La natura quantizzata dell elettrone deriva da quattro grandezze deterministiche (misurabili sperimentalmente) che prendono nome di numeri quantici.
|
|
- Severina Gioia
- 6 anni fa
- Visualizzazioni
Transcript
1 Struttura elettroica degli elemeti La atura quatizzata dell elettroe deriva da quattro gradezze determiistiche (misurabili serimetalmete) che redoo ome di umeri quatici. Numero quatico riciale 1(K), 2(L), 3(M), 4(N), 5(O), 6(P), 7(Q). Il massimo umero di elettroi cosetiti ella corteccia è2 2. Numero quatico mometo agolare l 0(shar), 1(ricial), 2(diffuse), 3(fudametal),, -1. Il mometo agolare determia la forma della uvola elettroica. La corteccia ammette sottocortecce: 0, 1,, -1. Numero quatico magetico m l 0, ±1, ±2,, ±l. Il umero quatico magetico forisce l orietazioe (orbitale) dei lobi delle sottocortecce. Il umero di orietazioi m l relative alla sottocorteccia l è 2l+1 Numero quatico si m s ±½. Priciio di esclusioe di Pauli I u sistema elettroico eure due elettroi ossoo avere la stessa quatera di umeri quatici (, l, m l, m s ).
2 Struttura elettroica degli elemeti
3 Struttura elettroica degli elemeti Elemeto C Si Ge S Numero Atomico Notazioe Settroscoica 1s 2 2s s 2 2s s s 2 2s s s 10 4s s 2 2s s s 10 4s d 10 5s 2 5 2
4 Struttura elettroica degli elemeti Elemeto Si Numero Atomico 14 Notazioe Settroscoica 1s 2 2s s Cosideriamo N atomi isolati. I ciascu atomo isolato vi soo, egli ultimi due livelli, due elettroi el livello s e due elettroi el livello. 2N elettroi che occuao i 2N ossibili livelli s alla stessa eergia 2N elettroi che occuao u terzo dei 6N ossibili livelli alla stessa eergia Quado gli atomi si accoiao er formare il cristallo, le fuzioi d oda atomiche si sovraogoo ed il cristallo (sistema elettroico) deve obbedire al riciio di esclusioe di Pauli. I 2N stati s ed i 6N stati, iizialmete alla stessa eergia, degeerao er assumere eergie diverse. Tali eergie soo molto rossime tra loro dal mometo che N è u umero molto grade ~ cm -3. Nella codizioe di equilibrio i 4N stati occuati da elettroi (2N di tio s e 2N di tio ) soo degeerati i u uica bada deomiata Bada di aleza. Aalogamete i 4N stati rivi di elettroi (4N di tio ) soo degeerati ella Bada di Coduzioe. Le due bade soo searate dalla Bada Proibita. La distribuzioe delle bade di eergia caratterizza le rorietà di coducibilità del materiale
5 Bade di eergia i u materiale ~ e/cm 3 Eergy ga ~ 6e (Carboio) Eergy ga ~ 1e ~ 10 e/cm 3 ~ e/cm 3
6 Bade di eergia el silicio Reticolo cristallio Legame covalete Bade di eergie Allo zero assoluto tutti gli elettroi soo coteuti ella bada di valeza e la bada di coduzioe è comletamete vuota.
7 Geerazioe di ua coia elettroe-lacua Reticolo cristallio Legame covalete Bade di eergie A temeratura ambiete alcui legami covaleti si romoo ad oera dell eergia termica forita al cristallo creado coie elettroe-lacua. Sia gli elettroi i bada di coduzioe che le lacue i bada di valeza arteciao al meccaismo della coduzioe elettrica (biolarità). I u semicoduttore itriseco il umero di elettroi i bada di coduzioe è ari al umero di lacue i bada di valeza. i
8 Coduzioe elettrica Meccaismo co cui ua lacua artecia alla coduzioe. E u meccaismo che o coivolge gli elettroi liberi. Gli elettroi e le lacue ossoo essere trattate, ai fii della coduzioe elettrica, come articelle classiche fittizie aveti massa efficace m e m. Arossimazioe valida se i cami esteri soo assai iù deboli di quelli eriodici rodotti dalla struttura reticolare. La massa efficace ci cosete di igorare er i ortatori liberi (elettroi e lacue) la diedeza del reticolo cristallio.
9 Correte di drift σ ρ µ µ σ σ µ µ µ µ 1 ) ( ) ( + + q q q q E E J v J v J E v E v La mobilità è fuzioe del temo medio tra due urti cosecutivi e della massa efficace del ortatore
10 Correte di diffusioe Κ / ˆ ˆ 5 e K q KT D D d d qd d d qd T µ µ J J Correte totale ) ( ˆ ˆ TOT A d d qd q d d qd q J J I E J E J + + µ µ
11 Desità degli stati ei semicoduttori La desità di stati g C (E) forisce il umero di stati er uità di volume e er uità di eergia cosetiti agli elettroi i bada di coduzioe i corrisodeza del livello eergetico E. Aalogamete la gradezza g (E) forisce il umero di stati er uità di volume e er uità di eergia cosetiti alle lacue i bada di valeza i corrisodeza del livello eergetico E. La desità degli stati forisce u iformazioe sul umero di stati cosetiti e o sulla loro effettiva occuazioe da arte dei ortatori liberi. g g C ( E) ( E) 2 8π h 2 8π h m m E E E C E Maggiore (miore) è il livello eergetico E risetto ad E C (E ) e maggiore è il umero di stati cosetiti.
