere al seguente schema

Dettagli

Fisica dei mezzi trasmissivi Prof. G. Macchiarella Prova del 11 Settembre 2014

Fisica dei mezzi trasmissivi Prof. G. Macchiarella Prova del 11 Settembre 2014 Fisica dei mezzi trasmissivi Prof. G. Macchiarella Prova del 11 Settembre 014 1 3 4 non scrivere nella zona soprastante COGNOME E NOME MATRICOLA FIRMA Esercizio 1 Un generatore, la cui tensione varia nel

Dettagli

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica UNIVESITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA CAMPI ELETTOMAGNETICI E CICUITI I 23.01.2015 Problema 1 Con riferimento al circuito in figura, determinare le espressioni di i L (t) e v C (t) (per ogni istante di tempo

Dettagli

USO DELLA CARTA DI SMITH

USO DELLA CARTA DI SMITH USO DELLA CARTA DI SMITH L' impedenza in un punto qualsiasi della linea è Z = R + jx. Dividendo Z, R e X per l'impedenza caratteristica Zo della linea, si ottiene l' impedenza normalizzata z = Z/Zo = r

Dettagli

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica Soluzione del Problema Per t < 0 il circuito da considerare è il seguente: gv v R Applicando la KCL al nodo superiore si ottiene l equazione: Si ha inoltre v (0 ) gv (0 ) v (0 ) v (0 ) R 0 R g 0 00 00

Dettagli

Antenne e Collegamento Radio

Antenne e Collegamento Radio Antenne e Collegamento Radio Trasmissione irradiata Oltre ad essere guidato attraverso le linee di trasmissione, il campo elettromagnetico si può propagare nello spazio (radiazione) Anche la radiazione

Dettagli

Linee di trasmissione: Equivalenti in termini di doppi bipoli e considerazioni varie

Linee di trasmissione: Equivalenti in termini di doppi bipoli e considerazioni varie Linee di trasmissione: Equivalenti in termini di doppi bipoli e considerazioni varie A. Laudani November 3, 016 Soluzione generale dell equazione dei telegrafisti Una linea di trasmissione, caratterizzata

Dettagli

Amplificatore a 2 stadi a basso rumore

Amplificatore a 2 stadi a basso rumore Amplificatore a 2 stadi a basso rumore Dati del transistor Modello: NEC70000 (Mesfet su GaAs) Guadagno max a 12 GHz: 13.24 db (NF = 5.2 db) Figura di rumore minima 2.05 db (G a = 9.6 db) Specifiche amplificatore

Dettagli

Potenze in regime sinusoidale. Lezione 4 1

Potenze in regime sinusoidale. Lezione 4 1 Potenze in regime sinusoidale Lezione 4 1 Definizione di Potenza disponibile Generatore di segnale Z g = Rg + j Xg Potenza disponibile P d V V = = 4R 8R oe om g g Standard industriale = R = 50 Ω Lezione

Dettagli

ADATTATORI di IMPEDENZA

ADATTATORI di IMPEDENZA ADATTATORI di IMPEDENZA 1. Carta di Smith PREMESSA: per motivi che saranno chiari in seguito si ricorda che nel piano complesso, l equaione della generica circonferena di centro w 0 ( C ) e raggio R (

Dettagli

Fisica dei mezzi trasmissivi Prof. G. Macchiarella Prova del 26 Febbraio 2014

Fisica dei mezzi trasmissivi Prof. G. Macchiarella Prova del 26 Febbraio 2014 Fisica dei mezzi trasmissivi Prof. G. Macchiarella Prova del 26 Febbraio 2014 1 2 3 non scrivere nella zona soprastante COGNOME E NOME MTRICO FIRM Esercizio 1 Si consideri il sistema costituito dalle tre

Dettagli

Doppi bipoli. Corso di Elettrotecnica. Corso di. Teoria dei Circuiti. Università degli Studi di Pavia. Dipartimento di Ingegneria Elettrica

Doppi bipoli. Corso di Elettrotecnica. Corso di. Teoria dei Circuiti. Università degli Studi di Pavia. Dipartimento di Ingegneria Elettrica Università degli Studi di Pavia Facoltà di Ingegneria Corso di Corso di Elettrotecnica Teoria dei Circuiti Doppi bipoli Che cos è? E un dispositivo con due porte di scambio della potenza elettrica (Porta

