Giunzione p-n in polarizzazione inversa
|
|
- Aureliana Bassi
- 5 anni fa
- Visualizzazioni
Transcript
1 Giunzione p-n Giunzione p-n in equilibrio Regione di carica paziale Potenziale interno built-in Concentrazione portatori Correnti di deriva e diffuione Approimazione di vuotamento Giunzione p-n in polarizzazione diretta Caratteritiche I-V Giunzione p-n in polarizzazione invera Rottura Zener e a valanga Effetti di non idealità Comportamento traniente
2 Giunzione p-n in equilibrio La giunzione p-n conite in un materiale p ed in uno di tipo n portati a contatto Equilibrio termico ignifica che non ono preenti effetti eterni, p. e. tenioni, calore, luce, etc. Gli elettroni diffondono dal lato n al lato p (le lacune fanno il vicevera) Quando attraverano la giunzione i portatori di maggioranza (p. e. elettroni nel tipo n) diventano portatori di minoranza (p. e. elettroni nel lato p) Gli atomi droganti ono fii, non diffondono!
3 Giunzione p-n in equilibrio Regione di carica paziale (ovvero, regione di vuotamento ) Lo potamento attravero la giunzione di lacune dal lato p al lato n (e di elettroni da n a p) i lacia dietro atomi impurezza ionizzati In precedenza tali cariche non avevano alcun effetto in quanto riultavano perfettamente bilanciate dalla carica mobile (elettroni e lacune) In una giunzione p-n tali cariche fie generano un campo elettrico (analogia con le armature di un condenatore) La regione priva di carica mobile viene detta regione di carica paziale o regione di vuotamento Rammentare che la direzione del campo elettrico è quella in cui i muove una carica poitiva!
4 Giunzione p-n in equilibrio Corrente di deriva ( drift ) La direzione del campo elettrico è tale da pingere i portatori di minoranza di ciacuna regione vero la regione oppota, ove diventano portatori di maggioranza Normalmente, dato il bao numero di portatori di minoranza, tale corrente è molto piccola La concentrazione dei portatori di minoranza può eere incrementata con la temperatura, generazione ottica, iniezione In condizioni di equilibrio, comunque, la corrente totale è nulla poiché la corrente di diffuione eguaglia quella di deriva Rammentare che la direzione del campo elettrico è quella in cui i muove una carica poitiva!
5 Diagramma a bande in equilibrio Per un itema in equilibrio il livello di Fermi deve eere cotante, poiché l energia media deve comunque eere cotante Lontano dalla giunzione il livello di Fermi mantiene il valore che ha nel bulk Alla giunzione i verifica una deformazione dei livelli di banda che indica la preenza del campo elettrico (Ψ=potenziale) (E de/dx = q dψ/dx)
6 Potenziale interno ( built-in ) Il campo elettrico nella zona di giunzione da origine ad una tenione all interfaccia nota come potenziale interno ( built-in ) Ψ 0 Tale potenziale non può eere miurato dall eterno (la giunzione non è una batteria) Ψ 0 è dovuto alla differenza eitente tra i due livelli di Fermi nei materiali cotituenti la giunzione p-n Come i vede dal calcolo, Ψ 0 dipende dal livello di drogaggio, cioè da quanto ono ditanti dalla poizione intrineca (centro gap) i livelli di Fermi nelle due regioni qψ = E E E 0 g 1 N V N C = E g kt ln kt ln N N A D N N V C = E g kt ln N AN D ( ) eendo n = N N exp E kt i ha i V C g NV N C NV N C qψ 0 = kt ln kt ln ni N AN D N AN D Ψ 0 = kt ln ni
7 Concentrazione di portatori all equilibrio La ditanza del livello di Fermi dalla banda di conduzione (valenza) determina la concentrazione di elettroni (lacune) Dal diagramma a bande i può etrarre la concentrazione di portatori Fuori la regione di vuotamento i portatori mantengono i ripettivi valori di equilibrio Poiché Ψ 0 dipende dal livello di drogaggio, le concentrazioni di portatori ono legate a Ψ 0 ( ) exp ( ) ( ) exp ( ) p = p exp qψ kt = N qψ kt = n N n 0 p 0 0 A 0 i D n = n exp qψ kt = N qψ kt = n N p 0 n0 0 D 0 i A
8 Proprietà della regione di vuotamento La regione di vuotamento è cotituita da una regione di cariche fie corripondenti agli atomi impurezza ionizzati che hanno pero i ripettivi elettroni (o lacune) per effetto della diffuione La regione di vuotamento decade eponenzialmente lontano dalla giunzione Per emplicità i aume che la regione è nulla ad una certa ditanza dalla giunzione (Approimazione della regione di vuotamento: il campo elettrico è confinato in una regione finita) Per un drogaggio cotante la denità di carica è cotante nella regione di tranizione e nulla al di fuori La quantità di carica ai lati della giunzione deve eere eguale