12 Fuzioe di distribuzioe Fermi-Dirac La fuzioe di distribuzioe Fermi-Dirac f(e) forisce la robabilità che u elettroe occui uo stato quatico ad u livello eergetico E. f ( E) 1 E E 1+ e KT F E F rareseta il livello di Fermi ovvero il livello i cui la robabilità di trovare u elettroe è ½. Aalogamete la robabilità che ua lacua occui uo stato quatico ad eergia E è 1-f(E).
13 Fuzioe di distribuzioe Fermi-Dirac ariazioe della fuzioe Fermi-Dirac co la temeratura E F E i E C + E 2 + 3KT 4 l m m
14 Cocetrazioe dei ortatori itrisici L effettiva cocetrazioe di elettroi liberi al livello eergetico E si ottiee moltilicado il umero degli stati cosetiti g C (E) er la robabilità f(e) che tali stati siao effettivamete occuati. (E)g C (E)f(E) aalogamete (E) g (E)(1-f(E)) ( E) de gc ( E) f ( E) de ( E) de g ( E)(1 f ( E)) de BC BC B B
15 Cocetrazioe dei ortatori itrisici ( E) de g ( E) f ( E) de ( E) de g ( E)(1 f ( E)) de C BC BC B B i cm 3 T 300Κ 2 i Legge di azioe di massa 2 3 BT e i 31 B E g KT La cocetrazioe itriseca o diede da E F ma dalla temeratura e dalle rorietà del materiale.
16 Doatori e accettori Silicio itriseco Silicio drogato di tio Silicio drogato di tio ND NA EF Ei i e KT Ei EF i e KT
17 Doatori e accettori ND NA E Ei i e F KT E EF i e i KT N D i2
18 Diagramma a bade i reseza di olarizzazioe L alicazioe di u oteziale all estremità destra del cristallo comorta ua crescita lieare del oteziale all itero del cristallo e, coseguetemete, ua dimiuzioe lieare delle bade di eergia. La variazioe del diagramma a bade è q. d qe 1 dei E q d ( eergia _ oteziale) d
19 Giuzioe - all equilibrio termodiamico Cosideriamo due regioi di materiale semicoduttore, ua di tio e l altra di tio, uiformemete drogate e fisicamete searate. Il livello di Fermi E F è rossimo al bordo della bada di valeza el semicoduttore di tio, aalogamete, l elevata cocetrazioe di elettroi el semicoduttore di tio sosta il livello di Fermi E F verso il bordo della bada di coduzioe. Quado le due regioi costituiscoo ua giuzioe -, il forte gradiete di cocetrazioe dei ortatori liberi rovoca la diffusioe di lacue dal lato verso quello ed, aalogamete, la diffusioe di elettroi dalla regioe verso quella.
20 Giuzioe - all equilibrio termodiamico Le lacue che diffodoo dal lato verso quello lasciao i rossimità della giuzioe ioi egativi N A- o comesati. Aalogamete, el lato restao vicio alla giuzioe ioi ositivi N D + o comesati. Di cosegueza si forma, a ridosso della giuzioe, ua regioe di carica saziale egativa el lato ed ua regioe di carica saziale ositiva el lato. Nasce u camo elettrico diretto dalla carica ositiva verso quella egativa e, ertato, ua correte di drift che si ooe alla diffusioe dei ortatori. I codizioi di equilibrio termodiamico il flusso etto di correte è ullo e la correte di drift eguaglia quella di diffusioe.
21 - Giuzioe - all equilibrio termodiamico Cocetrazioe dei ortatori. Distribuzioe della carica saziale. Distribuzioe del camo elettrico. Adameto del oteziale. ( ) ( ) cm F N N q W N N s bi D A s i D A T i bi / l ε ε φ φ φ Poteziale di barriera Regioe di svuotameto
22 Giuzioe - i olarizzazioe iversa Quado ua tesioe di olarizzazioe iversa a è alicata alla giuzioe, si osserva ua debole correte iversa che scorre el circuito estero. Tale correte è dovuta ad elettroi e lacue geerati termicamete ed è ertato idiedete dal valore della tesioe alicata (urché iferiore del valore di breakdow). I tale codizioe si ha u allargameto della regioe di svuotameto ed u icremeto della barriera di oteziale I I S
23 Giuzioe - i regioe di breakdow Quado la tesioe di olarizzazioe iversa a eccede u valore di soglia ZK la correte che scorre el circuito estero cresce molto raidamete i quato si iesca u meccaismo di breakdow che rede disoibile u umero elevato di ortatori. Il meccaismo di breakdow uò essere dovuto a due effetti. Effetto zeer il camo elettrico ella regioe di svuotameto è talmete elevato (camo elettrico critico) da romere i legami covaleti e geerare coie elettroe-lacua. Moltilicazioe a valaga u ortatore che attraversa la regioe di svuotameto, sotto l azioe del camo elettrico, acquisisce u valore di eergia cietica sufficiete a romere u legame covalete i seguito ad u urto co il reticolo cristallio. I ortatori liberati da questo rocesso ossoo a loro volta acquisire eergia cietica sufficiete a liberare altri ortatori e così via. Si geera, i tal modo, ua valaga di ortatori che icremeta otevolmete il valore della correte iversa.
24 Giuzioe - i olarizzazioe diretta I olarizzazioe diretta, si ha ua riduzioe del oteziale di barriera er cui la correte di diffusioe redomia su quella di drift. Le lacue otrao diffodere dal lato verso quello ed essere raccolte al morsetto egativo della batteria, aalogamete, gli elettroi otrao diffodere dal lato verso il lato ed essere raccolti al morsetto ositivo della batteria.
25 Giuzioe - i olarizzazioe diretta ( ) ( ). ) ( ) ( ; ) ( ) ( ; ) ( ; ) ( ) ( L o o L o o o o D L e D L e e e T T τ τ Legge della giuzioe
26 Giuzioe - i olarizzazioe diretta ; 1 ; 1 2 ) ( T T T T T S A D i o o L o L o e I e N L D N L D Aq e L D L D Aq I e e L D q J e e L D q d d qd J Adameto delle varie comoeti di correte trascurado meccaismi di geerazioericombiazioe all itero della regioe di svuotameto.