Dettagli

Impedenze ed Ammettenze 1/5

Impedenze ed Ammettenze 1/5 Impedenze ed Ammettenze 1/5 V=Z I. Rappresentazione alternativa I=Y V Z ed Y sono numeri complessi Bipolo di impedenza Z = R+ j X Resistenza Reattanza Conduttanza 1 Y = = G+ jb Z Suscettanza Lezione 2

Dettagli

. Il modulo è I R = = A. La potenza media è 1 VR 2

. Il modulo è I R = = A. La potenza media è 1 VR 2 0.4 La corrente nel resistore vale 0. l modulo è A. La potenza media è 0 W 0.7 l circuito simbolico è mostrato di seguito. La potenza viene dissipata solo nel resistore. 0, 4 - La corrente è 4 4 0, 0,

Dettagli

Principali sorgenti di rumore elettronico

Principali sorgenti di rumore elettronico Principali sorgenti di rumore elettronico Rumore termico - E sempre presente quando esistono fenomeni di dissipazione di potenza associata ad una grandezza elettrica (tensione o corrente) - Distribuzione

Dettagli

Corso di Microonde II

Corso di Microonde II POLITECNICO DI MILANO Corso di Microonde II Lezione n. 2: Cenni sui circuiti non reciproci Relazi costitutive (richiami) B = µ H, D= ε E Nei mezzi lineari, isotropi e di estensione infinita e vettori B

Dettagli

60 o e. E i. ε 2. ε 1. acqua marina A B I ONDE PIANE E MATERIALI

60 o e. E i. ε 2. ε 1. acqua marina A B I ONDE PIANE E MATERIALI I ONDE PIANE E MATERIALI OP 1 Il campo elettrico nel punto A ha un modulo di 1V/m e forma un angolo di 6 o con la normale alla superficie. Calcolare e(b). ε 1 ε 2 A B 6 o e ε 1 =, ε 2 = 2 Nel punto A le

Dettagli

Equazioni Generali delle Linee di Trasmissione

Equazioni Generali delle Linee di Trasmissione Equazioni Generali delle Linee di Trasmissione 1 Rete Elettrica Ordinaria vs Linea di Trasmissione Parametri Concentrati Parametri distribuiti La lezione di oggi riguarda le linee di trasmissione dell

Dettagli

Equazioni di Maxwell. Relazioni costitutive del mezzo: ( mezzi conduttivi)

Equazioni di Maxwell. Relazioni costitutive del mezzo: ( mezzi conduttivi) Equazioni di Maxwell D B0 B E t H J D t Relazioni costitutive del mezzo: B H D E J E ( mezzi conduttivi) Condizioni al contorno Tra due mezzi generici ( 1, 1,, ): Si conserva la componente tangenziale

Dettagli

. Il modulo è I R = = A. La potenza media è 1 VR 2

. Il modulo è I R = = A. La potenza media è 1 VR 2 0.4 La corrente nel resistore vale 0. l modulo è A. La potenza media è P 0 W 0.7 l circuito simbolico è mostrato di seguito. La potenza viene dissipata solo nel resistore. 0, 4 - La corrente è 4 4 0, 0,

Dettagli

Esercitazione 2: Strutture a 2 e 3 porte

Esercitazione 2: Strutture a 2 e 3 porte Esercitazione : trutture a e porte trutture a porte Isolatori L isolatore, idealmente dalle caratteristiche specificate in Fig. c), è un componente di grandissimo interesse allo scopo di disaccoppiare

Dettagli

Corso di preparazione esame patente radioamatore Carlo Vignali, I4VIL

Corso di preparazione esame patente radioamatore Carlo Vignali, I4VIL A.R.I. - Sezione di Parma Corso di preparazione esame patente radioamatore 2016 Matching esercizi Carlo Vignali, I4VIL EQUIVALENZA SERIE PARALLELO Circuiti equivalenti: sottoposti alla stessa tensione,

Dettagli

Elettrotecnica Esercizi di riepilogo

Elettrotecnica Esercizi di riepilogo Elettrotecnica Esercizi di riepilogo Esercizio 1 I 1 V R 1 3 V 2 = 1 kω, = 1 kω, R 3 = 2 kω, V 1 = 5 V, V 2 = 4 V, I 1 = 1 m. la potenza P R2 e P R3 dissipata, rispettivamente, sulle resistenze e R 3 ;