9 Ampiezza della regione di vuotamento L ampiezza della regione di vuotamento è calcolata integrando la denità di carica per ricavare il campo elettrico, ed integrando ancora per ottenere il potenziale il cui valore è noto dalla differenza dei livelli di Fermi d Ψ 0 q = ( N A N D ) eq. di Poion dx ε N x = N x neutralità carica A p D n qn D integrando & = ( x x n ) ( lato n ) ε & ( 0) qn A & = ( x + x ) ( ) p lato p ε D A max n p ε ε qn qn = & x = = x = x
10 Ampiezza della regione di vuotamento qn Dx qn n Ax Ψ 0 = Ψn Ψ p = + ε ε qn Dxn 1 = ( xn + xp ) = & max W ε con W = x + x n ampiezza totale reg. vuotamento Si ha anche ε N A + N D W = Ψ 0 q N AN D N N A D xn = W xp = W N + N N + N Il campo elettrico max e l ampiezza della regione di vuotamento ono controllati dal livello di drogaggio della regione meno drogata! p A D A D p
11 Effetto del livello di drogaggio
12 Polarizzazione della giunzione p-n Una polarizzazione diretta corriponde ad applicare una tenione che RIDUCE il campo elettrico all interfaccia. La polarizzazione invera AUMENTA il campo elettrico all interfaccia L applicazione di una tenione modifica l equilibrio tra corrente di diffuione e di deriva Riducendo il campo elettrico (pol. diretta) riduce la barriera per la corrente di diffuione, determinando un incremento della tea. La corrente di deriva non cambia. Si oerva quindi un fluo netto di corrente. In polarizzazione invera la barriera per la corrente di diffuione aumenta, riducendo la corrente di diffuione tea, mentre la corrente di deriva rimane invariata. Di nuovo, i oerva un fluo netto (molto piccolo in queto cao) di corrente.
13 Polarizzazione della giunzione p-n Diagramma a bande e chema delle correnti L effetto della tenione applicata è indicato dalla differenza tra i livelli di Fermi (quai-livelli di Fermi)
Regione di svuotamento: effetti polarizzazione
Regione di svuotamento: effetti polarizzazione L applicazione di una tensione modifica il potenziale interno. Assumendo che tutta la tensione risulti applicata alla regione di svuotamento basta sostituire
DettagliFormazione delle bande di energia. Fisica Dispositivi Elettronici CdL Informatica A.A. 2003/4
Formazione delle bande di energia Calcolo formale: Equazione di Schröedinger L equazione di Schröedinger è una relazione matematica che descrive il comportamento ondulatorio di una particella (elettrone)
DettagliElettronica II La giunzione p-n: calcolo del potenziale di giunzione p. 2
Elettronica II La giunzione pn: calcolo del potenziale di giunzione Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema email: liberali@dti.unimi.it http://www.dti.unimi.it/
DettagliMateriale Energy Gap
Semiconduttori Materiale diamante silicio germanio Energy Gap 5,3 ev 1,1 ev 0,7 ev 21 Semiconduttori Quando un elettrone, portatore di carica negativa, è promosso da banda di valenza a banda di conduzione,
DettagliT08: Dispositivi elettronici (3.3.1)
T08: Dispositivi elettronici (3.3.1) Sommario Richiami sui semiconduttori conduttori, isolanti e semiconduttori bande di energia droganti nei semiconduttori corrente di deriva e diffusione Funzionamento
DettagliDispositivi elettronici
Dispositivi elettronici Sommario Richiami sui semiconduttori conduttori, isolanti e semiconduttori bande di energia droganti nei semiconduttori corrente di deriva e diffusione Funzionamento della giunzione
DettagliI Materiali. Isolanti, Conduttori, Semiconduttori. giovedì 26 febbraio Corso di Elettronica 1
I Materiali Isolanti, Conduttori, Semiconduttori Corso di Elettronica 1 Di cosa si parlerà Classificazione dei materiali Drogaggio Giunzione PN Polarizzazione diretta Polarizzazione inversa Corso di Elettronica
DettagliSommario. Come funziona il Diodo? Giunzione PN a circuito aperto Giunzione PN: polarizzazione diretta Giunzione PN: polarizzazione inversa
l Diodo Sommario Cos è il Diodo? Concetti di base sulla fisica dei Semiconduttori Silicio ntrinseco Corrente di Deriva e Corrente di Diffusione Silicio Drogato P o N Giunzione PN Come funziona il Diodo?