27 Caratteristica di ua giuzioe -
28 Caacità offerte da ua giuzioe - Alle estremità della regioe di svuotameto soo reseti due distribuzioi di carica uguali ed ooste. La regioe di svuotameto si reseta ertato come u codesatore la cui caacità è fuzioe della tesioe alicata. E ossibile mostrare che la caacità offerta dalla regioe di svuotameto è assimilabile a quella di u codesatore a facce iae e arallele, C W ε A s W i cui A è la sezioe del semicoduttore e W è l amiezza della regioe di svuotameto. Quado la giuzioe è olarizzata direttamete, si crea u eccesso di ortatori mioritari elle regioi eutre. La relativa quatità di carica varia co la tesioe diretta alicata e fa assumere alla giuzioe u comortameto caacitivo. C D τi T
Modello Corpuscolare. Emissione di un fotone Assorbimento di un fotone
Modello oruscolare missioe di u fotoe Assorbimeto di u fotoe Struttura elettroica degli elemeti La atura quatizzata dell elettroe deriva da quattro gradezze determiistiche misurabili serimetalmete) che
DettagliDispositivi elettronici: La giunzione pn
Disositivi elettroici: La giuzioe La giuzioe (3.3.2-5) Argometi della Lezioe Aalisi della giuzioe - camo elettrico oteziale di cotatto Polarizzazioe iversa caacità di trasizioe feomeo del breakdow Polarizzazioe
DettagliDiodo Ideale. bipolo elettrico non-lineare conducibilità uni-direzionale tensione di soglia nulla R=0
1 iodo Ideale biolo elettrico o-lieare coducibilità ui-direzioale tesioe di soglia ulla i R v i R v 2 esemi di alicazioi: -R i i - - t v i v out - - t esemi di alicazioi: -C 3 esemi di alicazioi: C- 4
Dettagliesempi di applicazioni: D-R
iodo Ideale biolo elettrico o-lieare coducibilità ui-direzioale tesioe di soglia ulla i = v i = v 2 esemi di alicazioi: - V i i - - t v i v out - - t 3 esemi di alicazioi: -C 4 esemi di alicazioi: C- 2
DettagliUniversità degli Studi di Roma Tor Vergata Dipartimento di Ing. Elettronica corso di ELETTRONICA APPLICATA. Ing. Rocco Giofrè.
Uiversità degli Studi di Roma or Vergata iartimeto di g. Elettroica corso di ELERONCA APPLCAA g. Rocco Giofrè Esercizi su semicoduttori e diodi / 1 Esercizio oteziale Sia data ua barretta di semicoduttore
DettagliCristalli e bande di energia
Cristalli e bade di eergia egli atomi o elle molecole, cosiderate sigolarmete o i basse cocetrazioi, l eergia degli elettroi uò assumere solo livelli discreti. ei solidi, costituiti da u elevatissimo umero
DettagliElettronica I Il diodo a giunzione
Elettroica I Il diodo a giuzioe Valetio Liberali Diartimeto di Tecologie dell Iformazioe Uiversità di Milao, 26013 Crema email: liberali@dti.uimi.it htt://www.dti.uimi.it/ liberali 18 arile 2008 Elettroica
DettagliSemiconduttori Concentrazione dei portatori Drogaggio Ele-A-1
Semicoduttori Cocetrazioe dei ortatori rogaggio Ele-A-1 Elettroica I - A.A. 009/0010 CONCETTO I BARRIERA I ENERGIA POTENZIALE Ua carica uitaria i u camo elettrico E è soggetta ad ua forza f = E. Si defiisce
DettagliElettronica I Circuiti con diodi; introduzione al transistore bipolare a giunzione
Elettroica I Circuiti co diodi; itroduzioe al trasistore biolare a giuzioe Valetio Liberali Diartimeto di Tecologie dell Iformazioe Uiversità di Milao, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.uimi.it htt://www.dti.uimi.it/
DettagliCorso di ELETTRONICA I
Corso di ELETTRONICA I rof. F. Della Corte testi cosigliati A. Sedra - K. Smith Microelectroic circuits - Ed. Oxford Uiversity Press A. Sedra - K. Smith Circuiti er la Microeletroica - Ed. Edizioi Igegeria
DettagliTrasporto nei Semiconduttori: deriva
isositivi Elettroici rasorto ei Semicoduttori rasorto ei Semicoduttori: deriva Gli elettroi di u SC sottoosti ad u camo elettrico, si muovoo come articelle libere dotate di massa ierziale ari alla massa
DettagliElettronica I La struttura MOS (Metallo-Ossido-Semiconduttore)
Elettroica I La struttura MO (MetalloOssidoemicoduttore) Valetio Liberali iartimeto di Tecologie dell Iformazioe Uiversità di Milao, 26013 Crema email: liberali@dti.uimi.it htt://www.dti.uimi.it/ liberali
DettagliElettronica La struttura MOS (Metallo-Ossido-Semiconduttore)
Elettroica La struttura MO (MetalloOssidoemicoduttore) Valetio Liberali iartimeto di Fisica Uiversità degli tudi di Milao valetio.liberali@uimi.it Elettroica La struttura MO 6 maggio 2015 Valetio Liberali
DettagliElettronica I Il diodo a giunzione
Elettroica I Il diodo a giuzioe Valetio Liberali Diartimeto di Tecologie dell Iformazioe Uiversità di Milao, 26013 Crema email: liberali@dti.uimi.it htt://www.dti.uimi.it/ liberali Elettroica I Il diodo
DettagliSENSORI DI RADIAZIONE
SENSORI DI RADIAZIONE Soo stati robabilmete i rimi sesori a semicoduttore realizzati. Le alicazioi vao dalle telecomuicazioi alla misura di lumiosità, dalla rilevazioe di articelle alla misura della temeratura
Dettagliintroduzione ai rivelatori di particelle