Dettagli

Progetto di Oscillatori a Microonde

Progetto di Oscillatori a Microonde Progetto di Oscillatori a Microonde Classificazione degli oscillatori Oscillatori a retroazione Condizione di oscillazione: Gloop = A (j )= 1 Oscillatori a resistenza negativa Sono i più utilizzati alle

Dettagli

Risonatori a microonde

Risonatori a microonde Risonatori a microonde Corso di Componenti e Circuiti a Microonde Ing. Francesco Catalfamo 11 Ottobre 6 Indice Circuiti risonanti serie e parallelo Fattore di qualità esterno: Q e Risonatori realizzati

Dettagli

CARTA DI SMITH ESERCIZI

CARTA DI SMITH ESERCIZI ARI Sezione di Parma Conversazioni del 1 Venerdì del Mese CARTA DI SMITH ESERCIZI Carlo, I4VIL ESERCIZIO 1 CALCOLO ROS E COEFFICIENTE DI RIFLESSIONE G L impedenza all ingresso di una linea di Zo = 50 W

Dettagli

. Applicando la KT al percorso chiuso evidenziato si ricava v v v v4 n Applicando la KC al nodo si ricava: i i i4 i n i i : n i v v v v 4 : n i 4 v v i i.7 Dalla relazione tra le correnti del trasformatore

Dettagli

FISICA APPLICATA 2 FENOMENI ONDULATORI - 2

FISICA APPLICATA 2 FENOMENI ONDULATORI - 2 FISICA APPLICATA 2 FENOMENI ONDULATORI - 2 DOWNLOAD Il pdf di questa lezione (onde2.pdf) è scaricabile dal sito http://www.ge.infn.it/ calvini/tsrm/ 10/10/2017 LE ONDE NELLO SPAZIO Finora si è considerata

Dettagli

Progetto di Oscillatori a Microonde

Progetto di Oscillatori a Microonde Progetto di Oscillatori a Microonde Classificazione degli oscillatori Oscillatori a retroazione Condizione di oscillazione: Gloop = A (j )= 1 Gloop(j ) = 1, Gloop(j )=2n Oscillatori a resistenza negativa

Dettagli

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica 18.01.013 Problema 1 Con riferimento al circuito in figura, nel quale l interruttore si chiude all istante t = 0, determinare l espressione di i 3 (t) per ogni istante di tempo t, e rappresentarne graficamente

Dettagli

antenna ΔV J b V o O : centro di fase dell antenna

antenna ΔV J b V o O : centro di fase dell antenna CAMPI ELETTROMAGNETICI E CIRCUITI II - A.A. 2013-14 - MARCO BRESSAN 1 Antenne Riceventi Per determinare le caratteristiche di un antenna ricevente ci si avvale del teorema di reciprocità applicato al campo

Dettagli

Doppi Bipoli. Corsi di. Elettrotecnica e. Teoria dei Circuiti. Corso di. Teoria dei Circuiti. Università degli Studi di Pavia Facoltà di Ingegneria

Doppi Bipoli. Corsi di. Elettrotecnica e. Teoria dei Circuiti. Corso di. Teoria dei Circuiti. Università degli Studi di Pavia Facoltà di Ingegneria Università degli Studi di Pavia Facoltà di Ingegneria Corsi di Corso di Elettrotecnica e Teoria dei Circuiti Teoria dei Circuiti Doppi Bipoli Che cos è? E un dispositivo con due porte di scambio della

Dettagli

Progetto di un ltro passa-basso Butterworth su microstriscia

Progetto di un ltro passa-basso Butterworth su microstriscia Progetto di un ltro passa-basso Butterworth su microstriscia Pietro Giannelli 13 aprile 2008 Sommario Progetto di un ltro passa-basso Butterworth del III ordine a partire da un prototipo normalizzato a

Dettagli

Università degli studi di Trento Facoltà di Ingegneria Corso di Laurea in Viticoltura ed Enologia

Università degli studi di Trento Facoltà di Ingegneria Corso di Laurea in Viticoltura ed Enologia Università degli studi di Trento Facoltà di Ingegneria Corso di Laurea in Viticoltura ed Enologia Prof. Dino Zardi Dipartimento di Ingegneria Civile, Ambientale e Meccanica Fisica Componenti elementari