DettagliLA GIUNZIONE PN SILICIO INTRINSECO LACUNE - ELETTRONI. La giunzione PN - diodo Prof. Antonio Marrazzo Pag. 1
LA GIUNZIONE PN SILICIO INTRINSECO Un atomo di silicio ha 4 elettroni nello strato più esterno detti elettroni di valenza, quindi in un cristallo di silicio ciascuno di questi elettroni viene condiviso
DettagliSemiconduttori. Cu 6 x m -1 Si 5 x m -1
Semiconduttori Semiconduttori intrinseci cristalli ideali che non contengono nessuna impurezza o difetto reticolare. Non ci sono portatori di carica a bassa T (0 K). Se la temperatura aumenta si generano
DettagliIl Sistema Metallo Ossido Semiconduttore (MOS)
Il Sistema Metallo Ossido Semiconduttore (MOS) E una struttura simile ad un condensatore, con queste differenze: A polarizzazione nulla la concentrazione dei portatori nel semiconduttore è assai minore
DettagliZona di Breakdown EFFETTO TUNNEL BREAKDOWN A VALANGA
Zona di Breakdown Si definisce BREAKDOWN o rottura, il fenomeno per cui in inversa, quando si raggiunge un certo valore di tensione, detto per l appunto Tensione di Breakdown (e indicato con il simbolo
DettagliDiffusione e membrane
Eercizi di fiica per Medicina C.Patrignani, Univ. Genova (rev: 9 Ottobre 2003) 1 Diffuione e membrane 1) Calcolare il fluo avvettivo di oluto in un tubicino di ezione 0.1 mm 2 in cui corrono 0.2 ml al
DettagliMateriali dell elettronica allo stato solido
Materiali dell elettronica allo stato solido I materiali elettronici si suddividono in 3 categorie: Isolanti Resistenza () > 10 5 -cm Semiconduttori 10-3 < < 10 5 -cm Conduttori < 10-3 -cm I semiconduttori
DettagliSemiconduttori intrinseci
Semiconduttori intrinseci Rappresentazione bidimensionale di un cristallo di silicio a 0 K Rappresentazione bidimensionale di un cristallo di silicio a temperatura ambiente (300 K) In equilibrio termodinamico,
DettagliDispositivi e Tecnologie Elettroniche. Il sistema MOS
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Il sistema MOS l ossido è SiO 2 l ossido è molto sottile ( 40 Å) il metallo è sostituito con silicio policristallino drograto n + (poly) Dispositivi e Tecnologie Elettroniche
DettagliGiunzione pn. (versione del ) Bande di energia
Giunzione pn www.die.ing.unibo.it/pers/mastri/didattica.htm (versione del 10-5-2012) Bande di energia Un cristallo è formato da atomi disposti in modo da costituire una struttura periodica regolare Quando
DettagliLa giunzione MeSC: tipologie
La giunzione MeSC: tipologie Il comportamento della giunzione può essere ohnico o raddrizzante dipendentemente dalla differenza tra il lavoro di estrazione del Metallo e del SC usati: SC-N, E WM > E WS
DettagliAppunti ed esercitazioni di Microonde 2
Appunti ed eercitazioni di Microonde Studio di una linea priva di perdite in regime impulivo di impedenza caratteritica =5Ω, chiua u di un carico R erie avente R==5Ω, =mh, =nf. Si aume come velocità di
DettagliTesto di riferimento: Millman-Grabel MICROELECTRONICS McGraw Hill Cap. 1: 1,2,3,4 Cap. 2: 1,2,3,4,6,7,8,(9,10). Cap. 3: 1,2,4,5,6,8,9,10.
Esperimentazioni di Fisica 3 AA 20122013 Semiconduttori Conduzione nei semiconduttori Semiconduttori intrinseci ed estrinseci (drogati) La giunzione pn Il diodo a semiconduttore Semplici circuiti con diodi
DettagliElettronica II La giunzione p-n: calcolo della relazione tensione-corrente p. 2
Elettronica II La giunzione p-n: calcolo della relazione tensione-corrente Valentino Liberali Dipartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.unimi.it
DettagliRicavo della formula
Dispositivi e Circuiti Elettronici Ricavo della formula E F i E F = k B T ln N A n i Si consideri la relazione di Shockey: ( ) EFi E F p = n i exp k B T Si osservi anche che per x = il semiconduttore è
DettagliDispositivi e Tecnologie Elettroniche. Esercitazione Giunzione pn
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Esercitazione Giunzione pn Esercizio 1: testo Si consideri una giunzione brusca e simmetrica con drogaggio N A N D 10 17 cm 3 sezione trasversale A 0.5 mm 2 e lati
DettagliDispositivi Elettronici. Proprietà elettriche dei materiali