Itroduzioe ai rivelatori di articelle itroduzioe ai rivelatori di articelle arte VI Rivelatori a semicoduttore AA 005/06 Cesare Voci - Giovai Busetto 1 Itroduzioe ai rivelatori di articelle I rivelatori
DettagliCapitolo 7. Diodi a microonde
Caitolo 7 Diodi a microode 7.1 Itroduzioe Questo caitolo è dedicato allo studio dei diodi che si utilizzao ei sistemi a microode. Iizialmete soo discusse le caratteristiche elettriche dei semicoduttori
DettagliSENSORI DI RADIAZIONE
SENSOR D RADAZONE Soo stati robabilmete i rimi sesori a semicoduttore realizzati. Le alicazioi vao dalle telecomuicazioi alla misura di lumiosità, dalla rilevazioe di articelle alla misura della temeratura
DettagliCaratteristiche I-V Qualitativamente, la caratteristica di uscita di un MOSFET è la seguente:
l sistema MOFE l MOFE è u FE che utilizza come caale la regioe di iversioe che si crea i ua struttura MO opportuamete polarizzata. l cotatto di gate del trasistor coicide co il Metallo della struttura
DettagliSENSORI DI RADIAZIONE
SENSOR D RADAZONE Soo stati robabilmete i rimi sesori a semicoduttore realizzati. Le alicazioi vao dalle telecomuicazioi alla misura di lumiosità, dalla rilevazioe di articelle alla misura della temeratura
DettagliPARAMETRI CIRCUITALI
PARAMETRI CIRCUITALI Resisteze R = ρl/tw =R s (l/w) R s è la resisteza er quadrato (Ω/ ) ALORI TIPICI (Ω/ ) Mi Ti Max Metallo 1-0,05 0,07 0,1 Siliciuri 3 6 Diffusioe 10 5 100 Polisilicio 15 0 30 Metallo
DettagliCAPITOLO II. DIODI A GIUNZIONE p-n
II. 1 CAPITOLO II IOI A GIUNZION -.1 - Itroduzioe Il comortameto delle giuzioi fra materiali semicoduttori di differeti caratteristiche di coducibilità riveste imortaza fodametale er lo studio dei disositivi
DettagliEsercizi su semiconduttori e diodi
Uiversità degli Studi di oma Tor Vergata Diartimeto di g. Elettroica corso di ELETTONCA APPLCATA g. occo Giofrè Esercizi su semicoduttori e diodi ESECZO - GUNZONE P-N POLAZZATA Ua giuzioe, a cui è alicata
DettagliSemiconductor Field. Transistor (MOSFET) Effect. Dispositivi elettronici INTRODUZIONE. E-nMOSFET. E-nMOSFET Tensione al Gate
ommario isositivi elettroici MetalOxide emicoductor Field Effect Trasistor (MOFET) Come è fatto u MOFET a caale Pricii di fuzioameto Caale di iversioe Calcolo di vs V Curve vs V e vs V Modulazioe di lughezza
DettagliMetal-Oxide- Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
EMOFET isositivi elettroici MetalOxide emicoductor Field Effect Trasistor (MOFET) ource () W Metallo ate () Caale ubstrato tio (ody) ody () Ossido (io ) rai () geere W >> ommario Come è fatto u MOFET a
DettagliCAPITOLO I INTRODUZIONE ALLA FISICA DEI MATERIALI SEMICONDUTTORI
I. 1 CAPITOLO I INTRODUZION ALLA FISICA DI MATRIALI SMICONDUTTORI 1.1 - Richiami di fisica atomica. L lettroica studia i disositivi, i circuiti ed i sistemi ei quali la reseza ed il movimeto degli elettroi
DettagliPORTATORI ALL EQUILIBRIO NEL SILICIO INTRINSECO.
PORTTORI EQUIIBRIO E SIICIO ITRISECO. e rorietà elettriche ei semicouttori ieoo i moo sostaziale alla cocetrazioe i cariche mobili egative e ositive reseti, ette ortatori i correte o semlicemete ortatori.
DettagliElementi di Fisica dei Dispositivi Elettronici
Elemeti di Fisica dei Dispositivi Elettroici Si rigrazia il Prof. Giustolisi autore della quasi totalità dei segueti lucidi e figure. Corso di Elettroica I S. Peisi DIEEI - Uiversità di CATANIA 1 Forza
DettagliDispositivi Elettronici
isositivi Elettroici orso di Laurea i Igegeria Elettroica e Iformatica Gio Giusi Uiversità degli Studi di Messia iartimeto di Igegeria otrada di io, 98166 S.Agata, Messia web: www.giogiusi.com e-mail:
DettagliProblemi Svolti di Fisica dello Stato Solido n. 3
Problemi Svolti di isica dello Stato Solido. 5. Determiare i piai di simmetria ella cofigurazioe 4 tetraedrica regolare mostrata i figura, tipica del reticolo diamate. ig. cofigurazioe molecolare tetraedrica
DettagliMATERIALI (microstruttura)
I sesori si basao su: Feomei chimici o fisici i grado di modificare il comportameto elettrico Che riguardao: Il materiale di cui è costituto il sesore (strato sesibile) La geometria del sesore SSORI MAGTICI
DettagliFigura 1. Caratteristica corrente-tensione di un diodo ideale
idea alla base del fuzioameto di u trasistore biolare a giuzioe (JT) è di utilizzare l idiedeza (i rima arossimazioe) della correte che attraversa ua giuzioe olarizzata iversamete dalla tesioe alicata:
DettagliCAPITOLO VI TRANSISTORI BIPOLARI A GIUNZIONE
APTOLO TRANSSTOR POLAR A GUNZONE (. Daeu, G. Lullo, S. Riva Saseverio) 6.1. - troduzioe. osideriamo ua struttura realizzata el modo schematizzato i fig. 1. Le fasi illustrate soo le segueti: a) Ua barretta
DettagliIl funzionamento di un transistore 1
Il fuzioameto di u trasistore 1 Facoltà di Fisica di Milao Bicocca giovedì 11 giugo 015 U trasistore dal uto di vista fuzioale è u disositivo avete 3 termiali co i quali si uò realizzare u amlificatore
DettagliLA GIUNZIONE pn N D. giunzione metallurgica. Nell'istante iniziale, in cui si realizza la giunzione dopo pochi istanti...