Dettagli

Capitolo 6. Filtri a microonde

Capitolo 6. Filtri a microonde apitolo 6 Filtri a microonde 6. Introduzione I filtri sono largamente utilizzati nei sistemi a microonde allo scopo di consentire il transito nel sistema di segnali a frequenze volute e di attenuare fortemente

Dettagli

ELETTROTECNICA (10 CFU) CS INGEGNERIA MATEMATICA I

ELETTROTECNICA (10 CFU) CS INGEGNERIA MATEMATICA I ELETTROTECNICA (10 CFU) CS INGEGNERIA MATEMATICA I prova in itinere 1 Novembre 008 SOLUZIONE - 1 - D1. (punti 8 ) Rispondere alle seguenti domande: punto per ogni risposta corretta, - 0.5 per ogni risposta

Dettagli

ELETTROTECNICA (10 CFU) CS INGEGNERIA MATEMATICA I

ELETTROTECNICA (10 CFU) CS INGEGNERIA MATEMATICA I ELETTOTECNICA (0 CFU) CS INGEGNEIA MATEMATICA I prova in itinere 20 Novembre 2009 SOLUZIONI - - D. (punti 4 ) ) Spiegare cosa si intende per DUALITA nello studio dei circuiti elettrici. 2) Scrivere per

Dettagli

Esercitazioni di Elettrotecnica

Esercitazioni di Elettrotecnica Esercitazioni di Elettrotecnica a cura dell Ing ntonio Maffucci Parte II: ircuiti in regime sinusoidale /3 Esercitazioni di Elettrotecnica /3 Maffucci ESEIZIONE N7: Fasori ed impedenze ESEIZIO 7 Esprimere

Dettagli

Capitolo 3. Tecniche di adattamento

Capitolo 3. Tecniche di adattamento Capitolo 3 Tecniche di adattamento 3.1 Introduzione Nei circuiti a microonde si utilizzano essenzialmente due tecniche di adattamento: l'adattamento coniugato, con il quale si cerca di ottenere il massimo

Dettagli

Campi Elettromagnetici e Circuiti I Adattatori d impedenza

Campi Elettromagnetici e Circuiti I Adattatori d impedenza Facoltà di Ingegneria Università degli studi di Pavia Corso di aurea Triennale in Ingegneria Elettronica e Informatica Campi Elettromagnetici e Circuiti I Adattatori d impedenza Campi Elettromagnetici

Dettagli

Fisica dei mezzi trasmissivi Prof. G. Macchiarella Prova del 26 Settembre 2013

Fisica dei mezzi trasmissivi Prof. G. Macchiarella Prova del 26 Settembre 2013 Fisica dei mezzi trasmissivi Prof. G. Macchiarella Prova del 26 Settembre 2013 1 2 3 4 non scrivere nella zona soprastante COGNOME E NOME MTRICOL FIRM Esercizio 1 R g V g Un generatore, la cui tensione

Dettagli

2.1 Valutazione della conduttanza e della resistenza per unita di lunghezza di una linea

2.1 Valutazione della conduttanza e della resistenza per unita di lunghezza di una linea Capitolo Linee con perdite In una linea di trasmissione reale la non perfetta conducibilita dei conduttori e le perdite di volume (cioe le perdite dovute alla isteresi dielettrica e alla conducibilita

Dettagli

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica Soluzione del Problema 1 Prima dell istante t = 0 i generatori operano in regime stazionario e il circuito da considerare è il seguente: v 1 (0 - ) v 2 (0 - ) I 0 i(0 - ) R 3 V 0 R 4 È evidente che È inoltre

Dettagli

Lezione 14. Vettori rotanti. RL con forzamento sinusoidale. e( t) = E M. i( t) = ke R L t + I M. e(t) E = RI + jω LI. E ( ) 2 ; η arctg ω L

Lezione 14. Vettori rotanti. RL con forzamento sinusoidale. e( t) = E M. i( t) = ke R L t + I M. e(t) E = RI + jω LI. E ( ) 2 ; η arctg ω L ezione 4 ( A) A Vettori rotanti ( A) Piano di Gauss A = Ae j( ωt+α ) = Acos( ωt + α ) + jasen( ωt + α ) Prima di procedere oltre, facciamo vedere perché il termine fasori. a parte reale ed il coefficiente

Dettagli

Esercizi sulle reti elettriche in corrente alternata (parte 1)