Dispositivi Elettronici Proprietà elettriche dei materiali Proprietà elettriche I materiali vengono classificati in: isolanti o dielettrici (quarzo o SiO 2, ceramiche, materiali polimerici) conduttori
Dettagli4πε. h m. Eq. di Schrödinger per un atomo di idrogeno:
Eq. di Schrödinger per un atomo di idrogeno: h m e 1 ψ 4πε r 0 ( r) = Eψ ( r) Questa equazione è esattamente risolubile ed il risultato sono degli orbitali di energia definita E n = m e 1 α 1 1 e mc n
Dettagli16. Onde elastiche. m s
1 Catena di ocillatori 16. Onde elatiche Vogliamo dicutere il fenomeno della propagazione ondulatoria in un mezzo elatico. A tale copo conideriamo un inieme di punti materiali dipoti lungo una retta, ad
DettagliSemiconduttori. Bande di energia. Un cristallo è formato da atomi disposti in modo da costituire una struttura periodica regolare
Semiconduttori Bande di energia Un cristallo è formato da atomi disposti in modo da costituire una struttura periodica regolare Quando gli atomi formano un cristallo, il moto degli elettroni dello strato
DettagliContatto Metallo-Semiconduttore
Contatto Metallo-Semiconduttore Definizioni: qφbn= altezza di barriera (su semiconduttore n) Vbi = potenziale di built-in Φm= funzione lavoro nel metallo χ = affinità elettronica nel semiconduttore qvn
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 13: Trasporto elettrico nei semiconduttori. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 13: Trasporto elettrico nei semiconduttori Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it D. Ielmini Elettronica dello Stato Solido 13 2 Outline
DettagliUNITA' 21 SOMMARIO U.21 LE MODALITÀ DI TRASMISSIONE DEL CALORE ATTENZIONE
U.21/0 UNITA' 21 SOMMARIO U.21 LE MODALITÀ DI TRASMISSIONE DEL CALORE 21.1. Introduzione 21.2. Conduzione 21.3. Convezione 21.4. Irraggiamento 21.5. Modalità imultanee di tramiione del calore ATTENZIONE
DettagliGenerazione, ricombinazione e diffusione dei portatori di carica
La giunzione P-N In questa unità verrà descritto il funzionamento della giunzione P-N con un livello di trattazione prevalentemente teorico. Tutti i fenomeni fisici che stanno alla base del funzionamento
DettagliI SEMICONDUTTORI. I loro atomi costituiscono uno schema cristallino, noto come centrate nel quale gli atomi sono tenuti a posto dai legami covalenti.
I SEMICONDUTTORI I semiconduttori hanno un comportamento intermedio fra quello dei conduttori e quello degli isolanti. Presentano una conduttività intermedia fra quella dei conduttori e degli isolanti
DettagliContatto Metallo-Semiconduttore
Contatto Metallo-Semiconduttore Definizioni: qφbn= altezza di barriera (su semiconduttore n) Vbi = potenziale di built-in Φm= funzione lavoro nel metallo χ = affinità elettronica nel semiconduttore qvn
DettagliLa conducibilità elettrica del semiconduttore
Viene presentata una classificazione dei materiali allo stato solido in riferimento alla conducibilità elettrica, che ne misura la attitudine a condurre corrente elettrica. Sulla base di questa classificazione
DettagliProf.ssa Silvia Martini. L.S. Francesco D Assisi
Prof.ssa Silvia Martini L.S. Francesco D Assisi Modello atomico Bande di energia in un cristallo Le sostanze solide possono essere suddivise in tre categorie: isolanti, conduttori e semiconduttori. I livelli
Dettagliil diodo a giunzione transistori ad effetto di campo (FETs) il transistore bipolare (BJT)
Contenuti del corso Parte I: Introduzione e concetti fondamentali richiami di teoria dei circuiti la simulazione circuitale con SPICE elementi di Elettronica dello stato solido Parte II: Dispositivi Elettronici
Dettaglil evoluzione dell elettronica
1904 tubo a vuoto 1968 circuito integrato l evoluzione dell elettronica 1980 integrati VLSI 1947 transistor oggi integrati ULSI 1971 microprocessore diodi transistor tecnologie costruttive grafici, tabelle,
DettagliProprietà Elettroniche del Silicio
Proprietà Elettroniche del Silicio Il Silicio (Si) è un materiale semiconduttore. Il silicio puro ha una resistività elettrica relativamente elevata a temperature ambiente (RT). In un semiconduttore vi
DettagliFigura 3.1: Semiconduttori.