LA GIUNZION Suoiamo di drogare ua zoa di u cristallo di silicio (chi) co ua cocetrazioe uiforme N A di atomi di boro (zoa che chiameremo di tio erchè ha ua cocetrazioe revalete di lacue quali ortatori
DettagliStruttura schematica di un MOSFET a canale n
Struttura schematica di u MOSFET a caale Source Gate Drai Ossido Metallo Ossido Semicoduttore F E T 3 Fodameti di elettroica a fuzioe del CONTATTO di GATE Variado varia (per iduzioe elettrostatica la cocetrazioe
DettagliElettronica Funzionamento del transistore MOS
Elettroica Fuzioameto del trasistore MOS Valetio Liberali Dipartimeto di Fisica Uiversità degli Studi di Milao valetio.liberali@uimi.it Elettroica Fuzioameto del trasistore MOS 13 maggio 2015 Valetio Liberali
DettagliCAPITOLO III. La giunzione p-n
CAPITOLO III La giuzioe - III-1 II.1 Formazioe della giuzioe Se coidero due materiali emicoduttori drogati uo di tio e l altro di tio oo chematizzare le bade come i figura co i livelli di Fermi dioti el
DettagliElettronica I Funzionamento del transistore MOS
Elettroica I Fuzioameto del trasistore MOS Valetio Liberali Dipartimeto di Tecologie dell Iformazioe Uiversità di Milao, 26013 Crema e-mail: liberali@dti.uimi.it http://www.dti.uimi.it/ liberali Elettroica
DettagliFenomeni ottici negli isolanti
Feomei ottici egli isolati Buoa parte dei cristalli che o coducoo l eergia elettrica soo ache traspareti, proprietà quest ultima dalla quale deriva il sigificato comue della parola cristallo. Vale qui
DettagliAssorbimento, Emissione: joint DOS
QW i MC Assorbimeto, Emissioe: joit DOS Elettroe e lacua si attraggoo e possoo formare u eccitoe Nel piao l eccitoe è libero di muoversi -e Eccitoe -e e e Dipedeza dallo spessore del pozzo Sommario eccitoe
DettagliDistribuzioni di probabilità
Itroduzioe Distribuzioi di robabilità Fio ad ora abbiamo studiato ua secifica fuzioe desità di robabilità, la fuzioe di Gauss, che descrive variabili date dalla somma di molti termii idiedeti es. ua misura
Dettagli( ) = J s m
CAPITOO 9 a meccaica quatistica QUESITI Quesito A ogi particella materiala co ua quatità di moto! p corrispode ua lughezza d oda, detta di De Broglie, data da: λ = h p. () Nel modello corpuscolare di Bohr
DettagliDispositivi elettronici
Disositivi elettronici I semiconduttori 1 Sommario Richiami sui semiconduttori conduttori, isolanti e semiconduttori bande di energia droganti nei semiconduttori corrente di deriva e diffusione Conduttori,
DettagliComportamento dei gas da un punto di vista macroscopico
GAS Può essere compresso facilmete Esercita ua pressioe sul recipiete No ha forma propria è volume proprio Occupa tutto il volume dispoibile Due gas diffodoo facilmete uo ell altro Tutti i gas hao basse
DettagliFOTODIODI METALLO-SEMICONDUTTORE
FOTODIODI METALLO-SEMICONDUTTORE Il problema dell assorbimeto di fotoi ella regioe eutra frotale può essere risolto ricorredo a diodi metallo-semicoduttore. Se il metallo utilizzato è trasparete o molto
Dettagli6. Corrente elettrica
6. Correte elettrica 6. Cosideriamo due coduttori, uo carico e l altro scarico e colleghiamoli co u filo coduttore La carica passa attraverso il filo Dopo u tempo τ il flusso di carica si arresta Defiiamo
DettagliT08: Dispositivi elettronici (3.3.1)
T08: Dispositivi elettronici (3.3.1) Sommario Richiami sui semiconduttori conduttori, isolanti e semiconduttori bande di energia droganti nei semiconduttori corrente di deriva e diffusione Funzionamento
DettagliDispositivi elettronici
Dispositivi elettronici Sommario Richiami sui semiconduttori conduttori, isolanti e semiconduttori bande di energia droganti nei semiconduttori corrente di deriva e diffusione Funzionamento della giunzione
DettagliComportamento dei gas da un punto di vista macroscopico
GAS uò essere compresso facilmete Esercita ua pressioe sul recipiete No ha forma propria è volume proprio Occupa tutto il volume dispoibile Due gas diffodoo facilmete uo ell altro Tutti i gas hao basse
DettagliInduzione Elettromagnetica
Iduzioe Elettromagetica U campo elettrico che iduce quidi ua correte elettrica produce u campo magetico. U campo magetico è i grado di produrre u campo elettrico? Quado o c e moto relativo fra il magete
DettagliPROPRIETÀ DELLE POTENZE IN BASE 10
PROPRIETÀ DELLE POTENZE IN BASE Poteze i base co espoete itero positivo Prediamo u umero qualsiasi che deotiamo co la lettera a e u umero itero positivo che deotiamo co la lettera Per defiizioe (cioè per
DettagliStudio matematico dei sistemi di controllo
Studio matematico dei sistemi di cotrollo Studio di u sistema fisico x(t segale di igresso (eccitazioe SISTEMA FISIO y(t segale di uscita (risosta y(t è legata a x(t da u equazioe differeziale che diede
DettagliIsolanti, Semiconduttri e Metalli
Isolati, Semicouttri e Metalli I materiali er alicaioi elettriche/elettroiche soo geeralmete classificati risetto al valore ella loro resistività ρ [Ωcm] (o coucibilità σ [S/cm] ): Materiale Isolati Semicouttori
DettagliSuccessioni di variabili aleatorie
0 Caitolo 5 Successioi i variabili aleatorie 5. Covergeza i istribuzioe e teorema cetrale i covergeza Sia {X } = (X,..., X,... ua successioe ifiita i variabili aleatorie e X u ulteriore variabile aleatoria.