Esercizi sulle reti elettriche in corrente alternata (parte 1) Esercizi sulle reti elettriche in corrente alternata (parte ) Esercizio : alcolare l andamento nel tempo delle correnti i, i 2 e i 3 del circuito in figura e verificare il bilancio delle potenze attive

Dettagli

Potenza in regime sinusoidale

Potenza in regime sinusoidale 26 Con riferimento alla convenzione dell utilizzatore, la potenza istantanea p(t) assorbita da un bipolo è sempre definita come prodotto tra tensione v(t) e corrente i(t): p(t) = v(t) i(t) Considerando

Dettagli

Esame di Teoria dei Circuiti 15 Gennaio 2015 (Soluzione)

Esame di Teoria dei Circuiti 15 Gennaio 2015 (Soluzione) Esame di eoria dei Circuiti 15 ennaio 2015 (Soluzione) Esercizio 1 I 1 R 2 I R2 R 4 αi R2 βi R3 + V 3 I 3 R 1 V 2 I 4 I R3 Con riferimento al circuito di figura si assumano ( i seguenti ) valori: 3/2 3/2

Dettagli

Prof. Carlo Rossi DEIS - Università di Bologna Tel:

Prof. Carlo Rossi DEIS - Università di Bologna Tel: Prof. Carlo Rossi DEIS - Università di Bologna Tel: 051 2093020 email: carlo.rossi@unibo.it Sistemi Tempo-Discreti In questi sistemi i segnali hanno come base l insieme dei numeri interi: sono sequenze

Dettagli

Principali sorgenti di rumore elettronico

Principali sorgenti di rumore elettronico Principali sorgenti di rumore elettronico Rumore termico - E sempre presente quando esistono fenomeni di dissipazione di potenza associata ad una grandezza elettrica (tensione o corrente) - Distribuzione

Dettagli

Principi di ingegneria elettrica. Reti in regime sinusoidale. Lezione 13 a. Impedenza Ammettenza

Principi di ingegneria elettrica. Reti in regime sinusoidale. Lezione 13 a. Impedenza Ammettenza Principi di ingegneria elettrica Lezione 3 a Reti in regime sinusoidale mpedenza Ammettenza Legge di Ohm simbolica n un circuito lineare comprendente anche elementi dinamici (induttori e condensatori)

Dettagli

a.a. 2017/2018 Stefano Bifaretti Vincenzo Bonaiuto Dipartimento di Ingegneria Industriale

a.a. 2017/2018 Stefano Bifaretti Vincenzo Bonaiuto Dipartimento di Ingegneria Industriale a.a. 2017/2018 Stefano Bifaretti Vincenzo Bonaiuto Dipartimento di Ingegneria Industriale Le macchine in c.a. impiegate negli azionamenti industriali sono caratterizzate da un circuito elettrico di statore

Dettagli

Fisica dei mezzi trasmissivi Prof. G. Macchiarella Prova del 28 Febbraio 2013

Fisica dei mezzi trasmissivi Prof. G. Macchiarella Prova del 28 Febbraio 2013 Fisia dei mezzi trasmissivi Prof. G. Mahiarella Prova del 8 Febbraio 013 1 3 4 non srivere nella zona soprastante COGNOME E NOME MTRICO FIRM Eserizio 1 Un generatore, la ui tensione varia nel tempo ome

Dettagli

Definizioni di Guadagno di Potenza

Definizioni di Guadagno di Potenza Definizioni di Guadagno di Potenza z S i 1 i 2 v in v 1 Amplificatore v 2 P P out disp P in z L P disp = Potenza disponibile dal generatore P in = Potenza entrante nell amplificatore P out = Potenza sul

Dettagli

Approccio al Dimensionamento di Filtri a Microonde. A cura di G. Macchiarella

Approccio al Dimensionamento di Filtri a Microonde. A cura di G. Macchiarella Approccio al Dimensionamento di Filtri a Microonde A cura di G. Macchiarella Struttura generale di filtri a microonde con banda relativa piccola CAVITY 4 k 45 CAVITY 5 k 53 k 14 k 42 k 25 IN CAVITY 1 k