Capitolo 3 Semiconduttori Con il termine semiconduttori si indicano alcuni elementi delle colonne III, IV e V della tavola periodica, caratterizzati da una resistività elettrica ρ intermedia tra quella
DettagliCORSO DI LAUREA IN SCIENZE BIOLOGICHE Prova scritta di FISICA 14 Gennaio 2010
CORSO DI LURE IN SCIENZE BIOLOGICHE Prova critta di FISIC 4 Gennaio 00 ) Un bambino lancia una palla di maa m = 00 gr verticalmente vero l alto con velocità v 0 = m/, a partire da una roccia alta h 0 =
DettagliComponenti a Semiconduttore
Componenti a Semiconduttore I principali componenti elettronici si basano su semiconduttori (silicio o germani) che hanno subito il trattamento del drogaggio. In tal caso si parla di semiconduttori di
DettagliCompito di Fondamenti di Automatica settembre 2006
Compito di Fondamenti di Automatica ettembre 2006 Eercizio 1. Si conideri lo chema di figura (operazionale ideale, eccetto per il guadagno che puó eere definito da una G(), reitenze uguali, condenatori
DettagliTraiettoria La traiettoria è la linea che unisce le posizioni successive occupate dal punto materiale in movimento. Sistema di riferimento
Punto materiale Quando l oggetto in movimento è molto piccolo ripetto alla ditanza che percorre, può eere tudiato come e foe un punto (non ha dimenioni, non ha un orientamento). Traiettoria La traiettoria
DettagliCorso di Elettronica Industriale (CdL in Ingegneria Meccatronica, sede di Mantova) Semiconduttori intrinseci e drogati
Corso di Elettronica Industriale (CdL in Ingegneria Meccatronica, sede di Mantova) Isolanti, conduttori e semiconduttori In un solido si può avere conduzione di carica elettrica (quindi passaggio di corrente)
DettagliDrogaggio dei semiconduttori
I SEMICONDUTTORI Considerando la struttura atomica dell atomo di rame, si può vedere che il suo nucleo contiene 29 protoni, cariche positive, quindi, quando il rame non conduce, vuol dire che ci sono 29
DettagliPOLITECNICO DI MILANO
POLITECNICO DI MILANO www.polimi.it ELETTRONICA per ingegneria BIOMEDICA prof. Alberto TOSI Sommario Semiconduttori Conduttori: legge di Ohm Semiconduttori: reticolo, elettroni e lacune, deriva e diffusione
DettagliEFFETTO FOTOELETTRICO
EFFETTO FOTOELETTRICO Come funziona una cella solare TECHNOTOU R SEMICONDUTTORI 1 Materiali con una conducibilità intermedia tra quella di un buon conduttore e quella di un buon isolante. Possono essere
DettagliEsercitazione di Controlli Automatici 1 n 6
4 maggio 007 Eercitazione di Controlli Automatici n 6 a.a. 006/07 Si conideri il itema della eercitazione n 5 cotituito da un braccio robotico in rotazione, utilizzato per la movimentazione di oggetti.
DettagliCalcolo della tensione ammissibile Dovendo essere il grado di sicurezza non inferiore a 3 si ricava che il coefficiente di sicurezza γ è 3 per cui:
Il recipiente diegnato in figura ha una configurazione cilindrica avente diametro interno D = 000 mm è chiuo con fondi emiferici, eo è itemato u due elle A e B pote ad una ditanza L AB = 7000 mm e fuoriece
DettagliGLI STATI LIMITE PER SOLLECITAZIONI NORMALI
Coro ulle Norme Tecniche per le cotruzioni in zona imica (Oinanza PCM 3274/2003, DGR ailicata 2000/2003) POTENZA, 2004 GLI STATI LIMITE PER SOLLECITAZIONI NORMALI Prof. Ing. Angelo MASI DiSGG, Univerità
DettagliLezione. Tecnica delle Costruzioni
Lezione Tecnica delle otruzioni La fleione compota Verifica di ezioni oggette a fleione compota Fleione compota 1 tadio (Formule di Scienza delle otruzioni) on riferimento alla ezione omogeneizzata vale
DettagliDispositivi e Tecnologie Elettroniche. Il transistore MOS
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Il transistore MOS Il transistore MOS La struttura MOS a due terminali vista può venire utilizzata per costruire un condensatore integrato È la struttura base del
DettagliTemperatura ed Energia Cinetica (1)
Temperatura ed Energia Cinetica (1) La temperatura di un corpo è legata alla energia cinetica media dei suoi componenti. Per un gas perfetto si ha: Ek = ½ me vm2 ; Ek = 3/2 kt ; k = costante di Boltzmann
DettagliIl diodo è un componente elettronico passivo non lineare a due terminali, la cui funzione ideale è quella di permettere il flusso di corrente elettrica in una direzione e di bloccarla nell'altra, la qual
DettagliFigura 2.1: Semiconduttori.
Capitolo 2 Semiconduttori 2.1 Semiconduttori Con il termine semiconduttori si indicano alcuni elementi delle colonne III, IV e V della tavola periodica, caratterizzati da una resistività elettrica ρ intermedia
DettagliCon riferimento ad uno schema di trave semplicemente appoggiata di lunghezza L = 6 m il momento flettente massimo in mezzeria è pari a:
Eempio Verifica dell apertura delle feure Si conidera la ezione rettangolare caratterizzata dalle eguenti proprietà: - bae b = 00 mm, - altezza totale h = 00 mm, - copriferro c =0 mm, - altezza utile d
DettagliIl semiconduttore è irradiato con fotoni a λ=620 nm, che vengono assorbiti in un processo a due particelle (elettroni e fotoni).