DettagliCENTRO SALESIANO DON BOSCO TREVIGLIO Corso di Informatica
Da u mazzo di carte (3 carte er quattro semi di cui due eri e due rossi, co 3 figure er ogi seme si estragga ua carta. Calcolare la robabilità che a si estragga u re ero b si estragga ua figura rossa,
Dettagliq V C dipende solo dalla geometria dei piatti e ci dice quanta carica serve ad un dato condensatore per portarlo ad una DV fissata.
I codesatori codesatore è u dispositivo i grado di immagazziare eergia, sottoforma di eergia poteziale, i u campo elettrico Ogi volta che abbiamo a che fare co due coduttori di forma arbitraria detti piatti
DettagliPompa di calore a celle di Peltier. ( 3 ) Analisi dei dati
Pompa di calore a celle di Peltier ( 3 ) Aalisi dei dati Scuola estiva di Geova 2 6 settembre 2008 1 Primo esperimeto : riscaldameto per effetto Joule Come descritto ella guida, misuriamo tesioe di alimetazioe
DettagliAppunti sui modelli lineari
Uiversità degli Studi di Bologa Facoltà di Scieze Statistiche Auti sui modelli lieari Agela Motaari ANNO ACCADEMICO 2004-2005 . INRODUZI ONE AI DAI MUL IVARI AI Esemio (Fote: Quattroruote, Marzo 996 =
DettagliConsideriamo un insieme di n oggetti di natura qualsiasi. Indicheremo questi oggetti con
Calcolo Combiatorio Adolfo Scimoe pag 1 Calcolo combiatorio Cosideriamo u isieme di oggetti di atura qualsiasi. Idicheremo questi oggetti co a1 a2... a. Co questi oggetti si voglioo formare dei gruppi
DettagliInterazioni Elettrodeboli. Lezione n. 11. Teoria di Fermi del decadimento β Cinematica; spazio delle fasi Approssimazione non relativistica
Iterazioi Elettrodeboli rof. Fracesco Ragusa Uiversità di Milao Lezioe...04 Teoria di Fermi del decadimeto β Ciematica; sazio delle fasi Arossimazioe o relativistica ao accademico 04-05 Osservabili Fisiche
DettagliAPPROSSIMAZIONE NORMALE. 1. Si tirano 300 dadi non truccati. Sia X la somma dei punteggi. Calcolare approssimativamente le probabilità seguenti.
AROSSIMAZIONE NORMALE 1. Si tirao 300 dadi o truccati. Sia X la somma dei puteggi. Calcolare approssimativamete le probabilità segueti. (a (X 1000; (b (1000 X 1100. 2. La quatità di eve, che cade al gioro,i
DettagliTabella 1: classificazione dei materiali in funzione della loro resistività
INDIC CAPITOLO. MATRIALI PR L LTTRONICA.. INTRODUZION.. CONDUTTORI.3. ISOLANTI.4. SMICONDUTTORI... Moello a Dualità i Carica... Mobilità..3. Desità i Correte i rift i u Couttore..4. Desità i Correte i
DettagliElettronica II Modello del transistore bipolare a giunzione p. 2
lettronica II Modello del transistore biolare a giunzione Valentino Liberali Diartimento di Tecnologie dell Informazione Università di Milano, 26013 rema e-mail: liberali@dti.unimi.it htt://www.dti.unimi.it/
DettagliSperimentazioni di Fisica I mod. A Lezione 2
La Rappresetazioe dei Numeri Sperimetazioi di Fisica I mod. A Lezioe 2 Alberto Garfagii Marco Mazzocco Cizia Sada Dipartimeto di Fisica e Astroomia G. Galilei, Uiversità degli Studi di Padova Lezioe II:
DettagliVelocità della Luce e sua variazione. Nel passaggio dal vuoto ( cm/sec) ad un altro mezzo la velocità della luce diminuisce.