Dettagli

cos( ωt + ϕ)= Re v t = V o e jωt cos ωt + ϕ vt ()=V o e jϕ che è un numero complesso costante, di modulo V O ed e jωt = cos ωt + j sinωt

cos( ωt + ϕ)= Re v t = V o e jωt cos ωt + ϕ vt ()=V o e jϕ che è un numero complesso costante, di modulo V O ed e jωt = cos ωt + j sinωt . METODO SIMBOLIO, O METODO DEI FASORI..Introduzione Questo metodo applicato a reti lineari permanenti consente di determinare la soluzione in regime sinusoidale solamente per quanto attiene il regime

Dettagli

Esercizi sulle reti elettriche in corrente alternata (parte 2)

Esercizi sulle reti elettriche in corrente alternata (parte 2) Esercizi sulle reti elettriche in corrente alternata (parte 2) Esercizio 7: Verificare il bilancio delle potenze. Nota. l ramo costituito dal generatore di corrente in serie al resistore ha come caratteristica

Dettagli

B B B. 5.2 Circuiti in regime sinusoidale. (a) (b) (c)

B B B. 5.2 Circuiti in regime sinusoidale. (a) (b) (c) V V A 5.2 Circuiti in regime sinusoidale 219 W B B B (a) (b) (c) Figura 5.4. Simboli del (a) voltmetro, (b) amperometro e (c) wattmetro ideali e relativi schemi di inserzione I I V Nel simbolo del voltmetro

Dettagli

Mezzi non omogenei. Corso di Microonde I A.A. 2004/2005

Mezzi non omogenei. Corso di Microonde I A.A. 2004/2005 Mezzi non omogenei Nelle microonde si usano spesso mezzi trasmissivi non omogenei; Lo studio di questi mezzi viene ricondotto al caso equivalente TEM mediante la definizione di opportuni parametri caratteristici;

Dettagli

FISICA APPLICATA 2 FENOMENI ONDULATORI - 1

FISICA APPLICATA 2 FENOMENI ONDULATORI - 1 FISICA APPLICATA 2 FENOMENI ONDULATORI - 1 DOWNLOAD Il pdf di questa lezione (onde1.pdf) è scaricabile dal sito http://www.ge.infn.it/ calvini/tsrm/ 08/10/2012 FENOMENI ONDULATORI Una classe di fenomeni

Dettagli

Angoli e misura degli angoli

Angoli e misura degli angoli Angoli e misura degli angoli Prima definizione di angolo Si definisce angolo ciascuna delle due parti in cui un piano è diviso da due semirette distinte con l origine in comune, semirette comprese. Le

Dettagli

Applicazioni di. Elettrotecnica

Applicazioni di. Elettrotecnica Università degli Studi di avia Facoltà di Ingegneria Corso di rincipi e Corso di Applicazioni di Teoria dei Circuiti Elettrotecnica Nelle applicazioni di potenza è frequente trovare, in regime AS, dispositivi

Dettagli

9.8 Con la LKT si scrive l equazione seguente: di (1) dt La costante di tempo èτ

9.8 Con la LKT si scrive l equazione seguente: di (1) dt La costante di tempo èτ 9.8 Con la LKT si scrive l equazione seguente: di L Ri cos( t) () dt La costante di tempo èτ L / R ms / 5s ; la soluzione della () è 5t i( t) Ke Acos(t θ ) () Sia A θ il fasore corrispondente alla risposta

Dettagli

Lez.17 Bipoli in regime sinusoidale. Università di Napoli Federico II, CdL Ing. Meccanica, A.A , Elettrotecnica. Lezione 17 Pagina 1

Lez.17 Bipoli in regime sinusoidale. Università di Napoli Federico II, CdL Ing. Meccanica, A.A , Elettrotecnica. Lezione 17 Pagina 1 Lez.17 Bipoli in regime sinusoidale Università di Napoli Federico II, CdL Ing. Meccanica, A.A. 2017-2018, Elettrotecnica. Lezione 17 Pagina 1 L operatore impedenza L uso dei fasori consente di scrivere

Dettagli

Elettrotecnica - Ing. Biomedica Ing. Elettronica Informatica e Telecomunicazioni (V. O.) A.A. 2013/14 Prova n luglio 2014.