Fotogenerazione -1 Si consideri un semiconduttore con banda di valenza (BV) e banda di conduzione (BC) date da E v =-A k 2 E c =E g +B k 2 Con A =10-19 ev m 2, B=5, Eg=1 ev. Il semiconduttore è irradiato
DettagliDE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 4 Giugno 2012
DE e DTE: PROA SCRITTA DEL 4 Giugno 2012 ESERCIZIO 1 (DE,DTE) Una giunzione pn (N A = N D = 10 16 cm 3, τ n = τ p = 10 6 s, µ n = 1000 cm 2 /s, µ p = 450 cm 2 /s, S = 1 mm 2 ) è polarizzata con = 0.5.
DettagliTrasporto dei portatori
Trasporto dei portatori all equilibrio termico gli elettroni in banda di conduzione (le lacune in banda di valenza) si muovono per agitazione termica 3 energia termica = (k costante di Boltzmann) 2 kt
Dettagliconduttori isolanti semiconduttori In un metallo la banda più esterna che contiene elettroni è detta banda di valenza
Un solido sarà conduttore solo se la banda è parzialmente occupata. Se invece la banda è completamente occupata si possono avere due casi: se la banda successiva è molto alta in energia il solido è un
DettagliTrasporto in Semiconduttori e Metalli - Esercizi con soluzioni
Trasporto in Semiconduttori e Metalli - Esercizi con soluzioni Fisica della Materia Condensata Dipartimento di Matematica e Fisica Università degli Studi Roma Tre A.A. 2016/2017 Trasporto in Semiconduttori
DettagliDeterminarelatranscaratteristicav out (v in ) del seguente circuito R. V out. V in V ٧ = 0.7V D Z D V R = 5V. R o V R V Z = -8V
ESECIZIO SUI DIODI (Metodo degli Scatti) Determinarelatranscaratteristicav out (v in ) del seguente circuito Dati del problema V = 5V o = 1 k Ω = 10 Ω V Z = -8V V in V ٧ = 0.7V r D = 0 Ω r Z = 0 Ω r i
DettagliRisonanza. Tracciare gli andamenti del modulo e della fase dell impedenza in funzione della frequenza f per il seguente bipolo: A R 1 R 2
6 Eercitazioni aggiuntive Eercizio 6. Tracciare gli andamenti del modulo e della fae dell impedenza in funzione della frequenza f per il eguente bipolo: A B [W]; [W]; [mf] Si calcoli l impedenza del bipolo
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 13: Trasporto elettrico nei. Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano
Elettronica dello Stato Solido Lezione 13: Trasporto elettrico nei semiconduttori Daniele Ielmini DEI Politecnico di Milano ielmini@elet.polimi.it Outline Introduzione Diagramma a bande Corrente di drift
Dettaglia) Caso di rottura duttile con armatura compressa minore di quella tesa
LEZIONI N 39 E 40 FLESSIONE SEMPLICE: LA DOPPIA ARMATURA E LA SEZIONE A T LA VERIFICA DELLA SEZIONE INFLESSA CON DOPPIA ARMATURA a) Cao di rottura duttile con armatura comprea minore di quella tea Si può
DettagliScambio termico per convezione
Scambio termico per convezione La convezione forzata Equazione di Newton w > Equazione di Newton q c q q& ( T ) = h A T c ( T ) = h T Fluo Fluo pecifico 1 Fenomenologia w > q& Il meccanimo di cambio termico
DettagliStati limite nel cemento armato Stato limite ultimo per tensioni normali: applicazioni BOZZA
Lezione n. 1 Stati limite nel cemento armato Stato limite ultimo per tenioni normali: applicazioni Nel eguito i riportano alcuni eempi di applicazione delle procedure decritte nel paragrao precedente.