RIFRATTOMETRIA Defiizioe La rifrattometria è ua tecica strumetale che si basa sulla determiazioe di u parametro, l idice di rifrazioe, associato al feomeo della rifrazioe, cioè alla variazioe subita dalla
DettagliEsercitazione del 25/11/2011 Calcolo delle probabilità
Esercitazioe el 25//20 Calcolo elle robabilità Covergeza i istribuzioe. Sia {X } N ua successioe i variabili aleatorie reali. Sia X u ulteriore variabile aleatoria reale. Defiizioe. Diremo che la successioe
DettagliStatistica 1 A.A. 2015/2016
Corso di Laurea i Ecoomia e Fiaza Statistica 1 A.A. 2015/2016 (8 CFU, corrispodeti a 48 ore di lezioe frotale e 24 ore di esercitazioe) Prof. Luigi Augugliaro 1 / 21 Misura della dipedeza di u carattere
DettagliCOMPRESSORI VOLUMETRICI (CORSO MACCHINE 2 NAVALI - GENOVA)
DPARTMENTO D MACCHNE, SSTEM ENERGETC E TRASPORT Uiversità degli Studi di Geova ia Motallegro - 645 GENOA (taly) file: Comressoriol MACCHNE _GE-Lez.doc COMPRESSOR OLUMETRC (CORSO MACCHNE NAAL - GENOA) GENERALTA
DettagliLezione 3: Segnali periodici
eoria dei segali Segali a poteza media fiita e coversioe A/D Lezioe 3: Aalisi i frequeza Esempio di calcolo 005 Politecico di orio eoria dei segali aalisi i frequeza Poteza media Sia dato u segale (t)
DettagliMetodi iterativi per la risoluzione di sistemi lineari
Corso della scuola di dottorato: NUMERICAL METHDS FR INVERSE PRBLEMS Metodi iterativi er la risoluzioe di sistemi lieari Dottoradi: Mario Cascetta Efisio Casti Nicola Cau Itroduzioe ltre ai metodi diretti
DettagliEsercizi risolti. Capitolo 1 - Termodinamica. SISTEMI ENERGETICI (11CINKD) - Esercizi risolti - A.A. 2007/2008
Caitolo - Termodiamica. Sia u maometro a molla (tubo di Bourdo) ce u maometro a U soo collegati ad u reciiete er misurare la ressioe del gas all itero. Se la lettura del maometro a molla 80 kpa, determiare
DettagliMateriale Energy Gap
Semiconduttori Materiale diamante silicio germanio Energy Gap 5,3 ev 1,1 ev 0,7 ev 21 Semiconduttori Quando un elettrone, portatore di carica negativa, è promosso da banda di valenza a banda di conduzione,
DettagliFormazione delle bande di energia. Fisica Dispositivi Elettronici CdL Informatica A.A. 2003/4
Formazione delle bande di energia Calcolo formale: Equazione di Schröedinger L equazione di Schröedinger è una relazione matematica che descrive il comportamento ondulatorio di una particella (elettrone)
DettagliSUCCESSIONI DI FUNZIONI
SUCCESSIONI DI FUNZIONI LUCIA GASTALDI 1. Defiizioi ed esempi Sia I u itervallo coteuto i R, per ogi N si cosideri ua fuzioe f : I R. Il simbolo f } =1 idica ua successioe di fuzioi, cioè l applicazioe
DettagliAlcuni concetti di statistica: medie, varianze, covarianze e regressioni
A Alcui cocetti di statistica: medie, variaze, covariaze e regressioi Esistoo svariati modi per presetare gradi quatità di dati. Ua possibilità è presetare la cosiddetta distribuzioe, raggruppare cioè
Dettagli23 luglio 2008 Prova scritta di Chimica Analitica 1 con Laboratorio
23 luglio 2008 Prova scritta di Chimica Aalitica co Laboratorio. Ua soluzioe di glicole etileico di cocetrazioe C 6.067 mol/l ha ua desita ρ.046 kg/l. Calcolate la molalita della soluzioe. (Massa molare
DettagliAppunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 1
Apputi del corso Elettroica Aalogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 1 3 I TRANSISTORI 3.1 Itroduzioe 3.2 Il trasistore bipolare a giuzioe - BJT 3.2.1 Il pricipio di fuzioameto 3.2.2 La correte di Collettore
DettagliALCUNI ESERCIZI SUI TEST DI IPOTESI PARAMETRICHE PARTE 1
ALCUNI ESERCIZI SUI TEST DI IPOTESI PARAMETRICHE PARTE ESERCIZIO. Si vuole verificare l ipotesi, a livello di sigificatività α, che la media μ di ua variabile aleatoria X abbia u valore fissato μ. Si effettuao
DettagliLEGGE DEI GRANDI NUMERI
LEGGE DEI GRANDI NUMERI E. DI NARDO 1. Legge empirica del caso e il teorema di Beroulli I diverse occasioi, abbiamo mezioato che la ozioe ituitiva di probabilità si basa sulla seguete assuzioe: se i sperimetazioi
DettagliElettronica dello Stato Solido Lezione 12: Concentrazione di portatori all equilibrio
lettroica dello Stato Solido Lezioe 1: ocetrazioe di portatori all equilibrio Daiele Ielmii DI Politecico di Milao ielmii@elet.polimi.it D. Ielmii lettroica dello Stato Solido 1 Outlie Itroduzioe ocetrazioe
DettagliCORSO DI LAUREA IN SCIENZE BIOLOGICHE Prova scritta di FISICA 11 luglio 2012
COSO DI LUE I SCIEZE IOLOGICHE Prova scritta di FISIC luglio 0 ) Uo sciatore di assa 70 kg scede lugo ua ista erfettaete liscia, artedo da ua quota h 0, co velocità iiziale ulla. Giuto alla base della
DettagliQuesito 1. I seguenti dati si riferiscono ai tempi di reazione motori a uno stimolo luminoso, espressi in decimi di secondo, di un gruppo di piloti:
Quesito. I segueti dati si riferiscoo ai tempi di reazioe motori a uo stimolo lumioso, espressi i decimi di secodo, di u gruppo di piloti: 2, 6 3, 8 4, 8 5, 8 2, 6 4, 0 5, 0 7, 2 2, 6 4, 0 5, 0 7, 2 2,
DettagliPopolazione e Campione
Popolazioe e Campioe POPOLAZIONE: Isieme di tutte le iformazioi sul feomeo oggetto di studio Viee descritta mediate ua variabile casuale X: X ~ f ( x; ϑ) θ = costate icogita Qual è il valore di θ? E verosimile
DettagliESERCIZI UNITA G SOMMARIO
Cotrollo Termico dei Sistemi di Calcolo Es.G/0 ESERCIZI UNITA G SOMMARIO G. PERDITE DI CARICO G.I. G.II. G.III. G.IV. G.V. G.VI. Efflusso da serbatoio Codotto di vetilazioe Pompaggio di ua portata d acqua
DettagliLaboratorio di Fisica per Scienze Naturali Esperienza n 1. Verifica della legge di Hooke Misura dei coefficiente di elasticità di molle di acciaio.