Elettrotecnica - Ing. Biomedica Ing. Elettronica Informatica e Telecomunicazioni (V. O.) A.A. 2013/14 Prova n luglio 2014. ognome Nome Matricola Firma Parti svolte: E E E D Esercizio I I R 6 R 5 D 6 G 0 g Supponendo noti i parametri dei componenti e la matrice di conduttanza del tripolo, illustrare il procedimento di risoluzione

Dettagli

Esercizi aggiuntivi Unità A2

Esercizi aggiuntivi Unità A2 Esercizi aggiuntivi Unità A2 Esercizi svolti Esercizio 1 A2 ircuiti in corrente alternata monofase 1 Un circuito serie, con 60 Ω e 30 mh, è alimentato con tensione V 50 V e assorbe la corrente 0,4 A. alcolare:

Dettagli

Esame di Teoria dei Circuiti 13 Febbraio 2015 (Soluzione)

Esame di Teoria dei Circuiti 13 Febbraio 2015 (Soluzione) Esame di eoria dei Circuiti 13 Febbraio 2015 Soluzione) Esercizio 1 γi 3 V 3 I 1 1 βi 1 I 2 I 2 I 3 V 4 g αi 2 2 3 V 5 Con riferimento al circuito di figura si assumano i seguenti valori: 1 = 2 = 3 = 2

Dettagli

ANALOGIA MECCANICA. Carlo Vignali, I4VIL

ANALOGIA MECCANICA. Carlo Vignali, I4VIL ANALOGIA MECCANICA Carlo Vignali, I4VIL Un impulso meccanico sia prodotto ad un estremo di una fune: la deformazione viaggia lungo la fune indipendentemente da come questa sia terminata (l'impulso che

Dettagli

Strutture TEM. La costante di propagazione vale, per qualunque struttura TEM. β = β 0

Strutture TEM. La costante di propagazione vale, per qualunque struttura TEM. β = β 0 Strutture TEM La costante di propagazione vale, per qualunque struttura TEM β = β 0 dove β 0 è la costante di propagazione della linea in aria e ε r la costante dielettrica del materiale ce riempie la

Dettagli

FUNZIONI GONIOMETRICHE

FUNZIONI GONIOMETRICHE FUNZIONI GONIOMETRICHE Misura degli angoli Seno, coseno e tangente di un angolo Relazioni fondamentali tra le funzioni goniometriche Angoli notevoli Grafici delle funzioni goniometriche GONIOMETRIA : scienza

Dettagli

Corso di Metodi Matematici per l Ingegneria A.A. 2016/2017 Esercizi svolti sulle funzioni di variabile complessa (1)

Corso di Metodi Matematici per l Ingegneria A.A. 2016/2017 Esercizi svolti sulle funzioni di variabile complessa (1) Corso di Metodi Matematici per l Ingegneria A.A. 2016/2017 Esercizi svolti sulle funzioni di variabile complessa 1) Marco Bramanti Politecnico di Milano November 7, 2016 1 Funzioni olomorfe e campi di

Dettagli

DIVISORI DI POTENZA E ACCOPPIATORI DIREZIONALI

DIVISORI DI POTENZA E ACCOPPIATORI DIREZIONALI Capitolo 6 DIVIORI DI POTENZA E ACCOPPIATORI DIREZIONALI 6. Divisori di potenza e gli accoppiatori direzionali I divisori di potenza e gli accoppiatori direzionali sono componenti a microonde passivi usati

Dettagli

Laboratorio Multidisciplinare di Elettronica I A.A Prova individuale

Laboratorio Multidisciplinare di Elettronica I A.A Prova individuale Caratterizzazione di un componente incognito in un circuito Un componente incognito (scatola blu) è inserito in un circuito, come indicato in figura. Il componente incognito è descrivibile con un modello

Dettagli

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica 6.0.0 Problema Dopo aver rappresentato la parte di circuito evidenziata dal rettangolo tratteggiato con un generatore equivalente di Thevenin o di Norton, si determini, per ogni istante di tempo, l espressione

Dettagli

Corso di LABORATORIO DI ELETTROMAGNETISMO E CIRCUITI A.A. 2004/2005 A. Di Domenico

Corso di LABORATORIO DI ELETTROMAGNETISMO E CIRCUITI A.A. 2004/2005 A. Di Domenico Corso di LABORATORIO DI ELETTROMAGNETISMO E CIRCUITI A.A. 2004/2005 A. Di Domenico Bibliografia dettagliata degli argomenti svolti a lezione (vers. 12/06/05) MS : C. Mencuccini, V. Silvestrini, Fisica

Dettagli