DettagliLa conduzione nei semiconduttori. Proprietà elettriche nei materiali. Concentrazioni di carica libera all equilibrio
La conduzione nei semiconduttori La conduzione nei semiconduttori Proprietà elettriche nei materiali Correnti nei semiconduttori Modello matematico 2 1 Obiettivi della lezione Acquisire gli strumenti per
DettagliELETTROTECNICA ED ELETTRONICA (C.I.) Modulo di Elettronica. Lezione 6. a.a
32586 ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA (C.I.) Modulo di Elettronica Lezione 6 a.a. 20102011 Diodo + Il diodo è un bipolo, passivo, nonlineare la cui funzione ideale è quella di permettere il flusso di corrente
DettagliDE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 5 febbraio ESERCIZIO 1 (DTE) 1) Descrivere i processi e disegnare le maschere necessarie alla realizzazione
DE e DTE: PROVA SCRITTA DEL 5 febbraio 011 ESERCIZIO 1 (DTE) 1) Descrivere i processi e disegnare le maschere necessarie alla realizzazione del dispositivo di cui nella figura è mostrata la sezione; la
DettagliUNIVERSITA DEGLI STUDI DI FIRENZE Dipartimento di Ingegneria Civile e Ambientale Sezione geotecnica ( MODELLI REOLOGICI
UNIVERSIT DEGLI STUDI DI IRENZE Dipartimento di Ingegneria Civile e mbientale (www.dicea.unifi.it/geotecnica) MDELLI RELGICI Coro di ondamenti di Geotecnica Scienze dell Ingegneria Edile,.. 2009\200 Johann
DettagliCONDUCIBILITÀ IONICA
CONDUCIBILITÀ IONICA Movimento di ioni nel reticolo cristallino ionico: trasporto di carica (conduzione ionica). Vacanze del reticolo. Assenza di campo elettrico movimento casuale delle vacanze: non c
DettagliESERCIZIO 1 L/2 C.R. D
SRIZIO Il itema di corpi rigidi in figura è oggetto ad uno potamento impreo (cedimento), in direzione verticale e vero il bao, in corripondenza del vincolo in. Si vuole determinare la nuova configurazione
DettagliDiffusione molecolare. Cambiamento di fase
Conduzione Convezione Meccanimo Colliioni molecolari Diffuione molecolare Equazione generale ka ha T dt dx ( T ) Radiazione Evaporazione Fotoni Cambiamento di fae Calore (Joule) Fluo di calore (Joule m
DettagliEsercizio. Il circuito di figura rappresenta un filtro passa-banda. Dopo aver ricavato la funzione di trasferimento, sapendo che
Eercizio Clae 5ª Elettronici Materia Sitemi Argomento Funzioni di traferimento Il circuito di figura rappreenta un filtro paa-banda. Dopo aver ricavato la funzione di traferimento, apendo che R = 2k Ω
DettagliB1.5 Considerazioni sul moto uniformemente accelerato
.5 Coniderazioni ul moto uniformemente accelerato Si conideri una traiettoria rettilinea u cui i muove, con accelerazione co tante, un punto che parte da fermo dalla poizione O (4Fig..0). Fig..0 Rappreentazione
DettagliMACCHINE SINCRONE TRIFASE
MACCHNE SNCRONE TRFASE Lo tatore è cotituito come quello della macchina aincrona trifae: è di materiale ferromagnetico laminato e nelle cave ricavate alla periferia del traferro è alloggiato un avvolgimento
DettagliLiceo Scientifico Cassini Esercizi di fisica, classe 3G, foglio7
Liceo Scientifico Caini Eercizi di fiica, clae 3G, foglio7 Problema1 In una gara ui 200m un corridore percorre i primi 40m con un accelerazione di 1.5 m ed il reto della gara di moto rettilineo uniforme.
DettagliI PORTATORI e la CORRENTE nei DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI. Fondamenti di Elettronica
I PORTATORI e la CORRENTE nei DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI 1 Come si può variare la concentrazione di n e/o di p? NON aggiungendo elettroni dall esterno perché il cristallo si caricherebbe ed assumerebbe
Dettagliq 2 1 LC COSTANTE NEL TEMPO
Il circuito Abbiamo dicuo circuiti che combinano reitenze e condenatori (R) e reitenze ed induttanze (R); abbiamo vito che, nel regime traniente di avvio o di pegnimento della corrente nel circuito, le
Dettagli1. Introduzione Il convertitore a semplice semionda Il sistema di controllo... 5
. Introduzione... 2 2. Il convertitore a emplice emionda... 3 2. Il itema di controllo... 5 3. Il convertitore monofae nella configurazione a ponte... 7 4. Il fenomeno della commutazione... . Introduzione
DettagliUNIVERSITA DEGLI STUDI DI FIRENZE MODELLI REOLOGICI
UNIVERSIT DEGLI STUDI DI IRENZE MDELLI RELGICI CorodiondamentidiGeotecnica Scienze dell Ingegneria Edile,.. 2005\2006 Dott. Ing. Johann accioruo UNIVERSIT DEGLI STUDI DI IRENZE RELGI La reologia è la cienza
DettagliLE ORIGINI DELLA TEORIA QUANTISTICA
LE ORIGINI DELLA TEORIA QUANTISTICA LEZIONE N.5a SEMICONDUTTORI - DIODO L. Palumbo - Fisica Moderna - 2017-18 1 TEORIA DELLE BANDE NEI CRISTALLI In un cristallo gli atomi sono disposti regolarmente occupando
DettagliEsercitazione di Controlli Automatici 1 n 2. a.a. 2006/07
6 marzo 007 Eercitazione di Controlli Automatici n a.a. 006/07 Riferendoi al itema di controllo della temperatura in un locale di piccole dimenioni dicuo nella eercitazione precedente, e di eguito riportato:.