Scopo dell'esperieza Laboratorio di isica per Scieze aturali Esperieza Verifica della legge di Hooe Misura dei coefficiete di elasticità di molle di acciaio. ) verifica del fatto che l allugameto di ua
DettagliElettrotecnica II. 1 Materiale didattico
Politecico di Torio Elettrotecica Materiale didattico Trasformatore Si cosideri il seguete circuito magetico: Sia S la sezioe del materiale ferromagetico. Si facciao le segueti ipotesi: ) asseza di flussi
DettagliPROVE SCRITTE DI MATEMATICA APPLICATA, ANNO 2013
PROVE SCRITTE DI MATEMATICA APPLICATA, ANNO 3 Prova scritta del 6//3 Esercizio Suppoiamo che ua variabile aleatoria Y abbia la seguete desita : { hx e 3/x, x > f Y (y) =, x, co h opportua costate positiva.
DettagliCENNI DI PROBABILITÀ E VARIABILI CASUALI
CI DI PROBABILITÀ VARIABILI CASUALI PROBABILITA VARIABILI CASUALI Frequeza relativa e robabilità Mediate le le robabilità si si descrivoo i i feomei che che ossoo essere essere esati come come u u eserimeto
DettagliLe successioni: intro
Le successioi: itro Si cosideri la seguete sequeza di umeri:,, 2, 3, 5, 8, 3, 2, 34, 55, 89, 44, 233, detti di Fiboacci. Essa rappreseta il umero di coppie di coigli preseti ei primi 2 mesi i u allevameto!
DettagliLe perdite meccaniche per attrito e ventilazione si possono ritenere costanti e pari a 400 W.
Corso di Macchie e azioameti elettrici A.A. 003-004 rova i itiere del ovembre 003 Esercizio. Le caratteristiche omiali di u motore asicroo trifase co rotore a gabbia soo le segueti: = 7,46 kw; =0, 50 Hz,
DettagliSOLLECITAZIONI SEMPLICI
Sussidi didattici per il corso di COSTRUZIONI EDILI Prof. Ig. Fracesco Zaghì SOLLECITAZIONI SEPLICI AGGIORNAENTO 04/10/2011 Corso di COSTRUZIONI EDILI Prof. Ig. Fracesco Zaghì SFORZO NORALE CENTRATO Lo
Dettagli2,3, (allineamenti decimali con segno, quindi chiaramente numeri reali); 4 ( = 1,33)
Defiizioe di umero reale come allieameto decimale co sego. Numeri reali positivi. Numeri razioali: defiizioe e proprietà di desità Numeri reali Defiizioe: U umero reale è u allieameto decimale co sego,
DettagliRiflessione, trasmissione o assorbimento
Riflessioe, trasmissioe o assorbimeto L idice di rifrazioe complesso i fuzioe della frequeza è u parametro estremamete utile perché rappreseta tutte le caratteristiche ottiche del materiale. Quado la radiazioe
DettagliSegnalate imprecisioni o chiedete chiarimenti a:
Dimesioameto di circuiti FC-MO Esercitazioe di Circuiti Elettroici Digitali LA Dimesioameto di circuiti FCMO Esercizio 1 i assuma la caacità di igresso dell ivertitore C 100fF: 1) i realizzio le reti PU
DettagliScheda n.6: legame tra due variabili; correlazione e regressione
Scheda.6: legame tra due variabili; correlazioe e regressioe October 26, 2008 Covariaza e coefficiete di correlazioe Date due v.a. X ed Y, chiamiamo covariaza il umero Cov (X, Y ) = E [(X E [X]) (Y E [Y
DettagliEsame di Statistica A-Di Prof. M. Romanazzi
1 Uiversità di Veezia Esame di Statistica A-Di Prof. M. Romaazzi 12 Maggio 2014 Cogome e Nome..................................... N. Matricola.......... Valutazioe Il puteggio massimo teorico di questa
DettagliDIFFUSIONE DELL AIDS. ( Modello di Ho )
DIFFUSIONE DELL AIDS ( Modello di Ho - 1994 ) Matematica applicata alla Biologia- Lucia Della Croce Il virus HIV (Huma Immuodeficiec Virus) provoca lo sviluppo dell AIDS (Acquired ImmuoDeficiec Sidrome)
DettagliCorso di Informatica
Corso di Iformatica Codifica dell Iformazioe Sistemi Numerici Per rappresetare ua certo quatità di oggetti è ecessaria ua covezioe o sistema umerico che faccia corrispodere ad ua sequeza di ua o più cifre,
DettagliStatistica. Lezione 5
Uiversità degli Studi del Piemote Orietale Corso di Laurea i Ifermieristica Corso itegrato i Scieze della Prevezioe e dei Servizi saitari Statistica Lezioe 5 a.a 2011-2012 Dott.ssa Daiela Ferrate daiela.ferrate@med.uipm.it
Dettagli