DettagliBipolar Junction Transistors
Bipolar Junction Transistors Struttura di un BJT ideale I C I E Collector (N) Base (P) Emitter (N) I B V BE V CE I E Emitter (P) Base (N) Collector (P) I B V EB V EC I C sandwich NPN o PNP la Base è molto
DettagliPROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 8 Gennaio 2018
PROVA SCRITTA di DISPOSITIVI ELETTRONICI del 8 Gennaio 2018 ESERCIZIO 1 Un transistore n + pn, con N ABase = N DCollettore = 5 10 15 cm 3, µ n = 0.11 m 2 /Vs, τ n = 10 6 s, S = 1 mm 2, è polarizzato con
DettagliNome: Nr. Mat. Firma: C.L.: Info. Elet. Telec.
Teoria dei Sitemi e del Controllo Compito del 2 Dicembre 25 Domande ed eercizi Nome: Nr. Mat. Firma: C.L.: Info. Elet. Telec.. Scrivere la oluzione generale della eguente equazione alle differenze tempo-variante
DettagliESERCIZIO 1. Dati due diodi a giunzione pn aventi le seguenti caratteristiche:
ESERCIZIO 1 Dati due diodi a giunzione pn aventi le seguenti caratteristiche: DIODO A: Si, 10 18 cm 3,N D 10 15 cm 3 DIODO B: Ge, 10 18 cm 3,N D 10 15 cm 3 Valutare, giustificando quantitativamente le
DettagliDispositivi e Tecnologie Elettroniche. Trasporto nei semiconduttori
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche Trasporto nei semiconduttori Trasporto di carica I portatori liberi nel materiale vengono accelerati dalla presenza di un campo elettrico E La presenza di cariche
DettagliResistenza a sforzo normale e flessione (elementi monodimensionali) [ ]
41 1. Calcolo dell armatura longitudinale delle travi in funzione delle azioni riultanti dall analii; 2. Calcolo dell armatura a taglio delle travi in funzione del taglio dovuto ai momenti reitenti delle
DettagliEsperimenti con i semiconduttori: caratteristica corrente-tensione di diodi a semiconduttore. Fondamenti teorici
Esperimenti con i semiconduttori: caratteristica corrente-tensione di diodi a semiconduttore Fondamenti teorici I diodi a semiconduttore sono tra i più semplici componenti dei circuiti elettronici. Sono
DettagliLegame metallico. Metalli
LEGAME METALLICO Un metallo può essere descritto come un reticolo di ioni positivi (nucleo più elettroni di core) immersi in una nube di elettroni di valenza mobili (delocalizzati) attorno ai cationi.
DettagliDefinizioni e relazioni fondamentali
Capitolo 1 Definizioni e relazioni fondamentali 1.1 Definizioni di E e B Il campo elettrico E (m 1 ) e l induzione magnetica B (T) ono definiti in riferimento alla forza che agice u una carica in movimento
DettagliSEMICONDUTTORI BANDE DI ENERGIA
SEMICONDUTTORI BANDE DI ENERGIA Si dice banda di energia un insieme di livelli energetici posseduti dagli elettroni. Si dice banda di valenza l'insieme degli elettroni che hanno un livello energetico basso,
DettagliFisica della Materia Condensata
Fisica della Materia Condensata Prof. Paola Gallo Soluzioni della prova di esame del II appello - 13 Febbraio 2017 Esercizio 1 Considerare un cristallo con reticolo monoclino semplice con base monoatomica.
DettagliQ Flusso di calore (Joule m -2 s -1 )
Conduzione Convezione Meccanimo Colliioni molecolari Diffuione molecolare Equazione generale ka ha T dt dx ( T ) Radiazione Evaporazione Fotoni Cambiamento di fae Fluo di calore (Joule m -2-1 ) Calore
DettagliFondamenti di Elettronica, Sez.2
Fondamenti di Elettronica, Sez.2 Alessandra Flammini alessandra.flammini@unibs.it Ufficio 24 Dip. Ingegneria dell Informazione 030-3715627 Lunedì 16:30-18:30 Fondamenti di elettronica, A. Flammini, AA2017-2018
DettagliL equazione che descrive il moto del corpo è la seconda legge della dinamica
Eercizio ul piano inclinato La forza peo è data dalla formula p mg Allora e grandezze geometriche: poono eere critte utilizzando l angolo di inclinazione del piano oppure le Angolo di inclinazione orza
DettagliUNIVERSITÀ IUAV DI VENEZIA CLAMARCH indirizzo Conservazione Laboratorio integrato 2 Modulo di impianti tecnici nell edilizia storica
I MECCANISMI DI ASMISSIONE DEL CALOE Il calore è l energia tramea da un corpo ad un altro in virtù di una differenza di temperatura. Dall oervazione dei fenomeni termici, è poibile mettere in evidenza
Dettagli